本技術(shù)實施例涉及存儲設(shè)備，具體涉及一種存儲設(shè)備、讀寫設(shè)備、存儲系統(tǒng)及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、磁帶存儲器以其存儲時間長、容量大等特點，已經(jīng)廣泛應(yīng)用在存儲設(shè)備中。相關(guān)技術(shù)中，磁帶存儲器包括磁帶、第一帶盤和第二帶盤，磁帶纏繞在第一帶盤和第二帶盤上，磁帶上設(shè)置有磁道，通過磁道進行數(shù)據(jù)的存儲。在使用的過程中，一般通過磁帶機驅(qū)動第一帶盤和第二帶盤轉(zhuǎn)動，此時部分磁帶由第一帶盤解纏繞，第一帶盤和第二帶盤之間的磁帶向第二帶盤移動，并纏繞在第二帶盤上，在此過程中，磁帶機可以讀取第一帶盤和第二帶盤之間的磁帶上的數(shù)據(jù)、或者向第一帶盤和第二帶盤之間的磁帶寫入數(shù)據(jù)。然而，在進行數(shù)據(jù)的讀取或者寫入時，需驅(qū)動第一帶盤和第二帶盤轉(zhuǎn)動，以使得特定位置的磁帶位于第一帶盤和第二帶盤之間，導(dǎo)致磁帶存儲器的數(shù)據(jù)讀取和寫入時延較大。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本技術(shù)實施例提供一種存儲設(shè)備、讀寫設(shè)備、存儲系統(tǒng)及電子設(shè)備，可以縮小了數(shù)據(jù)讀取和寫入過程中的時延。

2、第一方面，本技術(shù)實施例提供一種存儲設(shè)備，包括：第一存儲帶和第二存儲帶，第一存儲帶和第二存儲帶均呈環(huán)狀，第一存儲帶和第二存儲帶均用于存儲數(shù)據(jù)；第一存儲帶和第二存儲帶的軸線共線設(shè)置，第一存儲帶和第二存儲帶被配置為在存儲設(shè)備處于數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)下沿軸線間隔的設(shè)置。

3、通過上述設(shè)置，第一存儲帶和第二存儲帶被配置為在數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)下沿軸線間隔的設(shè)置，即第一存儲帶和第二存儲帶沿軸線方向互相遠離，以便于第一磁頭對準第一存儲帶或者第二存儲帶。在非數(shù)據(jù)寫入狀態(tài)下，第一存儲帶和第二存儲帶被配置為沿軸線方向互相靠近，以減小第一存儲帶和第二存儲帶占用的空間。其中數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)為進行數(shù)據(jù)讀取和寫入的狀態(tài)，非數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)為不進行數(shù)據(jù)讀取和寫入的狀態(tài)(如非工作狀態(tài))。如此設(shè)置，在數(shù)據(jù)讀取時，可以使第一磁頭對準第一存儲帶或者第二存儲帶，以讀取第一存儲帶或者第二存儲帶上的數(shù)據(jù)，與磁帶在第一帶盤和第二帶盤上纏繞多周相比，呈環(huán)狀的第一存儲帶和第二存儲帶可以準確的定位數(shù)據(jù)的位置，縮小了讀取數(shù)據(jù)時的時延；在數(shù)據(jù)寫入時，可以使第一磁頭對準第一存儲帶或者第二存儲帶，以向第一存儲帶或者第二存儲帶上寫入數(shù)據(jù)；可以準確的定位寫入數(shù)據(jù)的位置，縮小了寫入數(shù)據(jù)的時延；即本技術(shù)實施例提供的存儲設(shè)備可以縮小數(shù)據(jù)讀取和寫入的時延，進而提高了存儲時設(shè)備的性能。

4、在可以包括上述實施例的一些實施例中，第一存儲帶的外徑和第二存儲帶的外徑可以相等，相應(yīng)的，在存儲設(shè)備處于非讀寫狀態(tài)下，第一存儲帶和第二存儲帶沿平行于第一存儲帶軸線的方向互相靠近，第一存儲帶和第二存儲帶也可以組成圓柱狀結(jié)構(gòu)，以減小第一存儲帶和第二存儲帶所占用的空間。

