本發(fā)明涉及nandflash質(zhì)量檢驗(yàn)領(lǐng)域，特別涉及一種檢驗(yàn)nandflash質(zhì)量的方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

現(xiàn)在絕大多數(shù)數(shù)碼產(chǎn)品都會用到存儲設(shè)備，在數(shù)碼產(chǎn)品越來越廣泛的情況下，存儲設(shè)備的穩(wěn)定性和安全性是保證了數(shù)碼產(chǎn)品數(shù)據(jù)的正確性和系統(tǒng)的穩(wěn)定性的重要因素。

但是，在生產(chǎn)過程中難免會產(chǎn)生不穩(wěn)定或不安全的存儲設(shè)備。所以，找出存儲設(shè)備nandflash的不穩(wěn)定的因素，在存儲設(shè)備nandflash投入到下一步制造流程前，對存儲設(shè)備進(jìn)行精確的檢驗(yàn)，并將檢驗(yàn)結(jié)果準(zhǔn)確的反饋給數(shù)碼設(shè)備，是使數(shù)碼設(shè)備使用更穩(wěn)定，壽命更長的一種有效方式。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：準(zhǔn)確的判斷nandflash的質(zhì)量情況。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：

本發(fā)明提供一種檢驗(yàn)nandflash質(zhì)量的方法，包括步驟：

判斷nandflash內(nèi)的內(nèi)存塊的第一頁和最后一頁的第一個(gè)字符是否為預(yù)設(shè)字符，若否，根據(jù)所述內(nèi)存塊的編號創(chuàng)建原始壞塊表；

判斷所述內(nèi)存塊內(nèi)是否存在不合格頁，所述不合格頁指頁內(nèi)每個(gè)扇區(qū)錯(cuò)位數(shù)大于預(yù)設(shè)位數(shù)，得到第一判斷結(jié)果；

若所述第一判斷結(jié)果為所述內(nèi)存塊內(nèi)存在不合格頁，則根據(jù)所述存在不合格頁的內(nèi)存塊的編號創(chuàng)建最終壞塊表；

判斷所述最終壞塊表記錄的內(nèi)存塊數(shù)量是否大于預(yù)設(shè)閾值，得到第二判斷結(jié)果；

若所述第二判斷結(jié)果為所述最終壞塊表記錄的內(nèi)存塊數(shù)量不大于預(yù)設(shè)閾值；則判斷所述最終壞塊表記錄的內(nèi)存塊的編號是否不等于所述原始壞塊表記錄的內(nèi)存塊的編號，若不等于：則確定所述nandflash為不合格。

本發(fā)明另提供一種檢驗(yàn)nandflash質(zhì)量的系統(tǒng)，包括：

第一判斷模塊，用于判斷nandflash內(nèi)的內(nèi)存塊的第一頁和最后一頁的第一個(gè)字符是否為預(yù)設(shè)字符，若否，根據(jù)所述內(nèi)存塊的編號創(chuàng)建原始壞塊表；

第二判斷模塊，用于判斷所述內(nèi)存塊內(nèi)是否存在不合格頁，所述不合格頁指頁內(nèi)每個(gè)扇區(qū)錯(cuò)位數(shù)大于預(yù)設(shè)位數(shù)，得到第一判斷結(jié)果；

創(chuàng)建模塊，用于若所述第一判斷結(jié)果為所述內(nèi)存塊內(nèi)存在不合格頁，則根據(jù)所述存在不合格頁的內(nèi)存塊的編號創(chuàng)建最終壞塊表；

第三判斷模塊，用于判斷所述最終壞塊表記錄的內(nèi)存塊數(shù)量是否大于預(yù)設(shè)閾值，得到第二判斷結(jié)果；

第四判斷模塊，用于若所述第二判斷結(jié)果為所述最終壞塊表記錄的內(nèi)存塊數(shù)量不大于預(yù)設(shè)閾值；則判斷所述最終壞塊表記錄的內(nèi)存塊的編號是否不等于所述原始壞塊表記錄的內(nèi)存塊的編號，若不等于：則確定所述nandflash為不合格。

