本公開(kāi)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)，涉及但不限于一種存儲(chǔ)器及其操作方法、存儲(chǔ)器系統(tǒng)和電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以粗略地劃分成兩類，這取決于它們?cè)跀嚯姇r(shí)是否保留存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)；這兩類半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是：易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器，易失性存儲(chǔ)器在斷電時(shí)丟失存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，非易失性存儲(chǔ)器在斷電時(shí)保留存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)單元分別連接至位線和字線，因而具有良好的隨機(jī)存取時(shí)間特性。

2、隨著存儲(chǔ)器的集成度提高，頁(yè)緩沖器在存儲(chǔ)器的外圍電路中占據(jù)的面積受限制且存在其面積趨于減小的需求，因而如何減小頁(yè)緩沖器的面積成為亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本公開(kāi)實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)器及其操作方法、存儲(chǔ)器系統(tǒng)和電子設(shè)備。

2、第一方面，本公開(kāi)實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)器，所述存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)單元陣列和頁(yè)緩沖器，所述頁(yè)緩沖器對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)單元陣列的位線而設(shè)置，所述頁(yè)緩沖器包括：

3、預(yù)充放電電路，所述預(yù)充放電電路通過(guò)所述頁(yè)緩沖器的感測(cè)節(jié)點(diǎn)耦接至所述位線，包括：第一類晶體管；

4、多個(gè)鎖存器，分別耦接至所述感測(cè)節(jié)點(diǎn)；其中，多個(gè)所述鎖存器中的至少一個(gè)包括第二類晶體管，所述第二類晶體管的特征尺寸小于所述第一類晶體管的特征尺寸。

5、第二方面，本公開(kāi)實(shí)施例還提供一種存儲(chǔ)器的操作方法，所述存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)單元陣列和頁(yè)緩沖器，所述頁(yè)緩沖器對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)單元陣列的位線而設(shè)置；所述頁(yè)緩沖器包括預(yù)充放電電路和多個(gè)鎖存器；所述預(yù)充放電電路通過(guò)所述頁(yè)緩沖器的感測(cè)節(jié)點(diǎn)耦接至所述位線，所述多個(gè)鎖存器分別耦接至所述感測(cè)節(jié)點(diǎn)；所述操作方法包括：

6、對(duì)所述預(yù)充放電電路中第一類晶體管的控制端施加第一電壓，以對(duì)所述位線執(zhí)行預(yù)充電操作；

7、在執(zhí)行所述預(yù)充電操作之后，對(duì)至少一個(gè)所述鎖存器中第二類晶體管的控制端施加第二電壓，以通過(guò)所述鎖存器對(duì)所述存儲(chǔ)單元陣列執(zhí)行編程操作或讀取操作；其中，所述第二類晶體管的特征尺寸小于所述第一類晶體管的特征尺寸；所述第二電壓和所述第一電壓不同。

8、第三方面，本公開(kāi)實(shí)施例還提供一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)，所述存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括：

9、一個(gè)或多個(gè)如上述任一實(shí)施例所述的存儲(chǔ)器；

10、存儲(chǔ)器控制器，耦接至所述存儲(chǔ)器并被配置為控制所述存儲(chǔ)器。

11、第四方面，本公開(kāi)實(shí)施例還提供一種電子設(shè)備，包括，如上述實(shí)施例所述的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。

12、本公開(kāi)實(shí)施例中，通過(guò)設(shè)置多個(gè)鎖存器中的至少一個(gè)包括第二類晶體管，并且第二類晶體管的特征尺寸小于第一類晶體管的特征尺寸，可減小頁(yè)緩沖器中至少一個(gè)鎖存器的面積，進(jìn)而減小外圍電路中頁(yè)緩沖器的面積，有利于減小存儲(chǔ)器中外圍電路的面積，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器的小型化。

13、并且，本公開(kāi)實(shí)施例中至少一個(gè)鎖存器采用特征尺寸更小的第二類晶體管，相應(yīng)地第二類晶體管的工作所需地電壓更小，有利于減小存儲(chǔ)器的功耗。

