本發(fā)明的各種實施方式涉及存儲器裝置，并且更具體地，涉及允許重寫操作的存儲器裝置及用于操作該存儲器裝置的方法。

背景技術：

1、存儲器系統(tǒng)是使用諸如硅(si)、鍺(ge)、砷化鎵(gaas)、磷化銦(inp)等的半導體來實現(xiàn)的存儲裝置。存儲器系統(tǒng)分類為易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。易失性存儲器裝置是存儲在其中的數(shù)據(jù)在電源中斷時丟失的存儲器裝置。易失性存儲器裝置的代表性示例包括靜態(tài)ram(sram)、動態(tài)ram(dram)、同步dram(sdram)等。非易失性存儲器裝置是存儲在其中的數(shù)據(jù)即使在電源中斷時也保留的存儲器裝置。非易失性存儲器裝置的代表性示例包括只讀存儲器(rom)、可編程rom(prom)、電可編程rom(eprom)、電可擦除可編程rom(eeprom)、閃存存儲器、相變隨機存取存儲器(pram)、磁性ram(mram)、電阻ram(rram)、鐵電ram(fram)等。閃存存儲器主要分類為nor型存儲器和nand型存儲器。

2、非易失性存儲器裝置的單元是可以對其執(zhí)行電編程/擦除操作的元件。非易失性存儲器裝置可以通過隨著電子被施加到單元的薄氧化物膜的強電場移動而改變單元的閾值電壓來對單元執(zhí)行編程操作和擦除操作。

3、在本文，編程操作可以包括正常編程操作和重寫(overwrite)操作，正常編程操作將具有擦除狀態(tài)的閾值電壓電平的非易失性存儲器單元的電壓電平移動到多個閾值電壓電平當中的一個閾值電壓電平，重寫操作對預期其可靠性因正常編程操作沒有正常完成而劣化的非易失性存儲器單元或預期即使正常編程操作完成其可靠性也因突然斷電(spo)導致保留特性下降而劣化的非易失性存儲器單元再次執(zhí)行編程操作。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的實施方式涉及一種能夠?qū)⒅貙懖僮髌陂g編程目標存儲器單元的分布劣化最小化的存儲器裝置和操作該存儲器裝置的方法。

2、本發(fā)明實施方式中要解決的技術問題不限于上文提及的技術問題，以上未提及的其它技術問題也可以由本發(fā)明所屬領域的普通技術人員從以下描述中清楚地理解。

3、根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，存儲器裝置可以包括：存儲器單元陣列，該存儲器單元陣列包括聯(lián)接在字線與多條位線之間的存儲器單元；以及控制單元，該控制單元適用于根據(jù)增量步進脈沖編程(ispp)方法對存儲器單元執(zhí)行編程操作直到編程操作被成功執(zhí)行為止，編程操作重復包括電壓施加操作和驗證操作的編程循環(huán)?？刂茊卧梢酝ㄟ^根據(jù)編程操作是否是重寫操作將初始編程脈沖的電壓電平設置為第一電平和第二電平中的一者來重復地執(zhí)行編程循環(huán)。初始編程脈沖可以是要在重復的編程循環(huán)中的初始編程循環(huán)中所包括的電壓施加操作中被施加到字線。第二電平可以比第一電平低第一設置電平。

4、根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，一種用于操作包括聯(lián)接在字線與多條位線之間的存儲器單元的存儲器裝置的方法可以包括以下步驟：根據(jù)增量步進脈沖編程(ispp)方法對存儲器單元執(zhí)行編程操作直到編程操作被成功執(zhí)行為止，編程操作重復包括電壓施加操作和驗證操作的編程循環(huán)；以及檢查編程操作是否是重寫操作。重復地執(zhí)行的步驟可以包括：根據(jù)編程操作是否是重寫操作將初始編程脈沖的電壓電平設置為第一電平和第二電平中的一者。初始編程脈沖可以是要在重復的編程循環(huán)中的初始編程循環(huán)中所包括的電壓施加操作中被施加到字線。第二電平可以比第一電平低第一設置電平。

