專利名稱：光存儲(chǔ)裝置及光存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄和再現(xiàn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用激光束記錄和再現(xiàn)信息的光存儲(chǔ)裝置，及光存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄和再現(xiàn)方法。具體地說，本發(fā)明涉及一種以小于束直徑的密度記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的稱為磁感應(yīng)超分辨力的光存儲(chǔ)裝置，及光存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄和再現(xiàn)方法。
最近幾年，光盤成為主要的計(jì)算機(jī)外部存儲(chǔ)介質(zhì)。對(duì)于光盤來說，利用激光束在介質(zhì)上形成亞微米級(jí)的磁記錄坑，和作為常規(guī)外部存儲(chǔ)介質(zhì)的軟盤或硬盤相比，可顯著增大記錄容量。此外，在作為使用稀土金屬--過渡金屬系材料的垂直磁存儲(chǔ)介質(zhì)的磁光盤中，信息可重寫，并在未來將有更多的發(fā)展。
例如，3.5英寸光盤每面的存儲(chǔ)容量為540MB或640MB。這意味著一個(gè)3.5英寸軟盤的存儲(chǔ)容量約為1MB，一個(gè)光盤具有540或640個(gè)軟盤的存儲(chǔ)容量。如上所述，光盤是具有很高記錄密度的可重寫存儲(chǔ)介質(zhì)。但是為了迎接到來的多媒體時(shí)代，必須進(jìn)一步增大光盤的記錄密度。為了增大記錄密度，必須在介質(zhì)上記錄更多的坑。為此，必須進(jìn)一步減小坑的大小，并降低坑之間的間距。在使用這種方法增大記錄密度的情況下，必須進(jìn)一步縮短激光束波長，使之小于當(dāng)前的670nm激光波長。但是當(dāng)考慮實(shí)際應(yīng)用時(shí)，不得不在當(dāng)前的670nm激光波長下降低坑的大小。這樣，對(duì)于記錄來說，通過控制激光束的功率可形成小于束直徑的坑。但是對(duì)于再現(xiàn)來說，當(dāng)再現(xiàn)小于束直徑的坑時(shí)，和相鄰坑的串音增加，最壞情況下，相鄰坑也進(jìn)入再現(xiàn)光束中。于是實(shí)際應(yīng)用時(shí)，非常難以形成這樣的小坑。
作為用當(dāng)前的670nm激光波長再現(xiàn)小于光束直徑的坑的方法，日本專利JP-A-3-93058提出了一種磁光記錄和再現(xiàn)方法。這種方法被稱為借助MSR(磁感應(yīng)超分辨力)的記錄和再現(xiàn)方法。該方法具有FAD(前孔檢測)法和RAD(后孔檢測)法兩種方法。
根據(jù)FAD方法，如
圖1A和1B所示，存儲(chǔ)介質(zhì)被分成記錄層220和再現(xiàn)層216，在讀光束的激光光點(diǎn)222照射記錄介質(zhì)的情況下，通過向記錄介質(zhì)施加再現(xiàn)磁場強(qiáng)度Hr再現(xiàn)信息。這種情況下，就記錄坑的一部分來說，根據(jù)由激光光點(diǎn)222進(jìn)行的介質(zhì)加熱的溫度分布，在再現(xiàn)層216和記錄層220之間的邊界中形成的轉(zhuǎn)換層218的磁耦合被釋放。再現(xiàn)層216受到再現(xiàn)磁場強(qiáng)度Hr的影響，并成為掩模。相反，就下一記錄坑的一部分來說，轉(zhuǎn)換層218的磁耦合被保持，該部分成為開孔224。于是，在激光光點(diǎn)222的情況下，只有開孔224的坑230可不受相鄰坑226的影響被讀取。
另一方面，根據(jù)RAD方法，如圖2A和2B所示，通過利用預(yù)置磁體232把再現(xiàn)層216的磁化方向調(diào)準(zhǔn)到預(yù)定方向，并在再現(xiàn)時(shí)通過稍微增大再現(xiàn)激光功率實(shí)現(xiàn)讀操作。讀取時(shí)，根據(jù)由讀光束的激光光點(diǎn)234進(jìn)行的介質(zhì)加熱的溫度分布，在再現(xiàn)層216中形成掩模236和開孔238，掩模236中初始磁化信息被保存，開孔238中，初始磁化信息被擦除，并且記錄層220的磁化信息被轉(zhuǎn)移到開孔238中。記錄層220的轉(zhuǎn)移到再現(xiàn)層216的磁化信息由磁光效應(yīng)(克爾效應(yīng)或法拉弟效應(yīng))轉(zhuǎn)換為光信號(hào)，從而再現(xiàn)數(shù)據(jù)。這種情況下，和記錄層220中當(dāng)前正被讀取的坑228相反，由于由再現(xiàn)層216中的初始磁化信息形成的掩模236的影響，信息并不轉(zhuǎn)移給記錄層220中下一次將讀取的坑230。于是，即使記錄坑小于激光光點(diǎn)234，也不會(huì)產(chǎn)生串音，并且小于光束直徑的坑可被再現(xiàn)。此外，通過利用磁感應(yīng)超分辨力，由于再現(xiàn)層220除再現(xiàn)部分之外的區(qū)域都由預(yù)置的再現(xiàn)層216屏蔽，因此不會(huì)產(chǎn)生來自相鄰坑的坑干擾，并可進(jìn)一步縮小坑間距。由于還可抑制來自相鄰磁道的串音，因此即使使用當(dāng)前的780nm激光波長，也可降低磁道間距，增大記錄密度。
