本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種內(nèi)存模組的測(cè)試裝置及其測(cè)試方法。

背景技術(shù)：

1、內(nèi)存模組由dram(dynamic?random?access?memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)內(nèi)存)顆粒、pcb(printed?circuit?board，印制電路板)和spd(serial?presence?detect，串行存在檢測(cè))組成。內(nèi)存模組在完成生產(chǎn)后需要燒錄spd信息，并可能存在諸多問(wèn)題，例如：dram顆粒焊接問(wèn)題、pcb金手指破損、dram顆粒缺陷等。在現(xiàn)有技術(shù)中，通常會(huì)采用ac(alternatingcurrent，交流)測(cè)試方式進(jìn)行spd燒錄、dram功能和性能檢測(cè)以及hppr(hard?post?packagerepair，硬件后封裝修復(fù))維修；或者采用dc(direct?current，直流)測(cè)試方式進(jìn)行contact(連通性)測(cè)試，對(duì)dram顆粒焊接和pcb金手指破損等情況進(jìn)行檢測(cè)。

2、因而，目前的內(nèi)存測(cè)試技術(shù)有兩種，一是利用主板進(jìn)行ac測(cè)試，二是利用專(zhuān)用設(shè)備進(jìn)行ac測(cè)試和dc測(cè)試。在內(nèi)存模組測(cè)試中，dc測(cè)試必須先于ac測(cè)試通過(guò)，否則就會(huì)存在損壞主板的風(fēng)險(xiǎn)。當(dāng)dc測(cè)試不通過(guò)時(shí)，通常需要采用更換硬件的方式進(jìn)行維修，當(dāng)ac測(cè)試不通過(guò)時(shí)，可以采用hppr技術(shù)進(jìn)行軟件修復(fù)。

3、但是，現(xiàn)有技術(shù)中，主板僅支持內(nèi)存模組的ac測(cè)試，并不支持dc測(cè)試，因而內(nèi)存模組的測(cè)試需要更換測(cè)試平臺(tái)，導(dǎo)致測(cè)試時(shí)間較長(zhǎng)，成本較高。

4、有鑒于此，有必要設(shè)計(jì)一種改進(jìn)的內(nèi)存模組的測(cè)試裝置，以解決上述問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種不需要更換平臺(tái)即可對(duì)內(nèi)存模組進(jìn)行全部檢測(cè)的內(nèi)存模組的測(cè)試裝置及其測(cè)試方法。

2、為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供了一種內(nèi)存模組的測(cè)試裝置，所述測(cè)試裝置包括：

3、接口轉(zhuǎn)接板，包括有內(nèi)存接口模塊，用以與不同類(lèi)型內(nèi)存模組相連接；

4、主控制板，包括接口模塊、與所述接口模塊選擇性連接的dc測(cè)試功能模塊和ac測(cè)試功能模塊，所述接口模塊與所述接口轉(zhuǎn)接板相連接；

5、上位機(jī)，用以輸出工作信息和獲取測(cè)試結(jié)果信息；

6、核心控制板，包括相連接的通訊模塊和處理器模塊，所述通訊模塊與所述上位機(jī)通信連接并獲取工作信息且在測(cè)試完成后返回測(cè)試結(jié)果信息，處理器模塊與所述dc測(cè)試功能模塊和ac測(cè)試功能模塊相連接，且根據(jù)工作信息配置所述接口模塊與dc測(cè)試功能模塊或ac測(cè)試功能模塊連接，并在測(cè)試完成后獲得測(cè)試結(jié)果信息。

7、作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述dc測(cè)試功能模塊包括順序連接的驅(qū)動(dòng)源電路、i/o控制電路和信號(hào)處理電路，所述i/o控制電路包括開(kāi)關(guān)切換電路；所述開(kāi)關(guān)切換電路包括若干切換單元，每個(gè)切換單元的輸出端分別連接內(nèi)存模組的一個(gè)引腳。

