欧美在线观看视频网站,亚洲熟妇色自偷自拍另类,啪啪伊人网,中文字幕第13亚洲另类,中文成人久久久久影院免费观看 ,精品人妻人人做人人爽,亚洲a视频

垂直磁性記錄介質(zhì)的制作方法

文檔序號(hào):91600閱讀:285來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:垂直磁性記錄介質(zhì)的制作方法
發(fā)明的背景本發(fā)明是關(guān)于一種適用于垂直磁性記錄系統(tǒng)的磁性記錄介質(zhì)。
垂直磁性記錄系統(tǒng)的記錄方向是垂直于記錄介質(zhì)膜平面的。它是一種適合于增強(qiáng)記錄密度的系統(tǒng),因?yàn)樵诟呙芏扔涗浨闆r下,每位內(nèi)的去磁磁場(chǎng)是低的。有一系列鈷基合金薄膜,如鈷-鉻(cO-cr)、鈷-釩(cO-v)、鈷-鉬(cO-MO)、鈷-鎢(cO-W)、鈷-
(cO-Re)、鈷-氧(cO-O)、鈷-鉻-(cO-cr-Rn)、鈷-鉻-銠(cO-cr-Ru)及鈷-鎳-氧(cO-Иi-O)膜,都可用作此目的的磁性記錄介質(zhì)。這些鈷基合金中的任何一種都具有一個(gè)六方晶系的緊密組合(h·c·P)的晶體結(jié)構(gòu),并且這種合金具有的優(yōu)點(diǎn)是構(gòu)成薄膜的細(xì)小晶體顆粒是易于在c軸定向的。為了增強(qiáng)磁性記錄特性,薄膜的c軸定向度需要提高。
目前在使用中的垂直磁性記錄介質(zhì)是這樣的,鈷基合金是直接粘結(jié)在非磁性襯底上或者還通過(guò)一個(gè)坡莫合金(一個(gè)呈高導(dǎo)磁率的鎳-鐵合金,其主要成分是鎳)的軟磁薄膜或者其它類似的材料。非磁性襯底可以采用諸如聚亞胺塑料膜、聚乙烯對(duì)苯二酸鹽塑料膜或類似的材料以及鋁或玻璃的片等來(lái)做。在這類襯底上形成鈷基合金膜時(shí),應(yīng)該使這種鈷基合金膜對(duì)襯底有良好的附著力,并應(yīng)該有高的c軸定向度。然而,當(dāng)鈷基合金膜是用蒸發(fā)的方法直接粘結(jié)在塑料膜或玻璃板上時(shí),存在著這樣一些問(wèn)題結(jié)合強(qiáng)度不夠,使鈷基合金膜容易從襯底剝落下來(lái),并且其c軸定向特性將隨襯底表面清潔度的不同而變化。此外,當(dāng)鈷基合金膜是粘結(jié)在鋁或其他類似的金屬襯底上或粘結(jié)在坡莫合金軟磁金屬膜或其他類似的材料上時(shí),基底金屬顆粒的晶體定向性將對(duì)粘結(jié)在其上的鈷基合金的c軸定向度起到一個(gè)有害的影響。例如,鋁及坡莫合金都具有面心立方(f·c·c)晶體結(jié)構(gòu),并且已知由于面心立方結(jié)構(gòu)的(Ⅲ)平面是更平行于襯底平面的,粘結(jié)在其上的鈷基合金的c軸定向度是更好了。然而,由于實(shí)際襯底的(Ⅲ)面或軟磁金屬薄膜對(duì)襯底平面的平行度并不是很好的,這就將存在這樣一個(gè)問(wèn)題,鈷基合金的c軸定向度將比把合金膜粘結(jié)在塑料或玻璃襯底上的情況更壞。再者,如官方公報(bào)所發(fā)表,當(dāng)鈷-銘合金膜在襯底上形成時(shí),如果把具有六方晶系的緊密組合(以下以h·c·P·縮寫)晶格的晶體結(jié)構(gòu)的材料的c軸向?yàn)榇怪庇谝r底表面時(shí),則鈷-銘合金膜的c軸定向度能得到改善。然而,因?yàn)樵谶@種情況下,由于六方晶系的緊密組合結(jié)構(gòu)的作基底材料的晶體定向性是有問(wèn)題的,合金的特性將不利地受做基底的膜層的晶體定向性控制。
