專利名稱：：帶有改善磁穩(wěn)性提供均勻電流的導體幾何形狀的磁阻器件的制作方法
技術(shù)領域：
：本發(fā)明涉及Y年M月D日發(fā)布的美國專利No.(申請序號08/392,3931995.2.22.歸檔)關于“磁阻器件和改進巴克好森(Barkhausen)干擾抑制的方法(MagnetoresistiveDeviceandMethodHavingImprovedBarkhausenNoiseSuppression)”和美國專利申請序號08/461.8741995.6.5.歸檔，關于“裝有利用平面的永磁薄膜穩(wěn)定性設計的固有磁通量閉路的軟鄰接層磁化磁阻器件(SoftAdjacentLayerBiasedMagnetoresistiveDeviceIncorporatingaNaturalFluxClosureDesignUtilizingCoplanarPermanentMagnetThinFilmStabilization)”和美國專利申請序號08/401.5531995.5.9.提交，關于“整形自旋閥型傳感器和制作含磁疇穩(wěn)定技術(shù)的SSV型傳感器的方法(ShapedSpinValveTypeMagnetoresistiveTransducerandMethodforFabricatingtheIncorporatingDomainStabilizationTechnique)”的內(nèi)容。先前的專利和專利申請授于昆騰外圍設備科羅拉多股份有限公司(QuantumPeripheralsColoradoInc.，)，路易斯維爾市(Louisville)，科羅拉多州(Colorado)，因此本文參考資料詳細地引用其公開內(nèi)容。本發(fā)明總體上涉及磁阻(“MR”)傳感器、巨型磁阻(“GMR”)傳感器和自旋閥(spin-valve“SV”)傳感器的領域。更具體的說，本發(fā)明涉及MR傳感器的一種改進的電導體幾何形狀提高改善磁疇穩(wěn)定性、減小巴克好森噪聲和增加操作的可靠性。而無需在實施中增加額外的加工步驟。業(yè)已知道磁阻傳感器在從磁性表面讀取數(shù)據(jù)方面是非常有用的，其靈敏度超過感應式或其它薄膜頭。在運行中，MR傳感器是用于探測隨被檢測磁通量的方向和數(shù)量而變的磁場信號變化。大家也知道為了使MR傳感器有效地運行，必須得到橫向偏磁場以使響應線性化。實行這樣的橫向偏磁的各種技術(shù)大家已知道，包括電流分流、“紅白旋轉(zhuǎn)招牌”(barberpole)和軟鄰接薄膜附加偏置。把橫向偏磁垂直施加到磁介質(zhì)的平面而平行施加到MR傳感器的表面。大家也知道MR傳感器可以和平行于磁性介質(zhì)和平行于MR傳感器的主軸延伸的縱向偏磁場一起使用。為了抑制巴克好森干擾，通過縱向偏磁場穩(wěn)定MR傳感器對于MR傳感器在高磁道密度磁盤驅(qū)動裝置中的應用是必需的。巴克好森干擾起因于不穩(wěn)定的磁學性質(zhì)，例如在MR元件里的多磁疇狀態(tài)(或疇壁)，例如接收來自有關聯(lián)的寫頭或其他外部場源的磁性干擾時可以出現(xiàn)這種狀態(tài)。關于這一點，為了阻止偏離磁道邊界和為了遍及整個有源MR元件達到單疇狀態(tài)，用反鐵磁(“AF”)材料例如如鐵錳(“FeMn”)或用由鈷鉑(“CoPt”)、鈷鉑鉭(“CoPtTa”)或鈷鉑鉻(“CoPtCr”)組成的永磁(“PM”)層通常使磁阻和自旋閥磁記錄“讀”元件穩(wěn)定。