專利名稱：用于制造磁頭的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種制造磁頭的方法，包括步驟生長薄膜，用于至少包括薄片上二維布置中一個磁阻頭和一個薄膜頭的磁頭；從薄片上切下一模塊，其上直線排列著多個磁頭；切削模塊單元中的磁阻頭元件高度(磁阻頭部分的高度)或薄膜頭間隙深度到所需值；以及在上述加工后通過分離模塊制造單個磁頭。
提供用于高密度的再現(xiàn)磁頭的公知裝置是使用磁阻元件的磁阻頭裝置，其電阻響應磁場強度。這種頭稱作磁阻頭(MR頭)，有利用各向異性磁阻效應的AMR(各向異性)頭，以及利用巨磁阻效應的GMR(巨磁阻)頭。
AMR頭包括由如NiFeCr(鎳-鐵-鉻)的磁化磁材料制成的軟相鄰層，非磁中心Ta(鉭)層，由如NiFe(鐵氧體)的材料制成的磁阻(MR)層，基本磁化且由反鐵磁材料的FeMn(鐵-錳)制成的BCS(邊界控制穩(wěn)定)層，以及一對用于提供檢測電流的導電層，它們以對應記錄軌道寬度的距離并列布置在BCS層上，這些層依此順序?qū)盈B，制造磁阻效應元件，利用BCS層在記錄軌道寬度方向上將磁偏加至磁阻層，通過軟相鄰層在垂直BCS層磁偏的方向上將磁偏加至磁阻層。
GMR頭中，利用巨磁阻效應，可取得明顯高于AMR頭的密度。GMR頭的磁阻元件部分也具有層疊結構，其中多個磁性層與插入的非磁性層，一對用于提供檢測電流的導電層層疊，這對導電層以對應記錄軌道寬度的距離并列布置，安裝在磁阻元件部分。
上述磁阻頭只能再現(xiàn)，不能用于記錄。為此，它通常與進行記錄的薄膜頭混合使用，形成復合磁頭。


圖1顯示復合磁頭的主件，而圖2是顯示圖1中磁阻元件部分和導電層的平面圖。
上述圖中，標記10表示磁記錄介質(zhì)上的軌道，20表示將信息記錄在磁記錄介質(zhì)上的薄膜頭形成的記錄頭部分，而30表示完成再現(xiàn)信息的磁阻頭形成的再現(xiàn)部分。記錄頭部分20包括由如NiFe制成的下磁極21，相對下磁極且由如NiFe制成的上磁極22，以及激勵這些磁極21和22的線圈23，記錄頭部分使信息記錄在磁記錄介質(zhì)的軌道10上。在圍繞線圈23的空間中，設有非磁絕緣層24，它由Al2O3或類似物制成，以便其間不剩余空間。
再現(xiàn)頭30由AMR頭，GMR頭或類似物形成，且在磁阻元件部分30A上，一對用于提供檢測電流至磁阻元件部分30A的導電層31，其間距離對應距離軌道寬度。
參照圖3說明記錄頭部分20和再現(xiàn)頭部分30的層疊情況。圖3是截面圖，它顯示從磁記錄介質(zhì)觀察磁頭間隙區(qū)的層疊構造。圖3中，標記25表示一陶瓷基片，其上形成Al2O3或類似物的非磁絕緣層26，NiFe或類似物的下屏蔽層27，以及Al2O3或類似物的非磁絕緣層28，依那個順序，在該非磁絕緣層28頂上形成再現(xiàn)頭30的磁阻元件部分30A。如果再現(xiàn)頭30的磁阻元件部分30A由AMR頭形成，軟相鄰層，由Ta或類似物制成的非磁中心層，由NiFe或類似物制成的磁阻層，且由FeMn或類似物制成BCS層依那個順序形成在非磁絕緣層28上。在該磁阻元件部分30A的頂上，形成一對導電層31，用于提供至磁阻元件部分30A的檢測電流，這些層間的距離對應記錄軌道寬度。
而且，非磁絕緣層32形成在磁阻元件部分30A和導電層31上，且在此頂上形成記錄頭部分20。即，順序形成由NiFe或類似物制成的下磁極(下屏蔽層)21，線圈23(圖3中未示出)，由Al2O3或類似物制成的非磁絕緣層24，以及由NiFe或類似物制成的上屏蔽層22。然后，最后在上磁極22的外側上形成由Al2O3或類似物制成的保護層33，以便覆蓋記錄頭部分20的表面。
制造具有上述結構的磁頭時，加工包括步驟在薄片上生長膜，以便多個磁頭在二維布置上排列，從薄片上切割下其中以直線排列多個磁頭的模塊，切削模塊單元中磁阻頭元件高度或薄膜頭間隙深度至所需值，并在上述加工后通過分離模塊制造單個磁頭。
這樣做，需要通過研磨或類似加工將磁阻頭元件高度(圖13中磁阻元件部分30A的上/下方向?qū)挾?或薄膜頭間隙深度(圖13中間隙部分上/下方向?qū)挾?切削至精確值，由于臨界效應，這影響磁頭特性。這種切削以上述步驟進行。通過研磨或類似加工將作為模塊的待切削的磁阻頭元件高度或薄膜頭間隙深度切削至給定值的公知方法是，形成切削參考電阻圖形，它隨著薄片加工處模塊上的切削進展而減小，并在切削參考電阻圖形的電阻值達到規(guī)定值時的點處停止切削。
但是，切削參考電阻圖形的薄膜厚度和其電阻率變化很大。特別是薄膜厚度，即使在同一薄片內(nèi)也不均勻。為此，存在即使切削參考電阻圖形的電阻值達到規(guī)定值(目標值)，也無法將磁阻頭元件厚度或薄膜頭間隙深度切削至規(guī)定值的問題，而且在制造具有上述結構磁頭的方法中，不可能精確切削磁阻頭元件高度或薄膜頭間隙深度。
作為上述問題的解決方案，可想象每一單獨模塊(模塊為用于切削的單元，也稱作工件)的目標電阻值的設定。但是，這不現(xiàn)實，而且不允許加工自動化。也有不測量電阻值，而直接測量圖形形狀，并在其尺寸達到規(guī)定值的點處停止切削的方法。但是，在這種制造方法中，為測量圖形形狀，隨切削進展需多次停止加工，這種加工伴隨著過多去掉材料的危險，不僅使實際達到高度精確切削困難，而且阻礙加工自動化。
考慮所涉及領域的上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種制造磁頭的方法，它不僅可將磁阻頭元件厚度或薄膜頭間隙深度精確切削至規(guī)定值，不受電阻圖形膜厚度或其電阻率變化的影響，而且可自動化。
本發(fā)明涉及解決上述問題，用于制造包括磁阻頭的磁頭的方法，它具有薄片加工，其中至少包括一個磁阻頭的磁頭以二維布置形成在薄片上，切割加工，其中從薄片上切下其上直線排列多個磁頭的模塊，切削加工，由此上述磁阻頭磁阻元件部分在一個模塊單元中被切削至規(guī)定值，以及分離加工，由此在上述加工后通過從上述模塊分離制造單個磁頭，用于監(jiān)視元件高度切削的電阻監(jiān)視圖形包括第一電阻圖形和第二電阻圖形，第一電阻圖形的表面積隨減少磁阻頭元件高度方向上的切削進展幾乎線性減少，而第二電阻圖形的表面積隨減少磁阻頭元件高度方向上的切削進展以幾乎分段線性方式減少，電阻監(jiān)視圖形在所述薄片加工的同時形成在薄片模塊上，根據(jù)此電阻監(jiān)視圖形的電阻值確定上述切削加工中減少元件高度的切削結束的時刻。
