專利名稱：磁光記錄介質(zhì)及其再生方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁光記錄介質(zhì)和它的再生方法，更詳細(xì)地涉及能夠使與再生光點(diǎn)相比極微小的記錄磁區(qū)擴(kuò)大和再生的適合于高密度記錄的磁光記錄介質(zhì)和它的再生的方法。
背景技術(shù)：
磁光記錄介質(zhì)使重寫記錄的信息成為可能，因?yàn)樗怯涗浫萘看螅铱煽啃愿叩挠涗浗橘|(zhì)，所以開始將它用作計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器等進(jìn)行實(shí)用化。可是，伴隨著信息量的增大和裝置的小型化，需要更加高密度的記錄再生技術(shù)。為了在磁光記錄介質(zhì)上記錄信息，可以利用將激光照射到磁光記錄介質(zhì)上同時(shí)，將極性與記錄信號(hào)對(duì)應(yīng)的磁場(chǎng)加到溫度上升部分的磁場(chǎng)調(diào)制法。這個(gè)方法使重寫記錄成為可能，而且能夠?qū)崿F(xiàn)高密度的記錄，例如，實(shí)現(xiàn)用0.15μm的最短標(biāo)記長(zhǎng)度進(jìn)行的記錄。又，也正在進(jìn)行在一定的外加磁場(chǎng)下，用和記錄信號(hào)對(duì)應(yīng)的功率調(diào)制的光照射并記錄的光調(diào)制記錄方式的實(shí)用化。
可是，為了使高密度記錄的記錄標(biāo)記再生，由再生光束的光點(diǎn)直徑?jīng)Q定的光學(xué)再生分辨率就成為問題了。例如，用光點(diǎn)直徑為1μm的再生光，不可能識(shí)別并再生磁區(qū)長(zhǎng)0.15μm的微小標(biāo)記。為了消除由這種再生光的光學(xué)點(diǎn)直徑引起的對(duì)再生分辨率的制約，作為方法之一，例如，已經(jīng)提出了在Journal of Magnetic Society of Japan.Vol.17Supplement No.S1，pp.201(1993)中記載的磁超圖象分辨技術(shù)(MSR)。它是利用當(dāng)再生光照射磁光記錄介質(zhì)時(shí)在再生光點(diǎn)內(nèi)部的磁性膜上產(chǎn)生的溫度分布，使在點(diǎn)內(nèi)發(fā)生磁的掩模，從而縮小引起信號(hào)再生的起實(shí)效的點(diǎn)徑的方法。如果利用這種技術(shù)，即便不縮小實(shí)際的再生光的點(diǎn)直徑，也能提高再生分辨率?？墒?，在這種方法中，因?yàn)橐揽看诺难谀Ｊ蛊饘?shí)效的光點(diǎn)直徑變小了，所以使引起再生輸出的光量降低，因此，使再生的C/N降低了。結(jié)果，難以得到足夠的C/N。
在日本公開專利平成元年143041號(hào)公報(bào)中，有在室溫下相互磁耦合的第1磁性膜，第2磁性膜和第3磁性膜，當(dāng)?shù)?，第2和第3磁性膜的居里溫度為TC1，TC2和TC3時(shí)，設(shè)TC2＞室溫，并且TC2＜TC1，TC3，利用第1磁性膜的頑磁力HC1在第2磁性膜的居里溫度TC2附近充分地小，第3磁性膜的頑磁力HC3從室溫到比TC2高的所要溫度TPR的溫度范圍內(nèi)，比所要磁場(chǎng)足夠大的磁光記錄介質(zhì)，展示了使第1磁性膜的記錄磁區(qū)擴(kuò)大并進(jìn)行再生的磁光記錄介質(zhì)的再生方法。這種方法，利用再生光照射時(shí)介質(zhì)的溫度上升，阻斷第1和第3磁性膜的磁耦合，依靠作用在該狀態(tài)的記錄磁區(qū)上的反磁場(chǎng)和外加磁場(chǎng)，擴(kuò)大第1磁性膜的磁區(qū)。又，在這種技術(shù)中，利用設(shè)定其居里溫度比再生時(shí)的讀出部分的溫度低的第2磁性膜，但是在本發(fā)明中沒有使用具有這種磁特性的磁性膜。
本發(fā)明的目的是用與在日本公開專利平成元年143041號(hào)公報(bào)中記載的方法不同的方法，解決上述的以前的技術(shù)問題，同時(shí)提供即便在記錄微小磁區(qū)的情形，也能以足夠的C/N得到再生信號(hào)的磁光記錄介質(zhì)及它的信號(hào)再生方法。
發(fā)明的公開根據(jù)本發(fā)明的第1種情形，本發(fā)明提供了這樣的磁光記錄介質(zhì)，在備有磁光記錄膜和輔助磁性膜，用再生光照射它們時(shí)，將上述的磁光記錄膜的記錄磁區(qū)磁性地復(fù)制到上述的輔助磁性膜，進(jìn)行信號(hào)再生的磁光記錄介質(zhì)中，上述的輔助磁性膜是至少一層的當(dāng)超過臨界溫度時(shí)從面內(nèi)磁化膜轉(zhuǎn)變成垂直磁化膜的磁性膜，并且上述的磁光記錄膜在室溫以上的溫度是垂直磁化膜，當(dāng)利用上述的輔助磁性膜的磁特性進(jìn)行再生時(shí)，能夠?qū)⒈壬鲜龅拇殴庥涗浤さ挠涗洿艆^(qū)大的磁區(qū)復(fù)制到上述的輔助磁性膜上。
能將本發(fā)明的磁光記錄介質(zhì)進(jìn)一步分成下述的兩種類型的磁光記錄介質(zhì)。第1類磁光記錄介質(zhì)如圖2A和圖2B所示，其結(jié)構(gòu)為在磁光記錄膜6上依次地層積第1輔助磁性膜5和第2輔助磁性膜4，當(dāng)磁光記錄膜，第1輔助磁性膜和第2輔助磁性膜的居里溫度分別為TC0，TC1和TC2，第1輔助磁性膜和第2輔助磁性膜的上述臨界溫度分別為TCR1和TCR2時(shí)，磁光記錄膜6，第1輔助磁性膜5和第2輔助磁性膜4有滿足室溫＜TCR2＜TCR1＜TC0，TC1，TC2關(guān)系的磁特性。第1輔助磁性膜5和第2輔性膜4有這樣的磁特性，即如圖3所示從室溫到室溫以上的某個(gè)臨界溫度(TCR)是面內(nèi)磁化膜，在TCR以上變成垂直磁化膜。磁光記錄膜6在室溫以上是垂直磁化膜。
現(xiàn)將第1類磁光記錄介質(zhì)的工作(再生)原理說明如下。圖2A表示依靠光調(diào)制記錄方式等在磁光記錄膜6上寫入記錄磁區(qū)后，再生前的各層的磁化狀態(tài)。在這個(gè)介質(zhì)中，為了使磁性膜的最高到達(dá)溫度達(dá)到所希望的溫度，用適當(dāng)功率的再生光照射時(shí)，首先，磁光記錄膜6中的垂直磁化的磁區(qū)22被復(fù)制到第1輔助磁性膜5中的溫度達(dá)到TCR1以上的區(qū)域。這時(shí)，考慮如圖8所示的再生光照射情形中介質(zhì)內(nèi)的溫度分布，為了將和磁光記錄膜6中的磁區(qū)大小相同或是比它小的磁區(qū)21復(fù)制到第1輔助磁性膜5上，設(shè)定再生功率和TCR1。
