本公開涉及記錄介質(zhì)、信息的記錄方法和信息的讀取方法。

背景技術(shù)：

1、作為用于增加光信息記錄介質(zhì)的記錄容量的技術(shù)，已知在多層體中記錄信息的三維記錄。在三維記錄的領(lǐng)域中，為了提高記錄密度，需要實(shí)現(xiàn)更微細(xì)的光集聚點(diǎn)。從集聚的激光的衍射極限的觀點(diǎn)出發(fā)，為了實(shí)現(xiàn)更微細(xì)的光集聚點(diǎn)，使用具有短波長(zhǎng)的激光。作為該激光，可列舉出blu-ray(注冊(cè)商標(biāo))盤的規(guī)格即具有405nm的中心波長(zhǎng)的激光。這樣一來(lái)，已知使用了具有405nm的中心波長(zhǎng)的激光的記錄介質(zhì)。

2、在專利文獻(xiàn)1中公開了以樹脂層彼此之間的界面作為反射面的記錄介質(zhì)。在專利文獻(xiàn)1的記錄介質(zhì)中，不必另外設(shè)置反射膜。在專利文獻(xiàn)2中，公開了通過(guò)對(duì)記錄層照射記錄光、使其折射率變化從而記錄信息的記錄介質(zhì)。在專利文獻(xiàn)2中，記錄層具有色素和高分子粘合劑。在專利文獻(xiàn)3中公開了利用具有彼此不同的波長(zhǎng)的記錄光和再現(xiàn)光的記錄介質(zhì)。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)1：日本專利第4890507號(hào)公報(bào)

6、專利文獻(xiàn)2：日本專利第5357114號(hào)公報(bào)

7、專利文獻(xiàn)3：日本專利第4712798號(hào)公報(bào)

8、專利文獻(xiàn)4：日本專利第5553723號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、需要適于信息的記錄和讀取的新型的記錄介質(zhì)。

3、用于解決課題的手段

4、本公開的一個(gè)方案中的記錄介質(zhì)包括：第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層、和具有通過(guò)照射光從而記錄信息的記錄區(qū)域并且位于所述第一電介質(zhì)層與所述第二電介質(zhì)層之間的記錄層，所述記錄層包含色素材料，所述記錄層中的波長(zhǎng)405nm的光的透射率為95％以上，記錄了信息的所述記錄區(qū)域中的光的反射率比記錄信息之前的所述記錄區(qū)域中的光的反射率高，所述記錄層的厚度d(nm)、對(duì)波長(zhǎng)405nm的光而言的所述記錄層的折射率n1、對(duì)波長(zhǎng)405nm的光而言的所述第一電介質(zhì)層的折射率n2和對(duì)波長(zhǎng)405nm的光而言的所述第二電介質(zhì)層的折射率n3滿足下述關(guān)系式(1)至(3)。

5、(1.33-0.15n1){405(m+1/2)/(2n1)}＜d≤(1.33-0.15n1){405(m+1)/(2n1)}?(1)

6、n1＞n2?(2)

7、n1＞n3?(3)

8、在所述式(1)中，m為0至4的整數(shù)。

9、發(fā)明效果

10、本公開提供適于信息的記錄和讀取的新型的記錄介質(zhì)。

技術(shù)特征：

1.一種記錄介質(zhì)，其包括：第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層、和具有通過(guò)照射光從而記錄信息的記錄區(qū)域并且位于所述第一電介質(zhì)層與所述第二電介質(zhì)層之間的記錄層，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中，所述折射率n1與所述折射率n2之差為0.2以上，所述折射率n1與所述折射率n3之差為0.2以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中，所述折射率n1為1.65以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中，在所述記錄層中，通過(guò)照射記錄光從而形成凹形狀的記錄標(biāo)記。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中，所述色素材料包含聚合物p1，所述聚合物p1包含具有非線性光吸收特性的基團(tuán)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的記錄介質(zhì)，其中，所述聚合物p1具有來(lái)自乙烯基咔唑類的結(jié)構(gòu)單元。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中，所述記錄層還包含聚合物p2。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的記錄介質(zhì)，其中，所述聚合物p2具有來(lái)自乙烯基咔唑類的結(jié)構(gòu)單元。

9.一種信息的記錄方法，其包括：準(zhǔn)備發(fā)出具有390nm以上且410nm以下的波長(zhǎng)的光的光源；和將來(lái)自所述光源的所述光集聚，照射于權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的記錄介質(zhì)中的所述記錄層。

10.一種信息的讀取方法，其是采用權(quán)利要求9所述的記錄方法記錄的信息的讀取方法，所述讀取方法包括：通過(guò)對(duì)所述記錄介質(zhì)中的所述記錄層照射光，從而測(cè)定所述記錄層的光學(xué)特性；和從所述記錄層讀取信息。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的讀取方法，其中，所述光學(xué)特性為在所述記錄層反射的光的強(qiáng)度。

技術(shù)總結(jié)
本公開的一個(gè)方案中的記錄介質(zhì)(100)包括：第一電介質(zhì)層(20A)、第二電介質(zhì)層(20B)和記錄層(10)。記錄層(10)具有通過(guò)照射光從而記錄信息的記錄區(qū)域。記錄了信息的記錄區(qū)域中的光的反射率比記錄信息之前的記錄區(qū)域中的光的反射率高。記錄層(10)的厚度D(nm)、記錄層(10)的折射率n<subgt;1</subgt;、第一電介質(zhì)層(20A)的折射率n<subgt;2</subgt;和第二電介質(zhì)層(20B)的折射率n<subgt;3</subgt;滿足關(guān)系式(1)至(3)。(1.33?0.15n<subgt;1</subgt;){405(m+1/2)/(2n<subgt;1</subgt;)}＜D≤(1.33?0.15n<subgt;1</subgt;){405(m+1)/(2n<subgt;1</subgt;)}(1)n<subgt;1</subgt;＞n<subgt;2</subgt;(2)n<subgt;1</subgt;＞n<subgt;3</subgt;(3)。在式(1)中，m為0至4的整數(shù)。

技術(shù)研發(fā)人員：安藤康太,橫山麻紗子,田頭健司,荒瀨秀和
受保護(hù)的技術(shù)使用者：松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2