專利名稱：具有部分反射金合金層的雙層光學(xué)介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
總體而言，本發(fā)明涉及光學(xué)介質(zhì)領(lǐng)域，具體說(shuō)來(lái)，涉及具有兩個(gè)或多個(gè)信息存儲(chǔ)層的光學(xué)介質(zhì)范疇。發(fā)明背景在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)領(lǐng)域中，對(duì)更大存儲(chǔ)容量和更高性能的需求似乎永無(wú)止境。在預(yù)先記錄的光盤領(lǐng)域，如CD盤，VCD盤，通常通過(guò)增加單位光盤面積上的存儲(chǔ)量來(lái)增大存儲(chǔ)容量。但是，在光學(xué)記錄系統(tǒng)中可實(shí)現(xiàn)的最大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度受到了光學(xué)系統(tǒng)可分辨的最小細(xì)節(jié)的限制。對(duì)于傳統(tǒng)的遠(yuǎn)場(chǎng)成象系統(tǒng)而言，可分辨的最小細(xì)節(jié)的尺寸受到衍射效應(yīng)的限制，而接近于可用光源的波長(zhǎng)，其光源通常是固態(tài)激光二極管。于是，一種提高光盤存儲(chǔ)容量的方法是縮短激光二極管的波長(zhǎng)。盡管激光二極管發(fā)出的適用波長(zhǎng)已經(jīng)被逐步縮短，但由于固態(tài)技術(shù)和材料的局限性這種縮短并不顯著。
現(xiàn)在已經(jīng)提出了許多用于提高光學(xué)記錄系統(tǒng)存儲(chǔ)容量的技術(shù)。其中包括(1)更高效的數(shù)據(jù)編碼方法，例如脈沖寬度調(diào)制；(2)光學(xué)的和／或磁的超高分辨技術(shù)；(3)恒定角速度分區(qū)記錄；(4)先進(jìn)的數(shù)據(jù)信道檢測(cè)方法，如空間響應(yīng)／最大似然檢測(cè)，及(5)同時(shí)在光盤的槽和背區(qū)域上記錄。
與提高存儲(chǔ)容量的前述方法有賴于光盤單位面積上存儲(chǔ)量的增加不同，提高光盤容量的另一種方法是在光盤上添加附加存儲(chǔ)層，這種附加存儲(chǔ)層可以單獨(dú)地記錄或再現(xiàn)。于是，這種情況下的解決途徑是提高光盤的可尋址面積。由于這種途徑僅僅通過(guò)適度增加介質(zhì)與記錄系統(tǒng)的復(fù)雜程度即可具有大大提高介質(zhì)存儲(chǔ)容量的潛力，因此它頗具吸引力。如果要在光盤的一側(cè)用光束再現(xiàn)多個(gè)存儲(chǔ)層，例如2個(gè)，則光盤上其中的一個(gè)存儲(chǔ)層必須有足夠的反射率以使其可被光束再現(xiàn)出來(lái)，而且還要有足夠的透射率以使讓光束能穿過(guò)第一存儲(chǔ)層而到達(dá)第二存儲(chǔ)層。發(fā)明概述因此，本發(fā)明提供了一種具有部分反射層和透明間隔層的光盤，它可以使一束再現(xiàn)光束聚焦在光盤中的兩個(gè)不同平面的任一平面上。該盤包括一透明基片，在該透明基片的一個(gè)側(cè)面上具有特征圖紋，如凹坑。與該特征圖紋相鄰設(shè)有一個(gè)部分反射層。在該部分反射層的上方設(shè)有一透明聚合物間隔層，且在該間隔層上方有一高反射層。
部分反射層包括含兩種金屬的金屬合金，一種金屬是金，另一種是其折射率實(shí)部為n虛部為K的金屬，其中在650nm波長(zhǎng)處測(cè)得為n≤1且K≥2。該金屬合金具有通式AuxMy，其中10＜x＜90且10＜y＜90，而M是第二種金屬。一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中第二金屬具有n≤0．8且K≥3。在另一個(gè)實(shí)施例中n≤0．65且K≥3．5。
