專利名稱：磁頭及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種磁頭及其制造方法，這種磁頭不需要對供應磁頭的偏置電流進行調節(jié)的可變電阻。
如圖8所示，已往一般的VTR用音頻磁頭中，音頻磁頭11和CTL(控制)磁頭12是一個整體。又如圖8的A-A線斷面圖即圖9所示，該音頻磁頭11由磁芯11a和線圈11b構成，磁芯11a例如可以用坡莫合金做成。音頻磁頭11裝入盒體14內后，用樹脂13模制成型。
如圖9所示，上述音頻磁頭11裝入及模制在盒體14內之后，用旋轉磨石15研磨磁帶行走面，使得間隙深度d達到予定尺寸即完成了磁頭11。
但是，由于材料導磁率μ、間隙寬度及間隙深度的偏差，該音頻磁頭11的阻抗在該音頻磁頭11實際使用時的偏置工作點(偏磁頻率70KHz、300μA)上有相當大的離差，不可能將該離差抑制在容許范圍內(60KΩ±3KΩ)。
因此，已往都是將該音頻磁頭11放在連接著

圖10所示可變電阻的偏置電路中使用。圖10中，14為偏置電源，15為調節(jié)偏置電流用的可變電阻，16為音頻信號Is的輸入輸出電路，9為阻止音頻電流用的電容。
該音頻磁頭11雖然通?？稍谄蓬l率70KHz、電流300μA的偏置工作點使用，但是如前所述，由于不能將在該偏磁頻率的音頻磁頭11的阻抗抑制在預定范圍，所以要插入上述的調節(jié)偏置電流用的可變電阻15，來調節(jié)偏置電流。
因此，如上所述，已往的音頻磁頭制造方法中，存在著這樣的問題即不能將在偏置工作點的音頻磁頭阻抗離差抑制在容許范圍內。從而必須在偏置電路中連接調節(jié)偏置電流用的可變電阻15，存在著增高造價和調節(jié)費時費事的缺點。
本發(fā)明的目的在于提供一種無需調節(jié)偏置電流的磁頭及該磁頭的制造方法。本發(fā)明的磁頭能克服上述已往技術中的缺點，將在偏置工作點的音頻磁頭的阻抗離差抑制在容許范圍內。
為實現上述目的，本發(fā)明提供了一種磁頭的制造方法，該方法是一邊注入研磨液一邊研磨磁頭的磁帶行走面，來調節(jié)磁頭的阻抗，其特征在于，當頻率5～30KHz、(100±10)μA(＝I)范圍的電流流經磁頭測定時的阻抗Z與該電流I的關系滿足4.8×10-9(A/Ω)≤I/Z≤5.21×10-9(A/Ω)時，終止上述研磨。
滿足上述條件制成的磁頭，在偏置工作點的阻抗在上述容許范圍(60KΩ±3KΩ)內，所以不需要調節(jié)偏置電流。
因此，使用本發(fā)明的磁頭，就可以省卻調節(jié)偏置電流用的可變電阻。
圖1是說明本發(fā)明一個實施例原理的圖。
圖2是表示在1KHz(100μA)時的磁頭阻抗與在70KHz(300μA)時的該磁頭阻抗的關系圖表。
圖3是表示在20KHz(100μA)時的磁頭阻抗與在70KHz(300μA)時該磁頭阻抗的關系圖表。
圖4是將圖2、圖3的關系用曲線表示的圖。
圖5是使電流I變化時的在20KHz的磁頭阻抗與在70KHz(300μA)時阻抗的關系圖。
圖6是本實施例的磁頭制造方法概念圖。
圖7是將本實施例的磁頭用于偏置電路時的電路圖。
圖8是VTR用音頻·CTL磁頭的立體圖。
圖9是圖8的A-A線斷面圖。
圖10是已往的偏置電路的電路圖。
以下，參照附圖詳細描述本發(fā)明。圖1表示本發(fā)明磁頭制造方法一個實施例的原理圖。