然而，由于隨著到邊界的距離增加，磁通量很快從有源區(qū)漏出所以這樣的邊界偏磁方法在有源區(qū)的中心上減弱。這種不希望有的磁通量漏泄是多疇狀態(tài)和在讀回時有關聯(lián)的巴克好森干擾的一個通常的原因，結(jié)果引起伴生不穩(wěn)定性問題。這些先前方法的共同目的在于避免疇壁形成，迄今為止誰也沒有提出在MR有源區(qū)中的電流圖形也是形成多疇狀態(tài)的一個值得注意的影響因素，特別在讀回操作期間或在有漏磁場的情況下操作。通常設計的導體引起向內(nèi)轉(zhuǎn)90°的電流通過MR器件有源區(qū)，結(jié)果造成非均勻電流和增加引起疇壁形成或多疇狀態(tài)形成的可能。在本發(fā)明中公布的導體幾何形狀通過改進MR結(jié)構(gòu)的有源區(qū)中的電流圖案，改進MR、GMR和SV磁頭的磁穩(wěn)定性。這種情況通過把一部分一般導體圖形的中間邊緣移位在器件有源區(qū)的旁側(cè)上，結(jié)果形成更合理而均勻的電流圖案在最佳實施例中業(yè)已達到。這種改進的電流圖案使在MR結(jié)構(gòu)中疇壁形成減小到最低程度而產(chǎn)生更穩(wěn)定的器件性能，特別在讀回操作期間和在有漏磁場情況下。這里具體公開的內(nèi)容是在含有磁阻層的一種磁阻器件，磁阻層有其有源區(qū)和至少一個具有其近側(cè)端面與磁阻層的有源區(qū)電耦合而其遠端面從有源區(qū)開始縱向延伸的導體。在特定的實施例中，在近側(cè)端面上的導體寬度小于遠側(cè)端面上的導體寬度。這里進一步具體公開的內(nèi)容是包含一種至少由一部分磁阻尼形成其有源區(qū)的磁阻結(jié)構(gòu)的磁阻器件。在導體有其相對的中間邊緣和旁側(cè)邊緣情況下，至少一個導體與磁阻結(jié)構(gòu)電連接在那里至少一部分中間邊緣被移位在有源區(qū)的旁側(cè)。此外在這里還進一步公開的內(nèi)容是磁阻器件包含具有一條有源的縱向延伸易磁化軸的磁阻層、埋在磁阻層下面并向該處提供橫向偏磁的軟鄰接層和被介入在磁阻層和軟鄰接層之間的磁阻離層。把第一和第二電流導體裝成與磁阻器件電連接并使第一和第二電流導體成形以相對于易磁化軸小于90°的角度把電流輸入磁阻器件。通過參閱下面最佳實施例結(jié)合附圖的描述，本發(fā)明上述的與其他的特點、本發(fā)明的目的以及實現(xiàn)方法將更顯而易見，而且將使本發(fā)明本身非常易懂，其中圖1是構(gòu)成本發(fā)明的用作磁性“讀”頭的磁阻傳感器一種應用的常規(guī)磁盤驅(qū)動裝置的簡化局剖俯視圖；圖2A是說明磁阻器件的常規(guī)的導體幾何形狀(在剖視圖中)的部分頂面圖在那里電流圖形表示為必須在MR有源區(qū)的每一端橫轉(zhuǎn)大體上為90°的路徑；圖2B是圖2A中磁阻器件MR層的放大頂面圖，更詳細地說明大體上不均勻的電流圖形通過器件有源區(qū)，這增大了引起不希望有的疇壁形成和伴生的巴克好森噪聲的可能；圖2C是圖2A-2B中磁阻器件的一般的導體幾何形狀(在剖視圖中表示出)的等角圖，進一步說明根據(jù)先前的美國專利的MR傳感器的MRS結(jié)構(gòu)；圖3A是表示根據(jù)本發(fā)明的磁阻器件的一種改進的導體幾何形狀(在剖視圖中)的一部分頂面圖。