專利名稱：磁頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁頭而更具體地涉及具有感應(yīng)元件和磁阻元件并安裝到例如磁盤驅(qū)動器、磁帶驅(qū)動器等等的磁記錄/再生裝置中的組合磁頭。
在磁盤驅(qū)動器、磁帶驅(qū)動器等等的技術(shù)領(lǐng)域中，已使用分別裝有記錄頭和再生頭的組合磁頭來獲得較高的磁記錄密度和達到較高的記錄/再生運行速度。
組合磁頭具有把裝有螺旋線圈的感應(yīng)型頭疊在使用磁阻元件的再生頭(在下文中稱作“MR頭”)上的結(jié)構(gòu)。除組合磁頭中的感應(yīng)型頭一般只用于記錄操作外，感應(yīng)型頭會影響記錄和再生二者的運行。根據(jù)感應(yīng)型頭的部分磁極是否共用作MR頭中的上磁屏蔽層的差別可以把組合磁頭分成連接型和分離型。
如

圖1A所示，使連接型組合磁頭形成這樣的結(jié)構(gòu)，MR頭100的上磁屏蔽層101能夠同時起感應(yīng)型頭110的下磁極的作用。MR頭100包括上磁屏蔽層101、下磁屏蔽層102和磁阻元件103。用絕緣層104使磁阻元件103與上磁屏蔽層101和下磁屏蔽層102隔離。感應(yīng)型頭110包括一部分充滿絕緣層112的螺旋線圈111。一部分螺旋線圈111被由上磁屏蔽層101組成的磁極和上磁極113包圍。
如圖1B所示，使分離型組合磁頭形成這樣的結(jié)構(gòu)，MR頭120的上磁屏蔽層121與感應(yīng)型頭130的下磁極134分離。MR頭120包括上磁屏蔽層121、下磁屏蔽層122和磁阻元件123。用絕緣層124使磁阻元件123與上磁屏蔽層121和下磁屏蔽層122隔離。在感應(yīng)型頭130中，一部分充滿絕緣層132的螺旋線圈131被環(huán)狀磁極包圍。磁極由下磁極134和上磁極133組成。
在磁阻元件103上方的磁極中形成記錄縫隙g。同樣，在磁阻元件123上方的磁極中形成記錄縫隙g。從螺旋線圈產(chǎn)生的磁場通過磁極，然后作為記錄磁場從記錄縫隙g輸出到記錄媒體(未表示出)。同樣，從螺旋線圈131產(chǎn)生的磁場通過磁極，然后作為記錄磁場從記錄縫隙g輸出到記錄媒體(未表示出)。
在連接型組合磁頭中，如果在螺旋線圈111下面出現(xiàn)不平整或凸出狀的臺階，那么在形成螺旋線圈111時螺旋線圈111被凸出狀的臺階切斷，要不然由于凸出狀臺階的存在使螺旋線圈做得較薄，則引起電阻增大。此外，與MR頭中的磁阻元件103連接的引線被凸出狀的臺階切斷，要不然就做得較薄。分離型組合磁頭的情況也是一樣的。
為此，在連接型組合磁頭中，通過使下磁屏蔽層102一直延伸到不存在磁極113并遠離磁阻元件103的連接型組合磁頭的后側(cè)區(qū)域，使在螺旋線圈111下面造成的層次上的差別減小。同樣，在分離型組合磁頭中，通過使上磁屏蔽層121一直延伸到上磁極133和下磁極134都不存在而遠離磁阻元件123的分離型組合磁頭的后側(cè)區(qū)域，減少在螺旋線圈131下面造成的層次臺階上的差別。
在連接型組合磁頭中，由高頻記錄電流輸送到螺旋線圈111而產(chǎn)生高頻磁場時，從磁極漏泄的磁場通過MR頭100的下磁屏蔽層102。同樣，在分離型組合磁頭中，由高頻電流輸送到螺旋線圈131而產(chǎn)生高頻磁場時，從磁極漏泄的磁場通過MR頭120的上磁屏蔽層121。