5、在可以包括上述實施例的一些實施例中，第二存儲帶的外徑小于第一存儲帶的內(nèi)徑，第二存儲帶還被配置為在存儲設(shè)備處于非數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)下移動至第一存儲帶內(nèi)。也就是說在非數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)下，第一存儲帶套設(shè)在第二存儲帶外部；在數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)下第二存儲帶移動至第一存儲帶外部。如此設(shè)置，可以進一步減小在非數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)下第一存儲帶和第二存儲帶所占用的空間。

6、在可以包括上述實施例的一些實施例中，第二存儲帶為多個，在存儲設(shè)備處于數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)下，各第二存儲帶沿軸線間隔的設(shè)置，位于第一存儲帶沿軸線方向一側(cè)的各第二存儲帶的外徑不等。如此設(shè)置，多個第二存儲帶均可以進行數(shù)據(jù)的存儲，提高了存儲設(shè)備的容量。另外，位于第一存儲帶軸線方向一側(cè)的各第二存儲帶的外徑不等，使得在非數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)下，各第二存儲帶可以均套設(shè)在一起，并且均位于第一存儲帶內(nèi)部，以降低第一存儲帶和各第二存儲帶所占用的空間。

7、在可以包括上述實施例的一些實施例中，在存儲設(shè)備處于數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)下，沿遠離第一存儲帶的方向，各第二存儲帶的外徑逐漸減??；在數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)下，各第二存儲帶均向遠離第一存儲帶的方向移動，此時第一存儲帶和各第二存儲帶可以組成喇叭狀。通過上述設(shè)置，在各第二存儲帶向靠近第一存儲帶的方向移動，并逐漸進入到第一存儲帶內(nèi)時，由于各第二存儲帶的外徑逐漸減小，可以避免各第二存儲帶之間發(fā)生干擾。

8、在可以包括上述實施例的一些實施例中，在存儲設(shè)備處于數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)下，各第二存儲帶的外徑大小與第二存儲帶和第一存儲帶之間的距離并不相關(guān)，相應(yīng)的，在存儲設(shè)備處于數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)下，第一存儲帶和各第二存儲帶組成不規(guī)則形狀。

9、在可以包括上述實施例的一些實施例中，所述第一存儲帶包括呈環(huán)狀的第一帶基、設(shè)置在第一帶基外壁上的第一外磁道、以及設(shè)置在第一帶基內(nèi)壁上的第一內(nèi)磁道，第一外磁道和第一內(nèi)磁道環(huán)繞軸線設(shè)置。第一外磁道和第一內(nèi)磁道均可以存儲數(shù)據(jù)，可以提高存儲設(shè)備的容量。

10、在可以包括上述實施例的一些實施例中，第一外磁道和第一內(nèi)磁道均呈環(huán)形或者螺旋狀。呈螺旋狀設(shè)置的第一外磁道和第一內(nèi)磁道長度較大，可以提高存儲設(shè)備的容量。

11、在可以包括上述實施例的一些實施例中，第二存儲帶包括第二帶基、設(shè)置在第二帶基內(nèi)壁上的第二內(nèi)磁道、以及設(shè)置在第二帶基外壁上的第二外磁道，第二內(nèi)磁道和第二外磁道環(huán)繞軸線設(shè)置。如此設(shè)置，第二外磁道以及第二內(nèi)磁道均可以存儲數(shù)據(jù)，可以提高存儲設(shè)備的容量。

12、在可以包括上述實施例的一些實施例中，第二內(nèi)磁道和第二外磁道均呈環(huán)形或者螺旋狀。呈螺旋狀設(shè)置的第二內(nèi)磁道和第二外磁道長度較大，可以提高存儲設(shè)備的容量。

13、在可以包括上述實施例的一些實施例中，存儲設(shè)備還包括第一支撐輪和第二支撐輪，第一存儲帶支撐在第一支撐輪上，第二存儲帶支撐在第二支撐輪上，第一支撐輪的軸線、第二支撐輪的軸線以及第一存儲帶的軸線共線設(shè)置。通過上述設(shè)置，便于第一存儲帶和第二存儲帶的固定，另外，驅(qū)動設(shè)備通過第一支撐輪驅(qū)動第一存儲帶轉(zhuǎn)動，驅(qū)動設(shè)備通過第二支撐輪驅(qū)動第二存儲帶轉(zhuǎn)動，可以避免驅(qū)動設(shè)備直接與第一存儲帶和第二存儲帶接觸，進而避免損傷第一存儲帶和第二存儲帶，提高了存儲設(shè)備的使用壽命。

