專利名稱：間隙中金屬和薄膜混合讀寫頭的制作方法
背景技術(shù)：
薄膜磁頭工藝的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是在一個(gè)批量工序中能夠在一個(gè)片子上制造幾千個(gè)器件然后加工成列以制作滑動(dòng)觸頭。它采用復(fù)雜的工藝但比MIG(間隙中的金屬)工藝所需要的人力資源更少。由于采用了光刻和真空淀積技術(shù)，薄膜磁頭間隙和磁道寬度的幾何清晰度被控制得很好。
然而，薄膜工藝技術(shù)是相當(dāng)復(fù)雜的。強(qiáng)烈烘焙的光抗蝕劑產(chǎn)生的大形貌由于薄膜中磁極磁性的變壞和應(yīng)力的改變而降低了批量成品率；在大形貌薄膜磁頭上制作窄間距線圈也有困難，而且在確定對準(zhǔn)良好的磁極尖(或采用磁道修整)方面也有困難。光抗蝕劑隔離由于磁性變壞而引起成品率下降并由于后續(xù)的強(qiáng)烈烘焙工序中收縮而改變探頭高度。
薄膜磁頭工藝的成品率也受未固化光抗蝕劑破裂的影響。薄膜磁頭成品率下降的另一原因是它對探頭高度非常敏感。這就要求用很高級的電子研磨引導(dǎo)工序來改善成品率。
現(xiàn)有技術(shù)的MIG磁頭的制造更簡單，對得到所需的探頭高度更不敏感，并且在這方面的資源是豐富的。但其缺點(diǎn)是線圈要手工地一次一個(gè)滑動(dòng)觸頭地繞制，而且滑動(dòng)觸頭也是一次制造一個(gè)。這種非批量的制造工藝需要密集的人力資源。另一個(gè)缺點(diǎn)是幾何控制(例如間隙和磁道寬度)很差。這就限制了MIG在高密磁盤驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用。關(guān)于高密磁盤驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的另一個(gè)限制是其高的磁感應(yīng)引起的。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種磁感應(yīng)業(yè)已降低且能夠批量制造的MIG和薄膜混合讀寫頭。
發(fā)明的簡述此處公開的MIG和薄膜混合讀寫頭使薄膜磁頭工藝的優(yōu)點(diǎn)同MIG工藝的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合起來以制作高性能、高成品率和低成本的磁頭。本發(fā)明采用現(xiàn)有的MIG工藝基礎(chǔ)并加入了相似于薄膜磁頭工藝的批量工序。這一新工藝借助于減小形貌使其成為平面工藝而變得更為簡單而成品率高。本新工藝不需要強(qiáng)烈烘焙隔離，使成品率得到進(jìn)一步提高。
本發(fā)明的混合磁頭由于采用了MIG工藝而對探頭高度公差更不敏感。在批量工序中采用薄膜磁頭工藝并在平面形貌中形成了嚴(yán)格的幾何參數(shù)(例如間隙和磁道)，致使幾何控制更好。由于與現(xiàn)有技術(shù)的MIG磁頭相比減少了磁性材料，這種混合磁頭具有降低了的磁感應(yīng)。
本公開的另一實(shí)施例用MIG/薄膜混合磁頭來寫數(shù)據(jù)，而用寫磁頭頂部上的MR磁頭來讀數(shù)據(jù)。在現(xiàn)有技術(shù)的MR讀/寫頭中，寫磁頭(相對于旋轉(zhuǎn)介質(zhì)的滑動(dòng)觸頭的尾端)位于MR讀磁頭(在前端處)的頂部。讀間隙同寫間隙之間的垂直距離確定了旋轉(zhuǎn)傳動(dòng)裝置的與半徑有關(guān)的歪斜。當(dāng)寫頭位于尾端時(shí)，此距離增加。這是由于轉(zhuǎn)換被寫到更靠近于寫磁極的后沿。
而且，在分段MR讀寫頭的現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)磁盤旋轉(zhuǎn)時(shí)，寫頭(尾部)跟隨著讀頭(頭部)。因此，這種頭不能讀剛剛寫入的轉(zhuǎn)換。然而，在此處公開的MR讀寫頭中，感應(yīng)寫頭在前面MR讀頭在尾。亦即，MR頭能夠讀剛剛寫入的轉(zhuǎn)換。而且，在新的MR讀寫頭中，寫入的轉(zhuǎn)換靠近MR讀間隙，這就降低了旋轉(zhuǎn)傳動(dòng)裝置與半徑有關(guān)的歪斜效應(yīng)。由于寫頭在其制作中采用了MIG工藝而對探頭高度更不敏感，這就成為一種更健全的設(shè)計(jì)。在現(xiàn)有技術(shù)的MR讀和感應(yīng)寫頭中，是先做MR頭然后在其頂部制作感應(yīng)寫頭。