其次，將復(fù)制到第1輔助磁性膜5上的磁區(qū)21復(fù)制到第2輔助磁性膜4上。在本發(fā)明中，因?yàn)樵O(shè)定第1和第2輔助磁性膜各自的臨界溫度有關(guān)系TCR2＜TCR1，所以如圖8的介質(zhì)內(nèi)的溫度分布所示，在第2輔助磁性膜中能變成垂直磁化狀態(tài)的區(qū)域，和第1輔助磁性膜中的相應(yīng)區(qū)域比較，其直徑變大。因此，如圖2B所示，由于來自第2輔助磁性膜4中的能變成垂直磁化狀態(tài)的區(qū)域內(nèi)的垂直磁各向異性和來自第1輔助磁性膜5中的垂直磁化的交換耦合力，使第2輔助磁性膜4中的復(fù)制磁區(qū)23擴(kuò)大了。也可以說由于在第1輔助磁性膜5中的如圖2B的W所示的區(qū)域內(nèi)的面內(nèi)磁化削弱了從磁光記錄膜6的磁區(qū)S到第2輔助磁性膜4的交換耦合力，促進(jìn)了這個(gè)磁區(qū)的擴(kuò)大。由于上述磁區(qū)的擴(kuò)大，減少了由面內(nèi)磁化的磁掩模引起的再生輸出的光量的降低，高C/N比的再生成為可能。
第2輔助磁性膜4的磁區(qū)23的擴(kuò)大效應(yīng)，當(dāng)?shù)?輔助磁性膜4中的復(fù)制磁區(qū)擴(kuò)大到再生光點(diǎn)直徑以上時(shí)達(dá)到最大。在這個(gè)狀態(tài)中，和磁光記錄膜6中記錄的磁區(qū)的大小和形狀無關(guān)，可得到僅由第2輔助磁性膜4的性能指數(shù)和再生光束決定的極大的再生輸出。再生后，即再生激光的照射部分移開后，讀出部分冷卻到TCR2以下，第1和第2的各輔助磁性膜變成面內(nèi)磁化狀態(tài)，回到圖2A的狀態(tài)。即使在如上所述的再生工作時(shí)的溫度，因?yàn)榇殴庥涗浤?的頑磁力足夠大，能夠完全保持作為磁化而記錄的信息。
本發(fā)明的第2類磁光記錄介質(zhì)的特征是，如圖7所示，在輔助磁性膜8和磁光記錄膜10之間備有非磁性膜9，當(dāng)磁光記錄膜和輔助磁性膜的居里溫度分別為TC0和TC，和輔助磁性膜的上述臨界溫度分別為TCR時(shí)，磁光記錄膜10和輔助磁性膜8有滿足室溫＜TCR＜TC0，TC關(guān)系的磁特性。
現(xiàn)在說明第2類磁光記錄介質(zhì)的再生原理。在圖6A中概略地表示了依靠光調(diào)制記錄方式等將記錄磁區(qū)寫入圖7所示的介質(zhì)的磁光記錄膜10后，進(jìn)行再生前的輔助磁性膜8，非磁性膜9和磁光記錄膜10的磁化狀態(tài)。在這個(gè)磁光記錄介質(zhì)中，為了使磁性膜的最高到達(dá)溫度達(dá)到所希望的溫度，用適當(dāng)功率的再生光照射時(shí)，在輔助磁性膜8中，發(fā)生在TCR以上能變成垂直磁化狀態(tài)的區(qū)域。設(shè)定TCR和再生功率，以便使這個(gè)區(qū)域的大小比記錄在磁光記錄膜10上的磁區(qū)M的直徑大，并且最好比再生光點(diǎn)的直徑大。又，輔助磁性膜8有這樣的磁特性，即它的頑磁力，對(duì)應(yīng)于TCR以上的區(qū)域內(nèi)的溫度分布，有如圖9所示的分布，在達(dá)到最高到達(dá)溫度的區(qū)域及其附近該值變得充分的小。
磁光記錄膜10，對(duì)應(yīng)于TCR以上的區(qū)域內(nèi)的溫度分布，有圖9所示的磁化分布，并有使這個(gè)磁化值在達(dá)到最高到達(dá)溫度的區(qū)域及其附近變得充分大的磁特性。為了如上所述地設(shè)定各磁性膜的磁特性，依靠作用在磁區(qū)M的區(qū)域中的磁光記錄膜10和輔助磁性膜8之間的大的靜磁耦合力，僅將磁光記錄膜10中的溫度高并且磁化充分大的區(qū)域中的磁區(qū)M，復(fù)制到輔助磁性膜8中的溫度高并且頑磁力充分小的區(qū)域。因此，首先能得到足夠高的再生分辨率。
其次，考慮由于來自TCR以上的區(qū)域內(nèi)的垂直磁各向異性和復(fù)制磁區(qū)的交換耦合力，使復(fù)制到輔助磁性膜8的磁區(qū)63如圖6B所示地?cái)U(kuò)大的情形。由于這個(gè)磁區(qū)擴(kuò)大，和第1類磁光記錄介質(zhì)相同使再生信號(hào)放大，提高了C/N。再生后，即移去再生激光后，讀出部分冷卻到TCR以下，輔助磁性膜8轉(zhuǎn)變成面內(nèi)磁化膜，回到圖6A的狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明的第2種情形，本發(fā)明提供了這樣的磁光記錄介質(zhì)的再生方法，在依靠檢測(cè)用再生光照射有在室溫以上的溫度成為垂直磁化膜的磁光記錄膜的磁光記錄介質(zhì)時(shí)產(chǎn)生的磁光效應(yīng)的大小，使被記錄的信號(hào)再生的磁光記錄介質(zhì)的再生方法中，作為上述的磁光記錄介質(zhì)，使用在磁光記錄膜上依次層積第1輔助磁性膜和第2輔助磁性膜，第1輔助磁性膜和第2輔助磁性膜是當(dāng)超過臨界溫度時(shí)從面內(nèi)磁化膜轉(zhuǎn)變到垂直磁化膜的磁性膜，當(dāng)上述的磁光記錄膜，第1輔助磁性膜和第2輔助磁性膜的居里溫度分別地為TC0，TC1和TC2，第1輔助磁性膜和第2輔助磁性膜的上述臨界溫度分別為TCR1和TCR2時(shí)，上述的磁光記錄膜，第1輔助磁性膜和第2輔助磁性膜有滿足室溫＜TCR2＜TCR1＜TC0，TC1，TC2關(guān)系的磁特性的磁光記錄介質(zhì)，通過將以和再生時(shí)鐘相同的周期或整數(shù)倍的周期功率調(diào)制的再生光照射在上述的磁光記錄介質(zhì)上，使記錄信號(hào)再生。
又，根據(jù)本發(fā)明的第3種情形，本發(fā)明提供了這樣的磁光記錄介質(zhì)的兩生方法，在依靠檢測(cè)用再生光照射有在室溫以上的溫度成為垂直磁化膜的磁光記錄膜的磁光記錄介質(zhì)時(shí)產(chǎn)生的磁光效應(yīng)的大小，使記錄的信號(hào)再生的磁光記錄介質(zhì)的再生方法中，作為上述的磁光記錄介質(zhì)，使用通過非磁性膜在磁光記錄膜上制備當(dāng)超過臨界溫度時(shí)從面內(nèi)磁化膜轉(zhuǎn)變到垂直磁化膜的輔助磁性膜，當(dāng)上述的磁光記錄膜和輔助磁性膜的居里溫度分別為TC0和TC，輔助磁性膜的上述臨界溫度分別為TCR時(shí)，上述的磁光記錄膜和輔助磁性膜有滿足室溫＜TCR＜TC0，TC關(guān)系的磁特性的磁光記錄介質(zhì)，其特征是通過將以和再生時(shí)鐘相同的周期或整數(shù)倍的周期功率調(diào)制的再生光照射在上述的磁光記錄介質(zhì)上，使記錄信號(hào)再生。