在一個(gè)實(shí)施例中，第二金屬是銀，且金屬合金具有通式AuxAgy，其中10＜x＜90而10＜y＜90。在另一些優(yōu)選實(shí)施例中，15＜x＜90而10＜y＜85；15＜x＜40而60＜y＜85；20＜x＜80而20＜y＜80；20＜x＜60而40＜y＜80；以及20＜x＜40而60＜y＜80。
在另一個(gè)實(shí)施例中，第二金屬是銅。在此實(shí)施例中，金屬合金最好具有通式AuxCuy，其中80＜x＜90且10＜y＜20。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，金屬合金包括金，銀，和銅，并且具有通式AuxAgyCuz，其中20＜x＜75，20＜y＜75，且5＜z＜20。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，基片由聚碳酸酯制成，而間隔層由光致聚合物制成。在間隔層與高反射層相鄰的一側(cè)可以設(shè)有一第二凹坑或特征圖紋。間隔層的厚度最好在5至100μm范圍內(nèi)。
本發(fā)明還包括一種包含有上述介質(zhì)的光學(xué)存儲(chǔ)系統(tǒng)。該系統(tǒng)進(jìn)一步包括一可被定位以透過(guò)基片入射到該介質(zhì)上的聚焦激光束，用于調(diào)節(jié)激光束焦點(diǎn)位置落在或者部分反射層或者高反射層上的裝置，以及一被設(shè)置為可檢測(cè)從該介質(zhì)反射出來(lái)的激光束的光電檢測(cè)器。
本發(fā)明還包括具有上述部分反射層的雙層預(yù)先記錄光盤，和采用此種光盤的存儲(chǔ)系統(tǒng)。附圖的簡(jiǎn)要說(shuō)明

圖1表示本發(fā)明的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)。
圖2是反射率作為含金的部分反射層厚度函數(shù)的一個(gè)曲線圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，折射率實(shí)部(n)作為金-銀合金薄膜層中含銀量函數(shù)的一個(gè)曲線圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例中，折射率實(shí)部(n)作為金-銅合金薄膜層中含銅量函數(shù)的一個(gè)曲線圖。詳細(xì)說(shuō)明圖1表示出本發(fā)明的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)10。光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)12包括透明基片14，第一數(shù)據(jù)凹坑圖紋15上面的部分反射薄膜層16，透明間隔層18，和第二數(shù)據(jù)凹坑圖紋19上面的高反射層20。激光器30向介質(zhì)12發(fā)射激光束，如圖1所示。光電檢測(cè)器32檢測(cè)激光束中被薄膜層16或20反射的光，而且該檢測(cè)器根據(jù)該薄膜層上具體光斑處凹坑的有無(wú)檢測(cè)出光強(qiáng)的調(diào)制信號(hào)。
盡管圖紋15和19被稱為“數(shù)據(jù)凹坑圖紋”，但凹坑圖紋15和19可以是能存儲(chǔ)信息的任何凹坑或凹槽的圖紋，不管是數(shù)據(jù)信息、伺服或循跡信息還是格式化信息等等。