但是利用磁感應(yīng)超分辨力的常規(guī)光盤裝置存在這樣一個(gè)問題，即再現(xiàn)時(shí)，必須嚴(yán)格地控制再現(xiàn)磁場的強(qiáng)度，否則不能實(shí)現(xiàn)正確的再現(xiàn)操作。其原因如下，例如當(dāng)圖1A和1B的FAD方法中，再現(xiàn)磁場強(qiáng)度Hr太弱時(shí)，由再現(xiàn)層216的磁化引起的掩模226的形成范圍減小，從而不能屏蔽坑228，產(chǎn)生串音。當(dāng)再現(xiàn)磁場強(qiáng)度太強(qiáng)時(shí)，掩模226的形成范圍加寬，坑230也被部分屏蔽，再現(xiàn)信號(hào)降低，并產(chǎn)生誤差。再現(xiàn)磁場強(qiáng)度Hr同時(shí)也作用于記錄層220，因此可能會(huì)擦除記錄數(shù)據(jù)。
當(dāng)圖2A和2B的RAD方法中，預(yù)置磁場太弱時(shí)，由再現(xiàn)層216的預(yù)置磁化的光束加熱產(chǎn)生的擦除范圍加寬，掩模部分的形成部分減小，圖20B中的坑230未被屏蔽，并引起串音。當(dāng)預(yù)置磁場太強(qiáng)時(shí)，由再現(xiàn)層216的預(yù)置磁場的光束加熱產(chǎn)生的擦除范圍縮小，掩模236的形成部分加寬，坑228也被部分屏蔽，再現(xiàn)信號(hào)電平降低，并產(chǎn)生誤差。當(dāng)預(yù)置磁場太強(qiáng)時(shí)，預(yù)置磁場同時(shí)也將作用于記錄層220，可能會(huì)擦除記錄數(shù)據(jù)。對(duì)于這樣的現(xiàn)象，僅僅調(diào)整再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和預(yù)置磁場強(qiáng)度是不足夠的，這種現(xiàn)象也取決于裝置中的環(huán)境溫度，環(huán)境溫度確定存儲(chǔ)介質(zhì)的溫度。即，當(dāng)裝置中的溫度降低時(shí)，再現(xiàn)層的磁滯特性曲線變寬，為了得到相同的磁化性能(磁通量密度)，就必須加強(qiáng)再現(xiàn)磁場強(qiáng)度。相反，當(dāng)環(huán)境溫度增大時(shí)，再現(xiàn)層的磁滯特性曲線變細(xì)，于是為了得到相同的磁化性能，就必須減弱再現(xiàn)磁場強(qiáng)度。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種優(yōu)化設(shè)置再現(xiàn)時(shí)使用的外部磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率，從而在使用磁感應(yīng)超分辨力的情況下，防止再現(xiàn)信號(hào)的電平降低及不可再現(xiàn)性的光存儲(chǔ)裝置，及一種光存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄和再現(xiàn)方法。
本發(fā)明的光存儲(chǔ)裝置使用具有至少一個(gè)記錄數(shù)據(jù)的記錄層，一個(gè)在板上再現(xiàn)記錄層中記錄的數(shù)據(jù)的再現(xiàn)層的光存儲(chǔ)介質(zhì)。記錄單元以小于激光束的光束直徑的記錄密度把數(shù)據(jù)記錄在光存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄層中。再現(xiàn)單元結(jié)合再現(xiàn)所必須的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率，并把它們?cè)O(shè)置成最佳值，從而再現(xiàn)以小于光束直徑的記錄密度記錄在光存儲(chǔ)介質(zhì)記錄層中的數(shù)據(jù)。