本公開涉及一種存儲(chǔ)器件和用于驅(qū)動(dòng)包括在該存儲(chǔ)器件中的感測(cè)器件的方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體存儲(chǔ)設(shè)備用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)是一種主要用作計(jì)算機(jī)中的主存儲(chǔ)器的易失性存儲(chǔ)器件。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)是ram的子集，也是易失性的并且由存儲(chǔ)單元組成。為了有效地感測(cè)存儲(chǔ)在這些單元中的數(shù)據(jù)，以預(yù)充電電壓對(duì)位線和互補(bǔ)位線進(jìn)行預(yù)充電。隨后，執(zhí)行電荷共享操作，使得位線和互補(bǔ)位線之間產(chǎn)生電壓差。然后，該電壓差(被稱為dvbl)被感測(cè)放大器放大，以感測(cè)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)。

2、另一方面，當(dāng)對(duì)位線和互補(bǔ)位線進(jìn)行預(yù)充電時(shí)，與將預(yù)充電電壓的幅值設(shè)置為電源電壓vdd的一半相比，將預(yù)充電電壓設(shè)置為地電壓vss或電源電壓vdd可以增加感測(cè)裕度。然而，這種方法可能會(huì)導(dǎo)致由數(shù)據(jù)極性造成的不平衡。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的實(shí)施例提供了一種能夠增強(qiáng)感測(cè)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)的性能的存儲(chǔ)器件。

2、本公開的實(shí)施例還提供一種用于驅(qū)動(dòng)感測(cè)器件的方法，該方法能夠提高感測(cè)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)的性能。

3、根據(jù)本公開的實(shí)施例，提供了一種存儲(chǔ)器件，包括：存儲(chǔ)單元陣列，包括連接到位線的第一存儲(chǔ)單元、以及連接到互補(bǔ)位線的第二存儲(chǔ)單元；位線感測(cè)放大器，包括連接到位線的感測(cè)位線、以及連接到互補(bǔ)位線的感測(cè)互補(bǔ)位線，其中，位線感測(cè)放大器被配置為：將感測(cè)位線的信號(hào)輸出到位線并將感測(cè)互補(bǔ)位線的信號(hào)輸出到互補(bǔ)位線，以感測(cè)存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)；第一電荷傳輸晶體管，連接在位線和感測(cè)位線之間，其中，第一電荷傳輸晶體管的柵極經(jīng)由第一節(jié)點(diǎn)接收第一信號(hào)；第二電荷傳輸晶體管，連接在互補(bǔ)位線和感測(cè)互補(bǔ)位線之間，其中，第二電荷傳輸晶體管的柵極經(jīng)由第二節(jié)點(diǎn)接收第二信號(hào)；第一預(yù)充電晶體管，被配置為：以第一預(yù)充電電壓對(duì)位線和互補(bǔ)位線進(jìn)行預(yù)充電；第二預(yù)充電晶體管，被配置為：以與第一預(yù)充電電壓不同的第二預(yù)充電電壓對(duì)感測(cè)位線和感測(cè)互補(bǔ)位線進(jìn)行預(yù)充電；第一傳輸柵極晶體管，被配置為：響應(yīng)于第一控制信號(hào)，向第一電荷傳輸晶體管的柵極提供第一傳輸柵極電壓；以及第二傳輸柵極晶體管，被配置為：響應(yīng)于第一控制信號(hào)，向第二電荷傳輸晶體管的柵極提供與第一傳輸柵極電壓不同的第二傳輸柵極電壓。

4、根據(jù)本公開的實(shí)施例，提供了一種存儲(chǔ)器件，包括：存儲(chǔ)單元陣列，包括連接到位線的第一存儲(chǔ)單元、以及連接到互補(bǔ)位線的第二存儲(chǔ)單元；位線感測(cè)放大器，包括連接到位線的感測(cè)位線、以及連接到互補(bǔ)位線的感測(cè)互補(bǔ)位線，其中，位線感測(cè)放大器被配置為：將感測(cè)位線的信號(hào)輸出到位線并將感測(cè)互補(bǔ)位線的信號(hào)輸出到互補(bǔ)位線，以感測(cè)存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)；第一電荷傳輸晶體管，連接在位線和感測(cè)位線之間，并由提供給第一節(jié)點(diǎn)的第一信號(hào)選通；第二電荷傳輸晶體管，連接在互補(bǔ)位線和感測(cè)互補(bǔ)位線之間，并由連接到第二節(jié)點(diǎn)的第二信號(hào)選通；以及多個(gè)傳輸柵晶體管，被配置為：響應(yīng)于位線感測(cè)放大器感測(cè)存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)，向第一電荷傳輸晶體管的柵極提供第一傳輸柵極電壓，并向第二電荷傳輸晶體管的柵極提供比第一傳輸柵極電壓低的第二傳輸柵極電壓；以及被配置為：響應(yīng)于位線感測(cè)放大器感測(cè)存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)，向第一電荷傳輸晶體管的柵極提供第二傳輸柵極電壓，并向第二電荷傳輸晶體管的柵極提供第一傳輸柵極電壓。

