技術(shù)特征：

1.一種模擬域內(nèi)容可尋址存儲器系統(tǒng)，其特征在于，包括：主處理器、至少一個內(nèi)容可尋址存儲器子模塊和比較器，所述內(nèi)容可尋址存儲器子模塊具有m行n列的模擬內(nèi)容可尋址存儲器，m和n為正整數(shù)，全部內(nèi)容可尋址存儲器子模塊中同一行所存儲的模擬內(nèi)容代表一條存儲數(shù)據(jù)；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述模擬域內(nèi)容可尋址存儲器系統(tǒng)，其特征在于，所述內(nèi)容可尋址存儲器子模塊包括電壓驅(qū)動單元、模擬內(nèi)容可尋址存儲器陣列和電流讀出單元，所述模擬內(nèi)容可尋址存儲器陣列由m行n列的模擬內(nèi)容可尋址存儲器構(gòu)成；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述模擬域內(nèi)容可尋址存儲器系統(tǒng)，其特征在于，所述模擬內(nèi)容可尋址存儲器包括：第一存儲單元和第二存儲單元；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述模擬域內(nèi)容可尋址存儲器系統(tǒng)，其特征在于，所述電壓驅(qū)動單元用于將搜索字段中各個搜索字位編碼成第一電壓信號vblp、第二電壓信號第三電壓信號vbln和第四電壓信號

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述模擬域內(nèi)容可尋址存儲器系統(tǒng)，其特征在于，在第一匹配模式下，所述第一非易失器件的電導(dǎo)值gp1、所述第二非易失器件的電導(dǎo)值gp2、所述第三非易失器件的電導(dǎo)值gn1和所述第四非易失器件的電導(dǎo)值gn2通過以下公式確定：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述模擬域內(nèi)容可尋址存儲器系統(tǒng)，其特征在于，在第一匹配模式下，所述預(yù)設(shè)比例關(guān)系通過以下公式確定：

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述模擬域內(nèi)容可尋址存儲器系統(tǒng)，其特征在于，在第二匹配模式下，所述第一非易失器件的電導(dǎo)值gp1、所述第二非易失器件的電導(dǎo)值gp2、所述第三非易失器件的電導(dǎo)值gn1和所述第四非易失器件的電導(dǎo)值gn2通過以下公式確定：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述模擬域內(nèi)容可尋址存儲器系統(tǒng)，其特征在于，在第二匹配模式下，所述預(yù)設(shè)比例關(guān)系通過以下公式確定：

9.根據(jù)權(quán)利要求2-8任一所述模擬域內(nèi)容可尋址存儲器系統(tǒng)，其特征在于，搜索字位k與存儲字位j能夠被配置為分立的值。

10.根據(jù)權(quán)利要求2-8任一所述模擬域內(nèi)容可尋址存儲器系統(tǒng)，其特征在于，所述電流讀出單元包括m個電流讀出子單元，所述電流讀出子單元包括電壓鉗制電路和電流鏡；

技術(shù)總結(jié)
本申請屬于數(shù)據(jù)檢索技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種模擬域內(nèi)容可尋址存儲器系統(tǒng)，包括：主處理器、至少一個內(nèi)容可尋址存儲器子模塊和比較器；主處理器用于將搜索數(shù)據(jù)拆分為搜索字段，并將各個搜索字段分配到對應(yīng)的內(nèi)容可尋址存儲器子模塊；內(nèi)容可尋址存儲器子模塊用于比較搜索字段中各個搜索字位與對應(yīng)列的模擬內(nèi)容可尋址存儲器所存儲的模擬內(nèi)容之間的差異度，并輸出各行對應(yīng)的電流；比較器用于基于各個內(nèi)容可尋址存儲器子模塊中各行對應(yīng)的電流，確定與搜索數(shù)據(jù)最匹配的目標(biāo)行。通過本申請，能夠?qū)崿F(xiàn)模擬值數(shù)據(jù)的存儲與搜索，并且基于每一位數(shù)據(jù)的匹配程度輸出相應(yīng)大小的電流值，準(zhǔn)確地量化輸入數(shù)據(jù)與存儲數(shù)據(jù)之間的差異。

技術(shù)研發(fā)人員：李祎,胡同,繆向水
受保護的技術(shù)使用者：華中科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2