技術(shù)特征：

1.一種基于多目標(biāo)優(yōu)化的儲存芯片能耗測試方法及裝置，其特征在于，包括如下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多目標(biāo)優(yōu)化的儲存芯片能耗測試方法及裝置，其特征在于，所述s3具體包括以下步驟：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多目標(biāo)優(yōu)化的儲存芯片能耗測試方法及裝置，其特征在于，所述s4具體包括以下步驟：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多目標(biāo)優(yōu)化的儲存芯片能耗測試方法及裝置，其特征在于，所述s5具體包括以下步驟：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多目標(biāo)優(yōu)化的儲存芯片能耗測試方法及裝置，其特征在于，所述s6具體包括以下步驟：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多目標(biāo)優(yōu)化的儲存芯片能耗測試方法及裝置，其特征在于，所述s7具體包括以下內(nèi)容：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多目標(biāo)優(yōu)化的儲存芯片能耗測試方法及裝置，其特征在于，所述s9具體包括以下步驟：

8.一種基于多目標(biāo)優(yōu)化的儲存芯片能耗測試裝置，其特征在于，包括以下模塊：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于多目標(biāo)優(yōu)化的儲存芯片能耗測試方法及裝置，S1、初始化測試環(huán)境；S2、設(shè)定多目標(biāo)優(yōu)化模型和模糊邏輯系統(tǒng)；S3、構(gòu)建初始測試數(shù)據(jù)集；S4、并計算出各測試目標(biāo)的隸屬度；S5、并生成一組初始優(yōu)化參數(shù)組合；S6、在初始優(yōu)化參數(shù)組合的基礎(chǔ)上，進(jìn)行測試參數(shù)的動態(tài)調(diào)整；S7、生成優(yōu)化后的測試參數(shù)組合；S8、重復(fù)S6和S7，直至達(dá)到預(yù)設(shè)的優(yōu)化收斂條件，生成最終的測試參數(shù)組合；S9、獲取最終的測試結(jié)果數(shù)據(jù)；S10、對最終的測試結(jié)果數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，通過模糊邏輯系統(tǒng)綜合評估各測試目標(biāo)的表現(xiàn)，生成儲存芯片的多目標(biāo)優(yōu)化測試報告。本發(fā)明有效解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的多目標(biāo)測試平衡、測試過程優(yōu)化及效率與準(zhǔn)確性之間的權(quán)衡問題。

技術(shù)研發(fā)人員：朱小煒,馬彥涵,李偉,錢后龍,包暘,康玲玲,倪哲明,馬春宇,龔梅芝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)促進(jìn)中心
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2