在那里電流圖形在MR有源區(qū)的每一端上表示為大體上是均勻的，并因此有效地排除不希望有的疇壁形成；圖3B是圖3A中磁阻器件的本發(fā)明的改進的導體幾何形狀(在剖視圖中)的等角圖，也說明其MRS結(jié)構(gòu)；圖4A是用圖表示在有15奧斯特(“Oe”)漏磁場的情況下在圖2A-2C中表示的一般的導體幾何形狀的MR響應轉(zhuǎn)換曲線；和圖4B是進一步用圖表示在有同樣強度的漏磁場的情況下使用本發(fā)明，例如在圖3A-3B中說明的改進的導體幾何形狀的磁阻器件的響應轉(zhuǎn)換曲線。最佳實施例的描述現(xiàn)在參閱圖1，為了盡可能和本發(fā)明的MR傳感器配合使用，圖1表示磁盤驅(qū)動裝置10的簡化局剖俯視圖。磁盤驅(qū)動裝置10在適當?shù)牡胤接性S多繞中心軸旋轉(zhuǎn)的磁盤12?？梢院懈鶕?jù)本發(fā)明的用作“讀”元件的MR傳感器的讀/寫頭14，通過定位裝置16安裝成與磁盤12表面上的許多同圓心的數(shù)據(jù)磁道相對，以使數(shù)據(jù)能從其磁性硬表面18寫入或讀出。先前的MR磁頭中的磁不穩(wěn)性上升主要是由于在有源MR元件中形成磁疇引起(也被看作巴克好森干擾)，而結(jié)果造成讀回波形中波幅和基線的瞬疇跳躍。這樣能夠有害地影響定位裝置16中的伺服定位反饋系統(tǒng)，而磁盤驅(qū)動裝置10的讀電路中的數(shù)據(jù)出錯率更嚴重。換言之，嚴重地影響磁盤驅(qū)動裝置的使讀/寫磁頭14在磁盤12表示18上記錄的數(shù)據(jù)上方準確定位和可靠地讀記錄數(shù)據(jù)的能力。因此，這能導致磁盤驅(qū)動裝置10運行的完全失靈?，F(xiàn)在參閱圖2A，圖2A表示使用在作示范的MR器件時的常規(guī)的導體幾何形狀。如所示的那樣，通常的MR器件20有一個例如可以用作磁盤驅(qū)動裝置中“讀”磁頭的MR傳感器22。通常的MR器件20的MR傳感器22如所示的那樣不僅有一個MR層有源區(qū)24而且在這樣的作示范的實施例中有一對配置成鄰接MR層有源區(qū)24的相對的端面的縱向偏磁元件26、28。正如在先前的美國專利和專利申請中公開的那樣，例如，縱向偏磁元件26、28可以由永磁元件組成。也正如在先前的美國專利和專利申請中公開的那樣，隔離層30、32可以各自介入在縱向偏磁元件26、28和MR層有源區(qū)26之間。也用圖說明常規(guī)的導體34、36平行地覆蓋在MR層有源區(qū)24上面并與MR層有源區(qū)24連接。關于這一點，能夠看到常規(guī)的導體34、36在MR層有源區(qū)24的范圍內(nèi)各自有成直角的拐角38、40。此外，能夠看到常規(guī)的導體34、36有各自從拐角38、40開始延伸并且通常分別與旁側(cè)邊緣48、48平行和相對的很直的中間邊緣42、44?，F(xiàn)在另外參閱圖2B，表示在圖2A所示的一般MR器件20中的那部分的放大頂面圖，進一步說明通過常規(guī)的導體34、36使電流大體上成直角轉(zhuǎn)向送入MR傳感器22必須橫向通過筆直的中間邊緣42、44而結(jié)果產(chǎn)生直角的拐角38、40。由于使電流大體上轉(zhuǎn)90°一定是在常規(guī)的導體34、36相對應的中間邊緣42、44上，由于這種不均勻電流，遇到發(fā)生疇壁形成的可能較大?，F(xiàn)在另外參閱圖2C，表示在前面的圖2A-2B中所說明的常規(guī)MR器件20的等角圖。