根據(jù)本發(fā)明，隨減少磁阻頭元件高度方向上的切削進展，第一電阻圖形的表面積幾乎線性減少，而第二電阻圖形的表面積幾乎以分段線性方式減少。利用第二電阻圖形表面積變化顯示的位置可知斷點，不管是否已達到切削，通過檢測電阻值變化中斷點的出現(xiàn)可容易且精確地確定該位置，因為表面積中的斷點表現(xiàn)為電阻值變化中的斷點。
這樣，通過有關第二電阻圖形電阻值變化中斷點的出現(xiàn)，利用該斷點出現(xiàn)時第一電阻圖形的電阻值，根據(jù)第一電阻圖形的電阻值可確定結束減少元件高度切削的時刻。這樣做，不僅能精確切削磁阻頭元件高度至規(guī)定值，不受膜厚度和電阻圖形電阻率變化的影響，而且能使加工自動化。
作為確定停止切削時刻方法的例子，有下一方法至少對多個斷點確定第二電阻圖形電阻值變化中出現(xiàn)斷點時第一電阻圖形的電阻值，由此多個電阻值點預測磁阻頭元件高度切削位置與第一電阻圖形電阻值之間的關系，并由此關系確立切削的停止時刻。
更具體地，至少對三個斷點確定第二電阻圖形電阻值變化中出現(xiàn)斷點時第一電阻圖形的電阻值，這三個斷點處的電阻值用于預測磁阻頭元件高度切削位置與第一電阻圖形電阻值之間關系的二階曲線，根據(jù)所預測的二階曲線計算目標元件高度處第一電阻圖形的電阻值，第一電阻圖形的實際測量值達到此計算電阻值時，幾乎同時停止減少元件高度的切削。該方法能得到滿意的高精度精密切削。
本發(fā)明涉及解決上述問題，用于制造包括薄膜頭的磁頭的方法，它具有薄片加工，其中至少包括一個薄膜頭的磁頭以二維布置形成在薄片上，切割加工，其中從薄片上切下其上直線排列多個磁頭的模塊，切削加工，由此上述薄膜頭間隙部分在一個模塊單元中被切削至規(guī)定深度值，以及分離加工，由此在上述加工后通過從上述模塊分離制造單個磁頭，用于監(jiān)視間隙深度切削的電阻圖形包括第一電阻圖形和第二電阻圖形，第一電阻圖形的表面積隨減少上述薄膜頭間隙深度方向上的切削進展幾乎線性減少，而第二電阻圖形的表面積隨減少磁阻頭元件高度方向上的切削進展以幾乎分段線性方式減少，電阻監(jiān)視圖形在上述薄片加工的同時形成在薄片模塊上，根據(jù)此電阻監(jiān)視圖形的電阻值確定上述切削加工中減少間隙深度的切削結束的時刻。
根據(jù)本發(fā)明，隨減少薄膜頭間隙深度方向上的切削進展，第一電阻圖形的表面積幾乎線性減少，而第二電阻圖形的表面積幾乎以分段線性方式減少。利用第二電阻圖形表面積變化顯示的位置可知斷點，不管是否已達到切削，通過檢測電阻值變化中斷點的出現(xiàn)可容易且精確地確定該位置，因為表面積中的斷點表現(xiàn)為電阻值變化中的斷點。
這樣，通過有關第二電阻圖形電阻值變化中斷點的出現(xiàn)，利用該斷點出現(xiàn)時第一電阻圖形的電阻值，根據(jù)第一電阻圖形的電阻值可確定結束減少間隙深度切削的時刻。這樣做，不僅能精確切削薄膜頭間隙深度至規(guī)定值，不受膜厚度和電阻圖形電阻率變化的影響，而且能使加工自動化。
作為確定停止切削時刻方法的例子，有下一方法至少對多個斷點確定第二電阻圖形電阻值變化中出現(xiàn)斷點時第一電阻圖形的電阻值，由此多個電阻值點預測磁阻頭元件高度切削位置與第一電阻圖形電阻值之間的關系，并由此關系確立切削的停止時刻。
更具體地，至少對三個斷點確定第二電阻圖形電阻值變化中出現(xiàn)斷點時第一電阻圖形的電阻值，這三個斷點處的電阻值用于預測薄膜頭間隙深度切削位置與第一電阻圖形電阻值之間關系的二階曲線，根據(jù)所預測的二階曲線計算目標間隙深度處第一電阻圖形的電阻值，第一電阻圖形的實際測量值達到此計算電阻值時，幾乎同時停止減少間隙深度的切削。該方法希望取得高度精確的切削。
本發(fā)明涉及解決上述問題，用于制造包括磁阻頭的磁頭的方法，其另一形式是，具有薄片加工，其中至少包括一個磁阻頭的磁頭以二維布置形成在薄片上，切割加工，其中從薄片上切下其上直線排列多個磁頭的模塊，切削加工，由此上述磁阻頭磁阻元件部分在一個模塊單元中被切削至規(guī)定高度值，以及分離加工，由此在上述加工后通過從上述模塊分離制造單個磁頭，用于監(jiān)視元件高度切削的電阻監(jiān)視圖形包括一種電阻圖形，其表面積隨減少磁阻頭元件高度方向上的切削進展以幾乎分段線性減少，電阻監(jiān)視圖形在上述薄片加工時形成在薄片模塊上，然后，在達到上述磁阻頭高度目標值處的點以前，在由切削位置描述的切削區(qū)內(nèi)，該切削位置處上述電阻圖形的電阻值顯示斷點，確定切削區(qū)中的切削速度，由此切削速度計算達到目標元件高度所需的時間，幾乎與達到上述時間量同時，停止減少元件高度的切削。
根據(jù)本發(fā)明的這一形式，隨減少磁阻頭元件高度方向上的切削進展，電阻圖形的表面積以幾乎分段線性方式減少。利用電阻圖形表面積變化顯示的位置可知斷點，不管是否已達到切削，通過檢測電阻值變化中斷點的出現(xiàn)可容易且精確地確定該位置，因為表面積中的斷點表現(xiàn)為電阻值變化中的斷點。
這樣，在達到磁阻元件高度目標值處的點以前，在由切削位置描述的切削區(qū)內(nèi)，該切削位置處上述電阻圖形的電阻值顯示斷點，確定切削區(qū)中的切削速度，并由此速度計算達到目標元件高度所需的時間。這樣做，不僅能精確切削磁阻頭元件高度至規(guī)定值，不受膜厚度和電阻圖形電阻率變化的影響，而且能使加工自動化。