獨(dú)立地讀取第一或第二凹坑圖紋15或19的能力，取決于普通光盤讀出系統(tǒng)較為有限的焦深特性。普通光學(xué)記錄機(jī)／播放機(jī)所采用的、用于在介質(zhì)存儲(chǔ)層上形成限制了衍射的激光光斑的鏡頭，具有適中(0．4至0．6)的數(shù)值孔徑，以提高分辨率和存儲(chǔ)密度。這種鏡頭顯示出的焦深(即在聚焦的光斑尺寸大致保持在衍射限度內(nèi)的情況下，焦距變化的范圍)大約為2μm；當(dāng)焦距變化大時(shí)光斑的尺寸迅速擴(kuò)大。因此，如果部分反射薄膜層16表現(xiàn)出適度的透過(guò)率，且兩個(gè)數(shù)據(jù)凹坑圖紋15與19分開的距離比光學(xué)系統(tǒng)焦深大，則激光器30可以聚焦在任一數(shù)據(jù)凹坑圖紋上，并且與其它數(shù)據(jù)凹坑圖紋之間的串音足夠低。于是，盡管激光器30的光會(huì)被兩層16和20一起反射回到檢測(cè)器32，但僅有激光聚焦于其上的那一層會(huì)強(qiáng)烈地調(diào)制反射光強(qiáng)，從而能使其數(shù)據(jù)讀出。
通過(guò)先聚焦在反射層16或20之一上，并在轉(zhuǎn)換焦點(diǎn)位置而聚焦到另外的反射層上之前再現(xiàn)出整個(gè)該層上的數(shù)據(jù)，介質(zhì)10上的數(shù)據(jù)凹坑圖紋15和19可以很容易地被再現(xiàn)出來(lái)。另外，在完全再現(xiàn)出包含在數(shù)據(jù)凹坑圖紋15和19之一中的數(shù)據(jù)之前，可能需要一次或多次轉(zhuǎn)換焦點(diǎn)位置。在任何一種情況下，利用由透明層18分隔開的兩個(gè)數(shù)據(jù)凹坑圖紋，都能有效地使光學(xué)記錄介質(zhì)10的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量加倍。
另一種結(jié)構(gòu)可以包括兩個(gè)透明基片，在它們的一個(gè)表面上分別有不同的模制或復(fù)制數(shù)據(jù)凹坑圖紋。本文所述的金屬半反射層被沉積在第一基片上的第一數(shù)據(jù)凹坑圖紋上，而高反射層被沉積在第二基片上的第二數(shù)據(jù)凹坑圖紋上。然后，用透明粘合劑(可以還是光致聚合物或其它聚合物材料)將兩個(gè)涂覆的基片粘合在一起，使得兩個(gè)粘合表面之間有均勻的間隔。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該知道實(shí)現(xiàn)上述金屬半反射層以構(gòu)成有兩個(gè)或多個(gè)信息表面的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)的其它方法，其中這些信息表面可以被入射到光盤結(jié)構(gòu)一個(gè)側(cè)面上的光束尋址。
透明基片14可以采用能以足夠保真度支承模制出的數(shù)據(jù)凹坑圖紋15的適合作光盤基片的聚合物材料，如聚碳酸酯或者非晶態(tài)聚烯烴。此外，可以采用如玻璃或聚甲基丙烯酸甲酯等平板基片，并借助于光致聚合物復(fù)制來(lái)形成數(shù)據(jù)凹坑圖紋。
透明間隔層18可以是聚合物，如光致固化聚合物，其復(fù)折射率實(shí)部n大約在1．45至1．6范圍，虛部K小于10-4更適宜小于10-5。透明間隔層18應(yīng)足夠地厚，以使激光器30聚焦在任何一個(gè)數(shù)據(jù)凹坑圖紋15和19上而串音最小。這具體反映到厚度上，是適宜在大約5至100μm的范圍內(nèi)，更適宜在大約10至50μm的范圍。
高反射層20可以是對(duì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)所用的激光波長(zhǎng)具有高反射率的金屬層?，F(xiàn)行所用的激光二極管光源的輻射波長(zhǎng)大約在600至850nm的范圍內(nèi)。鋁，金，銀，銅及它們的合金可以在該波長(zhǎng)范圍呈現(xiàn)出適當(dāng)?shù)母叻瓷渎省８叻瓷鋵?0適宜具有至少70％的反射率，更適宜為至少80％。
