本公開實(shí)施例涉及存儲領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲器的操作方法、存儲器、存儲系統(tǒng)及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、隨著信息技術(shù)的不斷發(fā)展和大數(shù)據(jù)時(shí)代的到來，與非閃存(nand?flash)存儲器以大容量和低成本的優(yōu)勢，逐漸成為非易失性存儲器的主流產(chǎn)品。通過對nand?flash存儲器中的各存儲單元進(jìn)行編程，改變各存儲單元的閾值電壓(vth)，從而可以實(shí)現(xiàn)信息的存儲。

2、但是，隨著對nand?flash存儲器存儲容量的需求不斷增加，nand?flash存儲器不斷朝著器件尺寸縮小和多值存儲技術(shù)方向發(fā)展，導(dǎo)致nand?flash存儲器中各存儲單元的初始閾值電壓飄移(initial?threshold?voltage?shift，ivs)更嚴(yán)重，也可以稱為快速電荷損失更嚴(yán)重，將導(dǎo)致nand?flash存儲器的可靠性較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的實(shí)施例提供一種存儲器的操作方法、存儲器、存儲系統(tǒng)及電子設(shè)備，解決了由于存儲單元存在初始閾值電壓飄移，nand?flash存儲器的可靠性較低的問題。

2、為達(dá)到上述目的，本公開實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

3、一方面，提供一種存儲器的操作方法，存儲器包括多個(gè)字線，每個(gè)字線包括多個(gè)存儲單元，該方法包括：對多個(gè)字線中的選中字線進(jìn)行第一編程操作，第一編程操作包括對選中字線施加單脈沖one-pulse，將選中字線中的多個(gè)存儲單元編程為n個(gè)編程態(tài)。對選中字線進(jìn)行第二編程操作，將選中字線中的多個(gè)存儲單元編程到n個(gè)目標(biāo)編程態(tài)，n為正整數(shù)。

4、本公開實(shí)施例提供的存儲器的操作方法，首先對多個(gè)字線中的選中字線進(jìn)行第一編程操作，該第一編程操作包括對選中字線施加單脈沖，將選中字線中的多個(gè)存儲單元編程為n個(gè)編程態(tài)。然后，對選中字線進(jìn)行第二編程操作，將選中字線中的多個(gè)存儲單元編程為n個(gè)目標(biāo)編程態(tài)，從而可以解決由于快速電荷損失，選中字線中的多個(gè)存儲單元閾值電壓整體往低飄移的問題，以及該多個(gè)存儲單元的閾值電壓分布曲線展寬的問題，從而可以提高存儲器的可靠性。

5、在一些實(shí)施例中，第一編程操作不包括驗(yàn)證操作。

6、本公開實(shí)施例提供的存儲器的操作方法，第一編程操作不包括驗(yàn)證操作，在對選中字線中的多個(gè)存儲單元進(jìn)行編程時(shí)，與遞增步進(jìn)脈沖編程方式相比，可以節(jié)省時(shí)間，提高編程效率。

7、在一些實(shí)施例中，對選中字線施加單脈沖，包括：對選中字線施加多個(gè)連續(xù)的編程電壓。

8、在一些實(shí)施例中，多個(gè)連續(xù)的編程電壓依次增大，或者，依次減小。

9、在一些實(shí)施例中，多個(gè)連續(xù)的編程電壓的數(shù)量為n個(gè)。

10、在一些實(shí)施例中，存儲器還包括多個(gè)位線，選中字線中的多個(gè)存儲單元與多個(gè)位線耦合，第一編程操作包括：對選中字線施加編程電壓，對多個(gè)位線中的選中位線施加第一位線電壓，對多個(gè)位線中的未選中位線施加第二位線電壓，從而將多個(gè)存儲單元中與選中位線耦合的存儲單元編程為同一編程態(tài)，第一位線電壓小于第二位線電壓。

11、本公開實(shí)施例提供的存儲器的操作方法，第一編程操作不包括驗(yàn)證操作，在對選中字線中的多個(gè)存儲單元進(jìn)行編程時(shí)，與遞增步進(jìn)脈沖編程方式相比，可以節(jié)省時(shí)間，提高編程效率。