5、根據(jù)本公開的實(shí)施例，提供了一種用于驅(qū)動(dòng)感測(cè)器件的方法，所述感測(cè)器件被配置為：通過使用包括感測(cè)位線和感測(cè)互補(bǔ)位線的位線感測(cè)放大器、連接到感測(cè)位線和位線的第一電荷傳輸晶體管、以及連接到感測(cè)互補(bǔ)位線和互補(bǔ)位線的第二電荷傳輸晶體管來感測(cè)連接到位線的第一存儲(chǔ)單元和連接到互補(bǔ)位線的第二存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)，該方法包括：使用第一預(yù)充電電壓對(duì)感測(cè)位線和感測(cè)互補(bǔ)位線進(jìn)行預(yù)充電；向第一電荷傳輸晶體管的柵極提供第一傳輸柵極電壓，并向第二電荷傳輸晶體管的柵極提供與第一傳輸柵極電壓不同的第二傳輸柵極電壓；以及向第一電荷傳輸晶體管的柵極和第二電荷傳輸晶體管的柵極施加比第一傳輸柵極電壓和第二傳輸柵極電壓中的每一個(gè)的幅值大的隔離電壓，并感測(cè)存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單元中的至少一個(gè)中的數(shù)據(jù)。

技術(shù)特征：

1.一種存儲(chǔ)器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器件，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器件，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，

10.一種存儲(chǔ)器件，包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器件，還包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器件，還包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器件，

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器件，

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲(chǔ)器件，

16.一種用于驅(qū)動(dòng)感測(cè)器件的方法，所述感測(cè)器件被配置為：通過使用包括感測(cè)位線和感測(cè)互補(bǔ)位線的位線感測(cè)放大器、連接到所述感測(cè)位線和位線的第一電荷傳輸晶體管、以及連接到所述感測(cè)互補(bǔ)位線和互補(bǔ)位線的第二電荷傳輸晶體管來感測(cè)連接到所述位線的第一存儲(chǔ)單元和連接到所述互補(bǔ)位線的第二存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)，所述方法包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的用于驅(qū)動(dòng)感測(cè)器件的方法，還包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的用于驅(qū)動(dòng)感測(cè)器件的方法，

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的用于驅(qū)動(dòng)感測(cè)器件的方法，

20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的用于驅(qū)動(dòng)感測(cè)器件的方法，

技術(shù)總結(jié)
一種存儲(chǔ)器件，包括：存儲(chǔ)單元陣列，包括連接到位線的第一存儲(chǔ)單元、以及連接到互補(bǔ)位線的第二存儲(chǔ)單元；位線感測(cè)放大器，包括感測(cè)位線和感測(cè)互補(bǔ)位線；第一電荷傳輸晶體管，在位線和感測(cè)位線之間；第二電荷傳輸晶體管，在互補(bǔ)位線和感測(cè)互補(bǔ)位線之間；第一預(yù)充電晶體管，以第一預(yù)充電電壓對(duì)位線和互補(bǔ)位線進(jìn)行預(yù)充電；第二預(yù)充電晶體管，以第二預(yù)充電電壓對(duì)感測(cè)位線和感測(cè)互補(bǔ)位線進(jìn)行預(yù)充電；第一傳輸柵極晶體管，向第一電荷傳輸晶體管提供第一傳輸柵極電壓；以及第二傳輸柵極晶體管，向第二電荷傳輸晶體管提供第二傳輸柵極電壓。

技術(shù)研發(fā)人員：尹炫喆,蔡瑛澈
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23