本發(fā)明涉及存儲器領域，具體地涉及dram，更具體地涉及一種用于dram的ecc編碼方法以及一種dram。

背景技術：

dram(dynamicrandomaccessmemory),即動態(tài)隨機存取存儲器，其是一種易失性存儲器。

對于dram來說，在數(shù)據(jù)存儲的過程中數(shù)據(jù)常常會出現(xiàn)錯誤，因此需要錯誤檢測和糾正技術來保證數(shù)據(jù)存儲的正確性。ecc(errorcorrectioncode糾錯碼)利用在一定長度數(shù)據(jù)位的基礎上增加監(jiān)督位來檢測和糾正出錯的數(shù)據(jù)。包含ecc功能的dram的常規(guī)讀寫過程如圖1和圖2所示。

圖1示意性地描述了dram的數(shù)據(jù)寫入過程。其中數(shù)據(jù)陣列用來存儲數(shù)據(jù)，ecc陣列用來存儲ecc位，即監(jiān)督位。當n位數(shù)據(jù)從外部源寫入存儲器時，存儲器會通過ecc編碼電路用此n位數(shù)據(jù)產(chǎn)生m位監(jiān)督位，n位數(shù)據(jù)和m位監(jiān)督位會被暫時數(shù)據(jù)鎖存，然后通過寫驅(qū)動一起被寫入相應的存儲陣列，即n位數(shù)據(jù)存儲于數(shù)據(jù)陣列中，m位監(jiān)督位存儲于ecc陣列中。其中數(shù)據(jù)長度n大于0，并小于等于存儲器進行一次讀寫操作的數(shù)據(jù)長度。監(jiān)督位長度m大于0，其值由所選取的ecc算法所決定。應注意，數(shù)據(jù)陣列、ecc陣列以及ecc編碼電路都位于存儲器內(nèi)部，存儲器內(nèi)還包括在此未示出的其他部件。

圖2示意性地描述了dram的數(shù)據(jù)讀取過程。n位數(shù)據(jù)和m位監(jiān)督位被從各自的存儲陣列中讀取，經(jīng)第二級靈敏放大器放大后被暫時數(shù)據(jù)鎖存，然后送到ecc糾錯模塊，ecc糾錯模塊可以對錯誤進行檢測和糾正，并輸出糾正后的n位數(shù)據(jù)。

從圖1的數(shù)據(jù)寫入過程可知道，在ecc編碼模塊產(chǎn)生m位監(jiān)督位時，需要數(shù)據(jù)長度為n的數(shù)據(jù)位，這是由所選取的ecc算法決定的。但對于存儲器來說，輸入進的n位數(shù)據(jù)并不是都能用來進行ecc編碼。也就是說，輸入數(shù)據(jù)中對編碼有效的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)長度并不是一成不變的，其中對編碼有效的數(shù)據(jù)指的是可以被用于產(chǎn)生監(jiān)督位的數(shù)據(jù)。例如，dram的規(guī)范里就規(guī)定當存在數(shù)據(jù)屏蔽(data-mask)或者突發(fā)突變模式(burstchopmode)時，n位輸入數(shù)據(jù)中有若干位不能用于ecc編碼，其對編碼有效的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)長度就會改變，使得該數(shù)據(jù)長度小于n。又例如，對于不同數(shù)據(jù)長度的結構，例如x4，x8，x16等模式，其對編碼有效的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)長度也會隨著外部的控制而變化，使得對編碼有效的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)長度不等于n。但是一旦選定ecc算法，其對應的ecc編碼模塊所需要的數(shù)據(jù)長度就是一定的，因此在對編碼有效的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)長度變化的情況下則不能順利產(chǎn)生ecc位。

現(xiàn)有技術中的一種解決方法是在這些可能遇到的所有限制條件里面找到一個最小數(shù)據(jù)長度，并根據(jù)這個最小數(shù)據(jù)長度選擇ecc的算法，這樣就能支持所有模式。如果這個最小數(shù)據(jù)長度是8，即使是對于最高效的漢明碼來說，最少也需要4位的監(jiān)督位，這會增加至少50％的存儲面積去存儲ecc的監(jiān)督位，使得存儲器的成本大大增加，并降低了ecc算法選取的靈活性和高效性。