在該圖中，能夠看到為了向MR層有源24提供橫向偏磁，磁隔離層(“MSL”)50不但上蓋MR層有源區(qū)24而且下埋軟鄰接層(“SAL”)52。正如所說明的那樣，由常規(guī)的MR器件20的大體上縱向延伸的線54表示MR傳感器22的易磁化軸。由相對的常規(guī)的導體34、36間的距離以及MR層有源區(qū)24的長度設定MR傳感器22的磁道寬度(“TW”)?，F(xiàn)在另外參閱圖3A，表示按照本發(fā)明的MR器件60。MR器件60包含一個具有MR層有源區(qū)64的MR傳感器62。在所說明的實施例中，MR層有源區(qū)64可以由大體上在200-500A之間的NiFe或其他適合的鐵磁性材料組成。根據(jù)前述的美國專利和專利申請的技術(shù)，為了形成縱向偏磁，可以把一對縱向偏磁元件66、68配置成鄰接MR有源區(qū)64的端面。在所說明的實施例中，縱向偏磁元件66、68可以由含有CoPt、CoPtCr或CoPtTa的永磁層組成。應該指出，雖然說明縱向偏磁元件66、68為永磁層但是可以使其他常規(guī)的縱向偏磁技術(shù)包括應用反鐵磁體的本發(fā)明結(jié)合使用。再根據(jù)前面所述的美國專利和專利申請技術(shù)，可以使一對隔離層70、72分別介于縱向偏磁元件66、68和MR層有源區(qū)64的末端部分之間。隔離層70、72可以由非磁性金屬例如Cr組成，要不由絕緣材料例如氧化鋁組成。也用圖說明MR器件60的改進的幾何形狀導體74、76。雖然改進的幾何形狀導體74、76覆蓋在MR層有源區(qū)64上面并連接MR層有源區(qū)64，但是應該指出，在其他一些申請中在這樣形成PM元件時，改進的幾何形狀導體74、76可以通過直接連接縱向偏磁元件66、68形成對MR器件60的電連接。改進的幾何形狀導體74、76含有鄰接MR層有源區(qū)64一個邊緣的拐角78、80而如所表示的那樣，出現(xiàn)具有一個高度(“h”)的第一中間邊緣82、84。改進的幾何形狀導體74、76各自的第一中間邊緣82、84的高度“h”可以精確地等于MR層有源區(qū)64中的帶條高度(MR層有源區(qū)的寬度垂直于易磁化軸)或者如所表示的那樣，稍微大一些。在具體的實施例中“h”可以近似等于5μ。改進的幾何形狀導體74、76還含有各自使第一中間邊緣82、84與相應的第二中間邊緣90、92連接的移位邊緣86、88。關于這一點，雖然大體上表示成直線，但是移位邊緣86、88從第一中間邊緣82、84到相應的第二中間邊緣90、92可以成曲形而仍舊保持在下文中描述的益處。第二中間邊緣82、84各自從第一中間邊緣82、84位移一個距離(“d”)。在所說明的實施例中，d在長度上大體可以在10μ和20μ之間?，F(xiàn)在另外參閱圖3B，為了更好地說明MR傳感器62的結(jié)構(gòu)，把前面圖3A中的MR器件60表示成其等角圖。由近似在100-250A之間的Ta制成的磁隔離層94可以埋在MR層有源區(qū)64的下面。此外，由近似在200-500A之間的NiFeMo組成的軟鄰接層96可以用形成對MR層有源區(qū)64的一個橫向偏磁。如所說明的那樣，MR傳感器62的易磁化軸98大體上處在MR器件的縱向。正如由參閱圖3A-3B能看到的那樣，借助于改進的幾何形狀導體74、76通過MR器60的電流大體上是線性和均勻地通過MR層有源區(qū)64。在這種方法中，形成較均勻的電流圖形從而使MR器件60內(nèi)疇壁形成的可能性和伴生的巴克好森干擾大大下降。