因而MR讀頭要經(jīng)受薄膜寫頭的高溫工序，由于各層之間可能發(fā)生互擴(kuò)散而影響性能。本新發(fā)明先制造寫頭然后制作MR讀頭，這就消除了這一不利影響。
本發(fā)明的實(shí)施例這樣就給出了一種新的有用的MIG和薄膜混合讀寫頭及其新的有效的制造方法。磁心的制造及同滑動(dòng)觸頭的接合以批量方式完成。含有MIG型材料的用玻璃接合分隔層分開的各個(gè)磁條被接合于制作滑動(dòng)觸頭的襯底上。這種接合可在高溫下完成，致使后續(xù)的熱處理不影響接合的牢固性。這些磁條可以是多層MIG型材料或帶有森達(dá)斯特合金的鐵氧體或沉積于其上的高飽和材料。其上可沉積間隙材料和另一層磁性材料。然后以特定的間距制作C形切口，如果需要，可帶一斜臺(tái)。如果需要，可用機(jī)械研磨來確定磁道寬度。C形切口只部分進(jìn)入磁條，但借助于從磁道方向清除所有的磁性材料而具有磁道清晰度。可用低熔點(diǎn)玻璃或任何非磁性材料來填充所有縫隙和空腔，然后磨平。這就形成一個(gè)埋置在襯底中的帶有確定間隙和極尖的C形磁心。在被隔離層(例如氧化鋁或二氧化硅型材料)分開的平坦表面上制作線圈層。將隔離材料從極尖和后罩區(qū)清除。然后制作頂部磁軛(最好是NiFe)以使頂部極尖同磁軛的后罩區(qū)接合從而形成完整的磁路。這就制成了高質(zhì)量的批量生產(chǎn)的感應(yīng)MIG型讀寫頭。
在一個(gè)變換實(shí)施例中，接合的磁條借助于接合上述磁條的方法來形成，或者借助于把磁性襯底接合于制作滑動(dòng)觸頭的襯底上并切割和清除磁性材料來形成。
C形切口和斜臺(tái)用機(jī)械方法來制作。C形切口縫隙用低熔點(diǎn)玻璃或另一種非磁性材料填充，然后磨平。沉積間隙材料和另一層磁性材料。然后用光刻方法對極尖、后罩和對準(zhǔn)標(biāo)志進(jìn)行圖形化，然后對其進(jìn)行腐蝕以形成磁道寬度至少進(jìn)入部分底部磁心。(此圖形也可借助于用可移走的金屬掩模進(jìn)行掩蔽然后腐蝕的方法來制作)。這造成一個(gè)抬高了的極尖、后罩和對準(zhǔn)標(biāo)志，所有其它區(qū)域都為高程較低的平坦?fàn)?。再在平坦表面上制作由隔離材料(例如氧化鋁或二氧化硅)分開的各線圈層。
本發(fā)明的另一實(shí)施例中，MR讀頭制作在寫頭的頂部上。磁心棒(最好是由玻璃接合材料以特定的間距分開的多層MIG棒)接合于制作滑動(dòng)觸頭的襯底上。磁性材料的厚度確定了磁道寬度。C形切口和斜臺(tái)用機(jī)械方法制作。C形切口縫隙用低熔點(diǎn)玻璃或任一種其它非磁性材料填充并磨平。沉積寫頭間隙材料和一層森達(dá)斯特合金并退火。然后對森達(dá)斯特合金膜進(jìn)行圖形化以形成MR讀頭的頂極/底屏蔽。在此屏蔽上制作帶引線的MR結(jié)構(gòu)。制作寫線圈并沉積寫頭的磁軛部分以及頂屏蔽。其它的制作接合焊盤和封裝步驟用常規(guī)方法進(jìn)行。
在本發(fā)明的又一實(shí)施例中，線圈周圍制作了一個(gè)多圈磁軛頭，其下極用埋置一對C形切口磁心的方法來制作。
結(jié)合附圖參照下列描述可更好地理解本發(fā)明的上述和其它優(yōu)點(diǎn)，圖中共用的數(shù)字表示公共的部件，其中

圖1A是C形切口單個(gè)磁心的透視圖，磁道寬度示為多層磁性(森達(dá)斯特合金)膜的厚度。
圖1B是合有C形切口行的棒的透視圖。
圖2是制作滑動(dòng)觸頭的襯底的透視圖，示出了X切口和Y切口溝槽。
圖3示出了被玻璃接合/分隔層條分開的各個(gè)磁條。
圖4是待要接合到一起的制作滑動(dòng)觸頭的初底和磁性襯底的示意圖。
