專利名稱：改進的動態(tài)存取存儲器均衡器電路和均衡方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及動態(tài)隨機存取存儲器電路，特別涉及在動態(tài)隨機存取存儲器電路中的均衡電路。
動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)電路是已知的。在DRAM電路中，可以有百萬個甚至億萬個存儲器單元。通常把這些存儲器單元分組成多個存儲器陣列，每個陣列中包括DRAM電路的存儲器單元總數(shù)的一子組(subset)。例如，256MB(兆位)的DRAM單元可以有256個陣列，每一個陣列大致有1MBDRAM單元。陣列可以排列成行和列，例如在一個實例中為32×8個。
為便于存取，每個陣列中的存儲器單元也排成行和列。之后，用多個位線和字線從每個存儲器單元讀出和/或?qū)懭搿１M管位線或可以是垂直方向或可以是水平方向，但為了便于說明，使位線按垂直方向經(jīng)過，字線按垂直于位線方向設置。
存儲器單元的一列通常接到一對位線上。在DRAM的有效循環(huán)中，可經(jīng)位線把信息寫入單元或從單元讀出。位線通常是互補的，在讀或?qū)懫陂g，一個位線為低電平，另一個位線為高電平。例如，如果DRAM在3V工作時，在給定的有效循環(huán)中，通常位線上的電壓是0V和3V。
在無效循環(huán)中，位線預充電是為下一個有效循環(huán)作準備。預充電使在一對位線上的電壓均衡到預定電壓電平，通常它約是“高”電壓電平的1/2。用以上實例，在一對位線上的電壓可預充電到例如1.5V，以備下一個有效循環(huán)。
為便于說明，

圖1展示出一個現(xiàn)有技術(shù)的對位線預充電用的均衡器電路100。如圖示，該電路耦合到來自陣列104的位線102a和102b。如上所述，位線102a和102b是互補的。在無效循環(huán)中，導體106上的信號EQ接到開關(guān)108(通常是一個n-FET器件)上，使位線102a和102b一起短路，從而使其上的電壓基本上均衡。同一信號EQ也接到開關(guān)110上(它通常是耦合到位線102a上的一個n-FET器件)給位線102a供給預充電的電位電平VBLEQ。同一信號EQ也加到通常是與位線102b耦合的n-FET器件的開關(guān)112上，給位線102b供給預充電的電位電平VBLEQ。同時把信號加到三個開關(guān)108、110和102上，使位線102a和102b上的電壓均衡、并在DRAM無效循環(huán)期間預充電到預充電電位電平VBLEQ。由于三個開關(guān)108，110和112分享位線均衡，因此，這里把它們叫做三均衡開關(guān)。
預充電電位電平VBLEQ經(jīng)任選電流限制開關(guān)114供給所述的開關(guān)110和112。開關(guān)114通常是其柵和源耦合在一起的n-FET耗盡型器件。因此，開關(guān)114通常是導通(“on”)的，VBLEQ總是供給開關(guān)110和112(如上所述，位線本身不接收VBLEQ直至開關(guān)110和112導通為止)。如果單元的一列有缺陷(例如，不論是位線102a或102b被短路接地)，開關(guān)114可防止VBLEQ過量漏泄而出現(xiàn)的故障，而且，不會使整個DRAM出現(xiàn)同樣的故障。用標準的置換方法通過單元的冗余列置換有故障的單元列。
圖2是圖1中均衡器電路100的布圖，它包括位線102a和102b。圖2中示出了三個層金屬層，多晶硅層和有源層。金屬層用來構(gòu)成字線和一些互連線。金屬層位于多晶硅層上，用介質(zhì)層使它們絕緣。多晶硅層用來構(gòu)成開關(guān)的柵并給一些開關(guān)之間提供導電。多晶硅層在某些位置覆蓋在下的有源層以形成n-FET開關(guān)。圖2所示器件的功能更充分的說明如下。