12、在一些實(shí)施例中，對選中字線進(jìn)行第二編程操作，包括：采用遞增步進(jìn)脈沖編程ispp方式，對選中字線中的多個(gè)存儲單元進(jìn)行第二編程操作。

13、本公開實(shí)施例提供的存儲器的操作方法，在第一編程操作之后，對選中字線進(jìn)行第二編程操作，將選中字線中的多個(gè)存儲單元編程為n個(gè)目標(biāo)編程態(tài)，從而可以解決由于快速電荷損失，選中字線中的多個(gè)存儲單元閾值電壓整體往低飄移的問題，以及該多個(gè)存儲單元的閾值電壓分布曲線展寬的問題，從而可以提高nand?flash存儲器的可靠性。

14、在一些實(shí)施例中，第二編程操作包括驗(yàn)證操作。

15、本公開實(shí)施例提供的存儲器的操作方法，第二編程操作包括驗(yàn)證操作，通過對選中字線進(jìn)行第二編程操作，對選中字線中的多個(gè)存儲單元再次進(jìn)行編程，并進(jìn)行驗(yàn)證，可以更準(zhǔn)確的將選中字線中的存儲單元編程至目標(biāo)編程態(tài)，可以解決由于快速電荷損失，選中字線中的多個(gè)存儲單元閾值電壓整體往低飄移的問題，以及該多個(gè)存儲單元的閾值電壓分布曲線展寬的問題，從而可以提高nand?flash存儲器的可靠性。

16、在一些實(shí)施例中，第一編程操作后第n編程態(tài)的存儲單元的閾值電壓分布范圍，大于第二編程操作后第n編程態(tài)的存儲單元的閾值電壓分布范圍。

17、另一方面，提供一種存儲器，該存儲器包括外圍電路，以及與外圍電路耦合的存儲陣列，存儲陣列包括多個(gè)字線，每個(gè)字線包括多個(gè)存儲單元。外圍電路被配置為對多個(gè)字線中的選中字線進(jìn)行第一編程操作，第一編程操作包括對選中字線施加單脈沖one-pulse，將選中字線中的多個(gè)存儲單元編程為n個(gè)編程態(tài)。對選中字線進(jìn)行第二編程操作，將選中字線中的多個(gè)存儲單元編程到n個(gè)目標(biāo)編程態(tài)，n為正整數(shù)。

18、在一些實(shí)施例中，第一編程操作不包括驗(yàn)證操作。

19、在一些實(shí)施例中，外圍電路具體被配置為對選中字線施加多個(gè)連續(xù)的編程電壓。

20、在一些實(shí)施例中，多個(gè)連續(xù)的編程電壓依次增大，或者，依次減小。

21、在一些實(shí)施例中，多個(gè)連續(xù)的編程電壓的數(shù)量為n個(gè)。

22、在一些實(shí)施例中，存儲陣列還包括多個(gè)位線，選中字線中的多個(gè)存儲單元與多個(gè)位線耦合。外圍電路具體被配置為對選中字線施加編程電壓，對多個(gè)位線中的選中位線施加第一位線電壓，對多個(gè)位線中的未選中位線施加第二位線電壓，從而將多個(gè)存儲單元中與選中位線耦合的存儲單元編程為同一編程態(tài)，第一位線電壓小于第二位線電壓。

23、在一些實(shí)施例中，外圍電路具體被配置為采用遞增步進(jìn)脈沖編程ispp方式，對選中字線中的多個(gè)存儲單元進(jìn)行第二編程操作。

24、在一些實(shí)施例中，第二編程操作包括驗(yàn)證操作。

25、在一些實(shí)施例中，第一編程操作后第n編程態(tài)的存儲單元的閾值電壓分布范圍，大于第二編程操作后第n編程態(tài)的存儲單元的閾值電壓分布范圍。

26、又一方面，提供一種存儲系統(tǒng)，該存儲系統(tǒng)包括控制器、以及與控制器耦合的至少一個(gè)存儲器，控制器用于控制存儲器的讀寫，該存儲器包括前述提供的存儲器。