技術(shù)特征：

1.一種存儲(chǔ)器，其特征在于，所述存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)單元陣列和頁(yè)緩沖器，所述頁(yè)緩沖器對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)單元陣列的位線而設(shè)置，所述頁(yè)緩沖器包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述頁(yè)緩沖器還包括：至少一條讀取通路；所述讀取通路包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述讀取通路還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述偏置電壓小于所述感測(cè)節(jié)點(diǎn)的感測(cè)電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一類晶體管包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述多個(gè)鎖存器包括：感測(cè)鎖存器，所述感測(cè)鎖存器包括所述第二類晶體管；所述第一類晶體管還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述頁(yè)緩沖器還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第二類晶體管的閾值電壓的絕對(duì)值小于所述第一類晶體管的閾值電壓的絕對(duì)值。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第二類晶體管的柵介質(zhì)層的厚度小于所述第一類晶體管的柵介質(zhì)層的厚度；

11.一種存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)單元陣列和頁(yè)緩沖器，所述頁(yè)緩沖器對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)單元陣列的位線而設(shè)置；所述頁(yè)緩沖器包括預(yù)充放電電路和多個(gè)鎖存器；所述預(yù)充放電電路通過(guò)所述頁(yè)緩沖器的感測(cè)節(jié)點(diǎn)耦接至所述位線，所述多個(gè)鎖存器分別耦接至所述感測(cè)節(jié)點(diǎn)；所述操作方法包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的操作方法，其特征在于，所述頁(yè)緩沖器還包括：至少一條讀取通路，所述讀取通路包括第一晶體管和第二晶體管；所述第一晶體管的第一端耦接至所述第二晶體管的第二端，所述第一晶體管的第二端耦接至接地端，所述第一晶體管的控制端耦接至所述鎖存器的輸出端；所述第二晶體管的第一端耦接至所述感測(cè)節(jié)點(diǎn)；

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的操作方法，其特征在于，所述多個(gè)鎖存器包括感測(cè)鎖存器，所述感測(cè)鎖存器包括所述第二類晶體管；所述第一類晶體管包括第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管；所述第三晶體管的第一端耦接至電源端，所述第三晶體管的第二端耦接至所述感測(cè)節(jié)點(diǎn)；所述第四晶體管的第一端耦接至所述第三晶體管的控制端，所述第四晶體管的第二端耦接至接地端；所述第五晶體管的第一端耦接至所述電源端，所述第五晶體管的第二端耦接至所述第三晶體管的控制端；所述第六晶體管的第一端耦接至所述第三晶體管的控制端，所述第六晶體管的第二端耦接至所述感測(cè)鎖存器；

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的操作方法，其特征在于，所述操作方法還包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的操作方法，其特征在于，所述在第一時(shí)刻，導(dǎo)通所述第五晶體管，關(guān)斷所述第四晶體管和所述第六晶體管，包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的操作方法，其特征在于，所述對(duì)所述預(yù)充放電電路中第一類晶體管的控制端施加第一電壓，包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的操作方法，其特征在于，所述操作方法還包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的操作方法，其特征在于，所述第二類晶體管的柵介質(zhì)層的厚度小于所述第一類晶體管的柵介質(zhì)層的厚度；

19.一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其特征在于，包括：

20.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求19所述的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)實(shí)施例公開(kāi)了一種存儲(chǔ)器及其操作方法、存儲(chǔ)器系統(tǒng)和電子設(shè)備，該存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)單元陣列和頁(yè)緩沖器，頁(yè)緩沖器對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)單元陣列的位線而設(shè)置，頁(yè)緩沖器包括：預(yù)充放電電路，預(yù)充放電電路通過(guò)頁(yè)緩沖器的感測(cè)節(jié)點(diǎn)耦接至位線，包括：第一類晶體管；多個(gè)鎖存器，分別耦接至感測(cè)節(jié)點(diǎn)；其中，多個(gè)鎖存器中的至少一個(gè)包括第二類晶體管，第二類晶體管的特征尺寸小于第一類晶體管的特征尺寸。

技術(shù)研發(fā)人員：黃蔚,何偉偉,萬(wàn)維俊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23