圖1中的信號EQ供給金屬線200。通過接點202，信號EQ還供給多晶硅導體204。多晶硅導體204提供由多晶硅導體204覆蓋在下的有源層206上所形成的開關(guān)的柵。當多晶硅導體204在多處覆蓋有源層206時，則形成多個開關(guān)。
圖1所示開關(guān)108形成在覆蓋有源區(qū)206a和206b上的多晶硅區(qū)204a處。如圖2所示，多晶硅區(qū)204a位于T形多晶硅柵部分204TA的垂直部分。圖1所示開關(guān)110形成在多晶硅區(qū)204b覆蓋有源區(qū)206c和206d處。如圖2所示，多晶硅區(qū)204b位于T形多晶硅柵部分204TA的水平部分。圖1所示開關(guān)112形成在多晶硅區(qū)204c覆蓋有源區(qū)206e和206f處。如圖2所示，多晶硅區(qū)204b位于T形多晶硅柵部分204TA的其它水平部分中。多晶硅導體204的多晶硅區(qū)204a，204b和204c構(gòu)成開關(guān)108，110，和112的T形多晶硅柵部分204TA。為便于查閱，這里的多晶硅導體稱作T形多晶硅柵部分204TA，它與相鄰的位線對的T形多晶硅柵部分204TB不同。
開關(guān)108的有源區(qū)206a經(jīng)接點220耦合到位線102a。開關(guān)108的有源區(qū)206b經(jīng)接點222耦合到位線102b。當EQ信號出現(xiàn)在多晶硅導體204(和多晶硅區(qū)204a)上時，在開關(guān)108的有源區(qū)206a與206b之間構(gòu)成了導電溝道，由此，按參照圖1所述的方式使位線102a和102b同時短路。
多晶硅導體204上出現(xiàn)的信號EQ也會使同樣的信號出現(xiàn)在多晶硅區(qū)204b上，由此，在有源區(qū)206c與206d之間構(gòu)成導電溝道，即，開關(guān)110導通。同樣，出現(xiàn)在多晶硅導體204上的EQ信號也會使同樣的信號出現(xiàn)在多晶硅區(qū)204c上，由此，使有源區(qū)206e與206f之間形成導電溝道，即，開關(guān)112導通。
在同一有源區(qū)層中的有源區(qū)206e和206d互連。該互連表示圖1中的連接件120，即，把開關(guān)110和112(經(jīng)開關(guān)114)連接到VBLEQ的連接件。圖2中，該互連是接到開關(guān)114的有源區(qū)206g。多晶硅線230的多晶硅柵區(qū)230a用作開關(guān)114的柵。該多晶硅層230經(jīng)接點234也連接到金屬線232，它再經(jīng)接點236a和236b依次接到有源區(qū)206d/206e的互連線。因此，金屬線232按圖1所示方式把開關(guān)114的柵接到它的源。通常，該源到柵互連使開關(guān)114保持導通，即，允許在開關(guān)114的有源區(qū)206g與206h之間存在導電溝道。
有源區(qū)206h在有源區(qū)層中連接到承載VBLEQ信號的金屬240。因此，VBLEQ信號從金屬204經(jīng)開關(guān)114供給開關(guān)110和112。本領域的技術(shù)人員會很容易理解圖1的圖形構(gòu)件與圖2的布圖之間的對應部分。
圖2中，構(gòu)成均衡電路所需的區(qū)域大致在由X和Y箭頭所劃定的區(qū)域內(nèi)。在典型的256MB DRAM中，例如，每個陣列中可以高達4000位線對。為了使構(gòu)成均衡器電路的區(qū)域盡可能最大，設計者使位線對交錯設置。用交錯的辦法，可使奇數(shù)位線對與例如陣列上邊緣處設置的均衡器電路相等，而偶數(shù)位線對與例如陣列下邊緣處設置的均衡器電路相等。
圖3是為說明該交錯概念的假想陣列300。在陣列300中，從上邊緣320伸出的奇數(shù)位線對301和303等于均衡器帶326中設置的均衡器電路322和324。同樣，從下邊緣350伸出的偶數(shù)位線對302和304等于均衡器帶356中設置的均衡器電路352和354。與所有位線簡單地從陣列300的邊緣320和350中的一個伸出相比，使位線交錯可以有更大的面積用于構(gòu)成均衡器帶中的均衡器電路，例如均衡器電路322、324、352或354。