本發(fā)明涉及解決上述問題，用于制造包括薄膜頭的磁頭的方法，其另一形式是，具有薄片加工，其中至少包括一個薄膜頭的磁頭以二維布置形成在薄片上，切割加工，其中從薄片上切下其上直線排列多個磁頭的模塊，切削加工，由此上述磁阻頭間隙深度部分在一個模塊單元中被切削至規(guī)定高度值，以及分離加工，由此在上述加工后通過從上述模塊分離制造單個磁頭，用于監(jiān)視間隙深度切削的電阻監(jiān)視圖形包括一種電阻圖形，其表面積隨減少薄膜頭間隙深度方向上的切削進展以幾乎分段線性減少，電阻監(jiān)視圖形在上述薄片加工時形成在薄片模塊上，然后，在達到上述薄膜頭間隙深度目標值處的點以前，在由切削位置描述的切削區(qū)內(nèi)，該切削位置處上述電阻圖形的電阻值顯示斷點，確定切削區(qū)中的切削速度，由此切削速度計算達到目標間隙深度所需的時間，幾乎與達到上述時間量同時，停止減少元件高度的切削。
根據(jù)本發(fā)明的這一形式，隨減少薄膜頭間隙深度方向上的切削進展，電阻圖形的表面積以幾乎分段線性方式減少。利用電阻圖形表面積變化顯示的位置可知斷點，不管是否已達到切削，通過檢測電阻值變化中斷點的出現(xiàn)可容易且精確地確定該位置，因為表面積中的斷點表現(xiàn)為電阻值變化中的斷點。
這樣，在達到薄膜共間隙深度目標值處的點以前，在由切削位置描述的切削區(qū)內(nèi)，該切削位置處上述電阻圖形的電阻值顯示斷點，確定切削區(qū)中的切削速度，并由此速度計算達到目標元件高度所需的時間。這樣做，不僅能精確切削薄膜頭間隙深度至規(guī)定值，不受膜厚度和電阻圖形電阻率變化的影響，而且能使加工自動化。
本發(fā)明上述各種情況下的磁頭通常是復合記錄/再現(xiàn)磁頭，其中薄膜記錄頭層疊在再現(xiàn)磁阻頭上。為使切削精確，希望上述的圖形設在模塊兩端和其中心部分。
通過下面參照附圖，描述優(yōu)選實施例，本發(fā)明的上述目的和特點將更明顯，其中圖1顯示普通型復合磁頭主體；圖2是顯示圖1磁阻元件部分和導電層的平面圖；圖3是顯示從圖1磁記錄介質(zhì)觀察間隙區(qū)層疊狀況的截面圖4顯示本發(fā)明中所用電阻監(jiān)視圖形的例子；圖5顯示生長磁頭膜后的薄片；圖6顯示模塊形狀；圖7顯示相對元件高度切削位置模擬電阻值的變化和數(shù)字電阻值的變化；圖8顯示另一下電阻層圖形；圖9A至圖9K顯示本發(fā)明磁頭制造加工；圖10是顯示本發(fā)明確定停止減少磁頭元件高度方向上切削時刻的過程的流程圖；圖11是顯示本發(fā)明確定停止減少磁頭元件高度方向上切削時刻的另一過程的流程圖；圖12是顯示本發(fā)明確定停止減少磁頭元件高度方向上切削時刻的再一過程的流程圖；圖13顯示將模塊壓至研磨板上并處理之的構造，同時在三個部位進行研磨壓力的單獨控制。
參照附圖(4至15)，詳細描述本發(fā)明優(yōu)選實施例。
本發(fā)明優(yōu)選實施例有以下1至4加工步驟。(1)薄片加工以二維布置形成磁頭薄膜，包括一個磁阻頭或者一個薄膜頭。(2)切割加工從薄片上切下一模塊，其上直線排列著多個磁頭。(3)切削加工在模塊的一個單元內(nèi)，切削到磁阻頭元件高度或薄膜頭間隙深度的指定值。(4)分離加工切削加工后將模塊分成單個磁頭。
現(xiàn)在，具體說明每一加工步驟，例如圖5中，薄片1如圖所示接近圓形，在上述的薄片加工中，增長一塊薄膜在表面上(它們包括磁阻頭和/或薄膜頭)形成二維形式的磁頭。
在薄片1上增長磁頭薄膜后，在切割加工中，從薄片1上切下多個模塊。在圖5所示的例子中，在兩行中形成多個模塊2，這些模塊沿輪廓區(qū)域界被切割下來。
如圖6所示，每個模塊2有直線排列的磁頭3，以及本例中在模塊2的兩端和中間提供了一個電阻監(jiān)視圖形4，它用于監(jiān)視切削。磁阻頭的元件高度方向或薄膜頭間隙深度方向?qū)⑹菆D6中的向上方向。在這種情況下，模塊2由研磨而完成，如圖6所示，切削表面就是模塊2的底面2A。
研磨是一種精確的切削形式，其中通過在工作件和研磨板工具之間提供如鉆石粘合液之類的超細研磨混合物，當在工作件和研磨板之間施加合適的壓力，將使它們作相對運動。研磨混合液一次用微量研磨工作件，這樣工作件表面被研磨到一個光滑的精確的表面上。
在研磨模塊2中切削它，在總的三個位置上，即模塊2的兩端和中部，根據(jù)用于監(jiān)視切削的電阻監(jiān)視器圖形的電阻值給模塊2施以研磨壓力獨立控制。
在電阻監(jiān)視圖形4外側有一個切削標記5。此切削標記5用于在使用電阻監(jiān)視圖形4的精確切削之前的預切削。切削加工后，在分割加工中每個模塊2被分成單個的磁頭。
現(xiàn)在描述在本發(fā)明中使用的用于監(jiān)視切削的電阻監(jiān)視圖形。
圖4顯示了用于本發(fā)明的電阻監(jiān)視圖形的例子，這個例子中，由具有隨切削進行幾乎線性減小的表面積的第一電阻圖形形及由具有隨切削進行幾乎線性分段減小的表面積的第二電阻圖形形成電阻監(jiān)視圖形。
圖4中，電阻監(jiān)視圖形40由第一電阻圖形和第二電阻圖形形成。第一電阻圖形41外形成矩形，具有隨切削進行從研磨表面P方向幾乎線性減小的表面積。第二電阻圖形42外形也成矩形，但其內(nèi)側有一窗形空隙(電阻圖形沒有形成的部分，本例中有43至47五部分)。
研磨面P側上的空隙窗口框架部43，44，45，46之間的空間(窗側，它們是斷點出現(xiàn)的位置)和測量參考線(本例中，第一電阻圖形41的頂邊)是Pa＝Pa1，Pa2，Pa3，Pa4，Pa5并且如圖4所示，依次順序尺寸逐漸減小。因為這個原因，隨著從研磨面P方向進行切削，第二電阻圖形42的表面積幾乎線性減小。當所切削的材料量達到研磨面?zhèn)却翱?3，44，45，46和47的框架部分時，出現(xiàn)表面積變化中的斷點。
第一電阻圖形41的電阻值(下稱模擬電阻值，有時簡寫成“AR”)在端子48和49之間測量，而第二電阻圖形42的電阻值(下稱數(shù)字電阻值，有時簡寫成“DR”)在端子49和50之間測量。電阻圖形41和42的電阻值分別與電阻圖形41和42的表面積成反比。所以，在具有表面積斷點的第二電阻圖形42情況下，在數(shù)字電阻值的變化中也出現(xiàn)斷點。
下面詳細說明數(shù)字電阻值中的變化。首先，如果我們看空隙窗口43，設R1是緊靠窗口43下電阻圖形的電阻值，而RV1是窗口最頂部電阻圖形的電阻值，窗口43最頂部的電阻圖形(從窗口43看去，研磨面P的對側)和最底部電阻圖形(研磨面P側)的混合的窗口43頂/底部電阻值是R1和RV1的混合電阻值。在這種情況下，由于緊靠在窗口43上的電阻圖形和窗口43最頂部電阻圖形電氣并聯(lián)，窗口43的頂/底部電阻值對應于電阻值R1和電阻值RV1的并聯(lián)為(R1×RV1)/(R1+RV1)。