5、根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，一種存儲器裝置的操作方法可以包括以下步驟：根據(jù)增量步進脈沖編程(ispp)方案，與編程操作已在存儲器單元組上成功的次數(shù)成比例地減小編程脈沖的電壓電平和增量中的至少一者；以及根據(jù)ispp方案，基于經(jīng)減小的電壓電平和增量來執(zhí)行編程操作。至少在編程操作內(nèi)的初始編程循環(huán)和后續(xù)編程循環(huán)期間，編程脈沖可以被提供給存儲器單元組。

技術特征：

1.一種存儲器裝置，所述存儲器裝置包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器裝置，其中，所述控制單元在所述編程操作是所述重寫操作時將所述初始編程脈沖的所述電壓電平設置為所述第二電平并且將所述增量設置為所述第四電平。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器裝置，其中，所述控制單元還適用于：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器裝置，其中，所述控制單元還適用于在所述編程操作是所述重寫操作時根據(jù)所述編程計數(shù)值來調(diào)整所述第一設置電平和所述第二設置電平。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述控制單元還適用于在所述編程操作是所述重寫操作時在所述編程操作開始之前將盲選項設置為禁用狀態(tài)并且響應于成功的編程操作而將所述盲選項設置為啟用狀態(tài)。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器裝置，其中，所述控制單元包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器裝置，其中，所述編程控制器還適用于響應于成功的編程操作而增大所述編程計數(shù)值。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器裝置，其中，所述編程控制器還適用于在所述編程操作是所述重寫操作時與所述編程計數(shù)值成比例地增大所述第一設置電平和所述第二設置電平。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器裝置，其中，所述編程控制器還適用于在所述編程操作是所述重寫操作時輸出信號以禁用盲選項，并且響應于成功的編程操作而輸出信號以啟用所述盲選項。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲器裝置，其中，所述控制單元還包括選項控制器，所述選項控制器適用于響應于所述編程控制器的輸出信號而控制是否啟用所述盲選項。

12.一種用于操作存儲器裝置的方法，所述存儲器裝置包括聯(lián)接在字線與多條位線之間的存儲器單元，所述方法包括以下步驟：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，執(zhí)行的步驟還包括：根據(jù)所述編程操作是否是所述重寫操作將從所述初始編程脈沖的所述電壓電平到第二編程脈沖的電壓電平的增量設置為第三電平和第四電平中的一者，

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，所述方法還包括以下步驟：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，所述方法還包括以下步驟：在所述編程操作是所述重寫操作時，與所述編程計數(shù)值成比例地增大所述第一設置電平。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，所述方法還包括以下步驟：在所述編程操作是所述重寫操作時，與所述編程計數(shù)值成比例地增大所述第二設置電平。

19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，所述方法還包括以下步驟：

20.一種存儲器裝置的操作方法，所述操作方法包括以下步驟：

技術總結(jié)
本公開涉及允許重寫編程操作的存儲器裝置及其操作方法。該存儲器裝置包括：存儲器單元陣列，其包括聯(lián)接在字線與多條位線之間的存儲器單元；以及控制單元，其適用于根據(jù)增量步進脈沖編程(ISPP)方法對存儲器單元執(zhí)行編程操作直到編程操作被成功執(zhí)行為止，編程操作重復包括電壓施加操作和驗證操作的編程循環(huán)，其中，控制單元通過根據(jù)編程操作是否是重寫操作將初始編程脈沖的電壓電平設置為第一電平和第二電平中的一者來重復地執(zhí)行編程循環(huán)，其中，初始編程脈沖要在重復的編程循環(huán)中的初始編程循環(huán)中所包括的電壓施加操作中施加到字線，并且其中，第二電平比第一電平低第一設置電平。

技術研發(fā)人員：鄭載燁,黃盛炫
受保護的技術使用者：愛思開海力士有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/23