背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廣泛用于各種電子設(shè)備，諸如蜂窩電話、數(shù)碼相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、醫(yī)療電子器件、移動(dòng)計(jì)算設(shè)備、服務(wù)器、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器、非移動(dòng)計(jì)算設(shè)備和其他設(shè)備。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以包括非易失性存儲(chǔ)器或易失性存儲(chǔ)器。即使當(dāng)非易失性存儲(chǔ)器未連接至電源(例如，電池)時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器也允許存儲(chǔ)和保留信息。非易失性存儲(chǔ)器的示例包括閃存存儲(chǔ)器(例如，nand型和nor型閃存存儲(chǔ)器)。

2、存儲(chǔ)器系統(tǒng)可以用于存儲(chǔ)由主機(jī)設(shè)備(或其他客戶端)提供的數(shù)據(jù)。然而，在操作此類存儲(chǔ)器系統(tǒng)時(shí)存在各種挑戰(zhàn)。特別地，隨著存儲(chǔ)器單元的尺寸減小并且存儲(chǔ)器陣列的密度增加，維持正被存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的完整性變得更具挑戰(zhàn)性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

技術(shù)特征：

1.一種裝置，所述裝置包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一漏極到柵極電壓基于所述第一計(jì)數(shù)而自適應(yīng)地增加。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一漏極到柵極電壓隨著所述存儲(chǔ)器單元的塊先前已被編程并且擦除的次數(shù)增加而自適應(yīng)地增加。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一漏極到柵極電壓基于所述第一計(jì)數(shù)以步進(jìn)方式自適應(yīng)地增加。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一漏極到柵極電壓包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述偏移是固定值。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一漏極到柵極電壓是基于編程-擦除周期計(jì)數(shù)從線性等式或非線性等式中確定的。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述第二漏極到柵極電壓基于所述第一計(jì)數(shù)而自適應(yīng)地增加。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述第二漏極到柵極電壓隨著所述存儲(chǔ)器單元的塊先前已被編程并且擦除的次數(shù)增加而自適應(yīng)地增加。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述控制電路被進(jìn)一步配置為：

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述控制電路被進(jìn)一步配置為：

13.一種裝置，所述裝置包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中所述控制電路被進(jìn)一步配置為：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述偏移是固定值。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中擦除-驗(yàn)證循環(huán)包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中擦除-驗(yàn)證循環(huán)包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中所述控制電路被進(jìn)一步配置為：

19.一種方法，包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，所述方法還包括基于所遞增的漏極到柵極電壓將第二擦除脈沖施加到所述選擇晶體管。

技術(shù)總結(jié)
提供一種裝置，該裝置包括具有包括第一選擇晶體管的NAND串的存儲(chǔ)器單元的塊以及耦合到存儲(chǔ)器單元的塊的控制電路?？刂齐娐繁慌渲脼橥ㄟ^以下操作對(duì)存儲(chǔ)器單元的塊執(zhí)行擦除操作：確定存儲(chǔ)器單元的塊先前已被編程并且擦除的次數(shù)的第一計(jì)數(shù)；基于第一計(jì)數(shù)確定第一選擇晶體管的第一漏極到柵極電壓，其中第一漏極到柵極電壓被配置為使第一選擇晶體管生成第一柵極感應(yīng)的漏極泄漏電流；以及基于所確定的第一漏極到柵極電壓將第一擦除脈沖施加到第一選擇晶體管。

技術(shù)研發(fā)人員：劉義航,朱曉晨,L·德拉拉瑪,高峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：桑迪士克科技有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2