為了減小光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)10的復(fù)雜程度和降低成本，需要使每個(gè)數(shù)據(jù)凹坑圖紋15和19中讀出信號(hào)的平均信號(hào)電平近似相等。于是，當(dāng)檢測(cè)器32檢測(cè)時(shí)，層16和20的視在反射率也近似相等。
在本文中，術(shù)語(yǔ)“視在反射率”是指入射到透明基片14的光當(dāng)在任意層16或20的平坦區(qū)域上聚焦成光斑時(shí)，理論上可以被光學(xué)讀出設(shè)備檢測(cè)到的光功率百分比。假設(shè)讀出設(shè)備包括一個(gè)激光器，一個(gè)適當(dāng)結(jié)構(gòu)的光路，和一個(gè)光電檢測(cè)器。再假設(shè)光路中最靠近透明基片14的光學(xué)元件是一個(gè)大數(shù)值孔徑的物鏡(＞0．4)。在本文中，術(shù)語(yǔ)“內(nèi)表面反射率”或“內(nèi)界面反射率”是指入射到介質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)界面上(如，透明基片14與部分反射層16之間的界面或間隔層18與高反射層20之間的界面)的光被反射的光功率百分比。
為了確定部分反射層16所必需的反射率，我們假定高反射層20由鋁構(gòu)成，它使入射到間隔層18與高反射層20之間內(nèi)界面上的光反射大約80至85％。而且還假設(shè)，間隔層18的折射率實(shí)部n為1．5，基片14是折射率實(shí)部n為1．57的聚碳酸酯，空氣-基片界面處的反射對(duì)讀出信號(hào)沒(méi)有影響。如果我們進(jìn)一步假設(shè)部分反射層16是沒(méi)有吸收的理想材料，可以看出，當(dāng)在基片14與部分反射層之間界面觀察時(shí)的大約0．35的反射率將使層16和20的視在反射率相互平衡。部分反射層16不吸收是理想情況，實(shí)際的部分反射層材料很可能有一些吸收。如果我們選擇吸收25％光(并非限定此為可接受吸收率的上限)的假想部分反射層，我們發(fā)現(xiàn)需要大約0．25的內(nèi)表面反射率來(lái)平衡層16和20的反射率。在此情況下，兩層的視在反射率大約都比部分反射層不吸收的情況少30％。所以，下面的實(shí)例將基片14與層16之間界面處的內(nèi)表面反射率限定在大約0．25至0．35的范圍內(nèi)。考慮到基片-空氣界面的反射衰減，上述范圍對(duì)應(yīng)于光學(xué)讀出設(shè)備測(cè)得的視在反射率大約為0．24至0．33。
部分反射層16的優(yōu)選材料是金。金之所以適合，是因?yàn)樗偷恼凵渎蕦?shí)部分量(n≈0．3)以及它的環(huán)境穩(wěn)定性(見實(shí)例1)。但采用金的缺點(diǎn)是它昂貴的費(fèi)用。申請(qǐng)人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，為了降低部分反射層的總成本，金可以與其它較為便宜的金屬制成合金。這種被合鑄金屬不必具有與金一樣的環(huán)境穩(wěn)定性(因?yàn)榻饡?huì)給該該合金帶來(lái)環(huán)境穩(wěn)定性)。其次，被合鑄的材料還應(yīng)該具有與金相似的低折射率實(shí)部(n)，以使得折射率實(shí)部不因合金元素的加入而明顯增大。第三，被合鑄的材料應(yīng)該比金便宜得多。
部分反射層的金屬合金應(yīng)該每100％合金原子中包含至少10％，更適宜為至少15％，且最好約為至少20％金原子，以確保合金的環(huán)境穩(wěn)定性。
