1.一種缺陷檢測方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述失效模式比例數(shù)據(jù)庫還包括：與若干失效結(jié)構(gòu)所對應(yīng)的若干工藝種類，若干所述失效結(jié)構(gòu)與若干工藝種類一一對應(yīng)；若干工藝種類具有對應(yīng)的工作機臺。
3.如權(quán)利要求2所述的缺陷檢測方法，其特征在于，還包括：根據(jù)所述失效模式比例對應(yīng)的失效結(jié)構(gòu)，獲取與所述失效結(jié)構(gòu)對應(yīng)的工藝種類；根據(jù)與所述失效結(jié)構(gòu)對應(yīng)的工藝種類，獲取與所述工藝種類所對應(yīng)的工作機臺。
4.如權(quán)利要求1所述的缺陷檢測方法，其特征在于，若干所述失效模式包括：單個失效模式、行方向上雙重失效模式、列方向上雙重失效模式、田字格四重失效模式。
5.如權(quán)利要求4所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述失效模式比例包括：第一比例關(guān)系、第二比例關(guān)系、第三比例關(guān)系、第四比例關(guān)系和第五比例關(guān)系；所述第一比例關(guān)系為，單個失效模式：行方向上雙重失效模式：列方向上雙重失效模式＝4:3:1；所述第二比例關(guān)系為，單個失效模式：行方向上雙重失效模式：列方向上雙重失效模式：田字格四重失效模式＝4:2:2:1；所述第三比例關(guān)系為，行方向上雙重失效模式：列方向上雙重失效模式：田字格四重失效模式＝4:2:1；所述第四比例關(guān)系為，列方向上雙重失效模式：田字格四重失效模式＝2:1。
6.如權(quán)利要求5所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述存儲單元包括：襯底；位于襯底上的底層結(jié)構(gòu)、位于底層結(jié)構(gòu)上的第一層結(jié)構(gòu)、位于第一層結(jié)構(gòu)上的第二層結(jié)構(gòu)、位于第二層結(jié)構(gòu)上的第三層結(jié)構(gòu)、位于第三層結(jié)構(gòu)上的第四層結(jié)構(gòu)、位于第四層結(jié)構(gòu)上的第五層結(jié)構(gòu)；若干所述失效結(jié)構(gòu)包括第一層結(jié)構(gòu)失效、第二層結(jié)構(gòu)失效、第三層結(jié)構(gòu)失效、第四層結(jié)構(gòu)失效、第五層結(jié)構(gòu)失效。
7.如權(quán)利要求6所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述第一比例關(guān)系與所述第一層結(jié)構(gòu)失效相對應(yīng)；所述第二比例關(guān)系與所述第二層結(jié)構(gòu)失效相對應(yīng)；所述第三比例關(guān)系與所述第三層結(jié)構(gòu)失效相對應(yīng)；所述第四比例關(guān)系與所述第四層結(jié)構(gòu)失效或第五層結(jié)構(gòu)失效相對應(yīng)。
8.如權(quán)利要求6所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述底層結(jié)構(gòu)包括：位于襯底上沿第一方向依次排列的第一鰭部、第二鰭部、第三鰭部和第四鰭部，所述第一鰭部、第二鰭部、第三鰭部和第四鰭部平行于第二方向，所述第一方向和第二方向平行于襯底表面且所述第一方向和第二方向相互垂直；橫跨第一鰭部和第二鰭部的第一柵極，橫跨第四鰭部的第二柵極，所述第一柵極和第二柵極平行于第一方向且所述第一柵極和第二柵極的延伸方向位于同一條直線上；橫跨第三鰭部和第四鰭部的第三柵極，橫跨第一鰭部的第四柵極，所述第三柵極和第四柵極平行于第一方向且所述第三柵極和第四柵極的延伸方向位于同一條直線上；位于第一鰭部內(nèi)的第一源漏摻雜區(qū)、第二源漏摻雜區(qū)和第三源漏摻雜區(qū)，所述第一源漏摻雜區(qū)和第二源漏摻雜區(qū)分別位于所述第一柵極兩側(cè)的第一