O引用以下的參考資料來(lái)表示工藝狀況;
Official Gazette of Japanese Patent Application La-yingopen No.56-70618 Official Gazette of Japanese Patent Application Publication No.58-91
發(fā)明的摘要本發(fā)明的目的是解決以前工藝上的困難,并且提供一個(gè)垂直磁性記錄介質(zhì)。根據(jù)這種介質(zhì),當(dāng)采用塑料、玻璃或類似的非金屬襯底與鈷基合金膜粘結(jié)時(shí),其結(jié)合強(qiáng)度可得到加強(qiáng)。并且,除此以外,鈷基合金膜的c軸定向度也可以得到加強(qiáng),而且當(dāng)鈷基合金膜是粘結(jié)在鋁或類似的金屬襯底或軟磁金屬膜上時(shí),合金膜的c軸定向度得到了改善。
為了實(shí)現(xiàn)此目的,本發(fā)明的垂直磁性記錄介質(zhì)將包含一個(gè)襯底,一個(gè)從屬層,這個(gè)從屬層的材料的主要成分中至少含有一個(gè)選自含有硅和鍺的族的元素,從屬層被沉積在該襯底上,并且還包含在一個(gè)垂直磁膜(即,具有垂直磁性的各向異性的膜)它由鈷基合金做成,并且是沉積在該從屬層上。
發(fā)明者的實(shí)驗(yàn)說(shuō)明,若在粘結(jié)上鈷基合金前,把由類金屬硅或鍺或其合金做成的從屬層薄膜先在襯底上形成,然后粘結(jié)鈷基合金膜,這樣所制作的有利于c軸定向特性的膜具有良好的制作重復(fù)性。不論采用什么樣的襯底,粘結(jié)在硅、鍺或其合金的薄膜上的鈷基合金的c軸定向度都基本上趨于一良好的恒定值。不論采用那一種蒸發(fā)的方法,如噴射法及離子束噴射法,都注意到了這一趨勢(shì)。因此,上述提到的任何一種沉積膜層的方法都可用來(lái)產(chǎn)生從屬層及鈷基合金膜。同樣也已經(jīng)表明,當(dāng)在一個(gè)非金屬材料的襯底上,諸如塑料或玻璃上,粘結(jié)一個(gè)鈷基合金時(shí),并將一個(gè)硅、鍺或其合金層在它們之間生成的話,就能使得結(jié)合強(qiáng)度增加,并且可以有效地防止鈷基合金膜的龜裂。硅或類似的從屬層的沉積以及鈷基合金膜的沉積應(yīng)該在同一個(gè)真空裝置內(nèi)按需要連續(xù)地完成。如果從屬層被沉積后并被暴露在空氣中,其表面就會(huì)被氧化或污染。這樣,鈷基合金膜的c軸定向度就會(huì)變壞。
本發(fā)明中的從屬層其主要成分是硅及/或鍺,它為鈷基合金膜的形成建立了一個(gè)新的襯底表面,并且它具有使膜層獲得良好c軸定向所需的特性。這種從屬層的措施對(duì)于在幾乎是所有的襯底材料如塑料、玻璃、鋁及坡莫合金上來(lái)形成具有良好c軸定向重復(fù)性的鈷基合金膜層來(lái)說(shuō)都是很有效的。任何一種上述材料的從屬層當(dāng)其厚度小于100
(埃)時(shí),它就不能足以消除襯底材料的影響。因此,厚度至少需為100
