本技術(shù)涉及存儲(chǔ)，尤其涉及磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)處理方法、裝置、芯片及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(magnetoresistive?random?access?memory，mram)具有數(shù)據(jù)傳輸速度快且不易失、高集成度，在極端溫度范圍內(nèi)性能穩(wěn)定可靠的特點(diǎn)。因此，mram經(jīng)常作為嵌入式片內(nèi)存儲(chǔ)器使用，應(yīng)用程序直接運(yùn)行在mram上。在該場(chǎng)景下，數(shù)據(jù)的讀取操作和寫入操作會(huì)相當(dāng)頻繁；由于mram不支持在同一時(shí)刻同時(shí)寫入數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)，因此，在向mram寫入數(shù)據(jù)時(shí)，會(huì)嚴(yán)重影響mram讀取數(shù)據(jù)的效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)實(shí)施例提供一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)處理方法、裝置、芯片及電子設(shè)備，能夠提高mram讀取數(shù)據(jù)的效率。

2、本技術(shù)實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

3、第一方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)處理方法，所述方法包括：獲取待寫入數(shù)據(jù)以及所述待寫入數(shù)據(jù)在磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器中的寫地址；

4、將所述寫地址中的原始數(shù)據(jù)與所述待寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，得到比較結(jié)果；

5、基于所述比較結(jié)果確定待更改數(shù)值的位單元；

6、將所述待寫入數(shù)據(jù)劃分為多個(gè)第一待寫入數(shù)據(jù)集合和多個(gè)第二待寫入數(shù)據(jù)集合；

7、控制所述位單元對(duì)應(yīng)的第一磁性隧道結(jié)集合的電流方向，以實(shí)現(xiàn)至少一個(gè)所述第一待寫入數(shù)據(jù)集合中數(shù)據(jù)的寫入；

8、讀取所述磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)；

9、控制所述位單元對(duì)應(yīng)的第二磁性隧道結(jié)集合的電流方向，以實(shí)現(xiàn)至少一個(gè)所述第二待寫入數(shù)據(jù)集合中數(shù)據(jù)的寫入。

10、在一些可選實(shí)施例中，所述控制所述位單元對(duì)應(yīng)的第一磁性隧道結(jié)集合的電流方向，以實(shí)現(xiàn)至少一個(gè)所述第一待寫入數(shù)據(jù)集合中數(shù)據(jù)的寫入包括：

11、控制所述第一磁性隧道結(jié)集合中第一個(gè)磁性隧道結(jié)集合的電流方向?yàn)榈谝环较?，以?shí)現(xiàn)所述第一待寫入數(shù)據(jù)集合中第一個(gè)待寫入數(shù)據(jù)集合中數(shù)據(jù)的寫入；

12、在第一時(shí)間間隔之后，控制所述第一磁性隧道結(jié)集合中第二個(gè)磁性隧道結(jié)集合的電流方向?yàn)榈谝浑娏鞣较?，以?shí)現(xiàn)所述第一待寫入數(shù)據(jù)集合中第二個(gè)待寫入數(shù)據(jù)集合中數(shù)據(jù)的寫入；

13、以此類推，直至控制所述第一磁性隧道結(jié)集合中最后一個(gè)磁性隧道結(jié)集合的電流方向?yàn)榈谝浑娏鞣较颍詫?shí)現(xiàn)所述第一待寫入數(shù)據(jù)集合中最后一個(gè)待寫入數(shù)據(jù)集合中數(shù)據(jù)的寫入；

14、其中，每個(gè)所述磁性隧道結(jié)集合包括的磁性隧道結(jié)的數(shù)量小于第一數(shù)量閾值。

15、在一些可選實(shí)施例中，所述方法還包括：

16、在任意一個(gè)或多個(gè)所述第一時(shí)間間隔之內(nèi)，讀取所述磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)。

17、在一些可選實(shí)施例中，所述控制所述位單元對(duì)應(yīng)的第二磁性隧道結(jié)集合的電流方向，以實(shí)現(xiàn)至少一個(gè)所述第二待寫入數(shù)據(jù)集合中數(shù)據(jù)的寫入包括：