將上述的再生光以和再生時(shí)鐘相同的周期或整數(shù)倍的周期在再生光功率Pr1和Pr2上進(jìn)行功率調(diào)制，希望上述的Pr1和Pr2中的一個(gè)的再生光功率是產(chǎn)生上述輔助磁性膜的磁區(qū)擴(kuò)大的功率。
在這里，用

圖11的再生方法的模式圖說明根據(jù)本發(fā)明的第3種情形的再生方法的原理。在這個(gè)再生方法中使用圖6所示的第2類磁光記錄介質(zhì)。最初，將光調(diào)制記錄方式等用于第2類磁光記錄介質(zhì)，并將如在圖11(a)表示的所定的記錄圖案記錄在磁光記錄介質(zhì)上。圖中，用最短的標(biāo)記間距DP記錄，記錄標(biāo)記的長(zhǎng)度DL為DL＝DP/2那樣地設(shè)定記錄標(biāo)記。再生時(shí)，將調(diào)制在兩類再生功率Pr2，Pr1上的脈沖激光作為再生激光進(jìn)行照射，該脈沖激光，如圖11(b)所示，有和記錄標(biāo)記位置同步的周期DP并且高功率Pr2的發(fā)光寬度為DL。常常用低的再生功率Pr1的光照射消除狀態(tài)(沒有記錄標(biāo)記的部分)，用高的再生功率Pr2的光照射記錄狀態(tài)(存在記錄標(biāo)記的部分)和消除狀態(tài)。用如圖11(b)所示的再生脈沖激光照射，得到的再生信號(hào)波形如圖11(c)所示。與此相對(duì)照，用一定的再生光功率的連續(xù)光使同一光道再生時(shí)的再生波形如圖11(d)所示。這里，在Pr2和Pr1中，Pr2是如后面所述地為了產(chǎn)生輔助磁性膜8的磁區(qū)擴(kuò)大的記錄功率，而Pr1是選來作為消除磁區(qū)擴(kuò)大的功率。依靠這樣選出的再生功率，將在脈沖光再生時(shí)觀察到的記錄狀態(tài)和消除狀態(tài)之間的振幅Hp1和用一定的激光進(jìn)行再生時(shí)產(chǎn)生的振幅Hdc比較，能夠有Hp1＞Hde，而且，能夠不受來自和在磁光記錄介質(zhì)的各磁區(qū)上記錄的磁化信息相鄰的磁區(qū)的影響，獨(dú)立地進(jìn)行擴(kuò)大再生。
圖面的簡(jiǎn)單說明圖1是概念地表示屬于本發(fā)明的第1種類型的磁光記錄介質(zhì)的層積結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖2A是表示屬于本發(fā)明的第1種類型的磁光記錄介質(zhì)再生前各層的磁化狀態(tài)的概念圖。圖2B是表示圖2A所示的磁光記錄介質(zhì)再生時(shí)各層的磁化狀態(tài)的概念圖。
圖3是表示構(gòu)成本發(fā)明的磁光記錄介質(zhì)的輔助磁性膜的磁特性的圖。
圖4是表示在本發(fā)明的實(shí)施例1中制造的磁光記錄介質(zhì)和以前類型的磁光記錄介質(zhì)中再生C/N和記錄標(biāo)記長(zhǎng)度的關(guān)系的圖。
圖5A是表示以前類型的磁光記錄介質(zhì)的層積結(jié)構(gòu)的斷面圖，圖5B是表示磁超圖象分辨型的磁光記錄介質(zhì)的層積結(jié)構(gòu)的斷面圖。
圖6A是表示屬于本發(fā)明的第2種類型的磁光記錄介質(zhì)再生前各層的磁化狀態(tài)的概念圖。圖6B是表示圖6A所示的磁光記錄介質(zhì)再生時(shí)各層的磁化狀態(tài)的概念圖。
圖7是概念地表示屬于本發(fā)明的第2種類型的磁光記錄介質(zhì)的層積結(jié)構(gòu)的圖。
圖8是表示用再生光照射本發(fā)明的第1類磁光記錄介質(zhì)時(shí)讀出部分的溫度分布的圖。
圖9是表示本發(fā)明的第2類磁光記錄介質(zhì)的輔助磁性膜的溫度和頑磁力的分布以及磁光記錄膜的磁化分布的圖。
圖10是表示在本發(fā)明的實(shí)施例2中制造的磁光記錄介質(zhì)的輔助磁性膜的克爾效應(yīng)的溫度特性的圖。
圖11是說明本發(fā)明的磁光記錄介質(zhì)再生方法的原理的時(shí)序圖。
圖12A-12E是表示用各種再生功率的連續(xù)光再生本發(fā)明的實(shí)施例2的磁光記錄介質(zhì)的情形中，在示波器上觀察到的再生信號(hào)波形的圖。
圖13A-13C是說明得到圖12A所示的信號(hào)波形時(shí)磁光記錄介質(zhì)各層的磁化狀態(tài)的概念圖。
圖14A-14C是說明得到圖12C所示的信號(hào)波形時(shí)磁光記錄介質(zhì)各層的磁化狀態(tài)的概念圖。
圖15A-15C是說明得到圖12E所示的信號(hào)波形時(shí)磁光記錄介質(zhì)各層的磁化狀態(tài)的概念圖。
圖16是表示和調(diào)制在由實(shí)施例2的預(yù)備實(shí)驗(yàn)決定的再生功率Pr1和Pr2上的再生脈沖光的記錄標(biāo)記相對(duì)應(yīng)的照射定時(shí)的圖。
圖17是表示用圖16所示的再生脈沖光進(jìn)行再生得到的再生信號(hào)波形的圖。
為實(shí)施發(fā)明的最佳形態(tài)下面，用所附的圖面詳細(xì)地說明本發(fā)明的磁光記錄介質(zhì)和它的再生方法的具體例子。實(shí)施例1[屬于第1種類型的磁光記錄介質(zhì)的制造]參照?qǐng)D1說明屬于本發(fā)明的第1種類型的磁光記錄介質(zhì)結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。如圖1所示，屬于第1種類型的磁光記錄介質(zhì)11由在一面上形成所希望的預(yù)置格式圖案2的透明基片1和在預(yù)置格式圖案2上形成的電介質(zhì)膜3，在電介質(zhì)膜3上形成的第2輔助磁性膜4，在第2輔助磁性膜4上形成的第1輔助磁性膜5，在第1輔助磁性膜5上形成的磁光記錄膜6，和在磁光記錄膜6上形成的保護(hù)膜7組成。
在圖1所示的結(jié)構(gòu)中，例如，能夠用將聚碳酸脂和非晶形聚烯(烴)等透明樹脂材料做成所希望的形狀，和在形成所希望的形狀的玻璃板的一面上緊密地附著復(fù)制有所希望的預(yù)置格式圖案2的透明樹脂膜等的有透光性的任意基片作為透明基片1。設(shè)計(jì)電介質(zhì)膜3，使得再生光束能在膜內(nèi)發(fā)生多重干涉，并增加表觀的克爾旋轉(zhuǎn)角，能夠由折射率也比透明基片1大的，例如SiN制成的無機(jī)電介質(zhì)形成。保護(hù)膜7是為了保護(hù)層積在基片1和保護(hù)膜7之間的膜體3-6不受有腐蝕等的化學(xué)性惡劣影響的膜，例如，可以由SiN膜制成。磁光記錄膜6是在室溫以上的溫度表示出垂直磁各向異性的垂直磁化膜，例如，最好是用TbFeCo，DyFeCo，TbDyFeCo等希土類和過渡金屬的非晶質(zhì)合金，可是也能用Pt膜和Co膜交替地層積的層體和柘榴石系的氧化物磁體等其它已知的磁光記錄材料。
