本發(fā)明構(gòu)思的各方面涉及集成電路，更具體地講，涉及包括存儲校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的存儲器單元的存儲器裝置及其操作方法。

背景技術(shù)：

1、通過半導(dǎo)體工藝制造的存儲器裝置可能由于各種因素而具有變化。例如，讀取寫入到存儲器單元中的數(shù)據(jù)時使用的參考可能由于諸如工藝、電壓、溫度和老化的因素而變化?？梢孕?zhǔn)存儲器裝置以補償變化，并且可生成校準(zhǔn)數(shù)據(jù)作為校準(zhǔn)的結(jié)果?？梢栽隍?qū)動存儲器裝置之前參考校準(zhǔn)數(shù)據(jù)，并且可以基于校準(zhǔn)數(shù)據(jù)來設(shè)置存儲器裝置。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明構(gòu)思的各方面提供用于有效地提供校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的存儲器裝置及其操作方法。

2、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一方面，一種存儲器裝置包括：單元陣列，其包括共享多條字線的第一部分和第二部分，多條字線包括第一組字線和第二組字線；第一列解碼器，其被配置為選擇連接到第一部分的第一組位線中的至少一條位線；第二列解碼器，其被配置為選擇連接到第二部分的第二組位線中的至少一條位線；以及讀取電路，其被配置為基于第一列解碼器的輸出與第二列解碼器的輸出之間的比較來輸出數(shù)據(jù)信號。第一部分包括多個第一存儲器單元，多個第一存儲器單元連接到第一組字線中的至少一條字線并且被配置為存儲用于校準(zhǔn)存儲器裝置的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的位，并且第二部分包括多個第二存儲器單元，多個第二存儲器單元連接到該至少一條字線并且被配置為存儲校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的位的取反位。

3、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一方面，一種存儲器裝置包括：單元陣列，其包括共享多條字線的第一部分和第二部分；第一列解碼器，其通過多條位線中的第一組位線連接到第一部分；第二列解碼器，其通過多條位線中的第二組位線連接到第二部分；讀取電路，其被配置為基于第一列解碼器的輸出與第二列解碼器的輸出之間的比較來輸出數(shù)據(jù)信號；以及地址解碼器，其被配置為當(dāng)讀取用于校準(zhǔn)存儲器裝置的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)時，分別向第一列解碼器和第二列解碼器提供彼此對應(yīng)的列地址。

4、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一方面，一種存儲器裝置包括單元陣列，單元陣列包括共享多條字線的第一部分和第二部分。存儲器裝置的操作方法包括：響應(yīng)于至少一個第一寫入命令，將用于校準(zhǔn)存儲器裝置的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的位寫入到第一部分的第一區(qū)域中，并且將校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的位的取反位寫入到第二部分的第二區(qū)域中；以及通過響應(yīng)于第一讀取命令而同時檢測存儲在第一區(qū)域中的位和存儲在第二區(qū)域中的取反位來讀取校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的位。

技術(shù)特征：

1.一種存儲器裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，還包括地址解碼器，所述地址解碼器被配置為將彼此對應(yīng)的列地址分別提供到所述第一列解碼器和所述第二列解碼器，作為對所述校準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取的部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器裝置，其中：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器裝置，其中：

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器裝置，還包括被配置為提供可變電阻的可變電阻器電路，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其中，所述讀取電路被配置為將所述可變電阻器電路與所述第一組位線和所述第二組位線電斷開，作為對所述校準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取的部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中：

10.一種存儲器裝置，包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲器裝置，其中：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲器裝置，其中：

13.一種存儲器裝置的操作方法，其中，所述存儲器裝置包括單元陣列，所述單元陣列包括共享多條字線的第一部分和第二部分，所述操作方法包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的操作方法，其中：

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的操作方法，還包括：響應(yīng)于至少一個第二寫入命令，將第一用戶數(shù)據(jù)的位寫入到所述第一部分的第三區(qū)域中，并且將第二用戶數(shù)據(jù)的位寫入到所述第二部分的第四區(qū)域中。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的操作方法，其中：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的操作方法，其中：

18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的操作方法，其中：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的操作方法，其中，讀取所述校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的位包括同時激活所述第一字線和所述第二字線。

20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的操作方法，其中：

技術(shù)總結(jié)
提供存儲器裝置及其操作方法。存儲器裝置可包括：單元陣列，其包括共享多條字線的第一部分和第二部分，多條字線包括第一組字線和第二組字線；第一列解碼器，其被配置為選擇連接到第一部分的第一組位線中的至少一條位線；第二列解碼器，其被配置為選擇連接到第二部分的第二組位線中的至少一條位線；和讀取電路，其被配置為基于第一列解碼器的輸出與第二列解碼器的輸出之間的比較輸出數(shù)據(jù)信號。第一部分包括多個第一存儲器單元，多個第一存儲器單元連接到第一組字線中的至少一條字線并被配置為存儲用于校準(zhǔn)存儲器裝置的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的位，并且第二部分包括多個第二存儲器單元，多個第二存儲器單元連接到該至少一條字線并被配置為存儲校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的取反位。

技術(shù)研發(fā)人員：李燦昊,宋政學(xué)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9