切削過程中，RV1減小，并且當切削到研磨面P側上的窗口43框架部分時(在該點，斷點位置與測量參考線之間的距離為Pa＝Pa1)，因為窗口43最底部所有電阻圖形被覆蓋，RV1變?yōu)榱?。為此，此時窗口43頂/底部電阻R就是R1。隨后由于窗口43的存在保持該電阻值為R1，而不管切削進程處于哪個階段。所以，窗口43頂/底部電阻從迅速增加狀態(tài)變到恒定值，在此出現(xiàn)斷點。
窗口44，45，46和47的狀態(tài)類似。即，如果窗口44，45，46和47的最頂部電阻圖形的電阻值為R2，R3，R4和R5，且窗口44，45，46和47的最底部電阻圖形的電阻值為RV2，RV3，RV4，和RV5，窗口44，45，46和47頂/底部電阻值分別為(R2×RV2)/(R2+RV2)，(R3×RV3)/(R3+RV3)，(R4×RV4)/(R4+RV4)，(R5×RV5)/(R5+RV5)。
但是，切削過程中，RV2，RV3，RV4和RV5減小，并且當切削到研磨面P側上的窗口44，45，46和47的框架部分時(在該點，斷點位置與測量參考線之間的距離分別為Pa＝Pa2，Pa3，Pa4和Pa5)，因為窗口44，45，46和47最底部所有電阻圖形被覆蓋，此時窗口43頂/底部電阻值就是R2，R3，R4和R5。隨后由窗口43的存在保持該電阻值為R1，而不管切削進程處于哪個階段。所以，窗口44，45，46和47頂/底部電阻從迅速增加狀態(tài)變到恒定值，在此出現(xiàn)斷點。
第二電阻圖形42與窗口43，44，45，46，和47頂/底部(電阻)串聯(lián)。為此原因，當切削進展到窗口43，44，45，46和47研磨面P側上的框架部分時，距離Pa分別達到Pa1，Pa2，Pa3，Pa4和Pa5的值，在端子49和50之間測得的數(shù)字電阻值變化中出現(xiàn)斷點。
圖7顯示對于元件高度切削位置(距離Pa)模擬電阻Ra中的變化(近似)和數(shù)字電阻值Rd中的變化，曲線F1顯示端子48和49之間測量的模擬電阻，而曲線F2顯示端子49和50之間測量的數(shù)字電阻值Rd。
在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，通過檢測電阻圖形40數(shù)字電阻值Rd變化中的斷點，可知道磁阻頭元件高度和/或薄膜頭間隙深度的切削階段。這樣，為達到進一步改進切削精度的目的，精確測定該斷點很重要。
為此原因，例如，通過選擇RV1至RV5初始值為R1至R5值的約1/3，考慮R1至R5值與RV1至RV5初始值的關系，可有效地使斷點明顯出現(xiàn)。例如，改變R1至R5和RV1至RV5之間的大小關系的方法是，從窗口43看去，研磨面P側圖形部分上形成一個研磨層，即，形成RV1至RV5(圖4中固定部分)的圖形部分，低電阻材料的電阻遞減層，以便減小RV1至RV5。如果形成的電阻遞減層的橫向?qū)挾任⑿∮诖翱?3至47的橫向?qū)挾?，在切削進展到窗口43至47的每一個的研磨面P側上的框架部分時，即使電阻遞減層剩余，RV1至RV5將不受此影響，并變?yōu)榱恪?br> 從顯示數(shù)字電阻值Rd的信號中檢測斷點出現(xiàn)時刻的方法包括(1)以固定間隔監(jiān)視數(shù)字電阻值Rd電平(例如，以其間出現(xiàn)的研磨小于0.1um的時間間隔)，并確定斷點出現(xiàn)的時刻為Rd中出現(xiàn)最大變化的點；(2)區(qū)別顯示數(shù)字電阻值Rd的信號，并準時從該區(qū)別信號中出現(xiàn)峰值的點中確定斷點出現(xiàn)的時刻。不管使用哪種方法，都可精確確定斷點。
電阻監(jiān)視圖形大多與磁頭(磁阻頭和/或薄膜頭)有精確的位置關系。為此，除了以與在薄片加工中形成磁阻元件相同的加工步驟生長電阻監(jiān)視圖形外，例如，希望用象磁阻元件的一個且相同罩以及一個且相同步驟完成圖形，使圖形精確性與實際磁阻頭元件或類似物的一樣。
為了生長上述電阻遞減層薄膜，可在電阻監(jiān)視圖形，而不是電阻遞減層上生長絕緣層，其上可噴涂或涂覆電阻遞減層。該電阻遞減層的圖形不局限與圖4所示的圖形，可繼續(xù)形成電阻遞減層，如圖8所示，對應窗口43至47的每一個。由此，形成電阻遞減層圖形。
當薄膜記錄頭疊層在再現(xiàn)磁阻頭上的復合記錄/再現(xiàn)磁頭用作磁頭時，可與形成磁阻元件部分的同時形成電阻監(jiān)視圖形，使用與磁阻元件相同的材料，形成上部屏蔽層作為磁阻頭和薄膜頭之間的電阻遞減層。圖9A至圖9K顯示這種情況下所用制造過程。
在這些制造過程中，首先在基片71(圖9A)上形成基片保護層，依此順序(圖9B和圖9C)，其上形成NiFe或類似物制成的低屏蔽層73，以及Al2O3制成的絕緣層74。然后，在絕緣層74(圖9D)的頂上形成磁阻元件部分75。如果結構是用AMR頭制成磁阻頭75，在絕緣層74上應依次形成軟相鄰層，Ta或類似物制成的非磁中心層，NiFe或類似物制成的磁阻層，以及FeMn或類似物制成的BCS層。在此例中，以一個且相同過程形成圖形75A，用作電阻監(jiān)視圖形。
一對端子76，以對應記錄軌道寬度的距離，形成在磁阻元件部分75上，以便提供檢測電流。端子76A用于檢測模擬電阻值，和數(shù)字電阻值同時形成(圖9E)。另外，非磁絕緣層77形成在磁阻元件部分75和端子76上(圖9F)，其上形成薄膜頭，后面將說明。
首先，由NiFe或類似物形成上屏蔽層(下磁極)78。該上屏蔽層78的部分78A也形成在圖形75A的頂上(圖9G)，且部分78A形成上述電阻遞減層。然后，薄膜頭的間隙層79形成(圖9H)，線圈也是如此(圖10中未示出)，且上磁極80由NiFe或類似物制成(圖9I)。然后，形成用于磁阻頭和電阻監(jiān)視的端子后(圖9J)，為覆蓋薄膜頭的表面在外側形成Al2O3或類似物制成的保護層82(圖9K)。上述操作完成如圖9A至圖9K所示的形成圖形制造過程。