然而，隨著通過下磁屏蔽層102或上磁屏蔽層121的磁場頻率增高，由下磁屏蔽層102或上磁屏蔽層121產(chǎn)生的蝸流電流增大。因此，由于下磁屏蔽層102或上磁屏蔽層121起部分磁通回路作用，所以降低產(chǎn)生記錄磁場的效率。
本發(fā)明的目的是提供能夠以相當高的效率產(chǎn)生記錄磁場的組合磁頭。
根據(jù)本發(fā)明，在連接型組合磁頭的情況下，使再生頭中下磁屏蔽層的后側(cè)區(qū)域的平面形狀成U形或者增大再生頭中至少是上磁屏蔽層的后側(cè)區(qū)域的電阻。
因此，在從記錄頭漏泄的高頻磁場經(jīng)由在記錄頭下面形成的磁屏蔽層重新返回到記錄頭的磁通回路中，能抑制在磁屏蔽層的高電阻區(qū)域中產(chǎn)生的蝸流電流從而減少損耗，因此能夠從記錄頭以相當高的效率產(chǎn)生記錄磁場。
可以在部分磁屏蔽層或者所有的磁屏蔽層上形成高電阻區(qū)域。通過用高電阻率磁性材料形成磁屏蔽層的區(qū)域或者通過把雜質(zhì)摻入該區(qū)域，能夠獲得高電阻區(qū)域。另一方面，假使磁屏蔽層的平面形狀成U形，如果設(shè)定U形凹口部分的邊線和位于凹口部分上方的螺旋線圈的切線二者之間的角度在80到100度的范圍內(nèi)，則能夠防止由于由U形凹口部分所引起的層次上差別造成螺旋線圈斷裂或避免較薄的螺旋線圈層。
圖1A是表示在先技術(shù)中的連接型組合磁頭的剖視圖；和圖1B是表示在先技術(shù)中的分離型組合磁頭的剖視圖；圖2是表示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的連接型組合磁頭的部分被剪切或斷開的透視圖；圖3是表示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的連接型組合磁頭的透視圖；圖4是表示用于根據(jù)本發(fā)明第一實施例的連接型組合磁頭中的MR頭的頂視圖；圖5是表示用于根據(jù)本發(fā)明第一實施例的連接型組合磁頭中的感應(yīng)型頭的頂視圖；圖6是表示記錄磁場對記錄頻率的特性曲線圖以便比較由根據(jù)本發(fā)明第一到第三實施例的連接型組合磁頭和一般組合磁頭產(chǎn)生的相應(yīng)的記錄磁場；圖7是表示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的連接型組合磁頭的剖視圖；圖8是表示圖7中所示的連接型組合磁頭中的下磁屏蔽層的頂視圖；圖9是表示組成根據(jù)本發(fā)明第三實施例的連接型組合磁頭的MR頭的頂視圖；圖10是表示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的連接型組合磁頭的頂視圖；圖11A到11C是表明本發(fā)明第三實施例的連接型組合磁頭中的感應(yīng)型頭的制作步驟的剖視圖12是表示根據(jù)本發(fā)明第四實施例的分離型組合磁頭的第一實例的剖視圖；圖13A是表示用于根據(jù)本發(fā)明第四實施例的分離型組合磁頭的第二實例中的MR頭的頂視圖；圖13B是表示用于根據(jù)本發(fā)明第四實施例的分離型組合磁頭的第三實例中的MR頭的頂視圖；和圖14是表示裝有根據(jù)本發(fā)明的組合磁頭的磁盤驅(qū)動器的頂視圖。