第1輔助磁性膜5和第2輔助磁性膜4，如圖3所示，有從室溫(R.T.)到室溫以上的某個(gè)臨界溫度(TCR)是面內(nèi)磁化膜，在TCR以上轉(zhuǎn)變成垂直磁化膜的磁特性。又，在本說明書中所謂室溫表示為通常使用磁光記錄介質(zhì)的空氣溫度，因使用場(chǎng)所而異，并不特別地將它限定在特定的溫度上。圖3表示在和膜面垂直的方向加上外部磁場(chǎng)的情形中從克爾效應(yīng)的磁滯回線求得的θKR/θKS(θKR剩余克爾旋轉(zhuǎn)角，θKS飽和克爾旋轉(zhuǎn)角)的溫度依賴性。作為輔助磁性膜的材料，最好用，例如，GdFeCo，GdFe，GdTbFeCo，GdDyFeCo等希土類和過渡金屬的非晶質(zhì)合金。
電介質(zhì)膜3，第2輔助磁性膜4，第1輔助磁性膜5，磁光記錄膜6和保護(hù)膜7，例如，可以用磁控管濺射裝置連續(xù)地濺射等的干式法制成。
下面，展示圖1所示的屬于第1種類型的磁光記錄介質(zhì)，即磁光盤樣品的制作例。樣品是用依次賤射法在有預(yù)置格式圖案的玻璃基片上，附著形成由SiN制成的電介質(zhì)膜，由Gd25Fe56Co19膜[II]制成的第2輔助磁性膜，由Gd28Fe53Co19(I)膜制成的第1輔助磁性膜，由Tb21Fe66Co13膜制成的磁光記錄膜，和由SiN膜制成的保護(hù)膜制成的。將該情形的各種輔助磁性膜和磁光記錄膜的厚度以及磁特性表示在表1中。表中的TC表示居里溫度，TCR表示輔助磁性膜的面內(nèi)磁化膜轉(zhuǎn)變成垂直磁化膜的臨界溫度。
表1材料膜厚(nm) Tc(℃) TCR(℃)磁光記錄膜 TbFeCo 50270 -第1輔助磁性膜 GdFeCo(I)60＞400200第2輔助磁性膜 GdFeCo(II) 50＞40090用一邊以一定周期的脈沖狀的激光束照射上述那樣制作的磁盤的數(shù)據(jù)記錄區(qū)域，一邊對(duì)應(yīng)于記錄信號(hào)對(duì)外部磁場(chǎng)進(jìn)行調(diào)制實(shí)施記錄的光磁場(chǎng)調(diào)制方式，記錄試驗(yàn)信號(hào)。記錄光脈沖的占空因數(shù)是50％。為了形成有各種記錄標(biāo)記長(zhǎng)度的記錄標(biāo)記，給出試驗(yàn)信號(hào)。其次，用物鏡的孔徑數(shù)NA＝0.55，激光波長(zhǎng)780nm的讀寫頭，取線速度7.5m/sec，再生功率2.5mW，再生時(shí)外加磁場(chǎng)為零，再生各種長(zhǎng)度的記錄標(biāo)記。再生的CN比(C載波電平，N噪聲電平)對(duì)記錄磁區(qū)長(zhǎng)度的依賴性的測(cè)定結(jié)果如圖4所示。在圖4中，為了比較，將兩種以前類型的磁光記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)一并表示出來。虛線的數(shù)據(jù)是圖5A所示的以前類型的磁光記錄介質(zhì)的再生數(shù)據(jù)，用TbFeCo作為單層的磁光記錄膜16。又，點(diǎn)折線的數(shù)據(jù)是關(guān)于由圖5B所示的TbFeCo磁光記錄膜16和GdFeCo第1輔助磁性膜15的2層磁性膜構(gòu)成的磁超圖象分辨(MSR)盤的結(jié)果。根據(jù)圖4的結(jié)果，我們看到在與本實(shí)施例相關(guān)的樣品磁盤(數(shù)據(jù)是實(shí)線)中，即便記錄標(biāo)記長(zhǎng)度為0.2μm，也能得到比以前的2種磁盤顯著地高的再生C/N。所以，如果用本發(fā)明，超越以前的再生界限的極微小的記錄標(biāo)記的再生成為可能，就能夠提高記錄密度。
在本實(shí)施例中，磁光記錄膜6，第1輔助磁性膜5和第2輔助磁性膜4這3個(gè)磁性膜之間發(fā)生膜間接觸，層積的各膜之間進(jìn)行交換耦合，但是也可以在磁光記錄膜6和第1輔助磁性膜5之間，或在第1輔助磁性膜5和第2輔助磁性膜4之間，或在這兩者中插入非磁性膜，在磁性膜之間進(jìn)行靜磁耦合。
又，在本實(shí)施例中，用2層的輔助磁性膜，但是也可以用依次層積的n(n≥3)層的輔助磁性膜，假設(shè)各層的TCR(從面內(nèi)磁化膜變成垂直磁化膜的臨界溫度)有關(guān)系TCR1＞TCR2＞…＞TCRn＞室溫(其中，TCR1是第i輔助磁性膜的TCR)。但是，在這種情形中，將第1輔助磁性膜設(shè)置在磁光記錄膜6的一側(cè)，將第n輔助磁性膜設(shè)置在電介質(zhì)膜3的一側(cè)。
又，為了使當(dāng)受到再生光束照射時(shí)介質(zhì)的溫度分布有希望的形狀，或者，為了使溫度分布的線速度依賴性變小，也可以在磁光記錄介質(zhì)11的保護(hù)膜7上設(shè)置有適當(dāng)熱傳導(dǎo)率的熱控制膜。
又，在本實(shí)施例中，用通常的DC激光進(jìn)行再生，但是如后面描述的實(shí)施例2那樣，也可用有和最短的標(biāo)記波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的頻率的脈沖激光進(jìn)行再生，得到更好的再生C/N。
又，為了得到更好的再生CN比，也可以將在再生光照射時(shí)的介質(zhì)的最高到達(dá)溫度，克爾旋轉(zhuǎn)角θk大于在第2輔助磁性膜4的θk，并且也可以將在室溫以上為垂直磁化膜的再生磁化膜加到電介質(zhì)膜3和第2輔助磁性膜4之間。實(shí)施例2在本實(shí)施例中，表示用屬于本發(fā)明的第2種類型的磁光記錄介質(zhì)的介質(zhì)以及這類介質(zhì)，一邊將再生激光變成脈沖形狀，一邊進(jìn)行再生的再生方法的具體的例子。用結(jié)構(gòu)如圖7所示的介質(zhì)作為磁光記錄介質(zhì)。[第2類磁光記錄介質(zhì)的制造]用玻璃基片作為圖7所示的磁光記錄介質(zhì)70的透明基片。在玻璃基片的一面上，形成復(fù)制成預(yù)置格式圖案的透明樹脂膜2。電介質(zhì)膜3是由SiN制成的，并形成使再生激光發(fā)生多重干涉，表觀的克爾旋轉(zhuǎn)角增加的膜厚度。輔助磁性膜8是由希土類和過渡金屬的鐵氧體磁性非晶質(zhì)合金GdFeCo制成的，從室溫到室溫以上的某個(gè)臨界溫度TCR表現(xiàn)出面內(nèi)磁各向異性，在TCR以上表現(xiàn)出垂直磁各向異性。非磁性膜9由SiN制成，為了使輔助磁性膜8和磁光記錄膜10有靜磁耦合，將非磁性膜9插入它們之間。磁光記錄膜6是由希土類和過渡金屬的鐵氧體磁性非晶質(zhì)合金TbFeCo制成，從室溫到居里溫度有垂直磁各向異性。保護(hù)膜7由SiN制成，是為了保護(hù)層積在基片1和保護(hù)膜7之間的薄膜不受腐蝕等的化學(xué)性惡劣影響而設(shè)置的。