圖5A是接合在一起的磁性襯底和制作滑動(dòng)觸頭的襯底的示意圖。一行中的磁性材料被清除以形成接合的磁條。制作了C形切口以形成定位良好的C形切口磁心的列和行。
圖5B是圖5A沿A-A′的剖面圖。
圖6示出了片子上的C形切口溝槽。
圖7是本發(fā)明的感應(yīng)磁頭的示意圖。
圖8是圖7沿A-A′的剖面圖。
圖9是圖7中的空氣支撐表面(ABS)圖(沿圖B-B′剖面)。
圖10A剖面示出了C形切口溝槽、間隙層、森達(dá)斯特合金層，它被圖形化并腐蝕以形成感應(yīng)寫頭的頂極尖和MR讀頭的底屏蔽。
圖10B是位于感應(yīng)寫頭頂部的MR讀頭的剖面圖。
圖11是圖10B的ABS示意圖。
圖12是交錯(cuò)接合在一起的二個(gè)C形切口磁心的示意圖。
圖13是根據(jù)本發(fā)明形成在一個(gè)線圈周圍的多圈磁軛頭的示意圖。
圖14A-F是根據(jù)本發(fā)明形成在一個(gè)線圈周圍的多圈磁軛頭的示意圖。
如下所述，本發(fā)明可制作MIG磁頭或鐵氧體磁頭。如圖1(A、B)所示，單個(gè)的磁心210或磁棒220組成一個(gè)多層MIG磁心，其制作方法是在襯底材料200上沉積一個(gè)被薄的(0.1μm)非磁性材料例如氧化鋁202分隔開的軟磁層例如森達(dá)斯特合金201。制作C形縫隙204(可以拔梢即倒角以形成斜臺(tái))。磁心210和磁棒220也可由鐵氧體構(gòu)成并在切出C形切口204之后沉積森達(dá)斯特合金。這些磁心210或磁棒220被接合到制作滑動(dòng)觸頭的襯底230上。
在圖2的方法中，襯底230帶有一系列以完全確定的間距分布的局部X切口231和局部Y切口232。磁棒220被接合到縫隙231中，使C形切口204同縫隙232準(zhǔn)確地對準(zhǔn)。玻璃分隔層條和接合材料(未示出)填充C形切口204并使磁棒的參考表面215對準(zhǔn)襯底230上的另一個(gè)，調(diào)整上述填充料并熔融以便將磁棒接合于襯底上。接合之后，可磨平襯底230并暴露磁心表面218或其附近部位。磁棒220也可以相互堆疊并參考制作滑動(dòng)觸頭的襯底上的表面215而相互對準(zhǔn)，然后接合，而且理想情況下最好再磨平。這就形成了一個(gè)平整的片子，其中埋置了C形磁心棒，形成底極(磁軛和端)。再制作間隙材料235(圖8)，然后沉積另一層森達(dá)斯特合金236(圖10A)并退火以便稍后制作頂磁極尖。第二磁極如下形成。
下一工序中，如圖2所示將角落234處的森達(dá)斯特合金腐蝕掉，暴露出參考表面218和215，或者暴露出對準(zhǔn)標(biāo)志233(在前面步驟中可能已經(jīng)確定了)?？蓪?zhǔn)后續(xù)各層掩模并用這些作為參考進(jìn)行精確加工。
圖3示出了被玻璃接合分隔層305分開的堆疊在制作滑動(dòng)觸頭的襯底230上并熔連在一起的磁條301(可能是多層)。為得到更好的接合牢固性，在堆疊條301和分隔層305之前可在襯底230上沉積玻璃。拼合的表面被研磨或拋光以避免任何不規(guī)則性。
圖4和圖5示出了本發(fā)明的另一實(shí)施例。同磁性襯底300(例如由單晶鐵氧體構(gòu)成)一起示出了一個(gè)制作滑動(dòng)觸頭的襯底299。在襯底299和300的拼合表面上沉積了接合材料玻璃289并在高溫下熔合以將它們粘接在一起。襯底299本身可以是磁性的，此時(shí)無需襯底300。
在一種方法中，森達(dá)斯特合金或高飽和材料340(形成底磁極)、間隙材料235和高飽和或森達(dá)斯特合金材料239(形成頂部磁極尖)被相繼沉積在磁性襯底300上。借助于研磨間隔320中的所有磁性材料而制作行310。行310的寬度可用來確定磁道寬度。行310的寬度也可以大于所需的磁道寬度，然后在后續(xù)步驟中可用光刻和離子研磨來確定最終的磁道寬度。C形切口330做成部分進(jìn)入磁性材料300。例如，圖6示出了這種C形切口磁心陣列。磁極尖區(qū)290和后罩區(qū)291為圖所示。制作了被氧化鋁隔離層226分開的線圈層241，并制作了例如NiFe的磁軛242(圖7、8)，從而完成了磁路。