如所說明的那樣，經(jīng)由對MR器件60改變其導體的形狀，在MR層有源區(qū)64中的電流圖形變得更合理化并且由于改進了其所有的磁穩(wěn)定性，因此產(chǎn)生更穩(wěn)定的器件性能。這是通過使第一中間邊緣82、84與第二中間邊緣90、92不共線并且通過使后者從MR層有源區(qū)60移動一段距離后達到的。在這種方法中，電流能以小于90°的角度送入MR層有源區(qū)64，這樣使其與常規(guī)的MR器件20(圖2A-2C)有區(qū)別。由于使電流轉(zhuǎn)向拐角離開MR層有源區(qū)64，因此在有源區(qū)域近旁的最大電流密度明顯地下降。所以這就降低了在有源區(qū)中疇壁形成的概率?，F(xiàn)在另外參閱圖4A和4B，表示了常規(guī)MR器件20(圖2A-2C)的常規(guī)的轉(zhuǎn)換曲線100以及MR器件60(圖3A-3B)的改進的轉(zhuǎn)換曲線102。常規(guī)的轉(zhuǎn)換曲線100以及改進的轉(zhuǎn)換曲線102是相對于-150到+150奧斯特(“Oe”)之間的磁場作出，并表明其響應在-600到+600微伏之間。在實驗上，為了使器件處于超過他們從任何起勵磁場6作用的伴生磁性介質(zhì)可以遇到的狀態(tài)，使用100Oe以上的磁場。在這種方法中，器件將很快地顯示出常規(guī)的MR器件20和本發(fā)明的MR器件60之間的內(nèi)在差異，雖然為了模擬由介質(zhì)場引起的幅度的僅需要近似為50到60Oe的磁場。正如能夠看到的那樣，MR器件60的改進的轉(zhuǎn)換曲線102比常規(guī)MR器件20的常規(guī)的轉(zhuǎn)換曲線100顯示出更少的巴克好森噪聲并普遍地顯示出更穩(wěn)定的性能。有重大意義的是，甚至在有與縱向偏磁元件66、68(圖3A-3B)方向相反的15Oe漏磁場的情況下改進的轉(zhuǎn)換曲線102沒有顯示巴克好森干擾。在同樣的條件下，常規(guī)MR器件20在常規(guī)的轉(zhuǎn)換曲線100上顯示出可觀的磁滯現(xiàn)象，磁滯現(xiàn)象是磁不穩(wěn)定性的征兆。MR器件60的特征除了在所有磁穩(wěn)定性上的重大改進外，改進的轉(zhuǎn)換曲線102也顯示出這種設計對高至15奧斯特的易磁化軸漏磁場很不靈敏，這就意味著較好的交叉跟蹤性能。在下列的表1中表示出對應于轉(zhuǎn)換曲線100、102的漢普斯脫(HAMPster)(4A-4B中的轉(zhuǎn)換曲線100、102的數(shù)據(jù)分析軟件)數(shù)據(jù)。表1比較了MR器件60(圖3A-3B)以及常規(guī)MR器件20(圖2A-2B)的磁滯百分比和偏差范圍百分比，并說明了在不但有零漏磁場而且有15奧斯特漏磁場情況下重要性能的增強。磁滯百分比可以由此給出[(轉(zhuǎn)換曲線包圍的面積)/(施加磁場范圍×總幅度)]×100％。偏差范圍百分比可以由此給出([(斜率)最大-(斜率)最小/總幅度)×100％，此處(斜率)是轉(zhuǎn)換曲線對施加磁場的導數(shù)。偏差范圍是在轉(zhuǎn)換曲線中瞬時跳動的征兆，因此是巴克好森干擾的一種測量。