如果為了不增加寫操作的功耗，或者不影響到寫操作的時序，或者因任何原因使得在寫操作的時候不進行ecc編碼，用傳統(tǒng)的方法就不能實現(xiàn)ecc功能。

因此，需要一種新的ecc編碼方法來解決上述問題。

技術實現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種對dram進行ecc編碼的方法，其中該dram包括存儲陣列，所述方法包括：

在對dram進行刷新的同時，標志位設定和檢測模塊檢測標志位陣列中的標志位是否為初始值，其中所述標志位陣列位于所述存儲陣列中，所述標志位設定和檢測模塊位于所述dram中，并且其中所述標志位與所述存儲陣列中的數(shù)據(jù)陣列的每一數(shù)據(jù)長度為n的數(shù)據(jù)一一對應；

若所述標志位設定和檢測模塊檢測到標志位為初始值，指示與該標志位對應的n位數(shù)據(jù)未被ecc編碼，則所述標志位設定和檢測模塊生成一個使能信號，該使能信號使得所述dram中的ecc編碼模塊對這n位數(shù)據(jù)進行ecc編碼，產(chǎn)生相應的監(jiān)督位，并且所述標志位設定和檢測模塊將該標志位設定為非初始值；以及

若所述標志位設定和檢測模塊檢測到標志位為非初始值，指示與該標志位對應的n位數(shù)據(jù)已被ecc編碼，則所述標志位設定和檢測模塊不執(zhí)行操作；

其中所述ecc編碼模塊僅在所述標志位設定和檢測模塊生成一個使能信號的情況下對數(shù)據(jù)進行編碼。

上述方法的優(yōu)點在于可以保證用于ecc編碼的有效數(shù)據(jù)的長度符合ecc編碼的要求，這是因為刷新時字線被激活，此時存儲單元的數(shù)據(jù)會被讀出并放大，每次選取長度為n的數(shù)據(jù)，這些長度為n的數(shù)據(jù)可被用于ecc編碼，因此確保了有效數(shù)據(jù)長度為n的數(shù)據(jù)被用于ecc編碼，從而確保了ecc編碼的正確性。

根據(jù)本發(fā)明的方法的一個優(yōu)選實施方案，在刷新時，dram的所有字線依次被激活，同一字線下的數(shù)據(jù)同時被刷新，但每次刷新時每根字線下僅一部分數(shù)據(jù)被ecc編碼。

根據(jù)本發(fā)明的方法的一個優(yōu)選實施方案，在緊接著dram上電后的刷新中，每次刷新時每根字線中進行ecc編碼的列地址數(shù)目是相同的。

根據(jù)本發(fā)明的方法的一個優(yōu)選實施方案，在dram上電后對數(shù)據(jù)陣列中的數(shù)據(jù)都進行了一次ecc編碼之后，每次刷新時每根字線中進行ecc編碼的列地址數(shù)目是不同的。

根據(jù)本發(fā)明的方法的一個優(yōu)選實施方案，在dram上電后的首次刷新之前，所述標志位陣列中的標志位都被設定為初始值。

根據(jù)本發(fā)明的方法的一個優(yōu)選實施方案，當外部數(shù)據(jù)源對dram執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入時，所述標志位設定和檢測模塊使得與寫入的數(shù)據(jù)相對應的標志位變?yōu)槌跏贾怠?/p>

根據(jù)本發(fā)明的方法的一個優(yōu)選實施方案，所述刷新包括自動刷新和自刷新。

根據(jù)本發(fā)明的方法的一個優(yōu)選實施方案，所述初始值為0，所述非初始值為1。

根據(jù)本發(fā)明的方法的一個優(yōu)選實施方案，所述初始值為1，所述非初始值為0。

根據(jù)本發(fā)明的方法的一個優(yōu)選實施方案，所述標志位設定和檢測模塊檢測所述標志位是否為初始值是對每根字線按照列地址依次進行的。

根據(jù)本發(fā)明的方法的一個優(yōu)選實施方案，所述方法還包括對數(shù)據(jù)單元中的數(shù)據(jù)進行糾錯的步驟，包括：

所述標志位設定和檢測模塊檢測與數(shù)據(jù)對應的標志位的狀態(tài)，并生成解碼使能信號，

若標志位的值為初始值，則該解碼使能信號關閉ecc糾錯功能，

若標志位的值為非初始值，則該解碼使能信號開啟ecc糾錯功能。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種動態(tài)隨機存取存儲器dram，該dram包括存儲陣列，其中所述dram還包括：