另外，根據(jù)本發(fā)明，提供了一個(gè)校準(zhǔn)處理單元，在改變?cè)佻F(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的同時(shí)，由再現(xiàn)單元執(zhí)行光存儲(chǔ)介質(zhì)的再現(xiàn)操作來測量可再現(xiàn)狀態(tài)，并且根據(jù)測量結(jié)果確定再現(xiàn)時(shí)使用的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的一組最佳值。于是，即使裝置中的環(huán)境溫度改變，或者裝入了特性不同的介質(zhì)時(shí)，也一定能夠避免由于再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率過大而引起的掩模加寬，信息不能讀取或記錄數(shù)據(jù)被擦除的情況。提供給電磁體或類似物以獲得再現(xiàn)磁場的電流被降低，于是可降低裝置的電能消耗。此外，也必定能夠避免由于再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率太弱而導(dǎo)致掩?？s小，及由于和相鄰坑的串音而造成誤差的情況。
校準(zhǔn)處理單元在再現(xiàn)激光功率設(shè)置為預(yù)定的初始值的情況下，通過把預(yù)定的最小再現(xiàn)磁場強(qiáng)度Hmin設(shè)為初始值，在增加再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的同時(shí)，測量可再現(xiàn)狀態(tài)，并且當(dāng)?shù)玫娇稍佻F(xiàn)狀態(tài)時(shí)，根據(jù)再現(xiàn)磁場強(qiáng)度確定最佳值。在從初始值Hmin開始增大外部磁場強(qiáng)度的情況下，當(dāng)記錄再現(xiàn)信號(hào)時(shí)，在開始處于噪聲級(jí)的信號(hào)的電平隨著外部磁場強(qiáng)度的增大而增大，并在信號(hào)電平值等于或大于門限值TH的可再現(xiàn)狀態(tài)中保持穩(wěn)定。當(dāng)進(jìn)一步增大外部磁場強(qiáng)度時(shí)，信號(hào)電平減低到小于門限值TH的電平，裝置脫離可再現(xiàn)狀態(tài)。于是，把超過信號(hào)電平的前緣臂部的穩(wěn)定狀態(tài)范圍內(nèi)的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度設(shè)定為最佳值。這種情況下，校準(zhǔn)處理單元最好把可再現(xiàn)狀態(tài)的起始磁場強(qiáng)度Hs和結(jié)束磁場強(qiáng)度He之間的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度范圍的中值設(shè)為最佳值Hbest。校準(zhǔn)處理單元86也可把預(yù)定值Hc和裝置首次進(jìn)入可再現(xiàn)狀態(tài)時(shí)的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度Hs相加得到的值(Hs+Hc)作為最佳再現(xiàn)磁場強(qiáng)度。即，得到提供可再現(xiàn)狀態(tài)的前緣肩部中的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度Hs，把預(yù)定值Hc和該再現(xiàn)磁場強(qiáng)度Hs相加，并將結(jié)果值設(shè)為可再現(xiàn)狀態(tài)的范圍中的準(zhǔn)中值。這種情況下，由于不必在可再現(xiàn)狀態(tài)的整個(gè)范圍內(nèi)改變?cè)佻F(xiàn)磁場強(qiáng)度，因此可在與之相應(yīng)的短時(shí)間內(nèi)確定再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的最佳值。此外，校準(zhǔn)處理單元86還可把首次得到可再現(xiàn)狀態(tài)時(shí)的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度乘以大于1的預(yù)定系數(shù)得到的值設(shè)為最佳再現(xiàn)磁場強(qiáng)度。由于再現(xiàn)激光功率不合適，當(dāng)即使增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度也不能得到可再現(xiàn)狀態(tài)時(shí)，校準(zhǔn)處理單元在逐步增大再現(xiàn)激光功率的同時(shí)，通過增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度，重復(fù)可再現(xiàn)狀態(tài)的測量。