再參見圖2，發(fā)現(xiàn)均衡器電路的X尺寸通常是由制造陣列中的存儲器單元使用的設計準則尺度而預先確定的。而且，當陣列設計準則改變時，位線隔得很近，則使能構(gòu)成均衡器電路的面積減小。例如，當陣列中的設計準則尺度從0.25μm變成0.175μm時，例如，在1GB(千兆位)DRAM電路中，構(gòu)成每個均衡器電路所允許的X尺寸可減到例如只有0.5μm。
盡管陣列中的設計準則尺度可以縮小，但還發(fā)現(xiàn)，光刻和設計強制性地阻止設計者在均衡器電路的構(gòu)成中使用相應的主動性(aggressive)設計準則，即小的設計準則尺度。這是因為，陣列中的存儲器單元是高標準和高重復性的，因此，與陣列外的單元相比更適合較小的設計準則。
可以認為陣列內(nèi)用的設計準則與陣列外用的設計準則之間的差別使設計的困難更大了。考慮到陣列內(nèi)的設計準則面積可以縮小，因此，它基本上小于陣列外的設計準則面積。由于相鄰位線對之間的距離縮小。例如，圖3中位線對301和303之間，所以較小面積是有可能形成陣列外邊的均衡器電路的，(這里所用的術(shù)語“相鄰位線對”是指與陣列一邊上的另一位線對相鄰的位線對)。除非找到更好的均衡器電路設計，否則不再可能把相鄰均衡器電路的T形多晶硅柵部分(例如圖2中的T形多晶硅柵部分204TA和T形多晶硅柵部分204TB)置于均衡器帶中沿一行的鄰近另一位線對位置，因為按這種放置方式相鄰位線對之間的間隔太小。
如上所述，企望改進的均衡器電路設計及其方法有利于減小構(gòu)成均衡器電路所需的面積。
在一個實施例中，發(fā)明涉及在動態(tài)隨機存取存儲器電路中對位線對預充電用的均衡器電路。該均衡器電路包括按相對于位線對一個角度取向的基本上是T形的多晶硅柵部分。該角度是不為90度整數(shù)倍的角。該基本T形多晶硅柵部分包括構(gòu)成均衡器電路的第一開關(guān)的柵的第一多晶硅區(qū)。第一開關(guān)接到位線對的第一位線和位線對的第二位線。
基本上是T形的多晶硅柵部分還包括構(gòu)成均衡器電路的第二開關(guān)的柵的第二多晶硅區(qū)。第二開關(guān)接到位線對的第一位線和預充電電壓源?；旧鲜荰形的多晶硅柵部分還包括構(gòu)成均衡器電路的第三開關(guān)的柵的第三多晶硅區(qū)。第三開關(guān)接到位線對的第二位線和預充電電壓源。
在另一實施例中，發(fā)明涉及包括存儲器單元陣列的DRAM電路。陣列中的存儲器單元排列成行和列。陣列有與陣列第一邊緣相鄰的第一均衡器區(qū)域。DRAM電路包括接到存儲器單元的第一列的第一位線對。第一位線對伸到第一均衡器區(qū)域。
DRAM電路還包括位于第一均衡器區(qū)域內(nèi)的使第一位線對預充電到預定的預充電電位電平的第一均衡器電路。第一均衡器電路包括具有第一，第二和第三多晶硅區(qū)的基本上是T形的第一多晶硅柵部分。T形第一多晶硅柵部分按相對于第一位線對的第一角取向。第一角是不為90度整數(shù)倍的角。
第一均衡器電路還包括接到第一位線對的第一位線和第二位線的第一開關(guān)。當用加到第一多晶硅區(qū)的第一信號使代表第一開關(guān)的柵的第一多晶硅區(qū)激勵時，使第一位線對上的電位電平基本上均衡。第一均衡器電路還包括接到第一位線對的第一位線和預充電電壓源的第二開關(guān)。預充電電壓源供給預定的預充電電位電平。當用加到第二多晶硅區(qū)的第一信號激勵代表第二開關(guān)的柵的第二多晶硅區(qū)時，使第一位線預充電約到預定的預充電電位電平。
第一均衡器電路還包括接到第一位線對的第二位線和預充電電源的第三開關(guān)。第三多晶硅區(qū)代表第三開關(guān)的柵。當用供給第三多晶硅區(qū)的第一信號使第三開關(guān)激勵時，使第二位線預充電約到預定的預充電電位電平。