14、在可以包括上述實施例的一些實施例中，存儲設(shè)備還包括第一磁體和第二磁體，第一磁體設(shè)置在第一存儲帶上，第二磁體設(shè)置在第二存儲帶上，在數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)下，第一磁體和第二磁體在磁力作用下驅(qū)動第一存儲帶和第二存儲帶沿平行于軸線的方向移動，以使第一存儲帶和第二存儲帶沿平行于軸線的方向間隔的設(shè)置。通過上述設(shè)置，驅(qū)動設(shè)備可以產(chǎn)生磁力，以驅(qū)動第一存儲帶和第二存儲帶沿平行于軸線的方向移動，驅(qū)動設(shè)備不與第一存儲帶和第二存儲帶直接接觸，可以避免第一存儲帶和第二存儲帶損傷，進而提高了存儲設(shè)備的使用壽命。另外，驅(qū)動設(shè)備不與第一存儲帶和第二存儲帶直接接觸，也可以減小第一存儲帶和第二存儲帶的轉(zhuǎn)動阻力。

15、在可以包括上述實施例的一些實施例中，驅(qū)動設(shè)備包括第一驅(qū)動線圈和第二驅(qū)動線圈，第一磁體位于第一驅(qū)動線圈的磁場內(nèi)，第二磁體位于第二驅(qū)動線圈的磁場內(nèi)；第一驅(qū)動線圈和第二驅(qū)動線圈所產(chǎn)生的磁場旋轉(zhuǎn)，即可在驅(qū)動第一存儲帶和第二存儲帶懸浮的同時，驅(qū)動第一存儲帶和第二存儲帶轉(zhuǎn)動，可進一步避免第一存儲帶和第二存儲帶損傷，進一步提高了存儲設(shè)備的使用壽命。

16、第二方面，本技術(shù)實施例還提供一種讀寫設(shè)備，用于如上所述的存儲設(shè)備，讀寫設(shè)備包括第一磁頭以及驅(qū)動設(shè)備，第一磁頭被配置為向第一存儲帶或第二存儲帶寫入數(shù)據(jù)，第一磁頭還被配置為讀取第一存儲帶或第二存儲帶上的數(shù)據(jù)；驅(qū)動設(shè)備用于與第一存儲帶和第二存儲帶連接，驅(qū)動設(shè)備用于驅(qū)動第一存儲帶和第二存儲帶轉(zhuǎn)動；驅(qū)動設(shè)備還用于在存儲設(shè)備處于數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)下驅(qū)動第一存儲帶和第二存儲帶沿平行于軸線的方向移動，以使得第一存儲帶和第二存儲帶沿軸線間隔的設(shè)置。

17、本技術(shù)實施例提供的讀寫設(shè)備，包括上述任一實施例中的存儲設(shè)備，因此二者能夠解決相同的技術(shù)問題，并實現(xiàn)相同的技術(shù)效果。

18、第三方面，本技術(shù)實施例還提供一種存儲設(shè)備，包括：第一存儲帶，第一存儲帶繞其軸線呈螺旋狀設(shè)置，第一存儲帶用于存儲數(shù)據(jù)；第一存儲帶被配置為在存儲設(shè)備處于數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)下沿軸線方向伸長，并且在存儲設(shè)備處于非數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)下沿軸線方向收縮。

19、通過上述設(shè)置，在進行數(shù)據(jù)讀取時，第一存儲帶伸長，可以使第一磁頭準確的第一存儲帶的某一匝，即可以準確的定位數(shù)據(jù)的位置，縮小了讀取數(shù)據(jù)時的時延；在數(shù)據(jù)寫入時，可以使第一磁頭準確的第一存儲帶的某一匝，可以準確的定位寫入數(shù)據(jù)的位置，縮小了寫入數(shù)據(jù)的時延；即縮小了數(shù)據(jù)讀取和寫入的時延，進而提高了存儲時設(shè)備的性能。

20、在可以包括上述實施例的一些實施例中，第一存儲帶包括呈環(huán)狀的第一帶基、設(shè)置在第一帶基外壁上的第一外磁道、以及設(shè)置在第一帶基內(nèi)壁上的第一內(nèi)磁道，第一外磁道和第一內(nèi)磁道繞軸線呈螺旋狀設(shè)置。第一帶基用于承載第一外磁道，第一外磁道可以進行數(shù)據(jù)存儲。