最佳實施例的描述在下文將參照附圖闡述本發(fā)明的實施例。
(第一實施例)圖2是表示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的連接型組合磁頭的部分被切去的透視圖。圖3是表示圖2所示的連接型組合磁頭的剖視圖。圖4是表示圖2所示的連接型組合磁頭中使用的再生頭的頂視圖。圖5是表示圖2所示的連接型組合磁頭中使用的感應(yīng)型頭的頂視圖。在圖4和圖5中，在連接型組合磁頭中分別略去絕緣層。
在圖2到圖5中，在襯底1上經(jīng)由用絕緣材料例如Al2O3組成的襯底保護層2按順序形成再生的磁阻頭(MR頭)10和記錄的感應(yīng)型頭20。
按順序在襯底保護層上形成下磁屏蔽層3、Al2O3組成的下非磁性絕緣層4、磁阻元件5、Al2O3組成的上非磁性絕緣層7和上磁屏蔽層8，由此構(gòu)成MR頭10。
挑選電阻率比用于上磁屏蔽層8的第二磁性材料大的這樣的材料作為用于下磁屏蔽層3的第一磁性材料。例如，在用坡莫合金(Ni80Fe20)組成上磁屏蔽層8的情況下，用電阻率為70μΩcm或更大一些的鎳鐵合金(NixFe100-x，式中x＜50)、FeZrNb合金或CoZrNb合金，或者具有大于100μΩcm電阻率的另外的其他磁性材料組成下磁屏蔽層3。此外，通過Al2O3微粒摻入SiFe層形成的粗粒晶層可以用作下磁屏蔽層3。
最好是第一磁性材料的電阻率大于100μΩcm。在這里下磁屏蔽層3的厚度約為1.5μm。
把在下非磁性絕緣層4上形成的磁阻元件5移到靠近下磁屏蔽層3的頂端。如圖4所示，用金(Au)制成的第一和第二引線6a、6b與磁阻元件5的兩側(cè)連接。如圖4所示，使第一和第二引線6a、6b安置在下磁屏蔽層3上，沿下磁屏蔽層3的二側(cè)邊相互分開。
磁阻元件5以及第一和第二引線6a、6b除其頂端外用上非磁性絕緣層7覆蓋。此外，在上非磁性絕緣層7上形成上磁屏蔽層8。
例如，用象坡莫合金之類的具有厚度為3.5μm的軟磁材料組成上磁屏蔽層8。如圖4所示，劃定上磁屏蔽層8平面形狀的界限，以使平面形狀蓋住第一和第二引線6a、6b的前端部分并如圖3所示，以便形成具有能夠疊放部分螺旋線圈13的尺寸的平面形狀。而且，形成與螺旋線圈13交叉的上磁屏蔽層8的棱邊部分，以便與螺旋線圈13彎曲部分的切線方向大體上垂直相交，由此防止螺旋線圈斷開。進一步，用Al2O3組成的約0.2到0.6μm厚的絕緣縫隙層11覆蓋上磁屏蔽層8。
上述的螺旋線圈13用MR頭上的絕緣涂層12蓋沒。并且，位于上磁屏蔽層8上的部分螺旋線圈13經(jīng)由絕緣涂層12被上磁極14覆蓋。絕緣涂層12是由把螺旋線圈13夾在其中間的上和下有機絕緣層12a、12b組成。螺旋線圈13的二端與記錄信號電路(未表示出)連接。
用軟磁材料例如坡莫合金組成上磁極14。如圖3和圖5所示，上磁極14通過螺旋線圈13和上、下有機絕緣層12a、12b的中央缺口與上磁屏蔽層8連接。因此，上磁屏蔽層8和上磁極一起用作感應(yīng)型頭20的磁極。
上磁極14在其頂端部分同絕緣縫隙層11的上表面接觸。因而在上磁極14的頂端和上磁屏蔽層8的頂端之間形成具有寬度等于絕緣縫隙層11厚度的記錄縫隙G。
在這樣的情況下，由上磁極14、螺旋線圈13、絕緣涂層12和上磁屏蔽層8組成感應(yīng)型頭20。上磁屏蔽層8起感應(yīng)型頭20的下磁極的作用。在圖2中，標號15表示磁記錄媒體。
