本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器，特別是涉及一種存儲(chǔ)器的測試方法。

背景技術(shù)：

1、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(static?random?access?memory，sram)主要應(yīng)用于處理器的外圍，作為數(shù)據(jù)緩存空間，特點(diǎn)是速率快；sram的高速特點(diǎn)使得其適用于處理器的主內(nèi)存，廣泛應(yīng)用在工業(yè)電子、儀器儀表和航空航天等領(lǐng)域。

2、如圖1所示，sram器件內(nèi)部是規(guī)律的存儲(chǔ)單元陣列，還有大量的邏輯器件，如，控制電路、敏感放大器和寫入電路等，這些電路都能直接參與存取操作。由于每一個(gè)存儲(chǔ)單元可能處于不同的狀態(tài)，而任意一個(gè)存儲(chǔ)單元的狀態(tài)改變都有可能引起其他存儲(chǔ)單元的變化，因此，存儲(chǔ)器的故障測試顯得尤為重要。

3、常見的故障測試方法(包括尋址故障測試和功能故障測試)有以下幾種：

4、最簡單的是先對(duì)每一個(gè)存儲(chǔ)單元寫0再讀出驗(yàn)證，然后寫1再讀出驗(yàn)證，流程很快，但故障覆蓋率有限。

5、棋盤法的測試過程是先對(duì)每一個(gè)存儲(chǔ)單元賦值，使得每一個(gè)存儲(chǔ)單元與其相鄰的各個(gè)存儲(chǔ)單元的值都不同，可以檢測固定型故障(saf)和相鄰單元的橋接故障，故障覆蓋率較低。

6、march算法是目前使用最普遍的算法，通過對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行一系列復(fù)合的操作寫入不同的碼型，故障覆蓋率較全，但寫入讀出的次數(shù)較多。

7、以上幾種常用的故障測試方法中，算法簡單的方法可能存在尋址不完全的問題，無法檢測出所有的尋址故障，而算法復(fù)雜的方法需要的測試向量過多，測試的時(shí)間會(huì)很長。鑒于此，提出一種新的測試方法，通過較為簡單的方法解決尋址故障(即重復(fù)尋址)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種存儲(chǔ)器的測試方法，用于解決現(xiàn)有算法簡單的故障測試方法無法檢測出所有尋址故障的問題以及算法復(fù)雜的故障測試方法需要的測試向量過多且測試時(shí)間過長的問題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器的測試方法，所述測試方法包括：基于存儲(chǔ)器的本征初值對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行重復(fù)尋址測試。

3、可選地，所述測試方法包括：

4、基于存儲(chǔ)容量和數(shù)據(jù)位寬來判定所述存儲(chǔ)器是否滿足測試條件；

5、在所述存儲(chǔ)器滿足測試條件時(shí)，基于存儲(chǔ)器的本征初值對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行重復(fù)尋址測試。

6、可選地，基于存儲(chǔ)容量和數(shù)據(jù)位寬判定存儲(chǔ)器是否滿足測試條件的方法包括：

7、基于所述存儲(chǔ)容量和所述數(shù)據(jù)位寬獲取所述存儲(chǔ)器的地址空間數(shù)量，基于所述數(shù)據(jù)位寬獲取所述存儲(chǔ)器中所述存儲(chǔ)單元的本征初值組合數(shù)量；

8、比較所述地址空間數(shù)量和所述本征初值組合數(shù)量；

9、若所述地址空間數(shù)量小于所述本征初值組合數(shù)量至少兩個(gè)數(shù)量級(jí)，則所述存儲(chǔ)器滿足測試條件，反之，則所述存儲(chǔ)器不滿足測試條件。

10、可選地，所述地址空間數(shù)量等于所述存儲(chǔ)容量與所述數(shù)據(jù)位寬的比值，所述本征初值組合數(shù)量等于2的數(shù)據(jù)位寬次冪。

11、可選地，基于存儲(chǔ)器的本征初值對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行重復(fù)尋址測試的方法包括：

12、對(duì)所述存儲(chǔ)器執(zhí)行上電后的讀操作，獲取所述存儲(chǔ)器中各存儲(chǔ)單元的本征初值；

13、基于各所述存儲(chǔ)單元的本征初值的重復(fù)率，對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行重復(fù)尋址測試。