表1磁帶％偏差范圍％無漏磁場15奧斯特漏磁場無漏磁場15奧斯特漏磁場MR器件60平均值1.741.61.0251.1標準偏差0.400.3750.10.126一般的MR器件20平均值2.863.681.231.64標準偏差0.801.530.4210.71</table>也應該指出，在實驗上MR器件60的電阻沒有因為改進的幾何形狀導體74、76在外形上的變化而明顯地增高。這是由于在用金(“Au”)作改進的幾何形狀導體74、76中，這樣的電導體占MR器件60中的整個MR電阻的相當小的部分，因此該導體的結(jié)構(gòu)變形對整個MR電阻的影響是可忽略的。然而，裝有改進的幾何形狀導體74、76的MR器件60在讀回過程期間對重寫能力也沒有顯著的影響。從實驗數(shù)據(jù)來看，重寫可以認為與設計無關，而按平均計算近似為38dB(分貝)，完全在設計允許范圍以內(nèi)。結(jié)合PM縱向偏磁的磁阻器件的具體實施例描述本發(fā)明的上述方法時應該清楚地懂得，僅僅通過舉例的方法作以上的闡述而不作為對本發(fā)明范圍的限定。特別是，在本發(fā)明中公開的導體幾何形狀可以用來配合GMR和SV器件以及具有用反鐵磁體和這些使用的傳送偏磁技術(shù)提供不同于SAL偏磁的縱向偏磁的MR器件，例如本發(fā)明可以有利地使用于磁盤驅(qū)動頭、磁帶驅(qū)動頭、螺旋掃描磁頭(例如使用于VCRs)和包括雙縫磁頭的其他計算機大容量存儲器應用，這些應用含有檢測磁場的磁阻薄膜。權(quán)利要求1.一種磁阻器件包括磁阻層，在其有源區(qū)有縱向延伸的易磁化軸；在所述的磁阻層下面為向該處提供橫向偏磁的軟鄰接層；介于在所述的磁阻層和所述的軟鄰接層之間的磁性間隔層；和第一和第二電流導體與所述的磁阻器件成電連接，上述的第一和第二電流導體被構(gòu)成為，把電流以相對于所述的易磁化軸小于90°的角度提供給所述的磁阻器件。2.如權(quán)利要求1的磁阻器件進一步包括配置在所述的磁阻層的側(cè)旁用于向其提供縱向偏磁的第一和第二縱向偏磁元件。3.如權(quán)利要求2的磁阻器件進一步包括介于在所述的第一及第二縱向偏磁元件和所述的磁阻層的相對端面部分之間的第一和第二分隔層。4.如權(quán)利要求3的磁阻器件其中所述的第一和第二分隔層包括介質(zhì)材料。5.如權(quán)利要求4的磁阻器件其中所述的介質(zhì)材料是氧化鋁。6.如權(quán)利要求3的磁阻器件其中所述的第一和第二分隔層包括非磁性金屬。7.如權(quán)利要求6的磁阻器件其中所述的非磁性金屬是Cr。8.如權(quán)利要求1的磁阻器件其中所述的磁阻層包括NiFe。9.如權(quán)利要求1的磁阻器件其中所述的軟鄰接層包括NiFeMo。10.如權(quán)利要求3的磁阻器件其中所述的磁性隔離層包括Ta。11.如權(quán)利要求2的磁阻器件其中所述的第一和第二縱向偏磁元件包括CoPt、CoPtCr或CoPtTa。12.如權(quán)利要求1的磁阻器件其中所述的第一和第二導體分別包括覆蓋在上述的磁阻層上面的第一中間邊緣部分和位移在所述的第一中間邊緣部分旁側(cè)的第二中間邊緣部分。13.如權(quán)利要求12的磁阻器件其中所述的第一和第二導體的所述的第一和第二中間邊緣部分是非共線的。14.如權(quán)利要求12的磁阻器件其中所述的第一中間邊緣部分在長度上大體上等于所述的磁阻器件的帶條高度。15.如權(quán)利要求12的磁阻器件其中所述的第一中間邊緣部分在長度上大體上為5μ。16.如權(quán)利要求12的磁阻器件其中所述的第一中間邊緣部分在長度上大體上大于所述的帶條高度的距離位移在所述的第一中間邊緣部分的旁側(cè)上。