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包括初級(jí)和二級(jí)電晶體的存儲(chǔ)單元的制作方法

文檔序號(hào):12888619閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
在此公開半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元、陣列和操作方法。在一個(gè)實(shí)例中,一個(gè)存儲(chǔ)單元包括一個(gè)雙穩(wěn)的浮體電晶體和一個(gè)記憶體件;其特征在于,上述雙穩(wěn)浮體電晶體和一個(gè)記憶體件為串聯(lián)電連接。

技術(shù)研發(fā)人員:尤尼亞托·維查亞;韓京宇;本杰明·S·路易
受保護(hù)的技術(shù)使用者:芝諾半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2013.02.15
技術(shù)公布日:2017.11.07
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