首先，必須測量確定電阻監(jiān)視圖形的尺寸(例如，斷點出現(xiàn)點與圖4所示測量參考線之間的距離Pa＝Pa1，Pa2，Pa3，Pa4和Pa5或磁阻頭情況下，磁阻元件部分51研磨面P與測量參考線之間相對側邊緣之間的距離σ)。從進行精確測量的觀點出發(fā)，希望在薄片加工期間進行這種測量(例如，緊接在形成磁阻元件部分51和電阻監(jiān)視圖形40后)。可測量薄片的所有模塊，但也可測量有代表性的模塊，所得測量值可用作附近模塊的測量值。
本發(fā)明中，使用如上所述電阻監(jiān)視圖形進行磁阻頭元件高度和/或薄膜頭間隙深度的切削。然后，將參照圖10的流程說明使用上述電阻監(jiān)視圖形40，建立停止切削時刻的方法，該切削減少元件高度。
(A)使用第一和第二電阻圖形41和42的第一方法在上述圖4中，通過用研磨板進程(步驟S10和S11)以減小磁阻頭元件高度的方向切削時，在薄片加工時形成的電阻監(jiān)視圖形40也被覆蓋，結果減小電阻圖形41和電阻圖形42的表面積。然后，當切削進展至電阻圖形42窗口43研磨面P側上的框架部分，斷點出現(xiàn)點與測量參考線之間的距離Pa減至Pa1時，斷點出現(xiàn)在數(shù)字電阻(DR)Rd＝Rd1處，如圖7所示。然后檢測該斷點，并檢測該斷點出現(xiàn)點處電阻圖形41中模擬電阻(AR)Ra＝Ra1(步驟S12)。
另外，當切削進展至電阻圖形42窗口44研磨面P側上的框架部分，斷點出現(xiàn)點與測量參考線之間的距離Pa減至Pa2時，斷點出現(xiàn)在數(shù)字電阻(DR)Rd＝Rd2處，檢測斷點出現(xiàn)點處的模擬電阻(AR)Ra＝Ra2(步驟S13)(步驟14)。隨后，以同樣方式，當斷點出現(xiàn)位置與測量參考線之間的距離Pa為Pa3，Pa4等等(步驟S14)時，斷點出現(xiàn)的每一時刻(數(shù)字電阻值Rd＝Rd3，Rd4等等)，在相應斷點處檢測的模擬電阻值Ra＝Ra3，Ra4等等(步驟S16)。
檢測到3個斷點時，這些斷點處的模擬電阻值Ra用于預測元件高度切削位置(斷點出現(xiàn)位置與測量參考線之間的距離Pa)之間關系的第二序列曲線且預測模擬電阻值Ra(步驟S15)。
即，模擬電阻Ra設為Ra＝A*Pa2+B*Pa+C(這里A，B，C是常數(shù))，當Pa＝Pa1時，Pa＝Pa2時，Pa＝Pa3時，在公式中代入Ra＝Ra1，Ra＝Ra2，Ra＝Ra3的實際測量值。從通過這些數(shù)字代入得到的有關A，B和C值的三個等式中，確定A，B，和C的特定值，從而建立第二序列等式Ra＝APa2+BPa+C。
然后，切削結束位置與測量參考線之間的距離目標值TA(上述距離σ目標元件高度MRh的和)代入上述所預測的第二序列等式中的Pa，且計算目標值TA處的模擬電阻值Rf＝Rf3。并以此間隔繼續(xù)切削。在此例中，當斷點出現(xiàn)點與測量參考線之間的距離Pa為Pa4時，出現(xiàn)下一斷點。在斷點出現(xiàn)時準時檢測該點模擬電阻值Ra＝Raf，為獲得最新第二序列等式，當測量值為Pa＝Pa2時，Pa＝Pa3時，Pa＝Pa4時，代入Ra＝Ra2，Ra＝Ra3，Ra＝Ra4到第二序列等式Ra＝A*Pa2+B*Pa+C(步驟17)。
從通過新值代換得到的有關A，B和C的三個等式中，獲得A，B和C的特定值，建立新的二階等式Ra＝A*Pa2+B*Pa+C，切削結束位置與測量參考線之間距離的目標值TA代入已更新的二階等式Pa，計算目標值TA處新的模擬電阻值Raf＝Rf4。
如果電阻圖形41的實際測量值Rax達到R4f，不管此時第一電阻圖形41的測量值是否已達到計算的電阻值Rf4，達到此值的同時，停止切削加工中減小元件高度的切削(步驟S21)。
在此例中，新的模擬電阻值Rf4重新計算期間，可能出現(xiàn)第一電阻圖形41的電阻Rax實際測量值達到模擬電阻值Rf3。這種情況下，在達到Rf3點時停止切削(步驟S18)。如果，由重新計算模擬電阻Rf4的新值確定的結果，新的電阻值Rf4小于前Rf3值，且在重新計算新模擬電阻值Rf4的點處第一電阻圖形41的Rax實際測量值已超過新模擬電阻值Rf4，則在第一電阻圖形41的實際測量值Rax達到前模擬電阻值Rf3點時停止切削(步驟S22)(并可立即停止切削)。
按上述確定方法，可確立停止切削的時刻而不受電阻圖形薄膜厚度或電阻率變化的影響。而且，因為從第一電阻圖形41的電阻值中可精確預定達到切削目標量的時刻，不僅可進行上述精確切削，而且可使加工自動化。
(B)使用第一和第二電阻圖形41和42的第二方法在進行精確切削中，當希望模擬電阻值的變化接近二階或以上時，如果斷點距離接近，即使用兩斷點之間的Ra＝B×Pa+C近似值也可進行精確切削。圖11示出在這種切削中用于建立停止切削時刻的過程。這種情況下，當實際測量值Pa＝Pa2時將Ra＝Ra2代入所述等式而實際測量值Pa＝Pa3時將Ra＝Ra3代入所述等式(步驟S30和S31)，并由有關已得到的B和C值的兩個等式中獲得B和C的特定值，這些值確立直線Ra＝B×Pa+C(步驟S32)。
然后，切削結束位置與測量參考線之間距離的目標值TA代入該預測一階等式中的PA，計算目標值TA處的模擬電阻值(步驟S35)。在此期間繼續(xù)切削。當斷點出現(xiàn)位置與測量參考線之間距離Pa等于Pa4的點處出現(xiàn)下一斷點時，在斷點出現(xiàn)時的點處檢測模擬電阻值Ra＝Ra4后，得到最新直線，當實際測量值Pa為Pa3時，將Ra＝Ra3值代入直線等式Ra＝B×Pa+C，而當實際測量值Pa為Pa4時，將Ra＝Ra4值代入直線等式Ra＝B×Pa+C。然后，由新值代入獲得的有關B和C的兩個等式確定B和C的特定值，這些值建立新的直線Ra＝B×Pa+C，切削結束位置與測量參考線之間距離的目標值TA代入該新一階等式的Pa后，計算該目標值TA處的模擬電阻值Raf＝Rf4(步驟S35)。使用模擬電阻值Rf3和Rf4的方法與二階曲線的情況完全相同。
為簡化判斷，還有一種方法，其中只判斷Rf4，它是判斷中所用唯一判據(jù)。這種情況下，在檢測第四斷點處，計算Rf4，且當模擬電阻實際測量值超過此值時，停止切削(步驟S36)。