17.如權(quán)利要求16的磁阻器件其中所述的距離大體上是在10-20μ之間。18.如權(quán)利要求11的磁阻器件進一步包括磁頭磁盤裝置；至少一種磁性存儲介質(zhì)，可旋轉(zhuǎn)地裝在所述的磁頭磁盤裝置中在其上具有可編碼的數(shù)據(jù)；和至少一種定位器機械裝置，可動地裝在所述的磁頭磁盤裝置中用于將所述的磁阻器件相對于所述的存儲介質(zhì)定位以使選擇部分的所述的數(shù)據(jù)能夠讀出。19.一種磁阻器件包括具有由至少一部分磁阻層形成其有源區(qū)的磁阻結(jié)構(gòu)；和至少一個與所述的磁阻結(jié)構(gòu)電連接的導體，所述的導體有其相對的中間邊緣和旁側(cè)邊緣在那里至少一部分所述的中間邊緣被移位在所述的有源區(qū)旁側(cè)上。20.如權(quán)利要求19的磁阻器件進一步包括被配置在所述的磁阻層的旁側(cè)上以向其提供縱向偏磁的第一和第二縱向偏磁元件。21.如權(quán)利要求20的磁阻器件進一步包括介于在所述的第一及第二縱向偏磁元件和所述的磁阻層的相對的端面部分之間的第一和第二分隔層。22.如權(quán)利要求21的磁阻器件其中所述的第一和第二分隔離層包括介質(zhì)材料。23.如權(quán)利要求22的磁阻器件其中所述的介質(zhì)材料包括氧化鋁。24.如權(quán)利要求21的磁阻器件其中所述的第一和第二分隔層包括非磁性金屬。25.如權(quán)利要求24的磁阻器件其中所述的非磁性金屬包括Cr。26.如權(quán)利要求19的磁阻器件其中所述的磁阻層包括NiF。27.如權(quán)利要求19的磁阻器件其中所述的磁阻結(jié)構(gòu)包括軟鄰接層。28.如權(quán)利要求27的磁阻器件其中所述的軟鄰接層包括NiFeMo。29.如權(quán)利要求27的磁阻器件其中所述的磁阻結(jié)構(gòu)進一步包括磁性隔離層。30.如權(quán)利要求21的磁阻器件其中所述的磁性隔離層包括Ta。31.如權(quán)利要求21的磁阻器件其中所述的第一和第二縱向偏磁元件包括CoPt、CoPtCr或CoPtTa。32.如權(quán)利要求21的磁阻器件其中所述的至少一個導體包括疊在所述的磁阻層上面的第一中間邊緣部分和移位在所述的第一中間邊緣部分旁側(cè)上的第二中間邊緣部分。33.如權(quán)利要求32的磁阻器件其中所述的至少一個導體的所述的第一和第二中間邊緣部分是非共線的。34.如權(quán)利要求32的磁阻器件其中所述的第一中間邊緣部分在長度上大體等于所述的磁阻器件的帶條高度。35.如權(quán)利要求32的磁阻器件其中所述的第一中間邊緣部分在長度上大體上為5μ。36.如權(quán)利要求32的磁阻器件其中所述的第二中間邊緣部分以大體上大于所述的帶條高度的距離，位移在所述的第一中間邊緣部分的旁側(cè)上。37.如權(quán)利要求36的磁阻器件其中所述的距離大體上是在10-20μ之間。38.權(quán)利要求19的磁阻器件進一步包括磁頭磁盤裝置；至少一種磁性存儲介質(zhì)，可旋轉(zhuǎn)地裝在所述的磁頭磁盤裝置中在其上有可編碼的數(shù)據(jù)；和至少一種定位器機械裝置，可動地裝在所述的磁性存儲介質(zhì)定位以能讀出所選擇部分的所述的數(shù)據(jù)。39.