下面結(jié)合附圖詳細說明本發(fā)明之后，本發(fā)明的這些特征和其它特征會說明的更詳細。
用實例說明本發(fā)明，但這些實例并不限制本發(fā)明。圖中相同的元件用相同的標號。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)的均衡器電路；圖2是圖1所示均衡器電路的布圖；圖3是說明交錯概念的假想存儲器陣列；圖4是按本發(fā)明的一個實施例，說明構(gòu)成兩個相鄰的均衡器電路的柵的M形多晶硅柵部分。
圖5是為了進行比較和對照，給出了圖2所示現(xiàn)有技術(shù)均衡器電路的相鄰的T形多晶硅柵部分。
圖6是按本發(fā)明一個實施例，說明用M形多晶硅柵部分構(gòu)成其開關(guān)的本發(fā)明的均衡器電路的布圖。
結(jié)合附圖中所示的幾個實施例詳細說明本發(fā)明。以下的說明中，為了充分理解發(fā)明，說明了許多具體細節(jié)。但是，本領域的技術(shù)人員會發(fā)現(xiàn)，沒有這些具體細節(jié)中的一部分或全部也能實施發(fā)明。其它例子中，為了避免給本發(fā)明造成不必要的混亂，一些公知的工藝步驟和/或結(jié)構(gòu)就不詳細說明了。
按本發(fā)明的一個方案，提供一種改進的均衡器電路，它能減小所需的構(gòu)成面積。均衡電器路用在集成電路(IC)中，如包括DRAM和同步DRAM(SDRAM)的存儲器IC。按該設計，相鄰位線對的相鄰均衡器電路的T形多晶硅柵部分不是按相對于位線對的90度的整數(shù)倍的角轉(zhuǎn)動，并連接在一起構(gòu)成兩個相鄰均衡器電路的信號多晶硅柵導體。使兩個相鄰的T形多晶硅柵部分同時轉(zhuǎn)動并把它們連接到一起，構(gòu)成單個多晶硅柵導體，盡管構(gòu)成均衡器電路的允許面積縮小了，但為兩個相鄰的位線對設置均衡器電路成為可能。
在一個實施例中，轉(zhuǎn)動相鄰的T形多晶硅柵部分，使得左邊的T形多晶硅柵部分相對于位線對順時針轉(zhuǎn)約45度，而右邊的T形多晶硅柵部分相對于位線對逆時針轉(zhuǎn)約45度。按該方式形成M形多晶硅柵部分，它大致由兩個轉(zhuǎn)動過的T形多晶硅柵部分連接在一起構(gòu)成以提供兩個相鄰位線對的兩組均衡器開關(guān)(每組有三個主開關(guān)和一個任選電流限制開關(guān))的柵。
或者，至少一個相鄰的T形多晶硅柵部分按不是90度整數(shù)倍的角轉(zhuǎn)動。在一個實施例中，轉(zhuǎn)動角約為45度。例如，或左邊的T形多晶硅柵部分相對于位線對順時針轉(zhuǎn)約45度，或右邊的T形多晶硅柵部分相對于位線對逆時針轉(zhuǎn)約45度。
圖4示出該實施例，其中，左邊的T形多晶硅柵部分402從垂直方向順時針轉(zhuǎn)約45度，而右邊的T形多晶硅柵部分404從垂直方向逆時針轉(zhuǎn)約45度。注意，允許這兩個相鄰的T形多晶硅柵部分(與兩個相鄰位線對相關(guān)的)保持連接(在圖中的點406)以便形成M形多晶硅柵部分。由該M形多晶硅柵部分構(gòu)成兩個相鄰的兩組均衡開關(guān)的柵。
為了進行比較和對照，圖5示出了圖2所示現(xiàn)有技術(shù)的相鄰T形多晶硅柵部分204TA和204TB，其中，展示出相鄰T形多晶硅柵部分垂直于位線而彼此相鄰。注意，為容易查詢，這里沿用常規(guī)以其垂直帶(bar)代替其水平帶而使T形多晶硅柵部分定向。而且認為在上邊的T形多晶硅柵部分是垂直取向。按此慣例，認為現(xiàn)有技術(shù)的T形多晶硅柵部分是按平行于位線取向的。
參見圖6能更充分理解發(fā)明的特征和優(yōu)點。圖6中示出圖1所示均衡器電路的布圖，雖然其中是按本發(fā)明提出的均衡器電路設計構(gòu)圖的。圖6中，多晶硅線604被構(gòu)形以形成前所述的M形多晶硅柵部分，示出了其左邊T形多晶硅柵部分604TA和右邊T形多晶硅柵部分604TB。