。當(dāng)從屬層的厚度大到1um(微米)或更大時(shí),上述的效果可保持相似。然而,在這種情況下生成膜層所需要的時(shí)間就要變長(zhǎng)或者生成在塑料材料上的膜層會(huì)容易產(chǎn)生龜裂。因此,期望從屬層的厚度取從至少100A到至多1um。而在實(shí)際應(yīng)用中厚度更為希望的范圍是至少?gòu)?50A到至多為1000
。
插入在襯底和垂直磁性層之間的從屬層的材料是硅鍺及硅-鍺合金(它們的成分比例并不受特別的限制)的任何一種。并且,把它作為主要成分時(shí)還可加入一種或多種其他元素。
在加入除硅和鍺以外的任何元素時(shí),為了使生成的從屬層的晶體結(jié)構(gòu)保持菱形或無(wú)定形或它們的混合結(jié)構(gòu),加入量應(yīng)取在某一范圍內(nèi)。如果其他元素的加入量超出了此范圍而引起從屬層的晶體結(jié)構(gòu)含有任何一種不同于菱形及無(wú)定形的結(jié)構(gòu)時(shí),本發(fā)明的效果會(huì)不利地降低。容許的加入量依元素不同而異。在這種情況下,對(duì)許多元素來(lái)說(shuō)是取10at·%(按元子量的百分之10)或更小。但有些元素,包括錫(sn)在內(nèi),可取到40at·%或更大。其他元素的加入可改善附著力及抗腐蝕力。就像垂直磁性膜的鈷基合金那樣所有用作垂直磁性記錄的膜在本發(fā)明中都可以被采用。特別是例如在Official Gazette of Japanese Patent Application Publication No.58-91 58-91中所敘述的鈷-銘合金是常用的。每一種含釩、鉬、鎢、
、氧、鉻-銠、鉻-釕或鎳-氧的鈷合金也都是人所共知的。
人們已經(jīng)知道,如果襯底祇少有一面是由軟磁材料例如坡莫合金所制成,如果其鈷基合金的垂直磁性膜是在軟磁材料表面的話,則所構(gòu)成的磁性記錄介質(zhì)是有利于改善記錄和制作的重復(fù)特性的。不言而喻,本發(fā)明也是適用于這種情況的?;谶@個(gè)理由,硅或鍺或硅和鍺為主要成分的從屬層是被沉積在軟磁材料表面上的,而垂直磁性膜則是被沉積在從屬層上。附圖的簡(jiǎn)要說(shuō)明圖1是本發(fā)明的垂直磁性記錄介質(zhì)的一個(gè)具體例子的截面圖,而圖2是本發(fā)明的垂直磁性記錄介質(zhì)的另一個(gè)具體例子的截面圖。
較好的具體例子的敘述例1采用聚酰亞胺膜作為襯底,圖1所示結(jié)構(gòu)的各膜層是由以下的步驟產(chǎn)生的。當(dāng)由聚酰亞胺膜做成的襯底1在一真空度為1×10-6TOrr(托)的真空中被加熱到150℃時(shí),硅首先以10
/sec(埃/秒)的速率蒸發(fā)為從屬層的材料達(dá)300
厚形成從屬層2。接著,在同一真空容器內(nèi)將鈷-22Wt·%鉻(按重量百分之22的鉻)以80A/sec的速率蒸發(fā)成厚度為5000
的鈷基合金膜層了。這樣,圖1所示結(jié)構(gòu)的垂直磁性記錄介質(zhì)就制成。
此后,可以相應(yīng)地用鍺、硅-10Wt·%鍺、硅-2Wt·%鈦?zhàn)鳛閺膶賹拥牟牧显谙嗨频臈l件下生成圖1結(jié)構(gòu)的各膜層。
作為一個(gè)比較的例子,在襯底溫度為150℃時(shí)以80 /sec的速率直接沉積在聚酰亞胺膜上的厚度為5000 的鈷-22Wt·%鉻膜層已經(jīng)生產(chǎn)出來(lái)。