27、再一方面，提供一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括處理器，以及與處理器耦合的存儲系統(tǒng)，存儲系統(tǒng)包括前述提供的存儲系統(tǒng)。

28、可以理解地，本公開的上述實(shí)施例提供的存儲器、存儲系統(tǒng)及電子設(shè)備，其所能達(dá)到的有益效果可參考上文中存儲器的操作方法的有益效果，此處不再贅述。

技術(shù)特征：

1.一種存儲器的操作方法，其特征在于，所述存儲器包括多個(gè)字線，每個(gè)字線包括多個(gè)存儲單元，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一編程操作不包括驗(yàn)證操作。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述對所述選中字線施加單脈沖，包括：對所述選中字線施加多個(gè)連續(xù)的編程電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述多個(gè)連續(xù)的編程電壓依次增大，或者，依次減小。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述多個(gè)連續(xù)的編程電壓的數(shù)量為n個(gè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述存儲器還包括多個(gè)位線，所述選中字線中的多個(gè)存儲單元與所述多個(gè)位線耦合，所述第一編程操作包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述對所述選中字線進(jìn)行第二編程操作，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二編程操作包括驗(yàn)證操作。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一編程操作后第n編程態(tài)的存儲單元的閾值電壓分布范圍，大于所述第二編程操作后第n編程態(tài)的存儲單元的閾值電壓分布范圍。

10.一種存儲器，其特征在于，所述存儲器包括外圍電路，以及與所述外圍電路耦合的存儲陣列，所述存儲陣列包括多個(gè)字線，每個(gè)字線包括多個(gè)存儲單元；

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲器，其特征在于，所述第一編程操作不包括驗(yàn)證操作。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲器，其特征在于，

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲器，其特征在于，所述多個(gè)連續(xù)的編程電壓依次增大，或者，依次減小。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲器，其特征在于，所述多個(gè)連續(xù)的編程電壓的數(shù)量為n個(gè)。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲器，其特征在于，所述存儲陣列還包括多個(gè)位線，所述選中字線中的多個(gè)存儲單元與所述多個(gè)位線耦合；

16.根據(jù)權(quán)利要求10-15中任一項(xiàng)所述的存儲器，其特征在于，

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲器，其特征在于，所述第二編程操作包括驗(yàn)證操作。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲器，其特征在于，所述第一編程操作后第n編程態(tài)的存儲單元的閾值電壓分布范圍，大于所述第二編程操作后第n編程態(tài)的存儲單元的閾值電壓分布范圍。

19.一種存儲系統(tǒng)，其特征在于，所述存儲系統(tǒng)包括控制器、以及與所述控制器耦合的至少一個(gè)存儲器，所述控制器用于控制所述存儲器的讀寫，所述存儲器為如權(quán)利要求10-18中任一項(xiàng)所述的存儲器。

20.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括處理器，以及與所述處理器耦合的存儲系統(tǒng)，所述存儲系統(tǒng)為如權(quán)利要求19所述的存儲系統(tǒng)。

技術(shù)總結(jié)
本公開提供一種存儲器的操作方法、存儲器、存儲系統(tǒng)及電子設(shè)備，涉及存儲領(lǐng)域，解決了由于存儲單元存在初始閾值電壓飄移，NAND?flash存儲器的可靠性較低的問題。具體方案為：提供一種存儲器的操作方法，該存儲器包括多個(gè)字線，每個(gè)字線包括多個(gè)存儲單元，該方法包括：對多個(gè)字線中的選中字線進(jìn)行第一編程操作，第一編程操作包括對選中字線施加單脈沖one?pulse，將選中字線中的多個(gè)存儲單元編程為N個(gè)編程態(tài)。對選中字線進(jìn)行第二編程操作，將選中字線中的多個(gè)存儲單元編程到N個(gè)目標(biāo)編程態(tài)，N為正整數(shù)。

技術(shù)研發(fā)人員：李晨輝,趙向南,劉紅濤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長江存儲科技有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2