金屬導體102a和102b構(gòu)成一位線對的位線，而金屬導體612a和612b構(gòu)成相鄰位線對的位線。通過位線接點614a，位線102a構(gòu)成與開關(guān)112的在下的有源區(qū)616a和開關(guān)108的在下的有源區(qū)616b(有源區(qū)616是連續(xù)的層)的接點。通過位線接點614b，位線102b構(gòu)成與開關(guān)110的在下的有源區(qū)616c和開關(guān)108的在下的有源區(qū)616d的接點。
有源區(qū)616e和有源區(qū)616a和位于有源區(qū)616e與616a之間的T形多晶硅柵部分604TA的多晶硅材料一起協(xié)同作用以形成完整的開關(guān)112。同樣，有源區(qū)616f與有源區(qū)616c和設置在有源區(qū)616f與616c之間的T形多晶硅柵部分604TA的多晶硅材料一起協(xié)同作用以形成完整的開關(guān)110。有源區(qū)616b與有源區(qū)616d和設置在有源區(qū)616b與616d之間的T形多晶硅柵部分604TA的多晶材料一起構(gòu)成完整的開關(guān)108。
開關(guān)112的有源區(qū)616e經(jīng)連續(xù)有源區(qū)層與開關(guān)110的有源區(qū)616f相連接。而且，這些有源區(qū)616e和616f經(jīng)連續(xù)有源區(qū)層連接到開關(guān)114的有源區(qū)616g。VBLEQ信號供給金屬線630，它經(jīng)接點632連接到開關(guān)114的有源區(qū)616h。在有源區(qū)616g和616h上面和其間設置的多晶硅柵634完成開關(guān)114。為了按圖1所示方式把開關(guān)114的柵接到其源，把多晶硅柵634接到接點636，它再接到金屬線637。金屬線637經(jīng)接點638把多晶硅柵634連接到開關(guān)114的在下的有源區(qū)616g，由完成了開關(guān)114的柵-源連接。應看到，設置用于相鄰位線對612a和612b的均衡器電路也可使該開關(guān)114共用(為了簡潔，與上述均衡器電路類似的該相鄰均衡器電路的細節(jié)不再重復)。
當信號EQ加到金屬620上時，多晶硅線604也經(jīng)接點622接收該EQ信號。在T形多晶硅柵部分602TA上有的EQ信號使開關(guān)108導通，由此使位線102a和102b連接。這就使位線102a與102b按結(jié)合圖1所述的方式均衡。信號EQ還使開關(guān)110和112導通，以將位線102a和102b經(jīng)任選電流限制開關(guān)114接到VBLEQ信號。而且，按結(jié)合圖1所述的方式，把預充電電壓電平VBLEQ加到位線。與相鄰位線對的相鄰位線612a和612b相關(guān)的均衡器電路的工作也相似，為了說明簡明，這里不再重復。
轉(zhuǎn)動T形多晶硅柵部，以形成M形多晶硅柵部分，用它構(gòu)成相鄰位線對用的均衡開關(guān)的柵，有很多好處。例如，轉(zhuǎn)動T形多晶硅柵部分，使兩個相鄰位線對，例如圖6的位線對102a/102b和612a/612b，用的均衡器電路對，能按均衡器電路的允許構(gòu)成面積的X尺寸減小的方式構(gòu)成。如上所述，均衡器電路允許構(gòu)成面積的X尺寸減小的原因是，設計準則用于在陣列內(nèi)構(gòu)成單元和位線縮小時，位線間的距離縮小。出現(xiàn)這種情況時，X方向的間隔可能不夠，例如，出現(xiàn)兩個位線接點，和每個均衡器電路的主要均衡開關(guān)在一起。見圖2，圖中示出了這些位線接點，如位線接點220和222，和主要均衡開關(guān)，如均衡開關(guān)108。