(C)使用第二電阻圖形42的方法僅僅使用第二電阻圖形42可確立停止切削的時刻。圖12示出在這種切削中用于確立停止切削時刻的過程。
在這種方法中，在達到元件高度目標值的點以前，在由切削位置描述的切削區(qū)內(nèi)，該切削位置處電阻圖形42的電阻值顯示斷點，檢測切削區(qū)中的切削速度，并由此速度計算達到目標元件高度所需的時間，達到該時間的同時停止切削。
具體地，隨著以減小磁阻頭元件高度方向進行切削(步驟S40和S41)，薄片加工期間已形成的電阻監(jiān)視圖形40也被切削，且電阻圖形41和電阻圖形42的表面積減小(步驟S42)。然后切削到電阻圖形42窗口43研磨面P側上的框架部分，于是當斷點出現(xiàn)位置與測量參考線之間的距離減小至Pa1時，在Rd＝Rd1點處出現(xiàn)斷點(步驟S43)。
然后，切削進展至電阻圖形42窗口44研磨面P側上的框架部分，且當斷點出現(xiàn)位置與測量參考線之間的距離Pa減小至Pa2時，在數(shù)字電阻值Rd等于Rd2點處出現(xiàn)斷點(步驟S44)。然后，切削進行到電阻圖形42窗口45研磨面P側上的框架部分，且當斷點出現(xiàn)位置與測量參考線之間的距離Pa減小至Pa3時，在數(shù)字電阻值Rd等于Rd3點處出現(xiàn)斷點(步驟S45)。當意識到該斷點出現(xiàn)位置與測量參考線之間的距離Pa已成為Pa3時，開始計算研磨時間。
然后，隨著切削進行到電阻圖形42窗口46研磨面P側上的框架部分，當斷點出現(xiàn)位置與測量參考線之間的距離Pa成為Pa3時，在數(shù)字電阻值Rd等于Rd4點處出現(xiàn)斷點(步驟S47)。當意識到該斷點出現(xiàn)位置與測量參考線之間的距離Pa已成為Pa4時，停止計算研磨時間(步驟S45)。以這種發(fā)式計算的時間是由達到目標元件高度前一個切削區(qū)中電阻圖形42電阻值變化中的斷點描述的切削區(qū)內(nèi)的研磨時間T43。
然后，計算研磨速度S43＝(Pa3-Pa4)/T43(步驟S49)。由于達到目標元件高度值的區(qū)域內(nèi)研磨速度也可處理為近似等于切削速度S43，除了計算(步驟S50)達到切削結束位置與測量參考線之間距離(目標元件高度MRh與上述間隙σ之和)目標值的時間量Tf(Pa4＝TA)/S外，設立定時器以便達到該時間量Tf時停止切削(步驟S51)。經(jīng)過時間Tf后，停止切削(步驟S52)。如果在由計算確定時間Tf點處已達到該時間Tf，則立即停止切削。
在以上又一確定方法中，可確立停止切削的時刻而不受薄膜厚度或電阻圖形電阻率變化的影響。而且，因為可預測停止切削中達到目標值的時刻，不僅可精確切削至目標元件高度，而且可使加工自動化。
上述說明均是在用一個電阻圖形進行切削控制的情況下，通過研磨切削模塊時，如上所述，可向研磨板加壓，同時以共三點，模塊的兩端和模塊的中心部分，根據(jù)電阻圖形的電阻值進行單獨控制壓力，以便監(jiān)視切削。圖13顯示這種情況下的切削構造，利用壓緊研磨板的模塊，在三個地方進行研磨壓力單獨控制。
圖13中，電阻監(jiān)視圖形60L，60C和60R均具有與上述電阻監(jiān)視圖形40完全相同的構造，它們形成在待切削模塊70的左端，中心和右端。電阻檢測電路61L，61C和61R是分別檢測電阻監(jiān)視圖形60L，60C和60R的模擬電阻值和數(shù)字電阻值的電路，從而接觸電阻監(jiān)視圖形60L，60C和60R的端子。數(shù)字信號處理器62L，62C和62R消除來自有關電阻監(jiān)視圖形60L，60C和60R模擬電阻值和數(shù)字電阻值的信號中的噪音和異常值，將其轉(zhuǎn)換為數(shù)字數(shù)據(jù)，并送到中央處理單元(CPU)63。
例如，數(shù)字信號處理器62L，62C和62R在給定的時間期間取得電阻檢測電路61L，61C和61R輸出信號的多個采樣，并輸出模擬電阻值和數(shù)字電阻值的平均值。因為由于研磨混合物、機械噪音，以及電氣噪音的影響，來自電阻檢測電路61L，61C和61R的輸出信號含有噪音，采樣電阻檢測電路61L，61C和61R的輸出信號并將其A/D轉(zhuǎn)換后，它們經(jīng)過帶通濾波(數(shù)字濾波)，然后從其數(shù)字數(shù)據(jù)最大值端和最小值端移去規(guī)定數(shù)目采樣數(shù)據(jù)，從剩余數(shù)據(jù)得到平均值，然后輸出。
中央處理單元(CPU)63讀出數(shù)字信號處理器(DSP)62L，62C和62R的每一個輸出數(shù)據(jù)，通過輸入/輸出設備(I/O)64輸出至壓力產(chǎn)生機構65L，65C和65R作為模塊70左端，中心和右端處研磨壓力的目標值。停止切削時，輸出結束信號至研磨控制板66。
模塊70固定于保持夾具67的底面，并壓緊研磨板以便研磨。保持夾具67在其左右端由分叉的保持叉68保持。上述壓力產(chǎn)生機構65L，65C和65R利用壓電設備、氣缸，或步進馬達或類似物產(chǎn)生壓力，壓力產(chǎn)生機構65L通過保持夾具67的左端將模塊70的左端壓向研磨板，壓力產(chǎn)生機構65R通過保持夾具67的右端將模塊70的右端壓向研磨板，而壓力產(chǎn)生機構65C向研磨板壓低于保持夾具67的槽67A的模塊70中心部分(左部分)。壓力產(chǎn)生機構65C使部分保持夾具67彎曲，從而將模塊70的中心部分壓緊研磨板。
在模塊70中，左右端之間存在尺寸差別，它由切割尺寸變化引起，且由安裝保持夾具67的條件變化引起中心部分不均勻。實際切削中，開始單獨驅(qū)動壓力產(chǎn)生機構65L，65C和65R，單獨控制模塊70左端，中心和右端的研磨壓力，根據(jù)從電阻監(jiān)視圖形60L，60C和60R中獲得的數(shù)字電阻值里斷點出現(xiàn)的時刻進行機械加工。