電介質(zhì)膜3，輔助磁性膜8，非磁性膜9，磁光記錄膜10和保護(hù)膜7是分別地用磁控管濺射裝置通過連續(xù)濺射制成的有下述厚度的膜。電介質(zhì)膜3為60nm，輔助磁性膜8為60nm，非磁性膜9為20nm，磁光記錄膜10為50nm和保護(hù)膜7為60nm。
構(gòu)成磁光記錄膜10的TbFeCo的組成以原子的百分比為Tb21Fe66Co13，從室溫到居里溫度TCO＝270℃表現(xiàn)出過渡金屬的磁化成分比希土類的磁化成分占優(yōu)勢(shì)的特性。另一方面，構(gòu)成輔助磁性膜8的GdFeCo的組成以原子的百分比為Gb28Fe53Co19，在單層膜上克爾旋轉(zhuǎn)角表現(xiàn)出圖10那樣的的溫度特性。
圖10的橫軸表示溫度，縱軸表示從和克爾旋轉(zhuǎn)角的溫度對(duì)應(yīng)的磁滯求得的GdFeCo輔助磁性膜8的殘余克爾旋轉(zhuǎn)角θKR和飽和克爾旋轉(zhuǎn)角θKS之比θKR/θKS。從該圖可見輔助磁性膜8從面內(nèi)磁化膜變成垂直磁化膜的臨界溫度TCR約為200℃。又，輔助磁性膜8的居里溫度TC在300℃以上，從室溫Troom到居里溫度之間有補(bǔ)償溫度Tcomp，Tcomp約為230℃。輔助磁性膜8的臨界溫度TCR，補(bǔ)償溫度Tcomp和居里溫度TC與磁光記錄膜10的居里溫度TCO的關(guān)系如下所示。Troom＜TCR＜Tcomp＜TCO＜TC。依靠滿足這個(gè)條件，用后面所述的功率調(diào)制脈沖光的再生就變得極其容易。
用有上述那種結(jié)構(gòu)的磁光記錄介質(zhì)70，用圖11的關(guān)系實(shí)施在本發(fā)明的原理說明中說明的那種再生方法。[為決定再生激光脈沖強(qiáng)度的預(yù)備實(shí)驗(yàn)]在本發(fā)明的再生方法中，用將激光功率功率調(diào)制在高功率Pr2和低功率Pr1上的脈沖光進(jìn)行記錄磁區(qū)的擴(kuò)大再生。為此，最初進(jìn)行預(yù)備實(shí)驗(yàn)，決定為了使記錄在磁光記錄介質(zhì)70上的數(shù)據(jù)再生的最適宜的激光功率Pr2和Pr1。在這個(gè)預(yù)備實(shí)驗(yàn)中，使用有激光波長(zhǎng)為680nm，孔徑數(shù)為0.55的光學(xué)系統(tǒng)的磁光驅(qū)動(dòng)器，從基片一側(cè)(輔助磁性膜8的一側(cè))用記錄和再生激光進(jìn)行照射。如后面所述，用連續(xù)光作為再生激光，進(jìn)行功率的種種變化，觀察對(duì)應(yīng)的各種再生信號(hào)波形。
在位于經(jīng)過預(yù)先初始化的磁光記錄介質(zhì)70的半徑40mm處的光道上，一邊以5.0m/s的線速度，用周期640ns，脈沖寬度213ns的脈沖對(duì)記錄功率為4.5mW的激光進(jìn)行調(diào)制，并加上記錄磁場(chǎng)5000e，一邊進(jìn)行光調(diào)制記錄。依此，在光道上連續(xù)地以3.2μm的節(jié)距記錄下長(zhǎng)度約為1.6μm的記錄標(biāo)記。
其次，用各種再生功率Pr的連續(xù)光進(jìn)行記錄下記錄標(biāo)記的光道的再生。為求得再生功率的最適宜的調(diào)制條件，以Pr＝1.0mW，1.5mW，1.9mW，2.0mW和2.1mW的5個(gè)等級(jí)變更連續(xù)光功率Pr的值，求得各自的再生信號(hào)。又，再生時(shí)不在磁光記錄介質(zhì)70上積極地加上磁場(chǎng)，可是在記錄方向上發(fā)生從光學(xué)磁頭的致動(dòng)器泄漏的磁場(chǎng)(約800e)。
將用上述各再生功率Pr進(jìn)行磁光記錄介質(zhì)70的記錄光道的再生時(shí)的再生波形表示在圖12A～E中。這時(shí)，在示波器上觀察到在再生波形本身加上觸發(fā)信號(hào)的波形。圖12A表示再生光功率Pr＝1.0mW時(shí)的再生波形，可以看到隆起有和記錄標(biāo)記的圖案相對(duì)應(yīng)的再生信號(hào)。在圖上，基線表示消隱的狀態(tài)，隆起的峰值信號(hào)表示記錄狀態(tài)。記錄狀態(tài)和消隱狀態(tài)之間的振幅為50mV。進(jìn)一步將再生光功率提高到Pr＝1.5mW時(shí)，如圖12B所示，信號(hào)振幅增大到約200mV。從圖12B的波形可見在波形的一部分區(qū)域，相鄰的峰值信號(hào)在記錄狀態(tài)一側(cè)連接起來。
圖12C是再生光功率Pr＝1.9mW時(shí)的再生信號(hào)波形，并表示峰值信號(hào)完全在記錄狀態(tài)一側(cè)(圖的上方)連接起來的波形。它表示，如后面所述，在輔助磁性膜上發(fā)生磁區(qū)擴(kuò)大，這樣擴(kuò)大的磁區(qū)和由再生光點(diǎn)進(jìn)行的光道掃描一起在光道上的移動(dòng)。進(jìn)一步，將再生光功率提高到Pr＝2.0mW時(shí)，如圖12D所示，連接的峰值信號(hào)開始分開。在這種情形中，峰值信號(hào)的連接部分和基線之間的振幅Hplo約為350mV。進(jìn)一步，將再生光功率提高到Pr＝2.1mW時(shí)，如圖12E所示，峰值信號(hào)完全被分開，成為和記錄標(biāo)記圖案相對(duì)應(yīng)的波形。在圖12E中，記錄狀態(tài)和消隱狀態(tài)之間的振幅為200mV。
這里，用圖13-15的概念圖說明在得到圖12A-圖12E的再生波形的情形中，插入輔助磁性膜8和非磁性膜9層積的磁光記錄膜10的磁化狀態(tài)。圖13表示在得到圖12A的信號(hào)波形的情形(再生光功率Pr＝1.0mW)中再生光點(diǎn)80和被它照射的輔助磁性膜8及磁光記錄膜10的磁化方向間的關(guān)系。最初，如圖13A所示，被再生光點(diǎn)80照射的輔助磁性膜8，在它的溫度上升到它的臨界溫度TCR以上的區(qū)域變成垂直磁化，同時(shí)磁光記錄膜10的磁化由于靜磁耦合被復(fù)制到輔助磁性膜的區(qū)域83a。如圖13B所示，再生光點(diǎn)80來到磁化朝向記錄方向的磁區(qū)(記錄磁區(qū))82的正下方時(shí)，記錄磁區(qū)82的磁化由于靜磁耦合被復(fù)制到輔助磁性膜8上。在這種情形，因?yàn)樵偕夤β蔖r＝1.0mW很低，只有光點(diǎn)80內(nèi)的輔助磁性膜8的中央部分，即區(qū)域83b超過臨界溫度TCR，輔助磁性膜8的復(fù)制區(qū)域83b并不擴(kuò)大得比記錄區(qū)域82的寬度大。因此，如圖12A所示再生信號(hào)強(qiáng)度很小。再生光點(diǎn)80通過記錄磁區(qū)82后，復(fù)制區(qū)域83c，由于來自它正上方的磁光記錄膜10的磁區(qū)的復(fù)制，有和正上方的磁光記錄膜10的磁區(qū)相同的磁化方向。