標志位陣列；以及

標志位設定和檢測模塊，在對dram進行刷新的同時，該標志位設定和檢測模塊檢測標志位陣列中的標志位是否為初始值，其中所述標志位陣列位于所述存儲陣列中，所述標志位設定和檢測模塊位于所述dram中，并且其中所述標志位與所述存儲陣列中的數(shù)據(jù)陣列的每一數(shù)據(jù)長度為n的數(shù)據(jù)一一對應；

若所述標志位設定和檢測模塊檢測到標志位為初始值，指示與該標志位對應的n位數(shù)據(jù)未被ecc編碼，則所述標志位設定和檢測模塊生成一個使能信號，該使能信號使得所述dram中的ecc編碼模塊對這n位數(shù)據(jù)進行ecc編碼，產(chǎn)生相應的監(jiān)督位，并且所述標志位設定和檢測模塊將該標志位設定為非初始值；以及

若所述標志位設定和檢測模塊檢測到標志位為非初始值，指示與該標志位對應的n位數(shù)據(jù)已被ecc編碼，則所述標志位設定和檢測模塊不執(zhí)行操作；

其中所述ecc編碼模塊僅在所述標志位設定和檢測模塊生成一個使能信號的情況下對數(shù)據(jù)進行編碼。

根據(jù)本發(fā)明的動態(tài)隨機存取存儲器dram的一個優(yōu)選實施方案，在刷新時，dram的所有字線依次被激活，同一字線下的數(shù)據(jù)同時被刷新，但每次刷新時每根字線下僅一部分數(shù)據(jù)被ecc編碼。

根據(jù)本發(fā)明的動態(tài)隨機存取存儲器dram的一個優(yōu)選實施方案，在緊接著dram上電后的刷新中，每次刷新時每根字線中進行ecc編碼的列地址數(shù)目是相同的。

根據(jù)本發(fā)明的動態(tài)隨機存取存儲器dram的一個優(yōu)選實施方案，在dram上電后對數(shù)據(jù)陣列中的數(shù)據(jù)都進行了一次ecc編碼之后，每次刷新時每根字線中進行ecc編碼的列地址數(shù)目是不同的。

根據(jù)本發(fā)明的動態(tài)隨機存取存儲器dram的一個優(yōu)選實施方案，在dram上電后的首次刷新之前，所述標志位陣列中的標志位都被設定為初始值。

根據(jù)本發(fā)明的動態(tài)隨機存取存儲器dram的一個優(yōu)選實施方案，當外部數(shù)據(jù)源對dram執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入時，所述標志位設定和檢測模塊使得與寫入的數(shù)據(jù)相對應的標志位變?yōu)槌跏贾怠?/p>

根據(jù)本發(fā)明的動態(tài)隨機存取存儲器dram的一個優(yōu)選實施方案，所述刷新包括自動刷新和自刷新。

根據(jù)本發(fā)明的動態(tài)隨機存取存儲器dram的一個優(yōu)選實施方案，所述初始值為0，所述非初始值為1。

根據(jù)本發(fā)明的動態(tài)隨機存取存儲器dram的一個優(yōu)選實施方案，所述初始值為1，所述非初始值為0。

根據(jù)本發(fā)明的動態(tài)隨機存取存儲器dram的一個優(yōu)選實施方案，所述標志位設定和檢測模塊檢測所述標志位是否為初始值是對每根字線按照列地址依次進行的。

根據(jù)本發(fā)明的動態(tài)隨機存取存儲器dram的一個優(yōu)選實施方案，當所述dram中進行ecc糾錯時，所述標志位設定和檢測模塊檢測與數(shù)據(jù)對應的標志位的狀態(tài)，并生成解碼使能信號，若標志位的值為初始值，則該解碼使能信號關閉ecc糾錯功能；若標志位的值為非初始值，則該解碼使能信號開啟ecc糾錯功能。