在如上所述的連接型組合磁頭中，即使使MR頭10中的下磁屏蔽層3的電阻增大得比上磁極14的電阻高，也能夠減少由于通過下磁屏蔽層3的記錄磁場引起的蝸流電流。因此，能夠以相當高的效率輸出通過下磁屏蔽層3的記錄磁場的分量。所以，能夠提高從感應(yīng)型頭20產(chǎn)生記錄磁場的效率。
因此，在其內(nèi)用坡莫合金做下磁屏蔽層的磁性材料的一般紐合磁頭和其內(nèi)用電阻率為70μΩcm的鎳鐵合金組成下磁屏蔽層的連接型組合磁頭的二條頻率特性曲線互相比較的情況下，得出如圖6中由點劃線所示的結(jié)果。
圖6中縱座標是通過使記錄磁場Hx(KOe)的常規(guī)的縱向分量設(shè)定為“1”歸一化的記錄磁場。也就是，圖6中縱座標表示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的記錄磁場Hx的縱向分量。在計算記錄磁場中對于蝸流電流使用二維有限元法。象這樣的記錄磁場Hx的縱向分量是沿縱向(x方向)的下磁屏蔽層3的磁場分量。換言之，縱座標表示在離0.4μm厚的記錄縫隙層11的頂端0.08μm位置上沿x方向的磁場Hx的幅度。另一方面，圖6中橫座標卻表示施加于螺旋線圈13的矩形信號電壓的信號頻率(MHz)。
根據(jù)圖6中的點劃線，顯然，從根據(jù)本發(fā)明第一實施例的組合磁頭的磁極輸出的記錄磁場大于一般組合磁頭輸出的記錄磁場。特別是，可以推斷根據(jù)本發(fā)明第一實施例的組合磁頭在大于50MHz的高頻范圍內(nèi)能夠提供比一般組合磁頭提供的記錄磁場大10％左右的記錄磁場。
根據(jù)分析圖6中的頻率特性曲線，對于根據(jù)第一實施例的組合磁頭和一般磁頭的二種結(jié)構(gòu)，除下磁屏蔽層的組成材料外應(yīng)用同樣的規(guī)則。
(第二實施例)雖然在第一實施例中完全用高電阻率磁性材料組成MR頭中的下磁屏蔽層3，但是可以用高電阻率磁性材料組成部分下磁屏蔽層3。將在下文作為第二實施例闡述這樣的實施例。
圖7是表示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的連接型組合磁頭的一部分的剖視圖。圖8是表示圖7中所示的連接型組合磁頭的下磁屏蔽層的頂視圖。在圖7中，和圖2中相同的標號指的是同樣的元件。
在連接型組合磁頭中，分別用不同的磁性材料組成包括在上磁極14下面的區(qū)域的下磁屏蔽層3中的第一區(qū)域3a和除第一區(qū)域3a外下磁屏蔽層3中的第二區(qū)域3b。把第一區(qū)域3a和第二區(qū)域3b的分界線放在稍后側(cè)處而不是在上磁極14和上磁屏蔽層8之間的連接部分的位置。這里下磁屏蔽層3的“前側(cè)”區(qū)域指的是與磁性記錄媒體相對的下磁屏蔽層3中的部分而下磁屏蔽層3的“后側(cè)”區(qū)域指的是與“前側(cè)”區(qū)域相對的下磁屏蔽層3中的部分。
在下磁屏蔽層3中，用電阻率比第一區(qū)域3a中更高的磁性材料組成第二區(qū)域3b。按照改變第一區(qū)域3a和第二區(qū)域3b的電阻的工藝，例如在用象坡莫合金之類的軟磁材料組成下磁屏蔽層3的情況下，僅在使第一區(qū)域3a中的軟磁材料保持原來狀態(tài)時通過把象碳之類的元素離子注入到第二區(qū)域3b或者只氧化第二區(qū)域3b就能增大第二區(qū)域的電阻而不增大第一區(qū)域3a的電阻。另外，可以預(yù)先變換第一區(qū)域3a和第二區(qū)域3b二者的磁性材料。例如可以使用象把Al2O3微粒摻入SiFe層的粗晶粒層這樣的磁性材料。