相鄰位線對的相鄰均衡器電路按Y方向偏移可使間隔稍稍大一點，以構(gòu)成每個均衡器電路。但是，這種方法也有許多問題，例如，會增大均衡器帶的Y尺寸。相鄰位線對的相鄰均衡器電路按Y方向偏移也會出現(xiàn)到讀出放大器不等長度，電容和電阻值的位線對，因此難以最適當?shù)貥?gòu)成讀出放大器。
顯然，用M形多晶硅柵部分也能減小均衡器電路的Y尺寸。令人吃驚的是，因為除了轉(zhuǎn)動T形多晶硅柵部分之外，還需要更高的高度。但是，相鄰T形多晶硅柵部分的轉(zhuǎn)動能使均衡器電路的其它器件，如開關(guān)114、各個接點和連接件等更有效地構(gòu)成，這就有助于使均衡器電路的Y尺寸能令人吃驚的減小。例如，在一個實例中發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明可使Y尺寸減小到2.8μm(與圖2所示的現(xiàn)有技術(shù)的4μm相比)當按行和列排列的多個陣列構(gòu)成DRAM時，均衡器電路的Y尺寸減小能力極其有利，因為，它便于使在陣列頂邊緣和底邊緣的構(gòu)成均衡器電路所需的面積減小。本領域的技術(shù)人員會發(fā)現(xiàn)，這種減小可能轉(zhuǎn)移到較小的DRAM芯片尺寸，因此增加了設計靈活性并減少了造價。
與前所述的偏移方法相比，即，用交錯方法來增大間隔以構(gòu)成均衡器電路，兩個轉(zhuǎn)動的T形多晶硅柵部分，例如，圖6中的T形多晶硅柵部分604TA和604TB，有助于在相鄰位線對中有基本一致的均衡器開關(guān)的構(gòu)成。當橫過相鄰位線對上的均衡器電路的單個開關(guān)基本一致時，它們的電阻值和電容量也基本一致，從而提供讀出放大器的設計因素。
由于沒有涉及偏移，因此，還有相鄰位線對的長度以及由此的電容及電阻也基本一致的優(yōu)點。由于相鄰位線對以及橫過相鄰位線對上的均衡器電路的單個開關(guān)基本一致。因此，可以設計信號最佳的讀出放大器，在此基礎上對每個位線對設計出能達到最佳讀出效果的讀出放大器。事實上，該設計能力的關(guān)鍵在于在新型DRAM中的存儲器單元存儲極小電荷例如，低到32×10-15法拉這樣小，且讀出放大器必須準確讀出在位線電位中的極小電荷，如約0.10V這樣低。
本發(fā)明已用幾個說明例說明，而其它的替換、置換和等效的技術(shù)均屬本發(fā)明范圍。因此權(quán)利要求書包括在本發(fā)明精神和范圍內(nèi)的所有這些替換、置換和等同物。
權(quán)利要求
1.一種動態(tài)存取存儲器電路中的位線對預充電用的均衡器電路，包含按相對于所述位線對一個角度取向的基本上為T形的多晶硅柵部分，所述角度是不為90度的整數(shù)倍的角，所述基本上為T形的多晶硅柵部分包括第一多晶硅區(qū)，用于構(gòu)成所述均衡器電路的第一開關(guān)的柵，所述第一開關(guān)接到所述位線對的第一位線和所述位線對的第二位線；第二多晶硅區(qū)，用于構(gòu)成所述均衡器電路的第二開關(guān)的柵，所述第二開關(guān)接到所述位線對的所述第一位線和預充電電壓源；和第三多晶硅區(qū)，用于構(gòu)成所述均衡器電路的第三開關(guān)的柵，所述第三開關(guān)接到所述位線對的第二位線和所述預充電電壓源。
2.按權(quán)利要求1的均衡器電路，其中，所述第一多晶硅區(qū)設置在所述基本上為T形的多晶硅柵部分的垂直部分中。
3.按權(quán)利要求2的均衡器電路，其中，所述第二多晶硅區(qū)設在所述基本上為T形的多晶硅柵部分的水平部分內(nèi)。
4.按權(quán)利要求3的均衡器電路，其中，所述第三多晶硅區(qū)設在所述基本上是T形的多晶硅柵部分的另一水平部分中。
5.按權(quán)利要求2的均衡器電路，還包含設置在所述第一多晶硅區(qū)的第一邊上的第一位線接點，所述第一位線接點把所述第一開關(guān)的第一有源區(qū)接到所述位線對的所述第一位線。
6.按權(quán)利要求5的均衡器電路，還包含設在所述第一多晶硅區(qū)的對著所述第一邊的第二邊上的第二位線接點，所述第二位線接點把所述第一開關(guān)的第二有源區(qū)接到所述位線對的所述第二位線。