圖14表示，在得到圖12C的信號(hào)波形的情形(再生光功率Pr＝1.9mW)中，再生光點(diǎn)80與被它照射的輔助磁性膜8和磁光記錄膜10的磁化方向的關(guān)系。這種情形中，因?yàn)樵偕夤β蕿?.9mW比較大，如圖14A所示，被再生光點(diǎn)80照射的輔助磁性膜8的點(diǎn)內(nèi)的全部區(qū)域85a，在上升到臨界溫度TCR以上時(shí)變成垂直磁化。然后，由于來自磁光記錄膜10的靜磁耦合，磁光記錄膜10的磁區(qū)被復(fù)制到區(qū)域85a。由于再生光點(diǎn)80的掃描，如圖14B所示，再生光點(diǎn)80來到記錄磁區(qū)82的正下方時(shí)，記錄磁區(qū)82的磁化被復(fù)制。在這種情形中，因?yàn)檩o助磁性膜8的上升到臨界溫度TCR以上的區(qū)域85b的寬度比記錄區(qū)域82大，記錄磁區(qū)82被擴(kuò)大地復(fù)制到輔助磁性膜8內(nèi)。由于這種磁區(qū)的擴(kuò)大能得到大的信號(hào)波形。進(jìn)一步，因?yàn)樵偕恻c(diǎn)80通過記錄磁區(qū)82后，區(qū)域85c也保持和區(qū)域85b相同的磁化狀態(tài)，所以能夠得到如圖12C所示的再生信號(hào)的峰值連接起來的波形。
在圖14的情形中，可如下地考慮當(dāng)再生光點(diǎn)80通過記錄磁區(qū)82后，區(qū)域85c也保持和區(qū)域85b相同的磁化狀態(tài)的理由。由于再生激光束的照射，輔助磁性膜8上升到它的臨界溫度以上變成垂直磁化膜，并有垂直方向的頑磁力Hc。又，再生時(shí)，在輔助磁性膜8上加上來自光學(xué)磁頭的致動(dòng)器等的泄漏磁場(chǎng)產(chǎn)生的外部磁場(chǎng)Hex和在輔助磁性膜8的臨界溫度磁光記錄膜10發(fā)生磁化產(chǎn)生的靜磁場(chǎng)Hs。其大小與磁化方向有關(guān)為Hex+Hs或Hex-Hs。在外部磁場(chǎng)Hex和靜磁場(chǎng)Hs的合成磁場(chǎng)和輔助磁性膜8的頑磁力Hc的大小的關(guān)系中，當(dāng)成為Hex+Hs＞Hc，Hex-Hs＜Hc時(shí)，如圖14C所示，磁區(qū)一旦被復(fù)制到輔助磁性膜上，即便再生光點(diǎn)前進(jìn)到在磁光記錄膜10上不存在記錄磁區(qū)的區(qū)域，該磁區(qū)也不發(fā)生再反轉(zhuǎn)。上述的Hc是在輔助磁性膜8處于垂直磁化狀態(tài)的垂直方向上的頑磁力，在圖13的情形中，因?yàn)榻邮苡傻偷脑偕β蔬M(jìn)行的復(fù)制的輔助磁性膜的溫度比較低，輔助磁性層的Hc也變得比圖14的情形低，所以被復(fù)制到輔助磁性膜8的磁區(qū)當(dāng)再生光點(diǎn)前進(jìn)到在磁光記錄膜10上不存在記錄磁區(qū)的區(qū)域時(shí)，發(fā)生再反轉(zhuǎn)(圖13C)。
圖15表示在得到圖12E的信號(hào)波形的情形(再生光功率Pr＝2.1mW)中，再生光點(diǎn)80與被它照射的輔助磁性膜8和磁光記錄膜10的磁化方向的關(guān)系。這種情形中，可以認(rèn)為因?yàn)樵偕夤β蕿?.1mW很大，被再生光點(diǎn)80照射的輔助磁性膜8的點(diǎn)內(nèi)的前方部分的區(qū)域87a，由于上升到臨界溫度TCR以上顯示出垂直磁化，但是，在點(diǎn)內(nèi)的中央和后方部分，由于比前方部分受到較多的加熱而超過輔助磁性膜8的居里溫度TC，變到磁化消失的狀態(tài)。為此，如圖15A所示，只有在再生光點(diǎn)80內(nèi)的輔助磁性膜的前方部分的區(qū)域87a，由于靜磁耦合，接受來自正上方的磁光記錄膜10的磁區(qū)復(fù)制。其次，由于再生光點(diǎn)80對(duì)光道的掃描，再生光點(diǎn)80來到記錄磁區(qū)82的正下方時(shí)，記錄磁區(qū)82的磁化僅被復(fù)制到輔助磁性膜8的前方部分的溫度比較低的區(qū)域87b。所以不發(fā)生磁區(qū)的擴(kuò)大，不能得到再生信號(hào)的強(qiáng)度有圖12C情形那樣的大的信號(hào)。當(dāng)再生光點(diǎn)80通過記錄磁區(qū)82后，由于來自磁光記錄膜10的靜磁耦合，和正上方的磁光記錄膜10的磁區(qū)相同方向的磁化被復(fù)制到復(fù)制區(qū)域87c上。這是因?yàn)榇嬖谟捎诟叩脑偕β式邮軓?fù)制的輔助磁性膜8的溫度超過居里溫度的部分，輔助磁性膜8的Hc也變得比圖14的情形低，復(fù)制到輔助磁性膜8上的磁區(qū)當(dāng)再生點(diǎn)前進(jìn)到在磁光記錄膜10上不存在記錄磁區(qū)的區(qū)域時(shí)，發(fā)生再反轉(zhuǎn)。
在圖12C和圖14所示的情形中，因?yàn)槿缟纤龅卦谳o助磁性膜8內(nèi)發(fā)生磁區(qū)擴(kuò)大，再生信號(hào)強(qiáng)度增大。而且，從記錄磁區(qū)82擴(kuò)大的磁區(qū)85b和再生光點(diǎn)80一起保持?jǐn)U大不變地移動(dòng)。然而，再生光點(diǎn)80的中心來到和圖14C中的記錄磁區(qū)82相鄰的磁區(qū)84的正下方時(shí)，將記錄磁區(qū)82的擴(kuò)大磁區(qū)85c消除，必須進(jìn)行磁區(qū)84的擴(kuò)大再生。另一方面，在如圖13(和圖12對(duì)應(yīng))和圖15(和圖12E對(duì)應(yīng))中分別表示那樣地，在再生光功率Pr比較小的情形(再生光功率Pr＝1.0mW)和比較大的情形(再生光功率Pr＝2.1mW)中，再生光點(diǎn)80通過記錄磁區(qū)82后，從記錄磁區(qū)82復(fù)制的磁區(qū)83b消失，存在于再生光點(diǎn)80的正上方的磁光記錄膜10的磁區(qū)(圖中，消失的方向)被復(fù)制。所以，依靠用在產(chǎn)生磁區(qū)擴(kuò)大的再生光功率Pr＝1.9mW和不產(chǎn)生磁區(qū)擴(kuò)大的再生光功率Pr＝2.1mW(或1.0mW)之間以再生時(shí)鐘周期或它的整數(shù)倍的周期功率調(diào)制的脈沖光，作為再生光，能夠依靠磁區(qū)擴(kuò)大而使再生功率增大，而且當(dāng)再生光點(diǎn)的中心從磁光記錄膜的記錄磁區(qū)向相鄰的記錄磁區(qū)上移動(dòng)時(shí)，能夠消除從該記錄磁區(qū)復(fù)制的被擴(kuò)大的磁區(qū)。