另一方面，校準(zhǔn)處理單元把預(yù)定的最小磁場強(qiáng)度和最小再現(xiàn)功率設(shè)定為初始值，在交替增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的同時(shí)，測量可再現(xiàn)狀態(tài)，并且把獲得可再現(xiàn)狀態(tài)時(shí)的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率設(shè)定為最佳值。通過如上所述交替地增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率，可縮短再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的校準(zhǔn)過程的時(shí)間。即，在固定再現(xiàn)激光功率，通過改變?cè)佻F(xiàn)磁場強(qiáng)度測量可再現(xiàn)狀態(tài)的情況下，當(dāng)不可測量可再現(xiàn)狀態(tài)時(shí)，才首次增大再現(xiàn)激光功率。于是，當(dāng)由于再現(xiàn)激光功率不足而導(dǎo)致不能獲得可再現(xiàn)磁場時(shí)，是很麻煩的。相反，在交替地增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的同時(shí)，通過測量可再現(xiàn)狀態(tài)，迅速地解決再現(xiàn)激光功率的不足，并可在短時(shí)間內(nèi)完成校準(zhǔn)過程。這種情況下，校準(zhǔn)處理單元把預(yù)定值分別和首次得到可再現(xiàn)狀態(tài)時(shí)的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率相加得到的值，設(shè)定為再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值。校準(zhǔn)處理單元還可把首次得到可再現(xiàn)狀態(tài)時(shí)的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率分別乘以大于1的預(yù)定系數(shù)得到的值，設(shè)定為再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值。校準(zhǔn)處理單元通過以預(yù)定值ΔH為基本單位逐步增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度來測量可再現(xiàn)狀態(tài)。例如，校準(zhǔn)處理單元以至少ΔH＝50 Oe(奧斯特)或更小的分度逐步增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度來測量可再現(xiàn)狀態(tài)。這種情況下，校準(zhǔn)處理單元86把再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的最小值Hmin設(shè)定在50到100 Oe的范圍內(nèi)。校準(zhǔn)處理單元86把再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的最大值Hmax限定在400到500 Oe的范圍內(nèi)。
校準(zhǔn)處理單元通過以至少等于或小于0.5mW的分度逐步增大再現(xiàn)激光功率Pr來測量可再現(xiàn)狀態(tài)。校準(zhǔn)處理單元86把再現(xiàn)激光功率的最小值Pmin設(shè)定到3.0到5.0mW的范圍中。此外，校準(zhǔn)處理單元把再現(xiàn)激光功率限定在不超過激光二極管的最大發(fā)光功率的范圍中。校準(zhǔn)處理單元測量來自再現(xiàn)單元的再現(xiàn)信號(hào)作為可再現(xiàn)狀態(tài)的測量結(jié)果，當(dāng)再現(xiàn)信號(hào)等于或大于預(yù)定門限值時(shí)，決定裝置處在可再現(xiàn)狀態(tài)，并確定再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值。例如，當(dāng)由再現(xiàn)單元根據(jù)介質(zhì)回光再生的RF信號(hào)的峰值檢測信號(hào)等于或大于預(yù)定門限值時(shí)，校準(zhǔn)處理單元確定裝置處在可再現(xiàn)狀態(tài)。
