本發(fā)明涉及一種磁記錄介質(zhì)的制造方法和磁記錄再生裝置。

背景技術(shù)：

1、作為記錄各種數(shù)據(jù)而用于保存的記錄介質(zhì)，廣泛使用磁記錄介質(zhì)。磁記錄介質(zhì)一般而言在非磁性基板上，依次層疊軟磁性層、基底層、垂直磁性層和保護(hù)層而構(gòu)成。

2、垂直磁性層一直以來使用cocr系合金，作為具有與cocr系合金相比高的垂直磁各向異性的材料，例如，已知具有l(wèi)10規(guī)則結(jié)構(gòu)的fept合金。而且，已知fept合金的l10規(guī)則化需要在400℃以上的高溫下的熱處理(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

3、作為使用了包含fept合金的垂直磁性層的磁記錄介質(zhì)，例如，公開了一種熱輔助磁記錄方式的磁記錄介質(zhì)，其依次層疊有使用將cr作為主成分的bcc結(jié)構(gòu)的合金而形成的取向控制基底層、進(jìn)行了(100)取向的含有w的結(jié)晶質(zhì)的基底層、包含具有nacl型結(jié)構(gòu)的mgo的阻擋層以及包含具有l(wèi)10結(jié)構(gòu)的fept合金的磁性層(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。

4、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)

6、專利文獻(xiàn)1：日本特開2011-40121號(hào)公報(bào)

7、專利文獻(xiàn)2：日本特開2015-88197號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、伴隨著磁記錄再生裝置的適用范圍擴(kuò)大，要求磁記錄介質(zhì)的記錄密度的進(jìn)一步的提高。作為提高磁記錄介質(zhì)的記錄密度的方法，具有提高磁性層形成時(shí)的加熱溫度，提高垂直磁性層的結(jié)晶取向性的方法。

3、然而，如果提高垂直磁性層的加熱溫度，則存在對(duì)于基底層、軟磁性層和非磁性基板產(chǎn)生加熱效果以及接下來的問題這樣的問題。即，構(gòu)成基底層的元素?cái)U(kuò)散至其它層，損害其它層的功能。構(gòu)成軟磁性層的合金結(jié)晶化而軟磁性特性受損。非磁性基板中的應(yīng)變被緩和，非磁性基板所包含的結(jié)晶粗大化而磁記錄介質(zhì)的表面產(chǎn)生起伏。

4、本發(fā)明的一方式的目的在于提供能夠抑制垂直磁性層的加熱時(shí)的熱對(duì)于其它層和基板帶來影響的磁記錄介質(zhì)的制造方法。

5、用于解決課題的方法

6、本發(fā)明具備以下所示的構(gòu)成。

7、(1)一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，為依次具備有基板、基底層以及具有l(wèi)10結(jié)構(gòu)的垂直磁性層的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其包括：

8、上述垂直磁性層形成之后，通過由led光源放射的led光，將上述垂直磁性層的表面進(jìn)行加熱，以提高上述垂直磁性層的結(jié)晶取向性的工序，

9、上述基底層包含nacl型化合物，

10、上述led光的中心波長(zhǎng)小于500nm。

11、(2)根據(jù)(1)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，上述led光源不含中心波長(zhǎng)為500nm以上的led光。

12、(3)根據(jù)(1)或(2)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法,上述led光的中心波長(zhǎng)小于500nm，加熱區(qū)域的直徑為90mm以上，光強(qiáng)度為1.5w/cm2～15w/cm2，上述加熱區(qū)域內(nèi)的上述光強(qiáng)度的均勻性為±15％以內(nèi)。

13、(4)根據(jù)(1)～(3)的任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，上述基底層從上述基板側(cè)起依次層疊而具備：

14、將cr作為主成分的bcc合金進(jìn)行(100)取向的第1基底層，

15、將w作為主成分的bcc合金進(jìn)行(100)取向的第2基底層，以及

16、將作為上述nacl型化合物的mgo設(shè)為主成分的第3基底層，

17、上述第2基底層的膜厚在將上述中心波長(zhǎng)設(shè)為λnm時(shí)，為(λ×0.1)nm以上。

18、(5)一種磁記錄再生裝置，其具備：由(1)～(4)的任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法制造的磁記錄介質(zhì)。

19、發(fā)明的效果

20、本發(fā)明的一方式能夠提供能夠抑制垂直磁性層的加熱時(shí)的熱對(duì)于其它層和基板帶來影響的磁記錄介質(zhì)的制造方法。

技術(shù)特征：

1.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，為依次具備有基板、基底層以及具有l(wèi)10結(jié)構(gòu)的垂直磁性層的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3的任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，

5.一種磁記錄再生裝置，其具備：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及的磁記錄介質(zhì)的制造方法為依次具備有基板、基底層以及具有L1<subgt;0</subgt;結(jié)構(gòu)的垂直磁性層的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其包括：在上述垂直磁性層形成之后，通過由LED光源放射的LED光，將上述垂直磁性層的表面進(jìn)行加熱，以提高上述垂直磁性層的結(jié)晶取向性的工序，上述基底層包含NaCl型化合物，上述LED光的中心波長(zhǎng)小于500nm。

技術(shù)研發(fā)人員：福島隆之,黑川剛平,茂智雄,金津桂太
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社力森諾科硬盤
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23