根據(jù)上述的預(yù)備實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，如果作為在圖12C的Pr＝1.9mW和圖12E的Pr＝2.1mW之間進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制的脈沖光給出再生激光，則能夠?qū)⒃偕盘?hào)作為在圖12C和圖12E得到的再生信號(hào)強(qiáng)度的差檢測(cè)出來。考慮到這和圖12D的Hplo＝350mW相當(dāng)，暗示用比在圖12A和圖12E得到的振幅更大的振幅進(jìn)行再生是可能的。為此，在用下面的再生光脈沖進(jìn)行的再生實(shí)驗(yàn)中，分別地設(shè)定高功率Pr2為Pr2＝2.1mW，低功率Pr1為Pr1＝1.9mW。[依靠功率調(diào)制的脈沖光進(jìn)行磁光記錄介質(zhì)的再生]將在本實(shí)施例中制造的磁光記錄介質(zhì)70初始化后，在位于半徑40mm的光道上以線速度5.0m/s，用周期320ns，脈沖寬度53.3ns的脈沖對(duì)記錄功率6.3mW的激光進(jìn)行調(diào)制，并在記錄磁場(chǎng)為5000e時(shí)進(jìn)行光調(diào)制記錄。這相當(dāng)于在3.2μm的間距連續(xù)地記錄約1.6μm的記錄標(biāo)記。
用被功率調(diào)制在由上述的預(yù)備實(shí)驗(yàn)決定的再生光激光功率Pr2＝2.1mW，Pr1＝1.9mW上的脈沖激光照射被這樣記錄的磁光記錄介質(zhì)70的記錄光道，并進(jìn)行再生。再生激光脈沖如圖16所示，使從記錄標(biāo)記的前端開始的10ns的脈沖寬度中Pr2＝2.1mW，在其后的150ns的脈沖寬度中Pr1＝1.9mW那樣地進(jìn)行調(diào)整。再生時(shí)不積極地加上磁場(chǎng)，但是在記錄方向上發(fā)生來自光學(xué)磁頭的致動(dòng)器的泄漏磁場(chǎng)(約800e)。
將得到的再生信號(hào)波形表示在圖17中。得到和記錄標(biāo)記相對(duì)應(yīng)的振幅約為220mV的再生信號(hào)。又，用有一定的再生功率Pr＝1.0mW和Pr＝2.1mW的連續(xù)光進(jìn)行在相同條件下記錄的標(biāo)記圖案的再生時(shí)，振幅分別為100mW和170mW。根據(jù)這些結(jié)果，我們看到對(duì)再生光進(jìn)行脈沖狀功率調(diào)制，并進(jìn)行再生時(shí)，以和再生時(shí)鐘同步的形式擴(kuò)大記錄磁區(qū)并進(jìn)行復(fù)制，并能夠隨后立即消除記錄磁區(qū)，故在擴(kuò)大時(shí)能夠以更高的C/N進(jìn)行再生。
在本實(shí)施例中，選擇高功率Pr2＝2.1mW，低功率Pr1＝1.9mW的各脈沖激光強(qiáng)度，分別地將低功率脈沖用于產(chǎn)生擴(kuò)大磁區(qū)和將高功率脈沖用于消除擴(kuò)大磁區(qū)。然而，也可能使高功率脈沖用于產(chǎn)生擴(kuò)大磁區(qū)時(shí)為Pr2＝1.9mW和使低功率脈沖用于消除擴(kuò)大磁區(qū)時(shí)為Pr1＝1.0mW。用于原理說明的圖11所示的例子表示后一種情形。進(jìn)一步，為了得到增大的再生信號(hào)能夠適當(dāng)?shù)馗淖兏吖β拭}沖和低功率脈沖的脈沖寬度之比，即占空比不限于圖11和圖16所示的情形。
即便在本實(shí)施例2中制造的磁光記錄介質(zhì)中，為了使被再生光束照射時(shí)介質(zhì)的溫度分布有所希望的形狀，或者，為了使溫度分布的線速度依賴性變小，也可以在磁光記錄介質(zhì)的保護(hù)膜上設(shè)置適當(dāng)熱導(dǎo)率的熱控制層。又，為了得到更好的再生CN比，也可以使在被再生光束照射時(shí)介質(zhì)的最高到達(dá)溫度的克耳旋轉(zhuǎn)角θk在輔助磁性膜的θk以上，并且在電介質(zhì)膜3和輔助磁性膜8之間加入在室溫以上為垂直磁化膜的再生磁性膜。
在實(shí)施例1中使用一邊用脈沖光照射，一邊對(duì)應(yīng)于記錄信號(hào)調(diào)制所加磁場(chǎng)極性的磁光調(diào)制方式，在實(shí)施例2中使用一邊加上DC磁場(chǎng)，一邊對(duì)應(yīng)于記錄信號(hào)調(diào)制光強(qiáng)度的光調(diào)制方式，分別地進(jìn)行記錄，但是用通常的DC光的磁場(chǎng)調(diào)制記錄方式，光調(diào)制記錄方式和光磁場(chǎng)調(diào)制方式中的無論那一種方式都沒有關(guān)系。工業(yè)利用的可能性本發(fā)明的磁光記錄介質(zhì)，用在室溫以上是垂直磁化膜的磁光記錄膜，從室溫開始到某個(gè)臨界溫度(TCR)是面內(nèi)磁化膜，在TCR以上轉(zhuǎn)變成垂直磁化膜的一層以上的輔助磁性膜，因?yàn)檫M(jìn)行調(diào)整使這些磁性膜的磁特性有所定的關(guān)系，所以使擴(kuò)大記錄磁區(qū)并進(jìn)行再生成為可能，并能夠增大再生信號(hào)強(qiáng)度得到好的C/N。本發(fā)明的方法，和備有通常的掩模功能的磁超圖象分辨型的磁光記錄介質(zhì)相比，依靠磁的掩模，使給予再生輸出的光量降低很少或光量不降低的超圖象分辨再生成為可能。如果用本發(fā)明的磁光記錄介質(zhì)和它的再生方法，因?yàn)槟塥?dú)立地再生和再生光點(diǎn)的直徑比較極其微小的記錄標(biāo)記，所以能夠顯著地提高磁光記錄介質(zhì)的記錄密度。
權(quán)利要求
1.一種磁光記錄介質(zhì)，在備有磁光記錄膜和輔助磁性膜，用再生光照射時(shí)，將上述的磁光記錄膜的記錄區(qū)磁性地復(fù)制到上述的輔助磁性膜上，進(jìn)行信號(hào)再生的磁光記錄介質(zhì)中，上述的輔助磁性膜是至少一層的當(dāng)超過臨界溫度時(shí)從面內(nèi)磁化膜轉(zhuǎn)變成垂直磁化膜的磁性膜，并且上述的磁光記錄膜在室溫以上的溫度是垂直磁化膜，利用上述的輔助磁性膜的磁特性進(jìn)行再生時(shí)，能將比上述的磁光記錄膜的記錄磁區(qū)大的磁區(qū)復(fù)制到上述的輔助磁性膜上。