校準(zhǔn)處理單元還可通過測量來自再現(xiàn)單元的再現(xiàn)信號(hào)的誤差率作為可再現(xiàn)狀態(tài)的測量結(jié)果，并當(dāng)誤差率等于或大于預(yù)定門限值時(shí)確定可再現(xiàn)狀態(tài)，來確定再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值。例如，校準(zhǔn)處理單元通過以位為基本單位，在預(yù)先已知的再現(xiàn)位置把再現(xiàn)單元的再現(xiàn)數(shù)據(jù)和記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，測量位誤差的數(shù)目作為誤差率，并且當(dāng)位誤差數(shù)目等于或小于預(yù)定門限值時(shí)，確定裝置處于可再現(xiàn)狀態(tài)。校準(zhǔn)處理單元為光存儲(chǔ)介質(zhì)的每個(gè)預(yù)定區(qū)段確定再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值，并在存儲(chǔ)器中保存這些最佳值。再現(xiàn)單元從存儲(chǔ)器中讀取對(duì)應(yīng)于光存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)位置的區(qū)段中的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值，并利用它們。再現(xiàn)單元還可通過線性接近從存儲(chǔ)器讀取的區(qū)段，來獲得對(duì)應(yīng)于光存儲(chǔ)介質(zhì)的再現(xiàn)位置的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值，并可利用該最佳值。再現(xiàn)單元根據(jù)再現(xiàn)時(shí)裝置中的溫度校正由校準(zhǔn)處理單元確定的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值，并利用校正后的值。再現(xiàn)單元只在再現(xiàn)時(shí)期中，在再現(xiàn)門信號(hào)為開(ON)的光存儲(chǔ)介質(zhì)扇區(qū)中產(chǎn)生由校準(zhǔn)處理單元確定的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值。當(dāng)校準(zhǔn)定時(shí)判別單元判別下述定時(shí)時(shí)，校準(zhǔn)處理單元執(zhí)行校準(zhǔn)再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的過程。
I.在打開裝置電源時(shí)的初始診斷過程時(shí)II.當(dāng)光存儲(chǔ)介質(zhì)裝入裝置中時(shí)III.當(dāng)裝置中的溫度變化等于或大于預(yù)定值時(shí)IV.當(dāng)監(jiān)測自先前校準(zhǔn)過程開始過去的時(shí)間，并且已經(jīng)過預(yù)定校準(zhǔn)有效時(shí)間時(shí)V.當(dāng)產(chǎn)生再現(xiàn)誤差，并執(zhí)行重試過程時(shí)VI.當(dāng)在工廠中啟動(dòng)裝置時(shí)在再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的校準(zhǔn)過程中，當(dāng)從上位裝置產(chǎn)生一個(gè)中斷請(qǐng)求時(shí)，校準(zhǔn)處理單元暫時(shí)中斷校準(zhǔn)過程，并在完成中斷過程后從中斷位置重新開始校準(zhǔn)過程。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種光存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄和再現(xiàn)方法，它包括利用具有至少一個(gè)記錄數(shù)據(jù)的記錄層和一個(gè)在板上再現(xiàn)記錄層中記錄的數(shù)據(jù)的再現(xiàn)層的光存儲(chǔ)介質(zhì)，以小于激光束的光束直徑的記錄密度把數(shù)據(jù)記錄到該光存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄層中的記錄步驟；通過把再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的組合設(shè)定為最佳值，再現(xiàn)以小于光束直徑的記錄密度在光存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄層中記錄的數(shù)據(jù)的再現(xiàn)步驟；在改變?cè)佻F(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的同時(shí)，通過執(zhí)行光存儲(chǔ)介質(zhì)的再現(xiàn)操作，測量可再現(xiàn)狀態(tài)，并根據(jù)測量結(jié)果確定再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的一組最佳值的校準(zhǔn)步驟。