在一個(gè)變換實(shí)施例中，用光學(xué)圖形化和離子研磨來確定磁道寬度。如前所述，參照圖7和8，C形磁心210可由接合于制作滑動(dòng)觸頭的襯底299上的多層磁性膜棒或磁性條構(gòu)成，或者借助于接合磁性襯底300并用機(jī)械方法形成磁性條來制作。間隙材料235和一層最好是片狀森達(dá)斯特合金材料236(圖10A)被相繼沉積。然后可在這些磁條中制作深入到磁性層300的C形切口330。然后用低熔點(diǎn)玻璃填充腔或溝道320和330并整平(即研磨)。
為確定磁道寬度，參照圖7和8，制作了磁極尖區(qū)290、后罩區(qū)291和對準(zhǔn)標(biāo)志283的掩模圖形，并進(jìn)行離子研磨使磁心210中的深度最好等于探頭的高度。這就得到一個(gè)除投影面308、307和對準(zhǔn)標(biāo)志283之外的平坦表面360。然后可制作被氧化鋁隔離層226分開的多層線圈241。后間隙罩間隙材料227可能在前面步驟中已被清除。在隔離層226之后，最好鍍以NiFe頂部磁軛242同246部位(頂磁極239的頂部)和247(后罩部分248的頂部)磁接觸。圖9示出了這種磁頭的ABS示意圖。
這種制造工藝有下列優(yōu)點(diǎn)。所有關(guān)鍵工藝都主要在平坦表面上完成，而不像常規(guī)的薄膜磁頭。例如，由磁道修整進(jìn)行的磁道確定在平坦表面上完成；線圈層241在平坦表面上；頂部磁軛242也在平坦表面上。如果需要，強(qiáng)烘焙的光抗蝕劑可用作隔離材料，但氧化鋁型材料更好。
由于上述MIGC形磁心提供的導(dǎo)磁面積大，故比之常規(guī)的薄膜磁頭，這種磁頭對探頭高度的變化更不敏感。而且，磁極尖239和307由森達(dá)斯特合金制成，它比薄膜磁頭NiFe磁極尖的衰退和損壞更小。根據(jù)此處公開的新的磁頭工藝，所有這些特征都明顯地改善了工藝成品率。
本發(fā)明的另一實(shí)施例是在上述用于寫的感應(yīng)磁頭的頂部制作一個(gè)MR讀頭，如圖10B所示。一個(gè)更簡單的方法是如上所述制作一個(gè)埋置在片子中的最好由多層MIG構(gòu)成的C形磁心。在用玻璃填充空腔330并整平之后，如果表面309相對于表面307凹下，則沉積一額外的非磁性材料層(光抗蝕劑、氧化鋁、非磁性金屬如銅之類)并腐蝕掉區(qū)域307、247等。這是為了避免區(qū)域309中磁極尖239附近發(fā)生翹曲。在沉積寫間隙235和森達(dá)斯特合金層236(小片239和248由層236構(gòu)成)之后，借助于對準(zhǔn)標(biāo)志233(圖2)，在層236中制作圖形239并進(jìn)行腐蝕以暴露表面238。
如果由于某種原因而在行之間的定位中出現(xiàn)某種隨機(jī)的不對準(zhǔn)，利用光學(xué)圖形中的分步技術(shù)和參考面238，后續(xù)各層圖形可相對于底磁極的磁道形成部位225而準(zhǔn)確地確定在片子上。在制作線圈241之后，可沉積隔離氧化鋁226并從247處表面和239處頂部腐蝕掉。然后沉積第一MR讀間隙248、MR薄膜結(jié)構(gòu)及其引線240和第二MR讀間隙249。再從246和247腐蝕間隙材料從而暴露線圈接觸區(qū)282、280、281等(圖7)。然后鍍NiFe頂部磁軛242、頂部MR屏蔽245和引線280等。完成磁頭的其它步驟用常規(guī)方法執(zhí)行。
圖11是圖10B所示磁頭的ABS示意圖。如所示，部位225的寬度(TW)確定了寫磁道的寬度。由于在多層MIG中，厚度TW控制得非常精確，故能制作磁道非常窄的寫頭。
這就制成了一種用于寫的MIG/薄膜混合磁頭和一種位于寫頭頂部的用于讀數(shù)據(jù)的MR磁頭。在這種新的MR讀寫磁頭中，相對于旋轉(zhuǎn)介質(zhì)上的數(shù)據(jù)，感應(yīng)寫頭在前面MR讀頭在后。亦即，MR頭能夠讀出剛剛寫入的轉(zhuǎn)換。而且，在這種新的磁頭中，寫入的轉(zhuǎn)換靠近MR讀間隙，這就降低了在典型的旋轉(zhuǎn)裝置中與半徑有關(guān)的歪斜效應(yīng)。由于在制作寫頭時(shí)采用了MIG工藝而使寫頭對探頭高度的改變更不敏感，故這是一種更健全的設(shè)計(jì)。