金屬合金適宜有通式AuxMy，其中10＜x＜90而10＜y＜90，M是第二金屬。第二金屬M(fèi)適宜具有實(shí)部為(n)虛部為(K)的折射率，其中在650nm處測(cè)量n≤1且K≥2，更適宜n≤0．8且K≥3，最適宜n≤0．65且K≥3．5。一種適宜的第二金屬是銀。該合金適宜具有通式AuxAgy，其中10＜x＜90而10＜y＜90；更適宜15＜x＜90而10＜y＜85；更為適宜20＜x＜80而20＜y＜80；甚為適宜20＜x＜60而40＜y＜80；且最為適宜20＜x＜40而60＜y＜80。
在另一個(gè)實(shí)施例中，第二金屬M(fèi)可以是銅。在此優(yōu)選實(shí)施例中，合金具有通式AuxCuy，其中80＜x＜90而10＜y＜20。這些取值范圍保證了合金的環(huán)境穩(wěn)定性。金與銀和銅的合金也是適合的。這種合金應(yīng)適宜具有通式AuxAgyCuz，其中20＜x＜75，20＜y＜75，且5＜z＜20。
部分反射層16適宜具有大約8至14nm范圍的厚度，更適宜在大約10至12nm范圍內(nèi)。為了使部分反射層的反射率(R)和透射率(T)達(dá)到最大，必須使該層的吸收率(A)降至最低(因?yàn)镽+T+A=1)。部分反射層的吸收率是該層折射率實(shí)部和虛部n和K乘積的函數(shù)。要使吸收最小，就應(yīng)使n·K的乘積最小。由于金屬的K值一般都較大，因此主要是減小n。部分反射層16的折射率適宜為在650nm波長(zhǎng)處測(cè)得為n≤1且K≥2，更適宜為n≤0．8且K≥3，而最適宜n≤0．65且K≥3．5。
現(xiàn)在將參考下述非限定性的實(shí)例，進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。(所有測(cè)量值都是近似值)實(shí)例1用直流磁控管濺射技術(shù)在玻璃平板和聚碳酸酯盤上制備金薄膜。濺射壓強(qiáng)保持在2mTorr，金的沉積速率是7．8nm／min。在玻璃平板上沉積一組金膜，以確定在650nm波長(zhǎng)處反射率／透射率與膜厚度的相關(guān)程度。這些數(shù)據(jù)也用于獲取金膜的復(fù)折射率。圖2表示反射率和透射率對(duì)膜厚的依賴關(guān)系。
從這些數(shù)據(jù)中，確定650nm波長(zhǎng)處的金膜復(fù)折射率為n=0．29和K=3．72。然后，將這個(gè)折射率用于預(yù)測(cè)聚碳酸酯／金／光致聚合物結(jié)構(gòu)的反射率和透射率，該結(jié)構(gòu)會(huì)給出至少0．20部分反射率和足夠的透射率，以便從高反射層獲得0．20的反射率。預(yù)定的厚度是11nm。對(duì)聚碳酸酯盤濺射涂覆金膜，然后密封涂覆厚度近似為11μm的光致聚合物。盤的反射率和透射率可以在平行光分光光度計(jì)上測(cè)得。在λ=650nm時(shí)，R=0．257而T=0．685。這些R和T的值可以達(dá)到從部分反射層和高反射層反射至少0．20的目標(biāo)。然后，將樣品盤置于80℃相對(duì)濕度85％的環(huán)境中。金膜與聚碳酸酯和光致聚合物的粘合性能極好。金部分反射光盤在該環(huán)境中反射率和透射率的變化列于如下的表1中。
表1Au部分反射層的環(huán)境性能
在測(cè)量誤差之內(nèi)，金膜的反射率和透射率在置于80℃相對(duì)濕度85％的環(huán)境中并不隨時(shí)間惡化。所以，在此苛刻條件下金膜的穩(wěn)定性極好，表明這種材料是理想的部分反射層材料。
實(shí)例2用共同沉積來(lái)自獨(dú)立的磁控管源的Ag和Au，制備出膜AgxAu100-x。該沉積過(guò)程以2×10-7Torr為本底壓強(qiáng)在一真空系統(tǒng)中完成。對(duì)于所有合金范圍，濺射壓強(qiáng)保持在2mTorr，且兩個(gè)源的組合沉積速率在7至17nm／min的范圍。通過(guò)變換各個(gè)源的沉積速率控制合金膜的原子組分，并通過(guò)電感耦合等離子體(ICP)組分測(cè)量方法進(jìn)行交替檢查。在玻璃平板上沉積9-10nm標(biāo)稱厚度的合金膜，以從反射率和透射率的測(cè)量中獲取折射率分量n和K。折射率實(shí)部分量對(duì)Ag-Au合金中Ag含量的依賴關(guān)系曲線表示在圖3中。