8、作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述i/o控制電路還包括i/o擴(kuò)展電路，每個(gè)所述切換單元的選擇控制端均與所述i/o擴(kuò)展電路相連接。

9、作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述驅(qū)動(dòng)源電路包括正向電壓源、負(fù)向電壓源、正向電流源、負(fù)向電流源，且均與每個(gè)切換單元的輸入相連接。

10、作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述ac測(cè)試功能模塊包括：

11、高速性能測(cè)試電路，用以在高速工況下進(jìn)行dram功能、性能的檢測(cè)；

12、邊帶線(xiàn)功能電路，用以燒錄或讀取內(nèi)存模組的spd信息和讀取或配置寄存器信息；

13、在ac測(cè)試過(guò)程中，所述接口模塊與高速性能測(cè)試電路相連接。

14、作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述ac測(cè)試功能模塊還包括用于hppr修復(fù)的低速功能測(cè)試電路，當(dāng)對(duì)內(nèi)存模組進(jìn)行hppr修復(fù)時(shí)，所述接口模塊與低速功能測(cè)試電路、邊帶線(xiàn)功能電路相連接。

15、作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述工作信息包括配置信息和指令信息，所述處理器模塊接收配置信息且使能和配置dc測(cè)試功能模塊或ac測(cè)試功能模塊中的相應(yīng)電路；并且接收指令信息且控制dc測(cè)試功能模塊或ac測(cè)試功能模塊執(zhí)行相應(yīng)的測(cè)試任務(wù)；

16、所述上位機(jī)包括系統(tǒng)配置加載模塊、系統(tǒng)業(yè)務(wù)功能模塊；所述系統(tǒng)配置加載模塊用以向核心控制板下發(fā)配置信息，所述系統(tǒng)業(yè)務(wù)功能模塊用以向核心控制板下發(fā)指令信息，并接收和顯示測(cè)試結(jié)果信息。

17、為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供了一種內(nèi)存模組的測(cè)試方法，所述測(cè)試方法包括：

18、核心控制板接收工作信息；

19、核心控制板根據(jù)所述工作信息，確定對(duì)內(nèi)存模組進(jìn)行dc測(cè)試時(shí)，將主控板的接口模塊和dc測(cè)試功能模塊相連接；

20、核心控制板根據(jù)所述工作信息，確定對(duì)內(nèi)存模組進(jìn)行ac測(cè)試時(shí)，將主控板的接口模塊和ac測(cè)試功能模塊相連接；

21、核心控制板通過(guò)主控板對(duì)內(nèi)存模組進(jìn)行測(cè)試。

22、作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述核心控制板根據(jù)所述工作信息，確定對(duì)內(nèi)存模組進(jìn)行dc測(cè)試時(shí)，將主控板的接口模塊和dc測(cè)試功能模塊相連接之后，還包括：

23、dc測(cè)試功能模塊中i/o擴(kuò)展電路控制每個(gè)切換單元的輸出端和內(nèi)存模組的引腳依次在不同時(shí)間連接，并使能驅(qū)動(dòng)源電路以通過(guò)內(nèi)存模組的每個(gè)引腳分別對(duì)內(nèi)存模組進(jìn)行dc測(cè)試。

24、作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述ac測(cè)試功能模塊包括邊帶線(xiàn)功能電路，所述“核心控制板接收工作信息”步驟之前還包括：