附圖說明

圖1示意性地描述了dram的數(shù)據(jù)寫入過程

圖2示意性地描述了dram的數(shù)據(jù)讀取過程。

圖3示出了帶有標志位陣列以及標志位設定和檢測模塊的存儲器。

圖4a示出了在帶有標志位陣列以及標志位設定和檢測模塊的存儲器中，在緊接著上電之后進行的刷新時ecc編碼操作的流程圖。

圖4b示出了在dram中的所有數(shù)據(jù)于上電后都進行了ecc編碼之后進行刷新時的ecc編碼操作的流程圖。

圖5示出了在帶有標志位陣列以及標志位設定和檢測模塊的存儲器中進行糾錯的過程。

具體實施方式

下面結合附圖進一步描述本發(fā)明的各個實施例。在所有附圖中，相同或相似的標號表示相同或相似的元件或具有相同或相似功能的元件。應理解，下面結合附圖描述的實施例僅是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不意在限制本發(fā)明。

對于dram來說，由于存儲單元(多個存儲單元構成了包括數(shù)據(jù)陣列和ecc陣列的存儲陣列)存儲的信息可能會丟失，因此在一定的時間內(nèi)需要對存儲單元的存儲信息進行刷新(refresh)。當執(zhí)行刷新操作時，各個字線wl(wordline)被依次激活，同一根字線下的所有存儲單元的存儲內(nèi)容會被同時讀出并放大，然后再寫回去，從而防止信息丟失。應理解，這里的讀出和寫回指的是在刷新時存儲器內(nèi)自身進行的讀和寫，而圖1和圖2中所描述的分別是外部源將數(shù)據(jù)寫入存儲器以及從存儲器中將數(shù)據(jù)讀取到外部。具體地，在刷新操作中，字線下的每個存儲單元的數(shù)據(jù)會被讀出并經(jīng)第一級靈敏放大器進行放大和鎖存，然后數(shù)據(jù)再寫回到存儲單元。這里所描述的第一級靈敏放大器是在各存儲陣列內(nèi)部，用于刷新操作，其在dram開啟時還可以用于鎖存數(shù)據(jù)。而上文所描述的第二級靈敏放大器是在存儲陣列外部，但位于dram內(nèi)。

本發(fā)明的發(fā)明人創(chuàng)新性地想到利用刷新時數(shù)據(jù)會被讀出來解決背景技術中所提到的問題。

本發(fā)明的思想是利用刷新過程中數(shù)據(jù)需要被讀出并寫回來進行ecc編碼，這樣的操作的優(yōu)點在于可以保證用于ecc編碼的有效數(shù)據(jù)的長度符合ecc編碼的要求，這是因為刷新時字線被激活，此時存儲單元的數(shù)據(jù)會被讀出并放大，每次選取長度為n的數(shù)據(jù)，這些長度為n的數(shù)據(jù)可被用于ecc編碼，因此確保了有效數(shù)據(jù)長度為n的數(shù)據(jù)被用于ecc編碼，從而確保了ecc編碼的正確性。

dram的刷新操作包括自動刷新操作(automaticrefreshoperation)、自刷新(selfrefreshoperation)等等。這些不同的刷新只是在控制上稍有不同而已。本發(fā)明適用于以上列出以及其他未列出的刷新操作。

根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施方案，在存儲器設置有標志位陣列以及標志位設定和檢測模塊，其中標志位陣列位于存儲器的存儲陣列中。下面將參照圖3描述標志位陣列以及標志位設定和檢測模塊的工作原理。

圖3示出了帶有標志位陣列以及標志位設定和檢測模塊的dram。如圖3中所示出的，相對于圖1和圖2所示的dram，引入了標志位陣列以及標志位設定和檢測模塊。標志位陣列中存儲有標志位，針對數(shù)據(jù)陣列的每一數(shù)據(jù)長度為n的數(shù)據(jù)，標志位陣列中有與之對應的一個標志位。數(shù)據(jù)長度n即ecc算法所設定的需要的數(shù)據(jù)長度。