就上述的構(gòu)造來說，由于在第二區(qū)域3b中能夠減少由通過下磁屏蔽層3的高頻磁場引起的蝸流電流，所以能夠提高產(chǎn)生記錄磁場的效率并且在保持第一區(qū)域3a的高導(dǎo)磁率的同時也能夠防止用作磁屏蔽層的能力上的降低。
因此，如果其內(nèi)用坡莫合金組成下磁屏蔽層3的第一區(qū)域3a并用電阻率為70μΩcm的材料組成第二區(qū)域3b的連接型組合磁頭和一般連接型組合磁頭的二條頻率特性曲線相互比較，則得出如圖6中由虛線所示的結(jié)果。
圖6的縱座標和橫座標與第一實施例中說明的縱座標和橫座標相同。在計算記錄磁場時對蝸流電流使用二維有限元法。記錄磁場Hx的縱向分量是下磁屏蔽層3中的磁場沿縱向方向的分量。也就是，記錄磁場Hx的縱向分量表示在離0.4μm厚記錄縫隙層11的頂端0.08μm位置上的磁場Hx的幅度。
根據(jù)圖6中的虛線，顯然，與一般組合磁頭比較起來，增大了從根據(jù)第二實施例的組合磁頭中的磁極輸出的磁場。特別是，可以推斷根據(jù)本發(fā)明第二實施例的組合磁頭在大于50MHz的高頻范圍內(nèi)能夠提高比一般組合磁頭提供的記錄磁場大10％左右的記錄磁場。
根據(jù)第二實施例的組合磁頭在結(jié)構(gòu)上不同于一般組合磁頭，在根據(jù)第二實施例的組合磁頭中用不同的組成材料形成下磁屏蔽層。
(第三實施例)雖然在第一實施例中完全用高電阻磁性材料組成MR頭10中的下磁屏蔽層3，但是可以去除部分下磁屏蔽層3。在下文將闡述這樣的實施例。
圖9是表示在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的連接型組合磁頭中的MR頭的頂視圖。圖10是表示圖9中連接型組合磁頭的頂視圖。在圖9和圖10中，與圖2中相同的標號指的是同樣的元件。
在這樣的連接型組合磁頭中，在下磁屏蔽層3的后側(cè)區(qū)域內(nèi)而不是在上磁極14和上磁屏蔽層8之間的連接部分形成凹口部分3d，以使下磁屏蔽層3分離成右部分和左部分。由于出現(xiàn)凹口部分3d，能夠獲得幾乎是U形平面形狀的下磁屏蔽層3。如果從圖9中的線Ⅰ-Ⅰ觀察，則能夠得出如圖11A所示的MR頭10的截面形狀。
如果依次在MR頭10上形成記錄縫隙層11、下有機絕緣層12a和螺旋線圈13，則能夠得出如圖11B所示的截面形狀。
同時，第一和第二引線6a、6b在下磁屏蔽層3上延伸到下磁屏蔽層3的凹口部分兩邊。使與螺旋線圈13交叉的凹口部分3d的棱邊形成與螺旋線圈13的切線大體上垂直交叉。所以，能夠防止由于凹口部分3d造成的不平整引起螺旋線圈13的斷開。假使是這樣的話，如果螺旋線圈13相對于凹口部分的棱邊的正切角θ超出大約80°到100°的范圍，那么顯然在實驗上容易發(fā)生螺旋線圈13的斷開。因此，必須規(guī)定凹口部分3d的傾斜角θ不超出上述的范圍。
在這些規(guī)定下形成螺旋線圈13以后，如圖11C所示，形成上有機絕緣層12b以致覆蓋螺旋線圈13，然后在上有機絕緣層12b上形成穿過下絕緣層12a和上有機絕緣層12b的上磁極14，并然后與上磁屏蔽層8形成接觸。