從圖3中可知，任何二元Ag和Au合金的折射率實(shí)部(n)都小于1．0。對(duì)于含10％Ag原子至60％Ag原子范圍的二元合金，折射率的實(shí)部和虛部已用于確定聚碳酸酯盤／AgxAu100-x／光致聚合物結(jié)構(gòu)中合金層的厚度，該結(jié)構(gòu)給出至少0．20的部分反射率和足夠的透射率，以便由高反射層達(dá)到至少0．20的視在反射率。表2列出了用分光光度計(jì)測(cè)得的含10％至60％Ag原子的合金的合金膜光學(xué)參數(shù)，用于制造樣品盤的合金層厚度，和所得部分反射的夾層結(jié)構(gòu)的反射率和透射率。這些盤的反射率和透射率滿足至少0．20的部分反射率和足以從高反射層獲得至少0．20視在反射率的足夠透射率的要求。
表2對(duì)于λ=650nm時(shí)AgxAu100-x部分反射盤的特性
實(shí)例3折射率n＜1．0的另一個(gè)合金實(shí)例是Au100-xCux合金。與Ag-Au合金一樣，可以通過(guò)共同沉積來(lái)自獨(dú)立的磁控管濺射源的Au和Cu制備Au-Cu合金膜。真空系統(tǒng)的本底壓強(qiáng)為2×10-7Torr，濺射壓強(qiáng)保持在2mTorr。兩個(gè)源的組合沉積速率在12至18nm／min范圍。通過(guò)單獨(dú)控制Au和Cu源的沉積速率改變合金膜的原子組分，并通過(guò)ICP測(cè)量方法交替檢查所選的Au-Cu合金組分。為了確定光學(xué)特性n和K，首先在玻璃平板上沉積標(biāo)稱厚度為10nm的樣品合金膜。用分光光度計(jì)測(cè)量合金膜的反射率和透射率，并從λ=650nm處的測(cè)量結(jié)果中確定出折射率的實(shí)部(n)和虛部(K)。圖4表示n隨Cu原子百分比的變化情況。Au100-xCux膜的折射率實(shí)部(n)至少在x≤60時(shí)小于1．0。插在x=60與x=100之間的數(shù)據(jù)點(diǎn)表明n將繼續(xù)保持低于1．0，而K在此范圍內(nèi)將大于2．0。然后，與Ag-Au合金膜一樣，這些膜的光學(xué)常數(shù)被用于確定聚碳酸酯盤／Ag100-xCux／光致聚合物結(jié)構(gòu)中所需的合金膜厚度，該結(jié)構(gòu)給出至少0．20的部分反射率和足夠的透射率，以便使高反射層達(dá)到至少0．20的視在反射率。
表3列出了在分光光度計(jì)上測(cè)得的合金的光學(xué)參數(shù)，合金層厚度，和所得部分反射盤的反射率和透射率。這里的數(shù)據(jù)表明這些有Au-Cu合金膜的盤其反射率和透射率滿足至少0．20的部分反射率和足以從高反射層獲得至少0．20視在反射率的足夠透射率的要求。
表3對(duì)于λ=650nm時(shí)Au100-xCux部分反射盤的特性合金n K t(nm) R TAu90Cu100．43 4．24 10 0．28±0．01 0．55±0．0權(quán)利要求
1．一種光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)(12)，依次包括一透明基片(14)，在其一個(gè)主表面上具有特征圖紋(15)；一相鄰于該特征圖紋的部分反射層(16)，該部分反射層由金屬合金制成，該合金包括作為第一金屬的金和其折射率實(shí)部為n虛部為K的第二金屬M(fèi)，其中在650nm波長(zhǎng)處n≤1且K≥2，而且金屬合金具有通式AuxMy，其中10＜x＜90且10＜y＜90；一透明聚合物間隔層(18)；以及一高反射層(20)。