25、將內(nèi)存模組插入接口轉(zhuǎn)接板，上位機(jī)獲取該被測(cè)內(nèi)存模組的型號(hào)信息；

26、上位機(jī)向核心控制板下發(fā)燒錄命令和燒錄信息；

27、核心控制板獲取燒錄命令和燒錄信息后，配置并使能邊帶線(xiàn)功能電路；

28、將接口模塊和邊帶線(xiàn)功能電路相連接；

29、邊帶線(xiàn)功能電路將燒錄信息燒錄至內(nèi)存模組；

30、燒錄完成，且將燒錄結(jié)果反饋給上位機(jī)。

技術(shù)特征：

1.一種內(nèi)存模組的測(cè)試裝置，其特征在于，所述測(cè)試裝置包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試裝置，其特征在于，所述dc測(cè)試功能模塊包括順序連接的驅(qū)動(dòng)源電路、i/o控制電路和信號(hào)處理電路，所述i/o控制電路包括開(kāi)關(guān)切換電路；所述開(kāi)關(guān)切換電路包括若干切換單元，每個(gè)切換單元的輸出端分別連接內(nèi)存模組的一個(gè)引腳。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測(cè)試裝置，其特征在于，所述i/o控制電路還包括i/o擴(kuò)展電路，每個(gè)所述切換單元的選擇控制端均與所述i/o擴(kuò)展電路相連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測(cè)試裝置，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)源電路包括正向電壓源、負(fù)向電壓源、正向電流源、負(fù)向電流源，且均與每個(gè)切換單元的輸入相連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試裝置，其特征在于，所述ac測(cè)試功能模塊包括：高速性能測(cè)試電路，用以在高速工況下進(jìn)行dram功能、性能的檢測(cè)；

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測(cè)試裝置，其特征在于，所述ac測(cè)試功能模塊還包括用于hppr修復(fù)的低速功能測(cè)試電路，當(dāng)對(duì)內(nèi)存模組進(jìn)行hppr修復(fù)時(shí)，所述接口模塊與低速功能測(cè)試電路、邊帶線(xiàn)功能電路相連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的測(cè)試裝置，其特征在于，所述工作信息包括配置信息和指令信息，所述處理器模塊接收配置信息且使能和配置dc測(cè)試功能模塊或ac測(cè)試功能模塊中的相應(yīng)電路；并且接收指令信息且控制dc測(cè)試功能模塊或ac測(cè)試功能模塊執(zhí)行相應(yīng)的測(cè)試任務(wù)；

8.一種內(nèi)存模組的測(cè)試方法，其特征在于，所述測(cè)試方法包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的測(cè)試方法，其特征在于，所述核心控制板根據(jù)所述工作信息，確定對(duì)內(nèi)存模組進(jìn)行dc測(cè)試時(shí)，將主控板的接口模塊和dc測(cè)試功能模塊相連接之后，還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的測(cè)試方法，其特征在于，所述ac測(cè)試功能模塊包括邊帶線(xiàn)功能電路，所述“核心控制板接收工作信息”步驟之前還包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種內(nèi)存模組的測(cè)試裝置及其測(cè)試方法，所述測(cè)試裝置包括：接口轉(zhuǎn)接板，包括有內(nèi)存接口模塊，用以與不同類(lèi)型內(nèi)存模組相連接；主控制板，包括接口模塊、與所述接口模塊選擇性連接的DC測(cè)試功能模塊和AC測(cè)試功能模塊，所述接口模塊與所述接口轉(zhuǎn)接板相連接；上位機(jī)，用以輸出工作信息和獲取測(cè)試結(jié)果信息；核心控制板，包括相連接的通訊模塊和處理器模塊，所述通訊模塊與所述上位機(jī)通信連接并獲取工作信息且在測(cè)試完成后返回測(cè)試結(jié)果信息，處理器模塊與所述DC測(cè)試功能模塊和AC測(cè)試功能模塊相連接，且根據(jù)工作信息配置所述接口模塊與DC測(cè)試功能模塊或AC測(cè)試功能模塊連接，并在測(cè)試完成后獲得測(cè)試結(jié)果信息。因而，上述技術(shù)方案中，該測(cè)試裝置既可以支持AC測(cè)試，也可支持DC測(cè)試，在測(cè)試過(guò)程中不需要更換測(cè)試平臺(tái)，測(cè)試時(shí)間縮短、成本較低。

技術(shù)研發(fā)人員：張浩軒,王龍,陳剛,向榮,陳德鑫,曹同同
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/28