在校準(zhǔn)步驟中，在把再現(xiàn)激光功率設(shè)定為預(yù)定初始值的情況下，通過把預(yù)定的最小再現(xiàn)磁場強(qiáng)度設(shè)為初始值，在增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的同時(shí)，測量可再現(xiàn)狀態(tài)，并且當(dāng)獲得可再現(xiàn)狀態(tài)時(shí)，根據(jù)再現(xiàn)磁場強(qiáng)度確定最佳值。在校準(zhǔn)步驟中，也可通過把預(yù)定的最小磁場強(qiáng)度和最小再現(xiàn)激光功率設(shè)為初始值，在交替地增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的同時(shí)，測量可再現(xiàn)狀態(tài)，并當(dāng)獲得可再現(xiàn)狀態(tài)時(shí)，根據(jù)再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率確定最佳值。其它結(jié)構(gòu)基本和裝置的結(jié)構(gòu)相同。
參考附圖，根據(jù)下面的詳細(xì)說明，本發(fā)明的上述及其它目的、特征及優(yōu)點(diǎn)將更為明顯。
圖1A和1B是常規(guī)FAD系統(tǒng)的再現(xiàn)操作的說明圖2A和2B是常規(guī)RAD系統(tǒng)的再現(xiàn)操作的說明圖；圖3A和3B是根據(jù)本發(fā)明的光盤驅(qū)動(dòng)器的方框圖；圖4是其中已裝入MO盒帶的裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的說明圖；圖5是圖3A和3B中的激光二極管控制電路的方框圖；圖6是圖3A和3B中的磁場施加單元的驅(qū)動(dòng)器的方框圖；圖7是由圖3A和3B中的MPU實(shí)現(xiàn)的校準(zhǔn)處理單元的功能方框圖；圖8是圖5中的再現(xiàn)最佳值存儲(chǔ)表的說明圖；圖9是對(duì)于圖7的校準(zhǔn)過程中的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的增加得到的再現(xiàn)信號(hào)的CNR值的特性曲線圖；圖10是根據(jù)圖9中的CNR特性曲線計(jì)算再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的最佳值的計(jì)算方法的說明圖；圖11是根據(jù)圖9中的CNR特性曲線計(jì)算再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的最佳值的另一計(jì)算方法的說明圖；圖12是對(duì)于圖7的校準(zhǔn)過程中的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的增加得到的再現(xiàn)信號(hào)的位不一致次數(shù)數(shù)目的特性曲線圖；圖13是根據(jù)圖12中的位不一致次數(shù)的特性曲線，計(jì)算再現(xiàn)磁場強(qiáng)度最佳值的計(jì)算過程的說明圖；圖14是根據(jù)圖12中的位不一致次數(shù)的特性曲線，計(jì)算再現(xiàn)磁場強(qiáng)度最佳值的另一計(jì)算過程的說明圖；圖15是由圖7中的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度設(shè)置單元進(jìn)行的線性插值的說明圖；圖16是圖7中的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度設(shè)置單元利用的溫度校正系數(shù)的說明圖；圖17A和17B是本發(fā)明的包括再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的校準(zhǔn)過程的處理操作的流程圖；圖18是在圖17A和17B的校準(zhǔn)過程之前的磁盤啟動(dòng)過程的流程圖；圖19A和19B是判別圖17A和17孤校準(zhǔn)過程的必要性的流程圖；圖20是圖17A和17B的再現(xiàn)校準(zhǔn)過程測量再現(xiàn)信號(hào)的流程圖；圖21是圖17A和17B的再現(xiàn)校準(zhǔn)過程測量誤差率的流程圖；圖22是圖17A和17B的校準(zhǔn)過程在交替增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的同時(shí)，測量再現(xiàn)信號(hào)的流程圖。