14、可選地，獲取存儲(chǔ)器中各存儲(chǔ)單元的本征初值的方法包括：

15、基于正序地址順序、倒序地址順序或者隨機(jī)地址順序，對(duì)所述存儲(chǔ)器中的各所述存儲(chǔ)單元執(zhí)行上電后的讀操作，以獲取各所述存儲(chǔ)單元的本征初值。

16、可選地，基于各存儲(chǔ)單元的本征初值的重復(fù)率對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行重復(fù)尋址測試的方法包括：

17、獲取各所述存儲(chǔ)單元的本征初值的重復(fù)率；

18、比較所述重復(fù)率和設(shè)定閾值；

19、若所述重復(fù)率小于等于所述設(shè)定閾值，則所述存儲(chǔ)器不存在重復(fù)尋址故障；反之，則所述存儲(chǔ)器存在重復(fù)尋址故障。

20、可選地，所述設(shè)定閾值滿足公式其中，ts為設(shè)定閾值，m為地址空間數(shù)量，n為本征初值組合數(shù)量；n等于2的數(shù)據(jù)位寬次冪。

21、可選地，對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行重復(fù)尋址測試之前，所述測試方法還包括：對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行開路測試和/或短路測試的步驟。

22、可選地，對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行重復(fù)尋址測試之后，所述測試方法還包括：對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行功能故障測試的步驟。

23、如上所述，本發(fā)明的存儲(chǔ)器的測試方法，利用存儲(chǔ)器的puf特性，通過讀取存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)單元的本征初值，來驗(yàn)證存儲(chǔ)器是否存在重復(fù)尋址故障，無需設(shè)計(jì)測試向量，只需一次讀操作即可實(shí)現(xiàn)尋址故障測試，有利于降低測試復(fù)雜度，提升測試效率和可靠性；而且，可以彌補(bǔ)和完善后續(xù)功能故障測試采用簡單算法實(shí)現(xiàn)時(shí)的不足，有利于簡化功能故障測試的算法復(fù)雜度，通過簡單算法實(shí)現(xiàn)高的故障覆蓋率。

技術(shù)特征：

1.一種存儲(chǔ)器的測試方法，其特征在于，所述測試方法包括：基于存儲(chǔ)器的本征初值對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行重復(fù)尋址測試。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的測試方法，其特征在于，所述測試方法包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器的測試方法，其特征在于，基于存儲(chǔ)容量和數(shù)據(jù)位寬判定存儲(chǔ)器是否滿足測試條件的方法包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器的測試方法，其特征在于，所述地址空間數(shù)量等于所述存儲(chǔ)容量與所述數(shù)據(jù)位寬的比值，所述本征初值組合數(shù)量等于2的數(shù)據(jù)位寬次冪。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)器的測試方法，其特征在于，基于存儲(chǔ)器的本征初值對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行重復(fù)尋址測試的方法包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器的測試方法，其特征在于，獲取存儲(chǔ)器中各存儲(chǔ)單元的本征初值的方法包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器的測試方法，其特征在于，基于各存儲(chǔ)單元的本征初值的重復(fù)率對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行重復(fù)尋址測試的方法包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器的測試方法，其特征在于，所述設(shè)定閾值滿足公式其中，ts為設(shè)定閾值，m為地址空間數(shù)量，n為本征初值組合數(shù)量；n等于2的數(shù)據(jù)位寬次冪。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)器的測試方法，其特征在于，對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行重復(fù)尋址測試之前，所述測試方法還包括：對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行開路測試和/或短路測試的步驟。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器的測試方法，其特征在于，對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行重復(fù)尋址測試之后，所述測試方法還包括：對(duì)所述存儲(chǔ)器進(jìn)行功能故障測試的步驟。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器的測試方法，包括：基于存儲(chǔ)器的本征初值對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行重復(fù)尋址測試。通過本發(fā)明提供的存儲(chǔ)器測試方法，解決了現(xiàn)有算法簡單的故障測試方法無法檢測出所有尋址故障的問題以及算法復(fù)雜的故障測試方法需要的測試向量過多且測試時(shí)間過長的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：李發(fā)順,馬宇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：芯恩（青島）集成電路有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2