本發(fā)明的有益效果在于：通過兩次的檢驗(yàn)，第一次通過檢驗(yàn)每個(gè)內(nèi)存塊第一頁和最后一頁是否存在預(yù)設(shè)的字符來確定是否存在質(zhì)量問題的內(nèi)存塊，第二次通過數(shù)據(jù)的輸入和讀取來檢驗(yàn)，比對兩次檢驗(yàn)得到的內(nèi)存塊情況來對nandflash的質(zhì)量狀況做出一個(gè)全面且準(zhǔn)確的評價(jià)，確保最終出廠nandflash不會存在嚴(yán)重的質(zhì)量問題，不對嚴(yán)重影響數(shù)碼設(shè)備其他部件的運(yùn)行。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一種檢驗(yàn)nandflash質(zhì)量的方法具體實(shí)施方式的流程框圖；

圖2為本發(fā)明一種檢驗(yàn)nandflash質(zhì)量的系統(tǒng)具體實(shí)施方式的系統(tǒng)框圖；

圖3為本發(fā)明一種檢驗(yàn)nandflash質(zhì)量的系統(tǒng)具體實(shí)施方式的系統(tǒng)框圖；

標(biāo)號說明：

1、第一判斷模塊；2、第二判斷模塊；3、創(chuàng)建模塊；4、第三判斷模塊；5、第四判斷模塊；6、存儲模塊；7、劃分模塊。

具體實(shí)施方式

為詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖予以說明。

本發(fā)明最關(guān)鍵的構(gòu)思在于：第一次通過檢驗(yàn)每個(gè)內(nèi)存塊第一頁和最后一頁的首字符來確定塊的質(zhì)量，第二次對每個(gè)內(nèi)存塊進(jìn)行讀取數(shù)據(jù)操作來確定內(nèi)存塊的質(zhì)量，比對兩次檢驗(yàn)的得到的內(nèi)存塊的情況來確定nandflash的質(zhì)量。

請參照圖1-圖3，

如圖1所示，本發(fā)明提供一種檢驗(yàn)nandflash質(zhì)量的方法：

判斷nandflash內(nèi)的內(nèi)存塊的第一頁和最后一頁的第一個(gè)字符是否為預(yù)設(shè)字符，若否，根據(jù)所述內(nèi)存塊的編號創(chuàng)建原始壞塊表；

判斷所述內(nèi)存塊內(nèi)是否存在不合格頁，所述不合格頁指頁內(nèi)每個(gè)扇區(qū)錯(cuò)位數(shù)大于預(yù)設(shè)位數(shù)，得到第一判斷結(jié)果；

若所述第一判斷結(jié)果為所述內(nèi)存塊內(nèi)存在不合格頁，則根據(jù)所述存在不合格頁的內(nèi)存塊的編號創(chuàng)建最終壞塊表；

判斷所述最終壞塊表記錄的內(nèi)存塊數(shù)量是否大于預(yù)設(shè)閾值，得到第二判斷結(jié)果；

若所述第二判斷結(jié)果為所述最終壞塊表記錄的內(nèi)存塊數(shù)量不大于預(yù)設(shè)閾值；則判斷所述最終壞塊表記錄的內(nèi)存塊的編號是否不等于所述原始壞塊表記錄的內(nèi)存塊的編號，若不等于：則確定所述nandflash為不合格。

由上述描述可知，本發(fā)明的有益效果在于：通過兩次的檢驗(yàn)，能更準(zhǔn)確的確定nandflash的質(zhì)量狀況，精確的找出nandflash中存在質(zhì)量問題的塊。同時(shí)，比對兩次檢驗(yàn)的結(jié)果，還能找出性能不穩(wěn)定性nandflash，將其確認(rèn)為不合格，不予出廠。

進(jìn)一步的，還包括：

擦除所述nandflash內(nèi)的內(nèi)存塊的數(shù)據(jù)；

判斷所述nandflash內(nèi)的內(nèi)存塊第一頁的第一個(gè)字符是否為預(yù)設(shè)字符，若否，創(chuàng)建原始壞塊表記錄所述第一內(nèi)存塊；否則：判斷判斷所述nandflash內(nèi)第一內(nèi)存塊最后一頁的第一個(gè)字符是否為預(yù)設(shè)字符，若否，創(chuàng)建原始壞塊表記錄所述第一內(nèi)存塊。

由上述描述可知，第一次檢驗(yàn)的時(shí)候，先檢驗(yàn)內(nèi)存塊第一頁，若第一頁第一個(gè)字符為預(yù)設(shè)字符，則再檢驗(yàn)內(nèi)存塊最后一頁，從而提高了檢驗(yàn)的效率。

進(jìn)一步的，還包括：

擦除所述內(nèi)存塊的數(shù)據(jù)；

存儲預(yù)設(shè)第一數(shù)據(jù)到所述nandflash內(nèi)的內(nèi)存塊；讀取所述內(nèi)存塊內(nèi)數(shù)據(jù)得到第二數(shù)據(jù)；