例如，使用如上述電阻監(jiān)視圖形的情況下，有五個斷點，因為第四與第五斷點之間存在目標值，至少在第四斷點出現(xiàn)之前必須結束判斷斷點出現(xiàn)時刻。具體地，必須控制模塊70左端，中心和右端研磨壓力，使得在第二斷點出現(xiàn)以前首先進行粗調(diào)節(jié)，根據(jù)此數(shù)據(jù)，在第三斷點出現(xiàn)前進行精確調(diào)節(jié)，然后均勻切削整個表面。
斷點出現(xiàn)位置與測量參考線之間的實際距離Pa和模擬電阻Pa的實際測量值在模塊70的左端，中心和右端之間不同，代入上述近似等式，使用左端，中心和右端的平均值。因此，作為停止切削信號的例子，在左端，中心和右端模擬電阻Ra的平均值達到左端，中心和右端目標值的平均值處，中央處理單元63輸出END信號至研磨控制板66。
雖然上述說明是在存在五個斷點的情況下，但不必作此限制。而且，雖然上述說明是以磁阻頭元件高度作例子，但其可以完全相同的方式用于薄膜頭情況下切削至間隙深度的規(guī)定值。
如上所述，作為本發(fā)明優(yōu)選實施例的第一特點，在涉及包括磁阻頭的磁頭制造方法的第一發(fā)明中，隨著在減少磁阻頭元件高度方向上的切削進展，第一電阻圖形的表面積幾乎線性減少，而第二電阻圖形的表面積以幾乎分段線性方式減少。利用第二電阻圖形表面積變化顯示的位置可知斷點，不管是否已達到切削，通過檢測電阻值變化中斷點的出現(xiàn)可容易且精確地確定該位置。
這樣，通過聯(lián)系第二電阻圖形電阻值變化中斷點的出現(xiàn)與斷點出現(xiàn)時第一電阻圖形電阻值，可根據(jù)第一電阻圖形的電阻值確定結束減少元件高度切削的時刻。這樣做，不僅能將磁阻頭元件高度精確切削至規(guī)定值，不受薄膜厚度和電阻圖形電阻率變化的影響，而且能使加工自動化。
特別是，至少對三個斷點確定第二電阻圖形電阻值變化中出現(xiàn)斷點時第一電阻圖形電阻值，這三個斷點處的電阻值用于預測磁阻頭元件高度切削位置與第一電阻圖形電阻值之間關系的二階曲線，根據(jù)所預測的二階曲線計算目標元件高度處第一電阻圖形的電阻值，第一電阻圖形實際測量電阻值達到該計算電阻值時，幾乎同時停止減少元件高度的切削，從而可精確切削。
作為本發(fā)明優(yōu)選實施例的第二特點，隨著在減少薄膜頭間隙深度方向上的切削進展，第一電阻圖形的表面積幾乎線性減少，而第二電阻圖形的表面積以幾乎分段線性方式減少。利用第二電阻圖形表面積變化顯示的位置可知斷點，不管是否已達到切削，通過檢測電阻值變化中斷點的出現(xiàn)可容易且精確地確定該位置。
這樣，通過聯(lián)系第二電阻圖形電阻值變化中斷點的出現(xiàn)與斷點出現(xiàn)時第一電阻圖形電阻值，可根據(jù)第一電阻圖形的電阻值確定結束減小間隙深度切削的時刻。這樣做，不僅能將薄膜頭間隙深度精確切削至規(guī)定值，不受薄膜厚度和電阻圖形電阻率變化的影響，而且能使加工自動化。
特別是，至少對三個斷點確定第二電阻圖形電阻值變化中出現(xiàn)斷點時第一電阻圖形電阻值，這三個斷點處的電阻值用于預測薄膜頭間隙深度切削位置與第一電阻圖形電阻值之間關系的二階曲線，根據(jù)所預測的二階曲線計算目標間隙深度處第一電阻圖形的電阻值，第一電阻圖形實際測量電阻值達到該計算電阻值時，幾乎同時停止減少元件高度的切削，從而可精確切削。
作為本發(fā)明優(yōu)選實施例的第三特點，隨著在減少磁阻頭元件高度方向上的切削進展，第一電阻圖形的表面積幾乎線性減少，而第二電阻圖形的表面積以幾乎分段線性方式減少。利用第二電阻圖形表面積變化顯示的位置可知斷點，不管是否已達到切削，通過檢測電阻值變化中斷點的出現(xiàn)可容易且精確地確定該位置。
這樣，在達到磁阻元件高度目標值的點以前，在由切削位置描述的切削區(qū)內(nèi)，該切削位置處上述電阻圖形的電阻值顯示斷點，檢測切削區(qū)中的切削速度，并由此速度計算達到目標元件高度所需的時間。這樣做，不僅能將磁阻頭元件高度精確切削至規(guī)定值，不受薄膜厚度和電阻圖形電阻率變化的影響，而且能使加工自動化。
按照涉及用于包括薄膜頭的磁頭制造方法的第四發(fā)明，隨著在減少薄膜頭間隙深度方向上的切削進展，第一電阻圖形的表面積幾乎線性減少，而第二電阻圖形的表面積以幾乎分段線性方式減少。利用第二電阻圖形表面積變化顯示的位置可知斷點，不管是否已達到切削，通過檢測電阻值變化中斷點的出現(xiàn)可容易且精確地確定該位置，因為表面積中的斷點表現(xiàn)為電阻值變化中的斷點。
這樣，在達到薄膜頭間隙深度目標值的點以前，在由切削位置描述的切削區(qū)內(nèi)，該切削位置處上述電阻圖形的電阻值顯示斷點，檢測切削區(qū)中的切削速度，并由此速度計算達到目標間隙深度所需的時間。這樣做，不僅能將薄膜頭間隙深度精確切削至規(guī)定值，不受薄膜厚度和電阻圖形電阻率變化的影響，而且能使加工自動化。
總之，在上述每一實施例中，通過在模塊每一端提供電阻監(jiān)視圖形，可進一步改進切削精度。
權利要求
1.一種用于加工磁頭的方法，包括步驟以二維布置在薄片上形成多個磁頭，包括至少一個磁阻頭；從薄片上切下一模塊，其上直線排列著多個磁頭；切削作為一個模塊的所述磁阻頭的磁阻頭部分到規(guī)定高度；將已切削模塊分離成單個磁頭；其特征在于，用于監(jiān)視元件高度切削的電阻監(jiān)視圖形包括第一電阻圖形和第二電阻圖形，第一電阻圖形的表面積隨減少磁阻頭元件高度方向上的切削進展幾乎線性減少，而第二電阻圖形的表面積隨減少磁阻頭元件高度方向上的切削進展以幾乎分段線性方式減少，電阻監(jiān)視圖形在所述薄片加工的同時形成在薄片模塊上，且其特征在于，根據(jù)所述電阻監(jiān)視圖形的電阻值確定所述切削中減少元件高度的切削結束的時刻。
2.如權利要求1的用于加工磁頭的方法，其特征在于，至少對多個斷點確定所述第二電阻圖形電阻值中出現(xiàn)斷點時該點處所述第一電阻圖形電阻值，且其特征在于，由所述多個電阻值預測所述磁阻頭元件高度切削位置與所述第一電阻圖形電阻值之間的關系，根據(jù)所述關系確立減少元件高度的所述切削的停止時刻。
3.如權利要求1的用于加工磁頭的方法，其特征在于，所述磁頭是復合磁頭，其中薄膜記錄頭層疊在再現(xiàn)磁阻頭上。