2．一種光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)(12)，依次包括一透明基片(14)，在其一個(gè)主表面上具有特征圖紋(15)；一相鄰于該特征圖紋的部分反射層(16)，該部分反射層由金屬合金制成，該合金包括金和銀，該合金具有實(shí)部為n虛部為K的折射率，其中在650nm波長(zhǎng)n≤1且K≥2，而且金屬合金具有通式AuxAgy，其中10＜x＜90且10＜y＜90；一透明聚合物間隔層(18)；以及一高反射層(20)。
3．一種雙層預(yù)先記錄的光盤(12)，依次包括一透明基片(14)，在其一個(gè)主表面上具有第一數(shù)據(jù)凹坑圖紋(15)；一相鄰于該第一數(shù)據(jù)凹坑圖紋的部分反射層(16)，該層包括具有通式AuxAgy的金銀合金，其中10＜x＜60且40＜y＜90；一透明間隔層(18)，在其一個(gè)主表面上具有第二數(shù)據(jù)凹坑圖紋(19)，所述的主表面位于該間隔層的與部分反射層相反的一側(cè)；以及一個(gè)與第二數(shù)據(jù)凹坑圖紋相鄰的高反射層(20)。
4．一種預(yù)先記錄的光盤存儲(chǔ)系統(tǒng)(10)包括一預(yù)先記錄的光盤(12)，依次包括一透明基片(14)，在其一個(gè)主表面上具有第一數(shù)據(jù)凹坑圖紋(15)；一相鄰于該第一數(shù)據(jù)凹坑圖紋的部分反射層(16)，該層包括具有通式AuxAgy的金銀合金，其中15＜x＜40且60＜y＜85；一透明間隔層(18)，在其一個(gè)主表面上具有第二數(shù)據(jù)凹坑圖紋(19)，所述的主表面位于該間隔層的與部分反射層相反的一側(cè)；和一個(gè)與第二數(shù)據(jù)凹坑圖紋相鄰的高反射層(20)；一被導(dǎo)引透過(guò)基片入射到光盤上的聚焦激光束(30)；調(diào)節(jié)激光束焦點(diǎn)位置，從而使該光束可以聚焦在或者部分反射層或者高反射層之上的裝置；以及一個(gè)用于檢測(cè)從光盤反射出來(lái)的激光束的光電檢測(cè)器(32)。
5．如權(quán)利要求1、2或3的介質(zhì)，或權(quán)利要求4的系統(tǒng)，其中n≤0．65且K≥3．5。
6．如權(quán)利要求1或2的介質(zhì)，其中20＜x＜80且20＜y＜80。
7．如權(quán)利要求1、2或3的介質(zhì)，其中20＜x＜40且60＜y＜80。
8．如權(quán)利要求1的介質(zhì)，其中第二金屬是銅，且該金屬合金具有通式AuxCuy，其中80＜x＜90且10＜y＜20。
9．如權(quán)利要求1的介質(zhì)，其中第二金屬是銀，且其中該金屬合金還包括銅，而該金屬合金具有通式AuxAgyCuz，其中20＜x＜75，20＜y＜75，且5＜z＜20。
10．如權(quán)利要求1、2或3的介質(zhì)，或權(quán)利要求4的系統(tǒng)，其中間隔層的厚度在大約5至100μm的范圍內(nèi)。
11．如權(quán)利要求1、2或3的介質(zhì)，或權(quán)利要求4的系統(tǒng)，其中部分反射層有8至14nm厚。
全文摘要
一種雙層預(yù)先記錄的光盤(12)包括:透明基片(14),部分反射層(16),透明間隔層(18),和高反射層(20)?；舷噜徲诓糠址瓷鋵釉O(shè)有一數(shù)據(jù)凹坑圖紋(15);且在間隔層上,相鄰于高反射層設(shè)有另一數(shù)據(jù)凹坑圖紋(19)。部分反射層可以由具有通式Au
文檔編號(hào)G11B7/24GK1205792SQ96199182
公開日1999年1月20日 申請(qǐng)日期1996年10月7日 優(yōu)先權(quán)日1996年10月7日
發(fā)明者杰弗里·M·弗勞爾扎克, 邁克爾·B·亨茨 申請(qǐng)人:伊美申公司