在此處公開的新發(fā)明中，首先制造寫頭然后制作MR讀頭，從而消除了對多層、薄且靈敏的MR薄膜結(jié)構(gòu)的不利溫度影響。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，借助于以不同的線圈區(qū)段多次折疊磁軛而使同一線圈層多層與磁軛耦合的方法來制作磁頭。圖12示出了被分隔層400分開并同C形磁心411連在一起的C形磁頭410。圖13示出了以同一個(gè)線圈241多次折疊磁軛。磁軛410進(jìn)入線圈241的前段250之下；磁軛442進(jìn)入線圈241的背側(cè)251之上；磁軛411進(jìn)入線圈241的背側(cè)251之下；而磁軛443進(jìn)入線圈241的前段250之上。于是磁軛同線圈連結(jié)二次，從而增加了有效圈數(shù)而改善了磁通耦合。
磁軛區(qū)段中的磁化被確定為使磁力線基本上垂直于磁化而行進(jìn)以提高磁頭效率。磁軛區(qū)段442和443可用鐵氧體材料、鍍制NiFe或任何其它軟磁材料制作。
磁軛區(qū)段442分別在部件431和430處磁耦合到磁軛區(qū)段410和411。磁軛區(qū)段443在部件432處磁耦合到磁軛區(qū)段411。在制造工序中，C形切口磁心410和411接合，而且空腔被填充并整平。沉積間隙材料235和軟磁材料236。為了確定磁道寬度420，制作了磁極尖區(qū)290、后罩區(qū)431、430、432和對準(zhǔn)標(biāo)志283的掩模圖形，并進(jìn)行腐蝕使進(jìn)入磁心410和411一個(gè)最好等于探頭高度的深度。這樣，除去投影表面420、430、431、432和對準(zhǔn)標(biāo)志283之外，就得到一個(gè)平坦的表面360。再制作被氧化鋁隔離層226分開的多層線圈241。在隔離層226之后，最好鍍一個(gè)NiFe頂部磁軛442和443與部件431、430和432磁接觸。
作為一個(gè)例子，圖14示出了折疊磁軛頭的制作工藝順序。圖14A示出了粘接在制作滑動(dòng)觸頭的襯底299上的磁條310。這可如前所述那樣利用將磁性襯底300同制作滑動(dòng)觸頭的襯底299接合起來并加工出部位320的辦法來制作。如圖14B所示，對區(qū)域451進(jìn)行加工以清除磁性材料，然后如圖14C所示將磁條453同襯底299接合，用分隔層400同區(qū)域452分隔開。分隔層400可在表面401上于453上沉積玻璃來制作。磁條453被接合在相對于452更高的高程上，致使當(dāng)在磁片452中制作C形切口330時(shí)，可以清除圖14D所示區(qū)域457中的全部磁性材料。
為了如圖12所示制作交錯(cuò)的C形切口磁心對，溝道454切穿磁條453，清除其中的磁性材料。還制作了C形切口330和461。由于磁條453接合在較高的高程處，故當(dāng)制作C形切口330時(shí)，也從區(qū)域457中清除全部磁性材料。然后制作C形切口461。制作C形切口461過程中剩余的材料459不會(huì)有任何不良影向。這就制成了圖12所示的交錯(cuò)的C形切口磁心對。部位455將構(gòu)成底磁極尖。如果需要，可在滑動(dòng)觸頭制造工序中清除附著物456。
此時(shí)可在凸出部431-432的周圍沉積線圈241，如圖14E所示。線圈241可以機(jī)械繞制而不用光刻和鍍膜技術(shù)批量地沉積。手繞線圈的優(yōu)點(diǎn)是線圈電阻低。繞制線圈之后，可用強(qiáng)烘焙光抗蝕劑、環(huán)氧樹脂或氧化鋁型材料填充凹下的區(qū)域。然后制作頂部磁軛部件442和443以完成圖14F所示的磁路。此磁軛可以接合鐵氧體、鍍制NiFe或任何其它軟磁材料。
前面的描述均限于本發(fā)明的特定實(shí)施例。然而，顯然對本發(fā)明可作各種改變和修正而獲得本發(fā)明的某些或全部優(yōu)點(diǎn)。因此，所附權(quán)利要求的目的是覆蓋不超越本發(fā)明的構(gòu)思與范圍的全部這種變化。本發(fā)明用下列權(quán)利要求細(xì)目來提出。
