技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種四值憶阻器的讀寫電路。本發(fā)明基于憶阻器具有阻值可連續(xù)變化的特性，實現(xiàn)了憶阻器存儲2比特信息的功能。相較于傳統(tǒng)的存儲電路元件，憶阻器具有體積小、功耗低、集成讀高、非易失性等優(yōu)點，而將憶阻器存儲的信息量由1比特提高到2比特，基于憶阻器的存儲電路的存儲密度可以提高一倍。所述讀電路使用電壓比較器以及譯碼器來完成信息讀取，寫電路依據(jù)反饋的思想來設計，能準確寫入期望的信息。仿真結果表明，提出的讀寫電路可以準確地對憶阻器進行信息寫入及信息讀取。

技術研發(fā)人員：裴文江;凌峰;王開
受保護的技術使用者：東南大學
技術研發(fā)日：2017.03.10
技術公布日：2017.07.04