21、第一內(nèi)磁道和第一外磁道可以均進行數(shù)據(jù)存儲，提高了存儲設(shè)備的容量。

22、在可以包括上述實施例的一些實施例中，存儲設(shè)備還包括第二存儲帶，第二存儲帶繞軸線呈螺旋狀設(shè)置，第二存儲帶用于存儲數(shù)據(jù)；第二存儲帶的外徑小于第一存儲帶的內(nèi)徑；第二存儲帶被配置為在存儲設(shè)備處于數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)下沿平行于軸線的方向伸長，并且由第一存儲帶環(huán)繞的空間內(nèi)部伸出；第二存儲帶還被配置為在存儲設(shè)備處于非數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)下沿平行于軸線的方向收縮，并且收縮至第一存儲帶環(huán)繞的空間內(nèi)。通過上述設(shè)置，第一存儲帶和第二存儲帶可以均用于存儲數(shù)據(jù)，提高了存儲設(shè)備的容量；另外，在非數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)下，第二存儲帶收縮至第一存儲帶內(nèi)，可以減小第一存儲帶和第二存儲帶所占用的空間。

23、在可以包括上述實施例的一些實施例中，第二存儲帶包括第二帶基以及設(shè)置在第二帶基外壁上的第二外磁道，第二外磁道繞軸線呈螺旋狀設(shè)置。第二帶基用于承載第二外磁道，第二外磁道可以進行數(shù)據(jù)存儲。

24、在可以包括上述實施例的一些實施例中，所述第二存儲帶包括第二帶基以及設(shè)置在所述第二帶基內(nèi)壁上的第二內(nèi)磁道，所述第二內(nèi)磁道繞所述軸線呈螺旋狀設(shè)置。第二帶基用于承載第二內(nèi)磁道，第二內(nèi)磁道可以進行數(shù)據(jù)存儲。

25、在可以包括上述實施例的一些實施例中，第二存儲帶包括第二帶基、設(shè)置在第二帶基外壁上的第二外磁道、以及設(shè)置在所述第二帶基內(nèi)壁上的第二內(nèi)磁道，第二內(nèi)磁道和第二外磁道均可以進行數(shù)據(jù)存儲，提高了存儲設(shè)備的容量。

26、第四方面，本技術(shù)實施例還提供一種讀寫設(shè)備，用于如上所述的存儲設(shè)備，讀寫設(shè)備包括第一磁頭以及驅(qū)動設(shè)備，第一磁頭被配置為向第一存儲帶寫入數(shù)據(jù)或者讀取第一存儲帶上的數(shù)據(jù)；驅(qū)動設(shè)備與第一存儲帶連接，驅(qū)動設(shè)備被配置為在存儲設(shè)備處于數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)下驅(qū)動第一存儲帶沿軸線方向伸長，驅(qū)動設(shè)備還被配置為在存儲設(shè)備處于在非數(shù)據(jù)讀寫狀態(tài)下驅(qū)動第一存儲帶沿軸線方向收縮。

27、本技術(shù)實施例提供的讀寫設(shè)備，包括上述任一實施例中的存儲設(shè)備，因此二者能夠解決相同的技術(shù)問題，并實現(xiàn)相同的技術(shù)效果。

28、第五方面，本技術(shù)實施例提供一種存儲系統(tǒng)，包括：讀寫設(shè)備以及如上所述的存儲設(shè)備，讀寫設(shè)備與存儲設(shè)備連接，讀寫設(shè)備用于讀取存儲設(shè)備內(nèi)存儲的數(shù)據(jù)、或者向存儲設(shè)備寫入數(shù)據(jù)。

29、本技術(shù)實施例提供的存儲系統(tǒng)，包括上述任一實施例中的存儲設(shè)備，因此二者能夠解決相同的技術(shù)問題，并實現(xiàn)相同的技術(shù)效果。

30、第六方面，本技術(shù)實施例提供一種電子設(shè)備，包括：控制器以及如上所述的存儲系統(tǒng)，控制器與存儲系統(tǒng)電連接。

31、本技術(shù)實施例提供的電子設(shè)備，包括上述任一實施例中的存儲系統(tǒng)，因此二者能夠解決相同的技術(shù)問題，并實現(xiàn)相同的技術(shù)效果。