圖中1為VTR用音頻·CTL磁頭，2為裸端子，3為前端連接著阻抗測定器的測定配線，4為旋轉磨石，5為水溶性研磨液。
圖1所示的磁頭制造方法是一邊將水溶性研磨液5注入研磨面一邊研磨音頻磁頭1的磁帶行走面，同時用圖中未示的阻抗測定器測定該音頻磁頭1的阻抗，使該阻抗進入予定大小的范圍內。
本發(fā)明者試著在偏置工作點(偏磁頻率70KHz、300μA)實施上述的磁頭制造方法時，發(fā)現由于高頻(磁性的)感應產生的噪音和電氣感應產生的噪音，使得很難正確地測定音頻磁頭1的阻抗。上述高頻感應起因于測定配線3的冗長，上述電氣感應起因于水溶性研磨液飛濺到裸端子2上。
上述磁性感應意味著高頻電流流經長的配線(例如測定配線3)時，在該配線中引起磁性感應，有噪音電流流過的現象。上述電氣感應意味著水溶性研磨液5濺到裸端子2上，成為不穩(wěn)定狀態(tài)(例如短路狀態(tài))的不能測定狀態(tài)。
為了避免上述的磁性感應和電氣感應，本發(fā)明者將施加在音頻磁頭1上的電流值及頻率分別減低至1KHz、100μA，采用與上述同樣的方法試著制造磁頭。然后，測定所制造的音頻磁頭1在上述偏置工作點(偏磁頻率70KHz、300μA)的阻抗，該測定值如圖2所示，圖4(a)表示該測定值的曲線圖。
如圖所示，橫軸為流經頻率1KHz、100μA電流測定時的音頻磁頭1的阻抗，縱軸為在上述偏置工作點的阻抗容許范圍(60KΩ±3KΩ)。從圖中可見，進入該容許范圍的阻抗(橫軸)的最小值約為1.14KΩ，最大值約為1.37KΩ。但是，與最小值和最大值之間的1.17KΩ及1.25KΩ相應的在上述偏置工作點的磁頭阻抗值，在上述容許范圍以外。
由此可見，如果使得具有最小值和最大值之間阻抗值的音頻磁頭1在上述偏置工作點工作，則在該偏置工作點的阻抗有的進入上述容許范圍，有的不進入上述容許范圍。也就是說，在流經頻率為1KHz、100μA電流測定時的音頻磁頭1的阻抗(橫軸)與在上述偏置工作點的阻抗容許范圍(60KΩ±3KΩ)(縱軸)二者之間，不存在相關關系。
由上述可知，將頻率1KHz、100μA的電流流經音頻磁頭1的制造磁頭的方法，不能制造出高合格率的磁頭。
本發(fā)明者又用頻率20KHz、100μA的電流流經上述音頻磁頭1，采用與上述同樣的方法來制造磁頭。并且測定了所制造磁頭在上述偏置工作點(偏磁頻率70KHz、300μA)的阻抗，其測定值如圖3所示，圖4(b)表示該值的曲線圖。
從圖4(b)可知，在流經頻率20KHz、100μA的信號時測定時的音頻磁頭1的阻抗與在上述偏置工作點的阻抗容許范圍(60KΩ±3KΩ)二者之間，存在相關關系。這時的阻抗(橫軸)最小值約為19KΩ，最大值約為20.8KΩ。
音頻磁頭1的阻抗Z一般用下式表示Z＝2πf｛N2/(l/μ(I)·μO·Sc+g/μO·Sg)｝式中，f為頻率，N為線圈的圈數，μ(I)為磁芯的導磁率，I為電流，μo為空氣的導磁率，Sc為磁芯斷面積，g為間隙長，Sg為間隙的斷面積。
在上式右邊，除了頻率f及磁芯的導磁率μ(I)以外，其它都是取決于各音頻磁頭構造的常數，所以，阻抗Z是頻率f和電流I的函數。
在本技術領域中，一般都是將上述阻抗Z與電流I相關連地表示，根據這種表示方法，將頻率20KHz/100μ的電流流經音頻磁頭1測定時的阻抗Z與電流I(＝100μA)的關系滿足下式4.80×10-9(A/Ω)≤I/Z≤5.21×10-9(A/Ω)時，則可以說該音頻磁頭1在上述偏置工作點的阻抗進入上述容許范圍(60KΩ±3KΩ)。