權(quán)利要求
1.一種制造磁性存儲(chǔ)器件的方法，此存儲(chǔ)器件用來以磁通量的形式對相對于它而運(yùn)動(dòng)的磁性介質(zhì)上的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀或?qū)懀铝胁襟E在制作滑動(dòng)觸頭的襯底上制作一個(gè)C形切口的磁心，并藉以在批量工藝中制作磁頭。
2.權(quán)利要求1的方法還包含制造作為上述批量工藝片子的襯底的步驟。
3.權(quán)利要求2的方法還包含在片子上制作一個(gè)線圈和一個(gè)第二磁極的步驟。
4.權(quán)利要求3的方法，其中所述的制作包括制作一個(gè)讀寫感應(yīng)磁頭或MR讀寫磁頭的寫頭，其中的磁頭是一種MIG/薄膜混合磁頭。
5.一種磁性存儲(chǔ)器件的讀寫磁頭，它包含一種感應(yīng)寫頭和一個(gè)MR頭，MR頭制作在寫頭的頂部。
6.權(quán)利要求1的方法包含在片子上用下列方法制作C形切口磁心的步驟A.在制作滑動(dòng)觸頭的襯底上堆疊以固定間隔距離的各磁條，B.在制作滑動(dòng)觸頭的襯底上接合各磁條，C.在磁條中制作一個(gè)C形切口以形成一個(gè)縫隙，以及D.用非磁性材料填充此縫隙并整平。
7.權(quán)利要求1的方法包括用下列方法使C形切口磁心形成為一個(gè)片子A.使磁性襯底同制作滑動(dòng)觸頭的襯底接合，B.切出很多行或溝道以清除磁性材料從而在制作滑動(dòng)觸頭的襯底上形成接合的各磁條，C.在條中制作C形切口以形成縫隙，以及D.用非磁性材料填充縫隙并整平。
8.權(quán)利要求1的方法包括下列步驟A.使磁性襯底同制作滑動(dòng)觸頭的襯底接合，B.沉積間隙材料，C.沉積森達(dá)斯特合金材料，D.切出溝道以清除磁性材料從而形成磁條，E.在各磁條中制作C形切口縫隙至少部分進(jìn)入第一磁性材料層，F(xiàn).填充縫隙并整平，G.至少制作一個(gè)由隔離分開的線圈層，以及H.制作使前端同后罩接合的上部磁極以形成完整的磁路。
9.權(quán)利要求1的方法還包括下列步驟A.在制作滑動(dòng)觸頭的襯底上堆疊以固定間隔距離的磁條，B.在制作滑動(dòng)觸頭的襯底上接合各磁條，C.在各磁條中制作C形切口以形成縫隙，D.用非磁性材料填充縫隙并整平，E.沉積間隙材料并沉積軟磁材料，F(xiàn).對極尖結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖形化以確定磁道寬度和背面區(qū)域結(jié)構(gòu)，并進(jìn)行腐蝕以形成這種結(jié)構(gòu)，G.沉積由隔離分開的線圈層，以及H.沉積使尖區(qū)同后罩磁接合的軟磁材料以形成完整的磁路。
10.一種制作磁性存儲(chǔ)器件的方法，此存儲(chǔ)器件用來以磁通量的形式對相對于磁頭而運(yùn)動(dòng)的磁性介質(zhì)上的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀或?qū)?，此方法包含下列步驟借助于以不同的線圈區(qū)段多次折疊線圈使線圈層多次同磁軛耦合而制成一個(gè)MIG和薄膜混合型磁頭。
11.權(quán)利要求10的方法，其中的線圈是多層的。
12.權(quán)利要求10的方法，其中的磁頭由下述方法制作A.在制作滑動(dòng)觸頭的襯底上堆疊以固定距離由間隔材料分開的磁心，B.在制作滑動(dòng)觸頭的襯底上粘接各磁心，C.用非磁性材料填充縫隙并整平，E.沉積間隙材料并沉積軟磁材料，F(xiàn).對極-尖結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖形化以確定磁道寬度、背面區(qū)和對準(zhǔn)圖形，并進(jìn)行腐蝕以形成圖形，G.沉積由隔離分開的線圈層，以及H.沉積磁接合的軟磁軛材料以形成完整的磁路。