圖3A和3B表示了用作本發(fā)明的光存儲(chǔ)裝置的光盤驅(qū)動(dòng)器的電路方框圖。本發(fā)明的光盤驅(qū)動(dòng)器包括控制單元10和機(jī)殼11。控制單元10包括實(shí)現(xiàn)光盤驅(qū)動(dòng)器的整個(gè)控制的MPU12；向上位裝置傳輸或從上位裝置接收命令和數(shù)據(jù)的接口17；執(zhí)行向光盤介質(zhì)寫入或從光盤介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)所必需的過程的光盤控制器(ODC)14；DSP16；及緩沖存儲(chǔ)器18。緩沖存儲(chǔ)器18由MPU12、光盤控制器14和上位接口17共享。格式器14-1和ECC處理單元14-2為光盤控制器14而設(shè)置。寫訪問時(shí)，格式器14-1以介質(zhì)扇區(qū)為基本單元分配NRZ寫數(shù)據(jù)，從而形成記錄格式。ECC處理單元14-2以扇區(qū)寫數(shù)據(jù)為基本單元形成并加入ECC代碼，并且如果必需，形成并加入CRC代碼。另外，ECC處理單元14-2把ECC編碼的扇區(qū)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為，例如(1-7)RLL代碼。讀訪問時(shí)，解調(diào)后的扇區(qū)讀數(shù)據(jù)從(1-7)RLL代碼被反轉(zhuǎn)，得到的結(jié)果數(shù)據(jù)由ECC處理單元14-2進(jìn)行CRC檢查。之后，檢查并校正誤差。另外，聯(lián)結(jié)扇區(qū)單元的NRZ數(shù)據(jù)，以便由格式器14-1構(gòu)成NRZ讀數(shù)據(jù)流，并把該流傳輸給上位裝置。寫LSI電路20為光盤控制器14而設(shè)。寫調(diào)制單元21和激光二極管控制單元22為寫LSI電路20而設(shè)。激光二極管控制單元22的控制輸出被提供給為在機(jī)殼11側(cè)的光學(xué)裝置而設(shè)的激光二極管單元30。激光二極管單元30集成地具有激光二極管30-1和用于監(jiān)測的檢測器30-2。寫調(diào)制單元21把寫數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為PPM記錄或PWM記錄的數(shù)據(jù)格式。作為本實(shí)施例中使用激光二極管單元30對(duì)其進(jìn)行記錄和再現(xiàn)操作的光盤，即可重定的MO盒式介質(zhì)，使用了具有圖1A的FAD系統(tǒng)的再現(xiàn)層，轉(zhuǎn)換層和記錄層的磁光記錄介質(zhì)(下文稱為“FAD介質(zhì)”)，具有圖2A中的RAD系統(tǒng)的再現(xiàn)層和記錄層的磁光存儲(chǔ)介質(zhì)(下文稱為“RAD介質(zhì)”)，或者類似物。介質(zhì)的記錄格式是區(qū)段CAV。另外，作為介質(zhì)的記錄方法，使用的是對(duì)應(yīng)于介質(zhì)上標(biāo)記的存在與否記錄數(shù)據(jù)的坑位置記錄法(PPM記錄法)，或者使標(biāo)記的邊緣，即前邊緣和后邊緣對(duì)應(yīng)于使用的數(shù)據(jù)。當(dāng)MO盒式介質(zhì)裝入光盤驅(qū)動(dòng)器時(shí)，首先讀取該介質(zhì)的ID部分，在MPU12中根據(jù)介質(zhì)的坑間距識(shí)別介質(zhì)類型，并把類型識(shí)別結(jié)果通知寫LSI電路20。來自光盤驅(qū)動(dòng)器的扇區(qū)寫數(shù)據(jù)由寫調(diào)制單元21轉(zhuǎn)換為PWM記錄數(shù)據(jù)。由寫調(diào)制單元21轉(zhuǎn)換的PWM記錄數(shù)據(jù)被提供給激光二極管控制單元22，并由激光二極管30-1的光發(fā)射激勵(lì)寫入介質(zhì)中。讀LSI電路24被提供作為光盤驅(qū)動(dòng)器14的讀取系統(tǒng)。在讀LSI電路24中裝有讀解調(diào)單元25和頻率合成器26。來自激光二極管30-1的光束回光的光敏信號(hào)，由為機(jī)殼11而設(shè)的ID/MO檢測器32通過前置放大器34以ID信號(hào)和MO信號(hào)的形式輸入讀LSI電路24。為讀LSI電路24的讀解調(diào)單元25提供諸如AGC電路，濾波器，扇區(qū)標(biāo)記檢測電路及類似的電路功能。根據(jù)輸入的ID信號(hào)和MO信號(hào)形成讀時(shí)鐘和讀數(shù)據(jù)。PWM記錄數(shù)據(jù)被解調(diào)為初始NRZ數(shù)據(jù)。