本發(fā)明者進一步進行試驗，將施加在音頻磁頭1上的頻率固定為20KHz，使電流I以100μA為中心上下變化。求出該音頻磁頭1的I/Z與在頻率70KHz、I＝300μA的阻抗Z的關系。其結果，上述頻率為20KHz時的音頻磁頭的I/Z與在頻率為70KHz、I＝300μA時的阻抗Z的關系如圖5所法。
即當電流在100μA上下10%范圍內時，如果I/Z在下式(1)范圍內，則該音頻磁頭1在上述偏置工作點的阻抗在上述容許范圍(60KΩ±3KΩ)內。
4.80×10-9(A/Ω)≤I/Z≤5.21×10-9(A/Ω)……(1)然后，使上述頻率在20KHz上下變化，如果頻率為5～30KH范圍，則滿足上式的音頻磁頭1在上述偏置工作點的阻抗，在上述容許范圍(600KΩ±3KΩ)內。
圖6是用上述方法制造磁頭的制造方法概念圖。圖中，6為輸出上述頻率5～30KHz、90～110μA信號的電源，7為阻抗計測器，8為I/Z運算部。其它標記表示與圖1相同或等同的物。
本實施例中，由阻抗計測器7測定的磁頭1的阻抗值供給到運算部8，從運算部8得到運算值。在該運算值滿足上述(1)式條件之前，一直用旋轉磨石4研磨音頻磁頭1的磁帶行走面，直到運算值滿足(1)式為止。這樣得到的音頻磁頭1在上述偏置工作點的阻抗，進入上述容許范圍(60KΩ±3KΩ)內。因此，如圖7所示，將該音頻磁頭實際使用于VTR時，就不需要上述的調節(jié)偏置電流用的可變電阻。
根據本實施例，具有偏置電路造價便宜、無需調節(jié)偏置電流的優(yōu)點。
由以上說明可知，本發(fā)明的制造方法，可以高合格率地制造出無需調節(jié)偏置電流的、在上述偏置工作點的阻抗進入上述容許范圍(60KΩ±3KΩ)的磁頭。本發(fā)明方法制造的磁頭用于VTR的偏置電路中時，不需要調節(jié)偏置電流的可變電阻，也不需要制造時的調節(jié)作業(yè)，所以能用較低費用制作該偏置電路。
權利要求
1.一種磁頭制造方法，是一邊注入研磨液一邊研磨磁頭的磁帶行走面，調節(jié)該磁頭的阻抗，其特征在于，頻率5～30KHz、(100±10)μA(=I)范圍的電流流經磁頭測定時的阻抗Z與該電流I的關系為4.80×10-9(A/Ω)≤I/Z≤5.21×10-9(A/Ω)時，終止上述研磨。
2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，頻率為20KHz，電流I為100μA。
3.一種磁頭，其特征在于，頻率20KHz、(100±10)μA(＝I)范圍的電流流經磁頭經測定時的阻抗Z與該電流I的關系滿足下式4.80×10-9(A/Ω)≤I/Z≤5.21×10-9(A/Ω)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種磁頭及其制造方法。本發(fā)明方法是一邊注入研磨液一邊研磨磁頭的磁帶行走面，調節(jié)該磁頭的阻抗，當頻率5～30kHz、(100±10)μA(＝I)范圍的電流流經磁頭測定時的阻抗Z與電流I的關系為4.80×10
文檔編號G11B5/187GK1082748SQ9310856
公開日1994年2月23日 申請日期1993年7月10日 優(yōu)先權日1992年8月17日
發(fā)明者秋山賢治, 隅谷真二, 小林隆生 申請人:Tdk株式會社