技術(shù)特征：

1.一種基于光存儲(chǔ)介質(zhì)的波導(dǎo)存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于光存儲(chǔ)介質(zhì)的波導(dǎo)存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于光存儲(chǔ)介質(zhì)的波導(dǎo)存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，沉積光存儲(chǔ)介質(zhì)步驟中磁控濺射的濺射條件為：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于光存儲(chǔ)介質(zhì)的波導(dǎo)存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，在沉積光存儲(chǔ)介質(zhì)之前，還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于光存儲(chǔ)介質(zhì)的波導(dǎo)存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述光存儲(chǔ)介質(zhì)為由sb、se元素構(gòu)成的相變材料化合物，或由ge、sb、se元素構(gòu)成的gst材料或n-gst材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于光存儲(chǔ)介質(zhì)的波導(dǎo)存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述襯底為soi、玻璃片、石英片或硅片。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于光存儲(chǔ)介質(zhì)的波導(dǎo)存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述包層介質(zhì)薄膜為al2o3。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于光存儲(chǔ)介質(zhì)的波導(dǎo)存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述芯層的長(zhǎng)度為1.5mm，寬度為1.5mm；所述總線波導(dǎo)的寬度為450nm，高度為220nm，長(zhǎng)度為200μm；所述跑道微環(huán)諧振腔的半徑為5μm；

9.一種基于光存儲(chǔ)介質(zhì)的波導(dǎo)存儲(chǔ)器，其特征在于，包括包層、記錄層和芯層，記錄層采用跑道型微環(huán)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，跑道型微環(huán)結(jié)構(gòu)包括跑道微環(huán)諧振腔、總線波導(dǎo)和設(shè)置在總線波導(dǎo)上的位于總線波導(dǎo)與跑道微環(huán)諧振腔的耦合區(qū)域的光存儲(chǔ)介質(zhì)；

10.一種存儲(chǔ)設(shè)備，其特征在于，包括陣列集成化設(shè)置的如權(quán)利要求1所述的基于光存儲(chǔ)介質(zhì)的波導(dǎo)存儲(chǔ)器。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及硅基光子集成技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種基于光存儲(chǔ)介質(zhì)的波導(dǎo)存儲(chǔ)器及其制作方法、存儲(chǔ)設(shè)備，該基于光存儲(chǔ)介質(zhì)的波導(dǎo)存儲(chǔ)器及其制作方法包括：通過對(duì)跑道型微環(huán)諧振器進(jìn)行仿真，確認(rèn)跑道微環(huán)諧振腔與總線波導(dǎo)之間的最優(yōu)耦合間隙和最優(yōu)耦合長(zhǎng)度，制作芯層，根據(jù)最優(yōu)耦合間隙和最優(yōu)耦合長(zhǎng)度在芯層上形成跑道微環(huán)諧振腔和總線波導(dǎo)，并利用磁控濺射在總線波導(dǎo)上沉積光存儲(chǔ)介質(zhì)，所述光存儲(chǔ)介質(zhì)在外部激勵(lì)作用下會(huì)改變應(yīng)激位置的相變狀態(tài)，以通過光存儲(chǔ)介質(zhì)的不同相態(tài)實(shí)現(xiàn)信息的存儲(chǔ)。本發(fā)明還提供了基于該制作方法得到的波導(dǎo)存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)設(shè)備。本發(fā)明制備方法得到的波導(dǎo)存儲(chǔ)器無毒，對(duì)人體和環(huán)境友好，制作成本低，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于大規(guī)模制造。

技術(shù)研發(fā)人員：祝連慶,楊莉,鹿利單,陳偉強(qiáng),董明利,何彥霖
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣州市南沙區(qū)北科光子感知技術(shù)研究院
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2