專利名稱：Mos－輸出驅(qū)動器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種MOS-輸出驅(qū)動器，該輸出驅(qū)動器具有在一個半導(dǎo)體襯底中埋入的、某一導(dǎo)電類型的若干源區(qū)和若干漏區(qū)，這些區(qū)域在一個與某一導(dǎo)電類型相反的另一導(dǎo)電類型的槽中相互保持一定距離。
在MOS-輸出驅(qū)動器中出現(xiàn)輸出驅(qū)動器的輸出信號與襯底的強耦合，而且也出現(xiàn)這些輸出驅(qū)動器的供電電壓與相鄰器件的另一些供電電壓的強耦合，這種情況引起噪聲問題。這樣就出現(xiàn)擴(kuò)散區(qū)如源區(qū)和漏區(qū)的耦合進(jìn)入襯底。如果例如在輸出端的電壓出現(xiàn)上升，那么襯底也就被“提升”。但是因為襯底往往與芯片上的接地網(wǎng)絡(luò)相連接，所以在襯底上的電壓起伏，立即轉(zhuǎn)換為接地網(wǎng)絡(luò)的電位起伏。上述噪聲問題可對裝配輸出驅(qū)動器的電路的良好運行造成不利影響。
到目前為止，這個噪聲問題沒有以令人滿意的方式被排除，在此至多進(jìn)行的嘗試是使MOS-輸出驅(qū)動器的供電電壓與相鄰器件供電網(wǎng)絡(luò)保持遠(yuǎn)的距離。
因此本發(fā)明的任務(wù)是，提供一種MOS-輸出驅(qū)動器，該種驅(qū)動器對襯底只有小的電容耦合。
根據(jù)本發(fā)明，在開始所述類型的一種MOS輸出驅(qū)動器中此項任務(wù)是如下解決的，即該槽由某一導(dǎo)電類型的一個屏蔽層所包圍。其中，該槽以有利的方式配置一個另一導(dǎo)電類型的高摻雜接觸區(qū)，于是保證給該槽提供良好接觸。此外，在屏蔽層與各源區(qū)和各漏區(qū)以及高摻雜的接觸區(qū)之間覆蓋上厚的氧化物層，這些氧化物層同樣用于實現(xiàn)只有小的電容耦合并從而減小噪聲問題。在n導(dǎo)電的屏蔽層的情況下，此屏蔽層優(yōu)先施加一個正偏正。
本發(fā)明優(yōu)先用于CMOS電路的輸出驅(qū)動器，并且在這種電路中保證由輸出驅(qū)動器到襯底有電容耦合的顯著減少。
下面借助附圖
進(jìn)一步闡述本發(fā)明，在其唯一的附圖中示出一個MOS輸出驅(qū)動器的剖面圖。
在圖中首先示出一個MOS晶體管，該晶體管具有一個源電極S，一個n+導(dǎo)電的源區(qū)1，一個柵電極G，一個漏電極D和一個n+導(dǎo)電的漏區(qū)2。在源區(qū)1和漏區(qū)2之間的溝道區(qū)是通過一個p-導(dǎo)電的槽3構(gòu)成的，該槽3配置了一個具有引線端B的p+導(dǎo)電接觸區(qū)4。
根據(jù)本發(fā)明這個裝置是由一個屏蔽層5圍住的，這個屏蔽層是在一個p-導(dǎo)電的半導(dǎo)體襯底9中由各n+導(dǎo)電的接觸區(qū)6，一個n導(dǎo)電的擴(kuò)散環(huán)7和一個n導(dǎo)電的隱埋層8組成的。各n+導(dǎo)電的接觸區(qū)6與各連接線A相連。各厚氧化物層10分別位于接觸區(qū)6和源區(qū)1、漏區(qū)2和接觸區(qū)4以及接觸區(qū)4和接觸區(qū)6之間。
如果輸出信號是在電極D處取出，則在連接線A處優(yōu)先施加一正供電電壓VDD，而對源電極S和連接線B可供給電壓VSS。
本發(fā)明的主要之點是，在屏蔽層5中安置MOS輸出驅(qū)動器，也就是說設(shè)置一個附加的圍住槽3的隔離槽，并且是與槽3相反摻雜的。這些厚氧化物層10也對襯底和相鄰供電網(wǎng)絡(luò)與輸出驅(qū)動器的進(jìn)一步退耦作出貢獻(xiàn)。
權(quán)利要求
1.MOS-輸出驅(qū)動器，該輸出驅(qū)動器具有在一個半導(dǎo)體襯底(9)中埋入的、某一導(dǎo)電類型的若干源區(qū)和若干漏區(qū)(1，2)，這些區(qū)域在一個與某一導(dǎo)電類型相反的另一導(dǎo)電類型的槽(3)中相互保持一定距離，其特征在于，槽(4)由一種導(dǎo)電類型的一個屏蔽層(5；6至8)圍住。
2.按權(quán)利要求1所述的MOS-輸出驅(qū)動器，其特征在于，槽(3)配置一個另一導(dǎo)電類型的高摻雜接觸區(qū)(4)。
3.按權(quán)利要求1或2所述MOS-輸出驅(qū)動器，其特征在于，在屏蔽層(5；6至8)和各源區(qū)與各漏區(qū)(1，2)以及高摻雜的接觸區(qū)(4)之間，設(shè)置厚氧化物層(10)。
4.按權(quán)利要求3所述MOS-輸出驅(qū)動器，其特征在于，在n導(dǎo)電的屏蔽層(5；6至8)時，該層是正電壓偏置的。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種MOS－輸出驅(qū)動器,該輸出驅(qū)動器具有一個在一個半導(dǎo)體襯底(9)中埋入的某一導(dǎo)電類型的若干源區(qū)和若干漏區(qū)(1,2),這些區(qū)域在一個另一導(dǎo)電類型的槽(3)中相互保持一定距離。該槽(3)由某一導(dǎo)電類型的一個屏蔽層(5)圍住。
文檔編號G11C7/00GK1206916SQ9811617
公開日1999年2月3日 申請日期1998年7月24日 優(yōu)先權(quán)日1998年7月24日
發(fā)明者H·施內(nèi)德爾, M·布克 申請人:西門子公司