表1把c軸定向度及對(duì)應(yīng)的鈷-鉻膜層的龜裂情況作了比較。c軸定向度按特微曲線的半寬來(lái)估算的,x衍射線的△θ50(度)是以鈷-鉻合金的六方晶系的緊密組合相的(0002)平面為基準(zhǔn)的?!鳓?0值愈小,鈷-鉻的c軸定向度愈高。在表1及以下將說(shuō)明的表2及表3中,記號(hào)O表示鈷-鉻膜完全沒(méi)有龜裂,記號(hào)×表示存在有(那怕是輕微的)龜裂。
從表1顯而易見(jiàn),在所提供的從屬層的情況中,有從屬層者較之年從屬層者能使△θ50值改善,并且能得到年龜裂的高質(zhì)量的鈷-鉻膜層。關(guān)于磁特性的問(wèn)題,上述所有的樣品都表現(xiàn)出了垂直磁性的各向異性而且是垂直磁性膜。
根據(jù)x衍射測(cè)定這些從屬層被認(rèn)為是無(wú)定形的。
例2采用聚酰亞胺膜作為襯底,圖2所示結(jié)構(gòu)的各膜層是由以下的步驟產(chǎn)生的。當(dāng)由聚酰亞胺膜做成的襯底1在一真空度為3×10-6TOrr的真空中被加熱到170℃時(shí),作為軟磁材料的坡莫合金(鎳-20Wt%鐵)首先以50 /sec的速率蒸發(fā)至厚度達(dá)4000 的軟磁材料膜層4。接等,在同一真空容器內(nèi)把硅作為從屬層的材料以15 /sec的速率蒸發(fā)成厚度為500 的從屬層2。再進(jìn)一步,把鈷-25Wt·%鉻以100 /ec的速率蒸發(fā)成厚度為2000A的鈷基合金膜層3。于是,圖2所示結(jié)構(gòu)的各膜層就制成了。
此后,可以相應(yīng)地用鍺、硅-25Wt·%鍺、硅-0.5Wt·%鈦及鍺-0.7Wt·%鋯作為從屬層的材料,在相似的條件下,生成圖2結(jié)構(gòu)的各膜層。
作為一個(gè)比較的例子,在襯底溫度為170℃時(shí)將坡莫合金以50 /sec速率蒸發(fā)在聚酰亞胺的膜上達(dá)4000 的厚度,并繼續(xù)將鈷-25Wt·%鉻以100 /sec的速率蒸發(fā)至其上至2000 的厚度。這樣的膜層已經(jīng)生產(chǎn)出來(lái)。
表2把各相應(yīng)的鈷-鉻膜的特性作了比較。用與例1中相同的方法導(dǎo)出特性的估算。由于提供了從屬層,具有高c軸定向性的及呈現(xiàn)垂直磁性的各向異性的鈷-鉻膜層是能制造出來(lái)的。
根據(jù)x衍射測(cè)定,這些從屬層被認(rèn)為是無(wú)定形的。
例3用聚乙烯對(duì)酞酸鹽膜來(lái)置換例2中的聚酰亞胺膜,并把膜的溫度保持在110℃。這樣,相似的樣品可產(chǎn)生出來(lái)。對(duì)△
50進(jìn)行測(cè)量。在年從屬層的情況下,△
50=14度。而在所有的存在有從屬層的情況下,△
50值則在4度到6度的范圍,并且可以獲得有良好c軸定向性的鈷-鉻膜層。
根據(jù)x衍射線測(cè)定,這些從屬層被認(rèn)為是無(wú)定形的。
例4采用鋁作襯底1,圖2所示結(jié)構(gòu)的膜依照下列的步驟用噴射法產(chǎn)生。采用一個(gè)射頻噴射裝置,在條件為5mTOn的氬氣壓力,4W/cm2(瓦/厘米2)噴射射頻功率下,軟磁材料鐵-6Wt·%鋁-10Wt·%硅先沉積在襯底1上達(dá)5000
厚。相繼地,在條件為3mTOrr的氬氣壓力,2W/cm2噴射射頻功率下,作為從屬層2硅被沉積達(dá)600