7.按權(quán)利要求2的均衡器電路，其中，所述第二開關(guān)和第三開關(guān)經(jīng)第四開關(guān)接到所述預充電電壓源。
8.按權(quán)利要求7的均衡器電路，其中，所述第四開關(guān)是柵-源連接的耗盡型n-FET器件。
9.按權(quán)利要求1的均衡器電路，其中，所述角度約是45度。
10.按權(quán)利要求9的均衡器電路，其中，用第一組設計準則尺度構(gòu)成的所述均衡器電路，所述的位線對從用第二組設計準則尺度構(gòu)成的存儲器單元陣列伸出，所述第二組設計準則尺度小于所述第一組設計準則尺度。
11.一種動態(tài)隨機存取存儲器電路，包括存儲器單元陣列，所述陣列中的所述存儲器單元排成行和列，所述陣列具有相鄰于所述陣列的第一邊緣的第一均衡器面積；接到所述存儲器單元的第一列的第一對位線，所述第一對位線延伸到所述第一均衡器面積，設在所述第一均衡器面積內(nèi)的第一均衡器電路，用于使所述第一對位線預充電到預定的預充電電位電平，包括具有第一、第二和第三多晶硅區(qū)的基本上為T形的第一多晶硅柵部分，所述T形第一多晶硅柵部分是按相對于所述第一對位線的第一角度而取向的，所述第一角度是不為90度整數(shù)倍的角；接到所述第一對位線的第一位線和第二位線的第一開關(guān)，所述第一多晶硅區(qū)代表所述第一開關(guān)的柵，當用供給所述第一多晶硅區(qū)的第一信號激勵所述第一開關(guān)時，使所述第一對位線上的電位電平基本均衡；接到所述第一對位線的所述第一位線和預充電電壓源的第二開關(guān)，所述預充電電壓源供給所述預定的預充電電位電平，所述第二多晶硅區(qū)代表所述第二開關(guān)的柵，當用加到所述第二多晶硅區(qū)的所述第一信號激勵所述第二開關(guān)時，把所述第一位線預充電到所述預定的預充電電位電平；和接到所述第一對位線的所述第二位線和所述預充電電源的第三開關(guān)，所述第三多晶硅區(qū)代表所述第三開關(guān)的柵，當用加到所述第三多晶硅區(qū)的所述第一信號激勵第三開關(guān)時，把所述第二位線預充電到所述預定的預充電電位電平。
12.按權(quán)利要求11的動態(tài)隨機存取存儲器電路，還包含接到所述存儲器單元第二列的第二對位線，所述第二對位線延伸到所述第一均衡器區(qū)域，所述第二對位線與所述第一對位線相鄰；和設置在所述第一均衡器區(qū)中的第二均衡器電路，用于給所述第二對位線預充電到預定的預充電電位電平，包括按相對于所述第二對位線的第二角度取向的基本上為T形的第二多晶硅柵部分，所述第二角度也不是90度整數(shù)倍的角，所述基本上為T形的第二多晶硅柵部分經(jīng)用來構(gòu)成所述基本上為T形的第一多晶硅柵部分和所述的基本上為T形的第二多晶硅柵部分的多晶硅層與所述基本上為T形的第一多晶硅柵部分電連接。
13.按權(quán)利要求12的動態(tài)隨機存取存儲器電路，其中，所述基本上為T形的第一多晶硅柵部分相對于所述第一對位線約為順時針45度，所述基本上為T形的第二多晶硅柵部分相對于所述第二對位線約為逆時針45度，所述第二對位線平行于所述第一對位線。
14.按權(quán)利要求12的動態(tài)隨機存取存儲器電路，其中，所述第一多晶硅區(qū)設在所述基本上為T形的第一多晶硅柵部分的垂直部分中。
15.按權(quán)利要求14的動態(tài)隨機存取存儲器電路，其中，所述第二多晶硅區(qū)設在所述基本上為T形的第一多晶硅柵部分的水平部分中。
16.按權(quán)利要求15的動態(tài)隨機存取存儲器電路，其中，所述第三多晶硅區(qū)設在所述基本上為T形的第一多晶硅柵部分的另一水平部分中。
17.按權(quán)利要求14的動態(tài)隨機存取存儲器電路，還包含設在所述第一多晶硅區(qū)的第一邊上的第一位線接點，所述第一位線接點把所述第一開關(guān)的第一有源區(qū)接到所述第一對位線的所述第一位線。