13.一種用來以磁通量的形式對相對于磁頭而運(yùn)動(dòng)的磁性介質(zhì)上的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫的磁性存儲(chǔ)頭器件，它包含一個(gè)在制作滑動(dòng)觸頭的襯底上構(gòu)成一個(gè)底磁極、一個(gè)間隙材料層、一個(gè)頂極尖區(qū)和一個(gè)后罩區(qū)的C形切口磁心，頂磁極尖區(qū)和后罩區(qū)由相同的沉積薄層組成并由上部磁性層接合以形成磁路。
14.權(quán)利要求13的器件，包含一個(gè)感應(yīng)寫頭和一個(gè)MR讀頭，其中的MR讀頭制作在感應(yīng)寫頭的頂部。
15.權(quán)利要求13的器件，其中的C形切口磁心包含制作滑動(dòng)觸頭的襯底上的一疊以固定距離間隔開的磁條，這些磁條接合在制作滑動(dòng)觸頭的襯底上，而且在各磁條中至少制作了一個(gè)C形切口以形成縫隙，此縫隙用非磁性材料填充。
16.權(quán)利要求13的器件，其中的C形切口磁心制作成接合于制作滑動(dòng)觸頭的襯底上的磁性襯底，其襯底上切出的行或溝道用來清除磁性材料以便在制作滑動(dòng)觸頭的襯底上形成接合的磁條，磁條中有C形切口，而C形切口的縫隙用非磁性材料填充。
17.權(quán)利要求13的器件，其中的磁性襯底同制作滑動(dòng)觸頭的襯底接合，其上制作了一個(gè)間隙材料層，其上形成了森達(dá)斯特合金(例如290、291、283)，在各磁條中形成了C切口縫隙且縫隙被填充并整平，其上形成線圈層和隔離，其頂磁極使前尖同后罩接合以完成磁路。
18.權(quán)利要求13的器件還包含制作滑動(dòng)觸頭的襯底上的一疊由接合材料以固定的距離分開的磁條。
19.權(quán)利要求18的器件，還包含制作滑動(dòng)觸頭的襯底上的接合的磁條，磁條中有C形切口縫隙，縫隙用非磁性材料填充，其上制作了軟磁材料層，其上形成了圖形化磁極尖、后罩區(qū)和對準(zhǔn)圖形，其上帶有一個(gè)由隔離分開的線圈層，并蓋以軟磁材料使尖區(qū)同后罩磁接合以完成磁路。
20.權(quán)利要求13的器件，還包含一個(gè)MIG和薄膜混合型磁頭，此磁頭具有一個(gè)通過以不同的線圈區(qū)段多次折疊磁軛而同磁軛多次耦合的線圈層。
21.一種磁性存儲(chǔ)設(shè)備的讀寫頭，它包含一個(gè)感應(yīng)寫頭和一個(gè)MR頭，此MR頭制作在寫頭頂部。
22.權(quán)利要求21的器件，還包含一個(gè)襯底和一個(gè)埋置于襯底中的磁心。
23.權(quán)利要求22的器件，其中的寫磁道寬度由磁心的厚度確定。
24.權(quán)利要求22的器件，其中的埋置磁心確定了寫磁道寬度。
25.權(quán)利要求22的器件，其中的埋置磁心確定了寫磁道寬度并且是寫頭的引線極。
26.權(quán)利要求22的器件，其中的埋置磁心由多層磁性膜構(gòu)成。
27.權(quán)利要求13的器件，其中至少一個(gè)極由多層磁性膜構(gòu)成。
28.權(quán)利要求13的器件，其中的各個(gè)極尖以它們之間的間隙在空氣支撐表面(ABS)處終止，其中至少一個(gè)磁心在ABS處寬于所需的磁道寬度，且其中間隙周圍的各極尖為確定磁道寬度基本上尺寸相同。
29.權(quán)利要求13的器件，其中的各個(gè)極尖終止于空氣支撐表面(ABS)處，且ABS處的極尖由森達(dá)斯特合金構(gòu)成。
30.權(quán)利要求13的器件，其中至少一個(gè)磁心由多層森達(dá)斯特合金構(gòu)成。
31.權(quán)利要求9的方法，還包含對第一極進(jìn)行腐蝕至少達(dá)到等于探頭高度的深度的步驟。
32.權(quán)利要求9的方法，還包含制作多層軟磁膜埋置磁心的步驟。
33.權(quán)利要求32的方法，還包含使多層埋置磁心的厚度大于所需磁道寬度的步驟。
34.權(quán)利要求32的方法，還包含制作森達(dá)斯特合金膜的步驟。
35.權(quán)利要求31的方法，還包含離子束腐蝕的步驟。