在上述的構(gòu)造情況下，由于能夠根據(jù)凹口部分3d的面積減小由通過下磁屏蔽層3的高頻磁場引起蝸流電流的總和，因此能夠減少記錄磁場的損耗，因而能夠提高產(chǎn)生記錄磁場的效率。換言之，如同在第一和第二實施例中那樣，凹口部分3d起高電阻區(qū)域的作用。
因此，如果把其內(nèi)由坡莫合金組成下磁屏蔽層3并在下磁屏蔽層3的后側(cè)區(qū)域內(nèi)形成凹口部分3d的連接型組合磁頭和一般連接型組合磁頭的二條頻率特性曲線相互比較，則得出如圖6中由實線所示的結(jié)果。
計算圖6中的磁場時，對于渦流電流使用二維有限元法。記錄磁場Hx的縱向分量是下磁屏蔽層3中的磁場沿縱向方向的分量，并表示在離0.4μm厚記錄縫隙層11的頂端0.08μm位置上磁場Hx的幅度。
根據(jù)圖6中的實線，顯然，增大了從在根據(jù)第三實施例的組合磁頭而不是在一般組合磁頭中的磁極輸出的磁場。特別是，在50MHz或更大一些的高頻率范圍內(nèi)根據(jù)第三實施例的組合磁頭能夠提供比一般組合磁頭提供的記錄磁場大5％左右的記錄磁場。
根據(jù)第三實施例的組合磁頭和一般組合磁頭之間在結(jié)構(gòu)上的差異是在于使下磁屏蔽層、引線和螺旋線圈調(diào)整成不同的形狀。
(第四實施例)在上述的第一到第三實施例中，主要闡述了具有與一般組合磁頭中的下磁屏蔽層形狀不同的下磁屏蔽層的連接型組合磁頭。上述的下磁屏蔽層的特性也可以應(yīng)用于分離型組合磁頭中的上磁屏蔽層。在這樣的情況下，能夠以相當高的效率從磁極中的記錄縫隙產(chǎn)生記錄磁場。
更詳細地說，如圖12所示，挑選電阻率比感應(yīng)型頭20A中的上磁極14B和下磁極14A的材料電阻率高的磁性材料用作MR頭10A中的上磁屏蔽層8A。
如圖13A所示，在MR頭10A中，使上磁屏蔽層8B的位于后側(cè)區(qū)域而不是感應(yīng)型頭20A中的上磁極14B和下磁極14A之間連接部分的第二區(qū)域8b的電阻高于第一區(qū)域8a的電阻。
隨后，如圖13B所示，在MR頭10A中的上磁屏蔽層8C內(nèi)形成使上磁屏蔽層8c在后側(cè)區(qū)域而不是在上磁極14B和下磁極14A之間連接部分上分離成右部分和左部分的凹口部分8D。因此，使上磁屏蔽層8C形成大體上成U形的平面形狀而且凹口部分8D起高電阻區(qū)域的作用。凹口部分8D的形狀與圖9中凹口部分3d的形狀是完全一樣的。
圖12中，標號17表示用非磁性絕緣材料例如Al2O3組成使MR頭10A與感應(yīng)型頭20A分離的非磁性絕緣層。在圖12和圖13中，與圖2中相同的標號指的是同樣的元件。
(第五實施例)在本發(fā)明的第五實施例中，可以把在第一到第四實施例中陳述的組合磁頭分別裝到例如圖14所示的磁盤驅(qū)動器。
在磁盤驅(qū)動器40的機盒內(nèi)，把具有上述結(jié)構(gòu)的組合磁頭42安裝在磁頭臂41的頂端。使磁頭臂41裝配成其頂端能夠在磁盤43上方移動。
根據(jù)如上所描述的本發(fā)明，就連接型組合磁頭來說，至少增大再生頭的下磁屏蔽層中的后側(cè)區(qū)域的電阻要不然在下磁屏蔽層的后側(cè)區(qū)域內(nèi)形成凹口部分，而對分離型組合磁頭來說，至少增大再生頭的上磁屏蔽層中的后側(cè)區(qū)域的電阻要不然在上磁屏蔽層的后側(cè)區(qū)域內(nèi)形成凹口部分。因此，在從記錄頭漏泄的高頻磁場經(jīng)由在記錄頭下面形成的磁屏蔽層重新返回到記錄頭的磁通回路，能夠抑制在磁屏蔽層的高電阻區(qū)域中產(chǎn)生的渦流電流，從而減小損耗并因此能夠以相當高的效率從記錄頭產(chǎn)生記錄磁場。