鰭部內(nèi)，所述第二源漏摻雜區(qū)和第三源漏摻雜區(qū)分別位于所述第四柵極兩側(cè)的第一鰭部內(nèi)；位于第二鰭部內(nèi)的第四源漏摻雜區(qū)和第五源漏摻雜區(qū)，所述第四源漏摻雜區(qū)和第五源漏摻雜區(qū)分別位于所述第二柵極兩側(cè)的第二鰭部內(nèi)；位于第三鰭部內(nèi)的第六源漏摻雜區(qū)和第七源漏摻雜區(qū)，所述第六源漏摻雜區(qū)和第七源漏摻雜區(qū)分別位于所述第三柵極兩側(cè)的第三鰭部內(nèi)；位于第四鰭部內(nèi)的第八源漏摻雜區(qū)、第九源漏摻雜區(qū)和第十源漏摻雜區(qū)，所述第八源漏摻雜區(qū)和第九源漏摻雜區(qū)分別位于所述第二柵極兩側(cè)的第四鰭部內(nèi)，所述第九源漏摻雜區(qū)和第十源漏摻雜區(qū)分別位于所述第三柵極兩側(cè)的第四鰭部內(nèi)。
9.如權(quán)利要求8所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述第一層結(jié)構(gòu)包括若干分立的第一插塞，若干所述第一插塞分別位于：第一源漏摻雜區(qū)上；第二源漏摻雜區(qū)上；第三源漏摻雜區(qū)上；第四源漏摻雜區(qū)上；第七源漏摻雜區(qū)上；第八源漏摻雜區(qū)上；第九源漏摻雜區(qū)上；第十源漏摻雜區(qū)上；第五源漏摻雜區(qū)上和第二鰭部上的第三柵極上；第六源漏摻雜區(qū)上和第三鰭部上的第一柵極上；第一鰭部上的第四柵極上；第四鰭部上的第二柵極上；所述第二層結(jié)構(gòu)包括若干平行于第一方向的第一金屬層，若干所述第一金屬層分別位于所述第一插塞上且與所述第一插塞電連接，若干所述第一金屬層分別位于：第一源漏摻雜區(qū)上；位于第三源漏摻雜區(qū)上；位于第四源漏摻雜區(qū)上；位于第七源漏摻雜區(qū)上；位于第八源漏摻雜區(qū)上；位于第十源漏摻雜區(qū)上；位于第一鰭部上的第四柵極上；位于第四鰭部上的第二柵極上；位于第二源漏摻雜區(qū)上；第五源漏摻雜區(qū)上和第二鰭部上的第三柵極上；位于第六源漏摻雜區(qū)上、第九源漏摻雜區(qū)上和第三鰭部上的第一柵極上；所述第三層結(jié)構(gòu)包括若干分立的第二插塞，若干所述第二插塞分別位于所述第一金屬層上且與所述第一金屬層電連接，若干所述第二插塞分別位于：第一源漏摻雜區(qū)上；位于第三源漏摻雜區(qū)上；位于第四源漏摻雜區(qū)上；位于第七源漏摻雜區(qū)上；位于第八源漏摻雜區(qū)上；位于第十源漏摻雜區(qū)上；位于第四鰭部上的第二柵極上；位于第一鰭部上的第四柵極上。
10.如權(quán)利要求9所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述第四層結(jié)構(gòu)包括若干平行于第二方向的第二金屬層，若干所述第二金屬層分別位于：位于第一源漏摻雜區(qū)上；位于第一鰭部上的第四柵極上；位于第四鰭部上的第二柵極上；位于第三源漏摻雜區(qū)上；位于第四源漏摻雜區(qū)上和第七源漏摻雜區(qū)上；位于第八源漏摻雜區(qū)上；位于第十源漏摻雜區(qū)上；所述第五層結(jié)構(gòu)包括若干分立的第三插塞，若干所述第三插塞分別位于所述第二金屬層上且與所述第二金屬層電連接，若干所述第三插塞分別位于第一源漏摻雜區(qū)上、位于第十源漏摻雜區(qū)上、位于第四鰭部上的第二柵極上、位于第一鰭部上的第四柵極上。
11.如權(quán)利要求1所述的缺陷檢測方法，其特征在于，根據(jù)若干失效模式獲取量測失效模式比例，包括：獲取所述靜態(tài)隨機存儲器中各種失效模式的數(shù)量；根據(jù)各種失效模式的數(shù)量獲取量測失效模式比例。
12.如權(quán)利要求1所述的缺陷檢測方法，其特征在于，根據(jù)所述失效模式比例數(shù)據(jù)庫獲取所述量測失效模式比例對應(yīng)的失效結(jié)構(gòu)，包括：在所述失效模式比例數(shù)據(jù)庫中獲取與所述量測失效模式比例相同的失效模式比例；獲取與所述失效模式比例對應(yīng)的失效結(jié)構(gòu)，所述失效結(jié)構(gòu)與所述量測失效模式比例對應(yīng)。