厚。再者,在條件為3mTOrr的氬氣壓力及8W/cm2射頻功率下,鈷-18Wt·%鉻被沉積達(dá)3500
厚。于是,圖2所示結(jié)構(gòu)的各膜層就制造出來(lái)。
此后,可以相應(yīng)地用鍺、硅-80Wt·%鍺、硅-0.3Wt·%鉻及鍺-0.1Wt·%硼作為從屬層的材料,在相似的條件下,生成相同結(jié)構(gòu)的各膜層。
作為一個(gè)比較的材料,在相似的條件下生成了一個(gè)省去了從屬層的膜層結(jié)構(gòu)。表3把各相應(yīng)的鈷-鉻膜的特性作了比較。由于提供了從屬層,具有高c軸定向性的及呈現(xiàn)垂直磁性的各向異性的鈷-鉻膜層是能制造出來(lái)的。
根據(jù)x衍射測(cè)定,這些從屬層被認(rèn)為是無(wú)定形的。
例5采用石英玻璃為襯底,采用硅和鍺為從屬層,將襯底溫度設(shè)置在400℃時(shí),用例1中的同樣方法(例1中在沉積鈷-鉻合金時(shí)襯底溫度是設(shè)置在150℃)來(lái)沉積該從屬層就可以制造出一個(gè)垂直磁性的記錄介質(zhì)。從對(duì)定向度及鈷-鉻合金膜龜裂狀況的檢驗(yàn)表明這些結(jié)果是與例1中的結(jié)果相似的。在此例中從屬層是一種非常細(xì)的多晶的膜層(鍺的顆粒大小不大于約2000 ,硅的顆粒大小不大于約800 )。
在以上的各種例中是把鈷-鉻合金作為鈷基合基的一個(gè)例子來(lái)敘述的。然而,即使是采用了諸如鈷-釩、鈷-鉬、鈷-氧、鈷-鉻-銠及鈷-鉻-釕等其他鈷基合金,由于提供了從屬層,我們看到了c軸定向度得到增強(qiáng)的效果。同樣地,當(dāng)采用了諸如鐵-硅及鈷-鈮-鋯合金等不同的材料作軟磁材料層時(shí),我們也看到了同樣的效果。
在本說(shuō)明書中未曾提到的有關(guān)本發(fā)明的垂直磁性記錄介質(zhì)的內(nèi)容可借鑒有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域
中早先的工藝知識(shí)。
從到目前為止的敘述中可以看出當(dāng)在沉積鈷基合金膜之前,先準(zhǔn)備一層由硅、鍺或其合金所形成的從屬層,或在該合金中在這些主要成分之外再加入一種或多種元素時(shí),則不管所用的襯底或基礎(chǔ)軟磁材料如何,由良好c軸定向性的鈷合金膜所生成的垂直磁性膜就可以生產(chǎn)出來(lái)并具有良好的生產(chǎn)重復(fù)性。再者,當(dāng)襯底為非金屬材料時(shí),鈷合金膜與襯底之間的結(jié)合強(qiáng)度可以得到增強(qiáng)。
顯然,按照上述的學(xué)說(shuō)本發(fā)明的各種變動(dòng)和改進(jìn)都是可以的。因此可以理解,除非另作說(shuō)明,在以下所附的申請(qǐng)專利范圍之內(nèi)本發(fā)明是可以實(shí)現(xiàn)的。
權(quán)利要求
1.一種垂直磁性記錄介質(zhì),它包括一個(gè)襯底、一個(gè)從屬層。做成這個(gè)從屬層的材料的主要成分是硅及鍺組成的族的元素之一,祇少包括這種元素中的一種,這種從屬層是沉積在上述的襯底上。另外還包括一個(gè)沉積在該從屬層上的由鈷基合金做成的垂直磁性膜。
2.按照申請(qǐng)專利范圍1所述的垂直磁性記錄介質(zhì),其該從屬層的厚度取從至少100