根據(jù)所述第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)判斷是否每個(gè)扇區(qū)錯(cuò)位數(shù)大于預(yù)設(shè)位數(shù)的頁，得到第三判斷結(jié)果；

若所述第三判斷結(jié)果為存在每個(gè)扇區(qū)錯(cuò)位數(shù)大于預(yù)設(shè)位數(shù)的頁，則根據(jù)所述內(nèi)存塊更新所述原始壞塊表得到最終壞塊表。

由上述描述可知，在進(jìn)行第二次檢驗(yàn)之前，先進(jìn)行擦除操作，避免內(nèi)存塊中原有的數(shù)據(jù)影響檢驗(yàn)的結(jié)果，提高了檢驗(yàn)的精確性。

進(jìn)一步的，還包括：

存儲所述原始壞塊表、最終壞塊表至所述nandflash內(nèi)的內(nèi)存塊。

由上述描述可知，將兩次檢驗(yàn)獲得的壞塊表保存在nandflash，可以使設(shè)備在進(jìn)行存儲操作的時(shí)候避過這些壞塊，從而降低了操作的出錯(cuò)率。

進(jìn)一步的，還包括：

為所述內(nèi)存塊劃分預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)頁。

由上述描述可知，將內(nèi)存塊劃分為若干的頁，使數(shù)據(jù)的保存更為規(guī)范，提高了存儲的效率，降低了存儲的出錯(cuò)率。

如圖2所示，本發(fā)明提供一種檢驗(yàn)nandflash質(zhì)量的系統(tǒng)，包括：

第一判斷模塊1，用于判斷nandflash內(nèi)的內(nèi)存塊的第一頁和最后一頁的第一個(gè)字符是否為預(yù)設(shè)字符，若否，根據(jù)所述內(nèi)存塊的編號創(chuàng)建原始壞塊表；

第二判斷模塊2，用于判斷所述內(nèi)存塊內(nèi)是否存在不合格頁，所述不合格頁指頁內(nèi)每個(gè)扇區(qū)錯(cuò)位數(shù)大于預(yù)設(shè)位數(shù)，得到第一判斷結(jié)果；

創(chuàng)建模塊3，用于若所述第一判斷結(jié)果為所述內(nèi)存塊內(nèi)存在不合格頁，則根據(jù)所述存在不合格頁的內(nèi)存塊的編號創(chuàng)建最終壞塊表；

第三判斷模塊4，用于判斷所述最終壞塊表記錄的內(nèi)存塊數(shù)量是否大于預(yù)設(shè)閾值，得到第二判斷結(jié)果；

第四判斷模塊5，用于若所述第二判斷結(jié)果為所述最終壞塊表記錄的內(nèi)存塊數(shù)量不大于預(yù)設(shè)閾值；則判斷所述最終壞塊表記錄的內(nèi)存塊的編號是否不等于所述原始壞塊表記錄的內(nèi)存塊的編號，若不等于：則確定所述nandflash為不合格。

進(jìn)一步的，所述第一判斷模塊，還包括：

第一擦除單元，用于擦除所述nandflash內(nèi)的內(nèi)存塊的數(shù)據(jù)；

第一判斷單元，用于判斷所述nandflash內(nèi)的內(nèi)存塊第一頁的第一個(gè)字符是否為預(yù)設(shè)字符，若否，創(chuàng)建原始壞塊表記錄所述第一內(nèi)存塊；否則：判斷所述nandflash內(nèi)第一內(nèi)存塊最后一頁的第一個(gè)字符是否為預(yù)設(shè)字符，若否，創(chuàng)建原始壞塊表記錄所述第一內(nèi)存塊。

進(jìn)一步的，所述第二判斷模塊，還包括：

第二擦除單元，用于擦除所述內(nèi)存塊的數(shù)據(jù)；

存儲單元，用于存儲預(yù)設(shè)第一數(shù)據(jù)到所述nandflash內(nèi)的內(nèi)存塊；讀取所述內(nèi)存塊內(nèi)數(shù)據(jù)得到第二數(shù)據(jù)；

第二判斷單元，用于根據(jù)所述第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)判斷是否每個(gè)扇區(qū)錯(cuò)位數(shù)大于預(yù)設(shè)位數(shù)的頁，得到第三判斷結(jié)果；