18、控制所述第二磁性隧道結(jié)集合中第一個(gè)磁性隧道結(jié)集合的電流方向?yàn)榈诙较?，以?shí)現(xiàn)所述第二待寫入數(shù)據(jù)集合中第一個(gè)待寫入數(shù)據(jù)集合中數(shù)據(jù)的寫入；

19、在第二時(shí)間間隔之后，控制所述第二磁性隧道結(jié)集合中第二個(gè)磁性隧道結(jié)集合的電流方向?yàn)榈诙娏鞣较颍詫?shí)現(xiàn)所述第二待寫入數(shù)據(jù)集合中第二個(gè)待寫入數(shù)據(jù)集合中數(shù)據(jù)的寫入；

20、以此類推，直至控制所述第二磁性隧道結(jié)集合中最后一個(gè)磁性隧道結(jié)集合的電流方向?yàn)榈诙娏鞣较?，以?shí)現(xiàn)所述第二待寫入數(shù)據(jù)集合中最后一個(gè)待寫入數(shù)據(jù)集合中數(shù)據(jù)的寫入；

21、其中，每個(gè)所述第二磁性隧道結(jié)集合包括的磁性隧道結(jié)的數(shù)量小于第二數(shù)量閾值。

22、在一些可選實(shí)施例中，所述方法還包括：

23、在任意一個(gè)或多個(gè)所述第二時(shí)間間隔之內(nèi)，讀取所述磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)。

24、在一些可選實(shí)施例中，所述第一時(shí)間間隔與所述第二時(shí)間間隔相同；

25、或者，所述第一時(shí)間間隔與所述第二時(shí)間間隔不同。

26、第二方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)處理裝置，所述裝置包括：

27、獲取模塊，用于獲取待寫入數(shù)據(jù)以及所述待寫入數(shù)據(jù)在磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器中的寫地址；

28、比較模塊，用于將所述寫地址中的原始數(shù)據(jù)與所述待寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，得到比較結(jié)果；

29、確定模塊，用于基于所述比較結(jié)果確定待更改數(shù)值的位地址；

30、劃分模塊，用于將所述待寫入數(shù)據(jù)劃分為多個(gè)待寫入數(shù)據(jù)集合；

31、第一控制模塊，用于控制所述位單元對(duì)應(yīng)的第一磁性隧道結(jié)集合的電流方向，以實(shí)現(xiàn)至少一個(gè)所述第一待寫入數(shù)據(jù)集合中數(shù)據(jù)的寫入；

32、讀取模塊，用于讀取所述磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)；

33、第二控制模塊，用于控制所述位單元對(duì)應(yīng)的第二磁性隧道結(jié)集合的電流方向，以實(shí)現(xiàn)至少一個(gè)所述第二待寫入數(shù)據(jù)集合中數(shù)據(jù)的寫入。

34、在一些可選實(shí)施例中，所述第一控制模塊，用于控制所述第一磁性隧道結(jié)集合中第一個(gè)磁性隧道結(jié)集合的電流方向?yàn)榈谝环较?，以?shí)現(xiàn)所述第一待寫入數(shù)據(jù)集合中第一個(gè)待寫入數(shù)據(jù)集合中數(shù)據(jù)的寫入；

35、在第一時(shí)間間隔之后，控制所述第一磁性隧道結(jié)集合中第二個(gè)磁性隧道結(jié)集合的電流方向?yàn)榈谝浑娏鞣较?，以?shí)現(xiàn)所述第一待寫入數(shù)據(jù)集合中第二個(gè)待寫入數(shù)據(jù)集合中數(shù)據(jù)的寫入；

36、以此類推，直至控制所述第一磁性隧道結(jié)集合中最后一個(gè)磁性隧道結(jié)集合的電流方向?yàn)榈谝浑娏鞣较?，以?shí)現(xiàn)所述第一待寫入數(shù)據(jù)集合中最后一個(gè)待寫入數(shù)據(jù)集合中數(shù)據(jù)的寫入；

37、其中，每個(gè)所述第一磁性隧道結(jié)集合包括的磁性隧道結(jié)的數(shù)量小于第一數(shù)量閾值。

38、在一些可選實(shí)施例中，所述讀取模塊，還用于在任意一個(gè)或多個(gè)所述第一時(shí)間間隔之內(nèi)，讀取所述磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)。