4.如權利要求1的用于加工磁頭的方法，其特征在于，所述電阻監(jiān)視圖形設在模塊的兩端和中心部分。
5.如權利要求2的用于加工磁頭的方法，其特征在于，至少對三個斷點確定所述第二電阻圖形電阻值變化中出現(xiàn)斷點時該點處所述第一電阻圖形的電阻值，且其特征在于，預測所述磁阻頭元件高度切削位置與所述第一電阻圖形電阻值之間關系的二階曲線，根據(jù)所預測的二階曲線確定目標元件高度處所述第一電阻圖形的電阻值，所述第一電阻圖形的實際測量值達到所述計算電阻值時，幾乎同時停止減少元件高度的所述切削步驟的切削。
6.如權利要求2的用于加工磁頭的方法，其特征在于，所述磁頭是復合磁頭，其中薄膜記錄頭層疊在再現(xiàn)磁阻頭上。
7.如權利要求2的用于加工磁頭的方法，其特征在于，所述電阻監(jiān)視圖形設在模塊的兩端和中心部分。
8.一種用于加工磁頭的方法，包括步驟以二維布置在薄片上形成多個磁頭，包括一個薄膜頭；從薄片上切下一模塊，其上直線排列著多個磁頭；切削作為一個模塊的所述薄膜頭間隙到規(guī)定深度；將已切削模塊分離成單個磁頭；其特征在于，用于監(jiān)視間隙深度切削的電阻監(jiān)視圖形包括第一電阻圖形和第二電阻圖形，第一電阻圖形的表面積隨減少薄膜頭間隙深度方向上的切削進展幾乎線性減少，而第二電阻圖形的表面積隨減少磁阻頭元件高度方向上的切削進展以幾乎分段線性方式減少，電阻監(jiān)視圖形在所述薄片加工的同時形成在薄片模塊上，且其特征在于，根據(jù)所述電阻監(jiān)視圖形的電阻值確定所述切削中減少間隙深度的切削結束的時刻。
9.如權利要求8的用于加工磁頭的方法，其特征在于，至少對多個斷點確定所述第二電阻圖形電阻值中出現(xiàn)斷點時該點處所述第一電阻圖形的電阻值，且其特征在于，由所述多個電阻值預測所述薄膜頭間隙深度切削位置與所述第一電阻圖形電阻值之間的關系，根據(jù)所述關系確立減少間隙深度的所述切削的停止時刻。
10.如權利要求8的用于加工磁頭的方法，其特征在于，所述磁頭是復合磁頭，其中薄膜記錄頭層疊在再現(xiàn)磁阻頭上。
11.如權利要求8的用于加工磁頭的方法，其特征在于，所述電阻監(jiān)視圖形設在模塊的兩端和中心部分。
12.如權利要求9的用于加工磁頭的方法，其特征在于，至少對三個斷點確定所述第二電阻圖形電阻值變化中出現(xiàn)斷點時該點處所述第一電阻圖形的電阻值，且其特征在于，預測所述薄膜頭間隙深度切削位置與所述第一電阻圖形電阻值之間關系的二階曲線，根據(jù)所預測的二階曲線確定目標間隙深度處所述第一電阻圖形的電阻值，所述第一電阻圖形的實際測量值達到所述計算電阻值時，幾乎同時停止減少間隙深度的所述切削步驟的切削。
13.如權利要求9的用于加工磁頭的方法，其特征在于，所述磁頭是復合磁頭，其中薄膜記錄頭層疊在再現(xiàn)磁阻頭上。
14.如權利要求9的用于加工磁頭的方法，其特征在于，所述電阻監(jiān)視圖形設在模塊的兩端和中心部分。
15.一種用于加工磁頭的方法，包括步驟以二維布置在薄片上形成多個磁頭，包括至少一個磁阻頭；從薄片上切下一模塊，其上直線排列著多個磁頭；切削作為一個模塊的所述磁阻頭的磁阻頭部分到規(guī)定高度；將已切削模塊分離成單個磁頭；其特征在于，電阻監(jiān)視圖形用于監(jiān)視磁阻頭元件高度切削，所述監(jiān)視圖形包括一電阻圖形，該電阻圖形的表面積隨減少磁阻頭元件高度方向上的切削進展以幾乎分段線性方式減少，電阻監(jiān)視圖形在所述薄片加工的同時形成在薄片模塊上，然后，在所述切削步驟中，在達到所述磁阻頭高度所述目標值處的點以前，在由切削位置描述的切削區(qū)內(nèi)，該切削位置處所述電阻圖形的電阻值顯示斷點，確定切削區(qū)中的切削速度，并由所述切削速度計算達到所述目標元件高度所需的時間，幾乎與達到所述時間量同時，停止減少所述元件高度的切削。
16.如權利要求15的用于加工磁頭的方法，其特征在于，所述磁頭是復合磁頭，其中薄膜記錄頭層疊在再現(xiàn)磁阻頭上。
17.如權利要求15的用于加工磁頭的方法，其特征在于，所述電阻監(jiān)視圖形設在模塊的兩端和中心部分。
18.一種用于加工磁頭的方法，包括步驟以二維布置在薄片上形成多個磁頭，包括至少一個薄膜頭；從薄片上切下一模塊，其上直線排列著多個磁頭；切削作為一個模塊的所述薄膜頭的間隙到規(guī)定深度；將已切削模塊分離成單個磁頭；其特征在于，電阻監(jiān)視圖形用于監(jiān)視薄膜頭間隙深度切削，所述監(jiān)視圖形包括一電阻圖形，該電阻圖形的表面積隨減少薄膜頭間隙深度方向上的切削進展以幾乎分段線性方式減少，電阻監(jiān)視圖形在所述薄片加工的同時形成在薄片模塊上，然后，在所述切削步驟中，在達到所述薄膜頭間隙深度所述目標值處的點以前，在由切削位置描述的切削區(qū)內(nèi)，該切削位置處所述電阻圖形的電阻值顯示斷點，確定切削區(qū)中的切削速度，并由所述切削速度計算達到所述目標元件高度所需的時間，并幾乎與達到所述時間量同時，停止減少所述間隙深度的切削。
19.如權利要求18的用于加工磁頭的方法，其特征在于，所述磁頭是復合磁頭，其中薄膜記錄頭層疊在再現(xiàn)磁阻頭上。
20.如權利要求19的用于加工磁頭的方法，其特征在于，所述電阻監(jiān)視圖形設在模塊的兩端和中心部分。
全文摘要
在一種加工磁頭的方法中，從薄片上切下模塊，切削磁阻頭元件高度或薄膜磁頭間隙深度至規(guī)定值，用于監(jiān)視元件高度切削的電阻監(jiān)視圖形在所述薄片加工的同時形成在薄片模塊上，所述監(jiān)視圖形包括其表面積隨減少元件高度方向上的切削進展以幾乎線性方式減少的第一電阻圖形和其表面積隨減少元件高度方向上的切削進展以幾乎分段線性方式減少的第二電阻圖形，根據(jù)電阻監(jiān)視圖形的電阻值在切削期間確定停止減少元件高度的切削的時刻。
文檔編號G11B5/33GK1154533SQ9612330
公開日1997年7月16日 申請日期1996年11月8日 優(yōu)先權日1996年11月8日
發(fā)明者綿貫基一 申請人:富士通株式會社