更新單元，用于若所述第三判斷結(jié)果為存在每個(gè)扇區(qū)錯(cuò)位數(shù)大于預(yù)設(shè)位數(shù)的頁，則根據(jù)所述內(nèi)存塊更新所述原始壞塊表得到最終壞塊表。

進(jìn)一步的，還包括：

存儲模塊6，用于存儲所述原始壞塊表、最終壞塊表至所述nandflash內(nèi)的內(nèi)存塊。

進(jìn)一步的，還包括：

劃分模塊7，用于為所述內(nèi)存塊劃分預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)頁。

實(shí)施例：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種檢驗(yàn)nandflash質(zhì)量的方法，包括如下步驟：

s1、擦除nandflash的所有物理塊，并建立一張?jiān)級膲K表。

s2、隨機(jī)獲取nandflash內(nèi)的內(nèi)存塊，檢查所獲取的內(nèi)存塊的第一頁的第一個(gè)字節(jié)是否為0xff，若否：將該塊的信息保存到原始壞塊表內(nèi)；若是：檢查所獲取的內(nèi)存塊的最后一頁的第一個(gè)字節(jié)是否為0xff，若是：則確定這個(gè)塊為合格，將該塊的信息保存到原始壞塊表內(nèi)；若否：則確定這個(gè)塊為不合格。如此循環(huán)遍歷所有塊。

s3、設(shè)置程序在nandflash內(nèi)，并創(chuàng)建最終壞塊表。

s4、所述程式首先會擦除第一個(gè)內(nèi)存塊(塊0)內(nèi)的數(shù)據(jù)；然后，獲取nandflash內(nèi)第一個(gè)內(nèi)存塊。

s5、在使能ecc(錯(cuò)誤檢查與糾正)的情況下，用隨機(jī)數(shù)據(jù)寫滿所述第一個(gè)內(nèi)存塊內(nèi)的所有頁。寫整個(gè)塊后，接下來就把所述第一個(gè)內(nèi)存塊內(nèi)的所有頁的數(shù)據(jù)讀出，利用硬件的ecc(錯(cuò)誤檢查與糾正)檢驗(yàn)，判斷是否每個(gè)sector(扇區(qū))數(shù)據(jù)出錯(cuò)的位數(shù)大于等于16位，若是就認(rèn)為此塊比較弱，故提前標(biāo)志為壞塊，這時(shí)更新程式的壞塊表把此塊對應(yīng)的塊的位置標(biāo)識為壞塊，并記錄該塊的編號到最終壞塊表內(nèi)，這樣后面的數(shù)據(jù)讀寫就避開此塊，使后續(xù)的數(shù)據(jù)讀寫更安全。以上的操作完成后，跳到下一個(gè)塊繼續(xù)以上操作，直到所有塊都測試完成。這時(shí)最終壞塊表也建立完成。

s6、判斷所述最終壞塊表記錄的內(nèi)存塊數(shù)量是否大于預(yù)設(shè)數(shù)值，若大于，則：確定所述nandflash為不合格；若不大于：

s7、判斷所述最終壞塊表記錄的內(nèi)存塊的編號是否不等于所述原始壞塊表記錄的內(nèi)存塊的編號，若不等于：則確定所述nandflash為不合格；若等于：則確定所述nandflash為合格。

綜上所述，本發(fā)明提供的提供一種檢驗(yàn)nandflash質(zhì)量的方法及系統(tǒng)。通過兩次質(zhì)量的檢驗(yàn)，第一次通過檢驗(yàn)每個(gè)內(nèi)存塊第一頁和最后一頁的首字符來確定塊的質(zhì)量，第二次對每個(gè)內(nèi)存塊進(jìn)行讀取數(shù)據(jù)操作來確定內(nèi)存塊的質(zhì)量，比對兩次檢驗(yàn)的得到的內(nèi)存塊的情況來確定nandflash的質(zhì)量，并且將兩次得到的壞塊表保存在nandflash可以讓使用nandflash的設(shè)備通過壞塊表避過壞塊，保證了存儲數(shù)據(jù)的質(zhì)量，同時(shí)為內(nèi)存塊劃分若干的頁，使存儲的管理更加的規(guī)范高效，在檢驗(yàn)每個(gè)內(nèi)存塊第一頁和最后一頁的首字符來確定塊的質(zhì)量時(shí)，先檢驗(yàn)第一個(gè)字符若為預(yù)設(shè)字符，再檢驗(yàn)最后一頁的首字符，提高了檢驗(yàn)的效率。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等同變換，或直接或間接運(yùn)用在相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。