18.按權(quán)利要求17的動態(tài)隨機存取存儲器電路，還包含設在所述第一多晶硅區(qū)對著所述第一邊的第二邊上的第二位線接點，所述第二位線接點把所述第一開關(guān)的第二有源區(qū)接到所述第一對位線的所述第二位線。
19.按權(quán)利要求12的動態(tài)隨機存取存儲器電路，其中，所述第一和第二均衡器電路經(jīng)第四開關(guān)接到所述預充電電壓源。
20.一種用于均衡動態(tài)隨機存取存儲器陣列的相鄰位線對的一對均衡器電路，包含第一均衡器電路，用于給所述相鄰位線對的第一對位線預充電，所述第一均衡電路包括按相對于所述第一對位線的第一角度取向的基本上為T形的第一多晶硅柵部分，所述第一角度不是90度整數(shù)倍的角，所述基本上為T形的第一多晶硅柵部分包括第一多晶硅區(qū)，設在構(gòu)成所述第一均衡器電路的第一開關(guān)的柵的所述基本上為T形的多晶硅柵部分的垂直部分中，所述第一開關(guān)接到所述第一對位線的第一位線和第二位線；第二多晶硅區(qū)，設在構(gòu)成所述第一均衡器電路的第二開關(guān)的柵的所述基本上為T形的第一多晶硅柵部分的第一水平部分中，所述第二開關(guān)接到所述第一對位線的所述第一位線和預充電電壓源；和第三多晶硅區(qū)，設在所述基本上為T形的第一多晶硅柵部分對著所述第一水平部分的第二水平部分中，用于構(gòu)成所述第一均衡器電路的第三開關(guān)的柵，所述第三開關(guān)接到所述第一對位線的所述第二位線和所述預充電電壓源。
21.按權(quán)利要求20的一對均衡器電路，還包含第二均衡器電路，用于給所述相鄰位線對的第二對位線預充電，所述第二均衡器電路包括按相對于所述第二對位線的第二角度取向的基本上為T形的第二多晶硅柵部分，所述第二角度也不是90度整數(shù)倍的角，所述基本上為T形的第二多晶硅柵部分包括第四多晶硅柵區(qū)，設在構(gòu)成所述第二均衡器電路的第一開關(guān)的柵的所述基本上為T形的第二多晶硅柵部分的垂直部分中，所述第一開關(guān)接到所述第二對位線的第一位線和第二位線；第二多晶硅區(qū)，設在構(gòu)成所述第二均衡器電路的第二開關(guān)的柵的基本上為T形的第二多晶硅柵部分的第一水平部分中，所述第二開關(guān)接到所述第二對位線的所述第一位線和預充電電壓源；和第三多晶硅區(qū)，設在基本上為T形的第二多晶硅柵部分的第二水平部分中，用于構(gòu)成所述第二均衡器電路的第三開關(guān)的柵，所述第三開關(guān)接到所述第二對位線的所述第二位線和預充電電壓源，其中，所述基本上為T形的第二硅柵部分的第二水平部分與所述基本上為T形的第一硅柵部分的所述第二水平部分連接。
22.按權(quán)利要求21的一對均衡器電路，其中，所述基本上為T形的第一多晶硅柵部分相對于所述第一對位線為順時針45度，所述基本上為T形的第二多晶硅柵部分相對于所述第二對位線為逆時針45度，所述第二對位線平行于第一對位線。
全文摘要
在DRAM電路中對位線對預充電的均衡器電路,包括相對于位線對的一個角度取向的基本為T形的多晶硅柵部分。角度不是90度整數(shù)倍的角。基本為T形的多晶硅柵部分包括構(gòu)成均衡器電路的第一開關(guān)柵的第一多晶硅區(qū),第一開關(guān)接到位線對的第一和第二位線;還包括構(gòu)成均衡器電路的第二開關(guān)柵的第二多晶硅區(qū),第二開關(guān)接到位線對的第一位線和預充電電壓源;還包括構(gòu)成均衡器電路的第三開關(guān)柵的第三多晶硅區(qū),第三開關(guān)接到位線對的第二位線和預充電電壓源。
文檔編號G11C11/407GK1206917SQ9811498
公開日1999年2月3日 申請日期1998年6月18日 優(yōu)先權(quán)日1998年6月18日
發(fā)明者海因茨·霍尼格施密德 申請人:西門子公司