權(quán)利要求
1．一種磁頭包括在襯底上形成的第一磁性層；上述的第一磁性層在其后部區(qū)域中的凹口部分；在第一磁性層上形成的第一非磁性絕緣層；在第一非磁性絕緣層上在前部區(qū)域而不是凹口部分中形成的第二磁性層；在第二磁性層上形成的第二非磁性絕緣層；在第一磁性層上方形成的線圈，使部分線圈與第二非磁性絕緣層交叉；經(jīng)由線圈的部分中央缺口與第二磁性層連接并在第二非磁性絕緣層上形成的第三磁性層；和處于第三磁性層和第二磁性層之間放在前側(cè)而不是線圈位置的非磁性縫隙層。
2．如權(quán)利要求1所述的磁頭，其中在第一磁性層和第二磁性層之間的第一非磁性絕緣層內(nèi)形成磁阻元件。
3．如權(quán)利要求1所述的磁頭，其中第一和第二引線分別與磁阻元件的二側(cè)連接并且第一和第二引線延伸到凹口部的二側(cè)區(qū)域。
4．如權(quán)利要求1所述的磁頭，其中在凹口部分的邊緣棱線和線圈的切線之間角度設(shè)定在80度到100度的范圍內(nèi)。
5．如權(quán)利要求1所述的磁頭，其中上述的第一磁性層具有大體上成U形的平表面。
6．如權(quán)利要求1所述的磁頭，其中在第一磁性層和第二磁性層之間形成磁阻元件。
7．一種磁頭包括在襯底上直接或者經(jīng)由絕緣層形成的第一磁性層；在至少是上述的第一磁性層中的后部區(qū)域中具有第一電阻率的高電阻區(qū)域；在第一磁性層上形成的第一非磁性絕緣層；在前部區(qū)域而不是高電阻區(qū)域中的第一非磁性絕緣層上形成的第二磁性層，第二磁性層具有比第一電阻率小的第二電阻率；在第二磁性層上形成的第二非磁性絕緣層；在第一磁性層上形成與第二非磁性絕緣層交叉的線圈；經(jīng)由線圈的部分中央缺口與第二磁性層連接并且在第二非磁性絕緣層上形成的第三磁性層；和處于第三磁性層和第二磁性層之間放在前面而不是線圈位置的非磁性縫隙層。
8．如權(quán)利要求7所述的磁頭，其中使第一電阻率比第二電阻率大二倍以上。
9．如權(quán)利要求7所述的磁頭，其中在第一磁性層和第二磁性層之間形成磁阻元件。
10．如權(quán)利要求7所述的磁頭進一步包括在襯底和第一磁性層之間形成的磁屏蔽層；在磁屏蔽層和第一磁性層之間形成的第四非磁性絕緣層；和在第四非磁性絕緣層內(nèi)形成的磁阻元件。
全文摘要
感應(yīng)元件包括在襯底上形成的U形的平表面并在其后側(cè)區(qū)域具有凹口部分的第一磁性層、在該層上形成的第一非磁性絕緣層、在前側(cè)區(qū)域的第一非磁性絕緣層上形成的第二磁性層、在該層上形成的第二非磁性絕緣層、在第一磁性層上方形成的線圈而部分線圈與第二非磁性絕緣層交叉、經(jīng)由線圈中央缺口與第二磁性層連接并在第二非磁性絕緣層上形成的第三磁性層,以及在第三和第二磁性層之間前側(cè)而不是線圈位置的非磁性縫隙層。
文檔編號G11B5/39GK1211028SQ9810602
公開日1999年3月17日 申請日期1998年3月5日 優(yōu)先權(quán)日1997年9月10日
發(fā)明者田河育也 申請人:富士通株式會社