一種磁傳感器包括具有有源區(qū)的磁阻層；和至少一個導體，其近側(cè)端面與所述的磁阻層的所述的有源區(qū)電耦合而其遠側(cè)端面從所述的有源區(qū)開始縱向延伸。40.如權(quán)利要求39的磁傳感器其中在所述的近側(cè)端面上的所述的導體寬度小于所述的遠側(cè)端面上的所述的導體寬度。41.如權(quán)利要求39的磁傳感器進一步包括配置在所述的磁阻層旁側(cè)上并向其提供縱向偏磁的第一和第二縱向偏磁元件。42.如權(quán)利要求41的磁傳感器進一步包括介于在所述的第一及第二縱向偏磁元件和所述的磁阻層的相對端面部分之間的第一和第二分隔層。43.如權(quán)利要求42的磁傳感器其中所述的第一和第二分隔層由介質(zhì)材料組成。44.如權(quán)利要求43的磁傳感器其中所述的介質(zhì)材料包括氧化鋁。45.如權(quán)利要求42的磁傳感器其中所述的第一和第二分隔層包括非磁性金屬。46.如權(quán)利要求45的磁傳感器其中所述的非磁性金屬包括Cr。47.如權(quán)利要求39的磁傳感器其中所述的磁阻層包括NiFe。48.如權(quán)利要求39的磁傳感器其中所述的磁阻層形成包括軟鄰接層的磁阻結(jié)構(gòu)的一部分。49.如權(quán)利要求48的磁傳感器其中所述的軟鄰接層包括NiFeMo。50.如權(quán)利要求48的磁傳感器其中所述的磁阻結(jié)構(gòu)進一步包括磁性隔離層。51.如權(quán)利要求50的磁傳感器其中所述的磁性隔離層包括Ta。52.如權(quán)利要求41的磁傳感器其中所述的第一和第二縱向偏磁元件包括CoPt、CoPtCr或CoPtTa。53.如權(quán)利要求39的磁阻器件其中所述的至少一個導體包括疊在所述的磁阻層上面的第一中間邊緣部分和移位在所述的第一中間邊緣部分旁側(cè)上的第二中間邊緣部分。54.如權(quán)利要求53的磁阻器件其中所述的至少一個導體的所述的第一和第二中間邊緣部分是不共線的。55.如權(quán)利要求53的磁阻器件其中所述的第一中間邊緣部分在長度上大體等于所述的磁阻器件的帶條高度。56.如權(quán)利要求53的磁傳感器其中所述的第一中間邊緣部分在長度上大體上為5μ。57.如權(quán)利要求53的磁阻器件其中所述的第二中間邊緣部分以大體上大于所述的帶條高度的距離，位移在所述的第一中間邊緣部分的旁側(cè)上。58.如權(quán)利要求57的磁阻器件其中所述的距離大體上是在10-20μ之間。59.權(quán)利要求39的磁阻器件進一步包括磁頭磁盤裝置；至少一種磁性存儲介質(zhì)，可旋轉(zhuǎn)地裝在所述的磁頭磁盤裝置中在其上有可編碼的數(shù)據(jù)；和至少一種定位器機械裝置，可動地裝在所述的磁性存儲介質(zhì)定位以能讀出所選擇部分的所述的數(shù)據(jù)。全文摘要特別是在讀回操作期間為了有效地消除不希望有的疇壁形成，提供一種磁阻(“MR”)器件裝有的改進的導體幾何形狀，由于提供基本上均勻的電流通過器件有源區(qū)增強了磁穩(wěn)定性。使一對電流導體形成與磁阻器件電連接并且使一對電流導體成型以對順軸小于90°的角度把電流輸入磁阻器件。文檔編號G11B5/39GK1165302SQ9611728公開日1997年11月19日申請日期1996年12月6日優(yōu)先權(quán)日1995年12月8日發(fā)明者史里德哈·巴叔瓦爾申請人:昆騰外圍設備科羅拉多公司