2.權(quán)利要求1所述的磁光記錄介質(zhì)，其特征是磁光記錄介質(zhì)是在上述的磁光記錄膜上依次層積第1輔助磁性膜和第2輔助磁性膜形成的，當(dāng)上述的磁光記錄膜，第1輔助磁性膜和第2輔助磁性膜的居里溫度分別為TC0，TC1和TC2，第1輔助磁性膜和第2輔助磁性膜的上述臨界溫度分別為TCR1和TCR2時(shí)，上述的磁光記錄膜，第1輔助磁性膜和第2輔助磁性膜有滿足室溫＜TCR2＜TCR1＜TC0，TC1，TC2關(guān)系的磁特性。
3.權(quán)利要求2所述的磁光記錄介質(zhì)，其特征是上述的磁光記錄膜是從由TbFeCo，DyFeCo，TbDyFeCo組成的群體中選出的希土類-過渡金屬膜，第1和第2輔助磁性膜是從由GdFeCo，GdFe，GdTbFeCo，GdDyFeCo組成的群體中選出的希土類—過渡金屬膜。
4.權(quán)利要求2所述的磁光記錄介質(zhì)，其特征在于再生光功率和第1輔助磁性膜的居里溫度TC1被設(shè)定得使大小在磁光記錄膜的記錄磁區(qū)的直徑以下的磁區(qū)復(fù)制到第1輔助磁性膜上。
5.權(quán)利要求1所述的磁光記錄介質(zhì)，其特征是在上述的輔助磁性膜和上述的磁光記錄膜之間進(jìn)一步備有非磁性膜，當(dāng)上述的磁光記錄膜和輔助磁性膜的居里溫度分別為TC0和TC，輔助磁性膜的上述臨界溫度分別為TCR時(shí)，上述的磁光記錄膜和輔助磁性膜有滿足室溫＜TCR＜TC0，TC關(guān)系的磁特性。
6.權(quán)利要求5所述的磁光記錄介質(zhì)，其特征是上述的磁光記錄膜是從由TbFeCo，DyFeCo，TbDyFeCo組成的群體中選出的希土類-過渡金屬膜，上述的輔助磁性膜是從由GdFeCo，GdFe，GdTbFeCo，GdDyFeCo組成的群體中選出的希土類—過渡金屬膜。
7.權(quán)利要求5所述的磁光記錄介質(zhì)，它能夠通過上述的磁光記錄膜和輔助磁性膜之間的靜磁耦合力將磁光記錄膜的記錄磁區(qū)復(fù)制到輔助磁性膜上。
8.權(quán)利要求5所述的磁光記錄介質(zhì)，其特征是當(dāng)將輔助磁性膜的居里溫度，臨界溫度和補(bǔ)償溫度分別表示為TC，TCR和Tcomp時(shí)，上述的輔助磁性膜有滿足室溫＜TCR＜Tcomp＜TC關(guān)系的磁特性。
9.權(quán)利要求5所述的磁光記錄介質(zhì)，其特征在于再生光功率和輔助磁性膜的居里溫度TC被設(shè)定得使大小在磁光記錄膜的記錄磁區(qū)的直徑以上的磁區(qū)復(fù)制到并形成在輔助磁性膜上。
10.權(quán)利要求1-9的任何一項(xiàng)所述的磁光記錄介質(zhì)，其特征是在受到再生光照射時(shí)的磁光記錄介質(zhì)的最高到達(dá)溫度下的克爾旋轉(zhuǎn)角θk在上述的輔助磁性膜的克爾旋轉(zhuǎn)角θk以上，而且在氣氛溫度以上為垂直磁化膜的再生磁性膜形成在上述的輔助磁性膜的再生光入射一側(cè)。
11.一種磁光記錄介質(zhì)的再生方法，是通過檢測(cè)用再生光照射有在室溫為垂直磁化膜的磁光記錄膜的磁光記錄介質(zhì)時(shí)產(chǎn)生的磁光效應(yīng)的大小，使被記錄的信號(hào)再生的磁光記錄介質(zhì)的再生方法，其特征在于作為上述的磁光記錄介質(zhì)，使用在磁光記錄膜上依次地層積第1輔助磁性膜和第2輔助磁性膜，第1輔助磁性膜和第2輔助磁性膜是當(dāng)超過臨界溫度時(shí)從面內(nèi)磁化膜轉(zhuǎn)變成垂直磁化膜的磁性膜，當(dāng)上述的磁光記錄膜，第1輔助磁性膜和第2輔助磁性膜的居里溫度分別為TC0，TC1和TC2，第1輔助磁性膜和第2輔助磁性膜的上述臨界溫度分別為TCR1和TCR2時(shí)，上述的磁光記錄膜，第1輔助磁性膜和第2輔助磁性膜有滿足關(guān)系室溫＜TCR2＜TCR1＜TC0，TC1，TC2的磁特性的磁光記錄介質(zhì)；通過用以和再生時(shí)鐘相同的周期或整數(shù)倍的周期功率調(diào)制的再生光照射上述的磁光記錄介質(zhì)，使記錄信號(hào)再生。
12.權(quán)利要求11所述的磁光記錄介質(zhì)的再生方法，其特征是上述的再生光以和再生時(shí)鐘相同的周期或整數(shù)倍的周期被功率調(diào)制在再生光功率Pr1和Pr2上，上述的Pr1和Pr2中的一個(gè)的再生光功率是產(chǎn)生上述的第2輔助磁性膜的磁區(qū)擴(kuò)大的再生光功率。
13.磁光記錄介質(zhì)的再生方法，是通過檢測(cè)用再生光照射有在室溫為垂直磁化膜的磁光記錄膜的磁光記錄介質(zhì)時(shí)產(chǎn)生的磁光效應(yīng)的大小，使被記錄的信號(hào)再生的磁光記錄介質(zhì)的再生方法，其特征在于作為上述的磁光記錄介質(zhì)，使用在插入非磁性膜的磁光記錄膜上備有當(dāng)超過臨界溫度時(shí)從面內(nèi)磁化膜轉(zhuǎn)變成垂直磁化膜的磁性膜，并當(dāng)上述的磁光記錄膜和輔助磁性膜的居里溫度分別為TC0和TC，輔助磁性膜的上述臨界溫度分別為TCR時(shí)，上述的磁光記錄膜和輔助磁性膜有滿足室溫＜TCR＜TC0，TC關(guān)系的磁特性的磁光記錄介質(zhì)；通過用以和再生時(shí)鐘相同的周期或整數(shù)倍的周期功率調(diào)制的再生光照射上述的磁光記錄介質(zhì)，使記錄信號(hào)再生。
14.權(quán)利要求13所述的磁光記錄介質(zhì)的再生方法，其特征是上述的再生光以和再生時(shí)鐘相同的周期或整數(shù)倍的周期被功率調(diào)制在再生光功率Pr1和Pr2上，上述的Pr1和Pr2中的一個(gè)的再生光功率是產(chǎn)生上述的輔助磁性膜的磁區(qū)擴(kuò)大的再生光功率。
15.權(quán)利要求11-14的任何一項(xiàng)所述的磁光記錄介質(zhì)的再生方法，其特征是再生時(shí)在記錄磁化的方向加上DC磁場(chǎng)。
全文摘要
磁光記錄介質(zhì)(11)包括在基片1上的第2輔助磁性膜(4),第1輔助磁性膜(5)和磁光記錄膜(6)。輔助磁性膜(4和5)在臨界溫度T
文檔編號(hào)G11B11/105GK1207822SQ96199675
公開日1999年2月10日 申請(qǐng)日期1996年12月20日 優(yōu)先權(quán)日1995年12月20日
發(fā)明者大貫悟, 太田憲雄, 島崎勝輔, 吉弘昌史, 鷹尾引樹, 渡邊均 申請(qǐng)人:日立馬庫塞魯株式會(huì)社