39、在一些可選實(shí)施例中，所述第二控制模塊，用于控制所述第二磁性隧道結(jié)集合中第一個(gè)磁性隧道結(jié)集合的電流方向?yàn)榈诙较?，以?shí)現(xiàn)所述第二待寫入數(shù)據(jù)集合中第一個(gè)待寫入數(shù)據(jù)集合中數(shù)據(jù)的寫入；

40、在第二時(shí)間間隔之后，控制所述第二磁性隧道結(jié)集合中第二個(gè)磁性隧道結(jié)集合的電流方向?yàn)榈诙娏鞣较?，以?shí)現(xiàn)所述第二待寫入數(shù)據(jù)集合中第二個(gè)待寫入數(shù)據(jù)集合中數(shù)據(jù)的寫入；

41、以此類推，直至控制所述第二磁性隧道結(jié)集合中最后一個(gè)磁性隧道結(jié)集合的電流方向?yàn)榈诙娏鞣较颍詫?shí)現(xiàn)所述第二待寫入數(shù)據(jù)集合中最后一個(gè)待寫入數(shù)據(jù)集合中數(shù)據(jù)的寫入；

42、其中，每個(gè)所述第二磁性隧道結(jié)集合包括的磁性隧道結(jié)的數(shù)量小于第二數(shù)量閾值。

43、在一些可選實(shí)施例中，所述讀取模塊，還用于在任意一個(gè)或多個(gè)所述第二時(shí)間間隔之內(nèi)，讀取所述磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)。

44、在一些可選實(shí)施例中，所述第一時(shí)間間隔與所述第二時(shí)間間隔相同；

45、或者，所述第一時(shí)間間隔與所述第二時(shí)間間隔不同。

46、第三方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種芯片，所述芯片包括：

47、處理器、存儲(chǔ)器和總線；

48、所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)可執(zhí)行指令；

49、所述處理器與所述存儲(chǔ)器之間通過(guò)所述總線通信，所述處理器執(zhí)行所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的可執(zhí)行指令時(shí)，實(shí)現(xiàn)上述的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)處理方法。

50、第四方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種交通設(shè)備上的部件，所述部件包括芯片，所述芯片能夠?qū)崿F(xiàn)上述的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)處理方法。

51、第五方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括芯片，所述芯片能夠?qū)崿F(xiàn)上述的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)處理方法。

52、本技術(shù)實(shí)施例提供的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)處理方法，包括：獲取待寫入數(shù)據(jù)以及所述待寫入數(shù)據(jù)在磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器中的寫地址；將所述寫地址中的原始數(shù)據(jù)與所述待寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，得到比較結(jié)果；基于所述比較結(jié)果確定待更改數(shù)值的位單元；將所述待寫入數(shù)據(jù)劃分為多個(gè)第一待寫入數(shù)據(jù)集合和多個(gè)第二待寫入數(shù)據(jù)集合；控制所述位單元對(duì)應(yīng)的第一磁性隧道結(jié)集合的電流方向，以實(shí)現(xiàn)至少一個(gè)所述第一待寫入數(shù)據(jù)集合中數(shù)據(jù)的寫入；讀取所述磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)；控制所述位單元對(duì)應(yīng)的第二磁性隧道結(jié)集合的電流方向，以實(shí)現(xiàn)至少一個(gè)所述第二待寫入數(shù)據(jù)集合中數(shù)據(jù)的寫入。本技術(shù)實(shí)施例中，在向磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器中寫入數(shù)據(jù)時(shí)，將待寫入數(shù)據(jù)劃分為多個(gè)數(shù)據(jù)集合，在向磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器寫入一個(gè)數(shù)據(jù)集合中的數(shù)據(jù)之后，從磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)；之后，在向磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器中寫入另一個(gè)數(shù)據(jù)集合中的數(shù)據(jù)。如此，通過(guò)將待寫入磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)劃分為多個(gè)數(shù)據(jù)集合，控制每次向磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器中寫入一個(gè)數(shù)據(jù)集合中的數(shù)據(jù)；在兩個(gè)數(shù)據(jù)集合中的數(shù)據(jù)寫入磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的時(shí)間間隔內(nèi)，可以讀取磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)，提高了mram讀取數(shù)據(jù)的效率。