標志位用來標志與之相對應的數(shù)據(jù)是否進行過ecc編碼。在刷新時，如果標志位指示進行過ecc編碼，則就不需要對相應的數(shù)據(jù)進行ecc編碼操作；如果標志位指示沒有進行過ecc編碼，則ecc編碼器對與之對應的n位數(shù)據(jù)進行ecc編碼操作，然后把生成的ecc監(jiān)督位存入ecc陣列。標志位會有一個初始值，該初始值表示與之相對應的數(shù)據(jù)沒有進行過ecc編碼操作。當與之相對應的數(shù)據(jù)進行過ecc編碼操作后，標志位設定和檢測模塊會使得標志位的值相應地改變成非初始值。而當外部數(shù)據(jù)寫入存儲陣列從而導致數(shù)據(jù)有任何變化的時候，意味著需要進行新的ecc編碼計算，此時相應的標志位會被重置到初始值。

圖3中示出了一根字線，但應理解，這僅是示意性的，存儲器中存在若干根字線。以一根字線為例，在刷新時，該字線下的所有存儲單元的數(shù)據(jù)被讀出，并經(jīng)由第一級靈敏放大器(未示出)被放大，然后被鎖存在數(shù)據(jù)鎖存器中。當標志位指示與之對應的數(shù)據(jù)尚未被ecc編碼時，鎖存在第一級靈敏放大器中的數(shù)據(jù)會經(jīng)第二級靈敏放大器以及數(shù)據(jù)鎖存器被送至ecc編碼器，標志位設定和檢測模塊使能ecc編碼器，從而ecc編碼器產(chǎn)生相應的監(jiān)督位，并將監(jiān)督位送至ecc陣列進行存儲。

如上文所述，當相應的數(shù)據(jù)進行過ecc編碼操作后，標志位設定和檢測模塊會使得對應的標志位的值改變。當外部數(shù)據(jù)寫入存儲陣列從而導致數(shù)據(jù)有任何變化的時候，意味著需要進行新的ecc編碼計算，相應的標志位會被重置到初始值。標志位的重置由標志位設定和檢測模塊進行操作。標志位設定和檢測模塊與第二級靈敏放大器/寫驅(qū)動以及數(shù)據(jù)鎖存器之間的交互類似于圖1和圖2中所描述的數(shù)據(jù)寫入和數(shù)據(jù)讀取，在此不再贅述。

下面參照圖4a-4b和圖5具體描述本發(fā)明的實施方案。

圖4a示出了在帶有標志位陣列以及標志位設定和檢測模塊的存儲器中，在緊接著上電之后進行的刷新時ecc編碼操作的流程圖。

由于dram剛上電，因此其中的數(shù)據(jù)都是新寫入的。首先，標志位在上電后被初始化到一定的值，例如初始值為‘0’，表示與之對應的數(shù)據(jù)尚未被ecc編碼，此時所有的標志位都為初始值。但應理解，初始值為“0”只是示意性的，本發(fā)明的標志位的初始值不限于為‘0’。上電指的是啟動dram的過程。一旦dram掉電，則再次上電后需要對dram進行重寫。

當執(zhí)行刷新操作的時候，l根字線被依次激活，同一字線下的存儲陣列的數(shù)據(jù)同時被刷新。應理解，由于每次刷新的時間有限，因此在一次刷新時并不是每根字線下的所有數(shù)據(jù)都能夠被進行ecc編碼。為了將字線下的所有數(shù)據(jù)都至少進行ecc編碼一次，需要執(zhí)行多次刷新。例如，在第一次刷新時各個字線的第1-8個列地址的數(shù)據(jù)被進行ecc編碼，在第二次刷新時各個字線的第9-16個列地址的數(shù)據(jù)被進行ecc編碼，依次類推。應理解，對于刷新操作而言，每刷新一根字線，該字線下的各存儲單元中的數(shù)據(jù)同時被刷新。刷新一根字線需要一定的時間t，當時間t結束后，可進行下一字線的刷新，依次類推，即各個字線依次被刷新。這里所說的第一次刷新指的是所有字線都被刷新一次，第二次刷新指的是所有字線在第一次刷新之后緊接著再次被刷新。每次刷新時進行ecc編碼的列地址的數(shù)目m并非一定是此處所列舉的8個，其他數(shù)目也是可行的。

各字線下的存儲陣列被刷新，即數(shù)據(jù)被讀出并被放大，然后鎖存在第一級靈敏放大器中。應理解，雖然同一字線下的數(shù)據(jù)是同時被刷新，但是對于本發(fā)明來說，標志位設定和檢測模塊判斷是否需要進行ecc編碼是針對各個字線下的列地址依次進行的，即依次對每n位數(shù)據(jù)進行判斷。