36.一種制作磁性存儲(chǔ)器件讀寫頭的方法，它包含a.制作一個(gè)埋置于襯底中的磁心，b.在磁條中制作一個(gè)C形切口以形成一個(gè)縫隙，c.用非磁性材料填充縫隙并整平，d.沉積寫間隙材料，并從后罩區(qū)清除寫間隙材料，e.沉積一薄層磁性材料，f.對磁性材料的頂部進(jìn)行圖形化和腐蝕以形成寫頭的頂部極尖和MR頭的底屏蔽，g.至少制作一個(gè)線圈和隔離層，h.制作一個(gè)第一讀間隙、一個(gè)MR結(jié)構(gòu)和一個(gè)第二讀間隙，以及i.制作使后罩同底屏蔽接合的頂部MR屏蔽和磁軛區(qū)。
37.權(quán)利要求36的方法，還包含制作森達(dá)斯特合金膜構(gòu)成的底屏蔽。
38.權(quán)利要求36的方法，還包含制作多層磁性膜構(gòu)成的埋置磁心的步驟。
39.權(quán)利要求36的方法，還包含經(jīng)由埋置磁心的厚度確定寫磁道寬度的步驟。
40.一種制作帶有同磁軛多次耦合的線圈層的磁頭的方法，它包含以不同線圈區(qū)段多次折疊磁軛，從而借助于在襯底中形成一個(gè)交錯(cuò)的埋置磁心而實(shí)現(xiàn)磁軛的折疊。
41.權(quán)利要求40的方法，還包含下列步驟埋置一對彼此相鄰且被非磁性材料分隔開的磁心的步驟，其中一個(gè)磁心同另一個(gè)磁心所處的高度不同，以致當(dāng)在高度較高的磁心中制作C形切口時(shí)，C形切口經(jīng)過的另一磁心的磁性材料區(qū)段被清除；在鄰近并平行于第一C形切口的高程較高的磁心中制作C形切口以形成二個(gè)相鄰的彼此分開的磁柱；用非磁性材料填充縫隙并整平，致使圍繞著相鄰的磁柱至少形成一層線圈和隔離層；以及沉積一個(gè)軟磁層，使磁心的前部同相鄰磁心的背部接合以完成磁路。
42.權(quán)利要求41的方法，還包含至少制作一個(gè)多層膜構(gòu)成的磁心的步驟。
43.權(quán)利要求40的方法，還包含在磁心材料的ABS處制作寬度大于所需磁道寬度的極尖，然后用腐蝕制作所需磁道寬度的步驟。
44.權(quán)利要求41的方法，還包括用接合材料分隔層使磁條分開的步驟。
45.權(quán)利要求9的方法，還包括使磁條同接合材料分隔層分開的步驟。
46.一種用來以磁通量的形式對相對于磁頭而運(yùn)動(dòng)的磁性介質(zhì)上的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫的磁性存儲(chǔ)頭器件，它包含一個(gè)制作滑動(dòng)觸頭的襯底上的C形切口磁心，形成一個(gè)底極、一個(gè)間隙材料層、一個(gè)頂極尖區(qū)和一個(gè)后罩區(qū)，頂極尖區(qū)和后罩區(qū)由同一沉積層構(gòu)成且用磁性上層接合以形成磁路，其中的C形切口磁心包含制作滑動(dòng)觸頭的襯底上的一疊以固定距離隔開的磁條，各磁條接合在制作滑動(dòng)觸頭的襯底上，而且在磁條中至少制作一個(gè)C形切口以形成一個(gè)縫隙，此縫隙用非磁性材料填充，其中的磁軛確定為帶有多個(gè)彼此由隔離層分開的線圈層，其上形成有磁性層以形成磁力線流通的磁路。
47.權(quán)利要求46的器件，還包含一個(gè)MIG和薄膜的混合型磁頭，此磁頭帶有一個(gè)經(jīng)由以不同的線圈區(qū)段多次折疊磁軛而同磁軛多次耦合的線圈層。
48.一種制作磁性存儲(chǔ)設(shè)備讀寫磁頭器件的方法，此磁頭器件制作在片子上，該方法包含至少制作一個(gè)埋置在片子中的磁心的步驟。
49.權(quán)利要求48的方法還包含制作多層軟膜構(gòu)成的埋置磁心的步驟。
全文摘要
一種MIG和薄膜混合讀寫頭使用較少的磁性材料從而降低了磁感應(yīng)?；旌项^對探頭高度公差較不敏感并對間隙和磁道之類的幾何參數(shù)更好控制?；旌项^由各個(gè)磁心(210)、軟磁層(201)、非磁性層(202)以及C形切口(204)組成?；旌项^由經(jīng)過簡化的較高成品率的工藝批量地制造。
文檔編號(hào)G11B5/39GK1119475SQ94191479
公開日1996年3月27日 申請日期1994年3月11日 優(yōu)先權(quán)日1993年3月16日
發(fā)明者塞亞姆·C·達(dá)斯 申請人:達(dá)斯設(shè)備公司