到至多1um。
3.按照申請(qǐng)專利范圍2所述的垂直磁性記錄介質(zhì),其中該從屬層的厚度取從至少150
到至多1000

4.按照申請(qǐng)專利范圍1所述的垂直磁性記錄介質(zhì),其中該從屬層的材料是由加入了祇少一種屬硅及鍺以外的元素而組成的材料,其加入量的大小應(yīng)以該從屬層的晶體結(jié)構(gòu)不出現(xiàn)非菱形及無(wú)定形的結(jié)構(gòu)為準(zhǔn)。
5.按照申請(qǐng)專利范圍2所述的垂直磁性記錄介質(zhì),其中該從屬層的材料是由加入了祇少一種屬硅及鍺以外的元素而組成的材料,其加入量的大小應(yīng)以該從屬層的晶體結(jié)構(gòu)不出現(xiàn)非菱形及無(wú)定形的結(jié)構(gòu)為準(zhǔn)。
6.按照申請(qǐng)專利范圍3所述的垂直磁性記錄介質(zhì),其中該從屬層的材料是由加入了祇少一種屬硅及鍺以外的元素而組成的材料,其加入量的大小應(yīng)以該從屬層的晶體結(jié)構(gòu)不出現(xiàn)非菱形及無(wú)定形的結(jié)構(gòu)為準(zhǔn)。
7.按照申請(qǐng)專利范圍1所述的垂直磁性記錄介質(zhì),其中祇少在該襯底上生成該從屬層的那個(gè)表面是由軟磁材料所制成的。
8.按照申請(qǐng)專利范圍2所述的垂直磁性記錄介質(zhì),其中祇少在該襯底上生成該從屬層的那個(gè)表面是由軟磁材料所制成的。
9.按照申請(qǐng)專利范圍3所述的垂直磁性記錄介質(zhì),其中祇少在該襯底上生成該從屬層的那個(gè)表面是由軟磁材料所制成的。
專利摘要
本發(fā)明是有關(guān)垂直磁性記錄介質(zhì)的。其中從屬 層是由硅或鍺作為主要成分的材料所組成。該從屬 層沉積在一襯底上而由鈷基合金所做成的垂直磁膜 則沉積在該從屬層上。這種垂直磁性記錄介質(zhì)其垂 直磁性膜的c軸定向度已經(jīng)得到增強(qiáng),且當(dāng)襯底為非 金屬材料時(shí),垂直磁性膜及襯底之間的結(jié)合強(qiáng)度也 得到了加強(qiáng)。
文檔編號(hào)G11B5/84GK85103512SQ85103512
公開(kāi)日1986年12月24日 申請(qǐng)日期1985年5月2日
發(fā)明者二本正昭本多幸雄上坂保太郎, 吉田和悅 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所, 日立精機(jī)株式會(huì)社導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan
網(wǎng)友詢問(wèn)留言 已有0條留言
  • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1
尼勒克县| 台南县| 赫章县| 如东县| 龙川县| 习水县| 河西区| 达拉特旗| 伊吾县| 镇平县| 汝南县| 渑池县| 霍山县| 木里| 公主岭市| 龙岩市| 博爱县| 绥化市| 苏州市| 龙州县| 徐州市| 迁西县| 鞍山市| 正安县| 巴彦县| 嘉义市| 尉犁县| 洛扎县| 新密市| 井冈山市| 凤山市| 巴东县| 东乌| 阿克陶县| 甘洛县| 乌鲁木齐县| 恭城| 新蔡县| 黎川县| 砀山县| 微博|