當判斷到字線k(即行地址k)的列地址i時，標志位設定和檢測模塊檢測到此地址對應的標志位的值為初始值，例如為‘0’，表示此列地址i中所存儲的n位數(shù)據(jù)尚未被ecc編碼，此時，n位數(shù)據(jù)從第一級靈敏放大器被送至第二級靈敏放大器，然后經(jīng)數(shù)據(jù)鎖存器被送至ecc編碼器，編碼使能信號使得這些數(shù)據(jù)通過ecc編碼器產(chǎn)生m位ecc監(jiān)督位，這些監(jiān)督位被寫入到ecc陣列。與此同時，針對地址i的標志位的值被改寫，例如被從‘0’改寫到‘1’。

如圖4a中所示，刷新從第一根字線開始，依次進行到第l根字線。在第一次刷新時，各個字線的列地址i＝0到i＝m-1的數(shù)據(jù)被進行ecc編碼，在第二次刷新時各個字線的列地址i＝m到i＝2m-1的數(shù)據(jù)被進行ecc編碼，依次類推，直至將所有列地址下的數(shù)據(jù)都進行了ecc編碼。

在dram存儲器上電后的首次刷新之前，標志位陣列中的標志位都為初始值，表明此時字線下的所有地址的數(shù)據(jù)都未被ecc編碼。而在首次上電后對dram中的所有數(shù)據(jù)都進行了ecc編碼之后，各標志位的值都為非初始值，例如“1”。但是由于常常會將新的數(shù)據(jù)寫入dram，此時，dram中存儲陣列的數(shù)據(jù)變化會使得相應的標志位要被重新重置到初始值，例如“0”。

圖4b示出了在dram中的所有數(shù)據(jù)于上電后都進行了ecc編碼之后進行刷新時的ecc編碼操作的流程圖。當刷新次數(shù)r＝1時，首先對第一根字線(k＝1)進行刷新，此時列地址i的初始值為0。標志位設定和檢測模塊檢測與地址i對應的標志位的值是否為初始值。若為初始值，則對相應的數(shù)據(jù)進行ecc編碼，并將標志位改寫為非初始值。若為非初始值，則判斷本字線刷新所剩余的時間是否還能進行下一個列地址的判斷和編碼，即當刷新一根字線的時間t結束之前是否還能進行下一個列地址的判斷和編碼。若可進行，則標志位設定和檢測模塊檢測與地址i+1對應的標志位的值是否為初始值，否則本字線刷新結束，直到刷新完第l根字線。然后進行下一次第r＝r+1次刷新。應注意，由于此時每根字線下并非所有列地址都需要進行ecc編碼，而每根字線進行刷新的時間是相同的，因此對于每次刷新，每根字線在刷新時進行ecc編碼的列地址個數(shù)并不相同。對于第r＝r+1次刷新，標志位設定和檢測模塊開始檢測的每根字線的列地址不相同，i的初值與第r-1次刷新結束時該字線的i的值相關，即如圖所示的i的初值為第r-1次刷新結束時i的值加1。

應理解，對于各個字線來說，也可以與圖4b所示的不同，即，對于每次刷新，每根字線在刷新時進行ecc編碼的列地址個數(shù)相同，這樣的優(yōu)點是對編碼的控制變得簡單。

圖5示出了在帶有標志位陣列以及標志位設定和檢測模塊的存儲器中進行糾錯的過程。

如圖5所示，當進行糾錯時，首先，從存儲陣列讀取n位數(shù)據(jù)和m位監(jiān)督位，并且標志位設定和模塊檢測出與該n位數(shù)據(jù)對應的標志位的狀態(tài)。

如果標志位的值為初始狀態(tài)，例如‘0’，則解碼使能信號將關閉ecc糾錯功能，此時意味著ecc糾錯功能不能使用。

如果標志位的值不是初始狀態(tài)，例如‘1’，則解碼使能信號將開啟ecc糾錯功能，ecc糾錯功能正常，能對數(shù)據(jù)錯誤進行檢測和糾正。

應理解，本文中的實施方案和實施例僅出于示例目的，在不脫離權利要求書所限定的范圍的前提下，本領域技術人員可以據(jù)此做出多種改型和變體。