由于區(qū)段CAV被用于控制主軸電機(jī)40，因此由MPU12對(duì)裝在讀LSI電路24中的頻率合成器26進(jìn)行頻率劃分比例的設(shè)置控制，以便產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于時(shí)鐘頻率的區(qū)段。頻率合成器26是具有可編程分頻器的PLL電路，并產(chǎn)生一個(gè)具有已根據(jù)介質(zhì)的區(qū)段位置預(yù)定的特殊頻率的基準(zhǔn)時(shí)鐘作為讀時(shí)鐘。即，頻率合成器26由具有可編程分頻器的PLL電路構(gòu)成，并按照下式由MPU12根據(jù)和區(qū)段號(hào)相一致的頻率劃分比例(m/n)產(chǎn)生頻率的基準(zhǔn)時(shí)鐘fo。
fo＝(m/n)·fi這種情況下，頻率劃分比例(m/n)的分母的頻率劃分值(n)是對(duì)應(yīng)于介質(zhì)容量的特殊值。分子的頻率劃分值(m)是按照介質(zhì)區(qū)段位置變化的值，并以對(duì)應(yīng)于每個(gè)介質(zhì)區(qū)段號(hào)的值的表信息形式而準(zhǔn)備。由讀LSI24解調(diào)的讀數(shù)據(jù)被提供給光盤控制器14。在完成(1-7)RLL代碼的反轉(zhuǎn)后，由ECC處理單元14-2的編碼功能對(duì)轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)進(jìn)行CRC檢查和ECC處理，以便重新構(gòu)成NRZ扇區(qū)數(shù)據(jù)。格式器14-1把該數(shù)據(jù)和NRZ讀數(shù)據(jù)流結(jié)合，之后由上位接口17通過緩沖存儲(chǔ)器18把得到的流傳輸給上位裝置。在機(jī)殼11側(cè)提供的溫度傳感器36的檢測信號(hào)通過DSP16被提供給MPU12。MPU12根據(jù)溫度傳感器36檢測到的裝置中的環(huán)境溫度，把激光二極管控制單元22中用于讀取、寫入和擦除的各個(gè)光發(fā)射功率控制到最佳值。
MPU12通過DSP16由驅(qū)動(dòng)器38控制在機(jī)殼11側(cè)提供的主軸電機(jī)40。由于MO盒帶的記錄格式是區(qū)段CAV，因此主軸電機(jī)以預(yù)定速度(例如6000rpm)旋轉(zhuǎn)。MPU12還通過DSP16由驅(qū)動(dòng)器42控制在機(jī)殼11側(cè)提供的磁場施加單元44。磁場施加單元44被布置在裝入裝置中的MO盒帶的光束照射側(cè)的對(duì)面，并當(dāng)記錄、擦除、再現(xiàn)時(shí)對(duì)介質(zhì)施加外部磁場。通常使用電磁體作為磁場施加單元44。之外，也可使用在其中得到由本發(fā)明的校準(zhǔn)方法確定的最佳磁場的永磁體。另外，也可使用電磁體和永磁體的組合。再現(xiàn)時(shí)，F(xiàn)AD介質(zhì)情況下，磁場施加單元44施加的外部磁場是再現(xiàn)磁場Hr，而在RAD介質(zhì)情況下，磁場施加單元44施加的外部磁場是預(yù)置磁場。另外根據(jù)本發(fā)明，再現(xiàn)時(shí)，磁場施加單元44施加的外部磁場總是由校準(zhǔn)處理單元校準(zhǔn)為再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值的組合，校準(zhǔn)處理單元由MPU12的處理功能實(shí)現(xiàn)。
DSP16具有把來自激光二極管單元30的光束定位于介質(zhì)的伺服功能，并執(zhí)行使拾象器定位于目標(biāo)磁道，從而跟蹤目標(biāo)磁道的查找控制。查找控制可以并行于響應(yīng)MPU12上位命令的寫訪問或讀訪問同時(shí)執(zhí)行。為了實(shí)現(xiàn)DSP16的伺服功能，為機(jī)殼11側(cè)的光學(xué)單元提供一個(gè)用于接收來自介質(zhì)的光束回光的FES檢測器。FES檢測電路(聚焦誤差信號(hào)檢測電路)46根據(jù)FES檢測器45的光敏輸出形成聚焦誤差信號(hào)E1，并把該信號(hào)輸入DSP16。為機(jī)殼11側(cè)的光學(xué)單元提供一個(gè)用于接收來自介質(zhì)的光束回光的TES檢測器47。TES檢測電路(跟蹤誤差信號(hào)檢測電路)48根據(jù)TES檢測器47的光敏輸出形成跟蹤誤差信號(hào)E2，并把該信號(hào)輸入DSP16。把跟蹤誤差信號(hào)E2輸入TZC檢測電路(跟蹤零交叉點(diǎn)檢測電路)50，形成跟蹤零交叉脈沖E3，并把該脈沖輸入DSP16。
在機(jī)殼11側(cè)提供一個(gè)用于檢測把激光束照射到介質(zhì)上的物鏡的透鏡位置的透鏡位置傳感器54，它向DSP16輸入透鏡位置檢測信號(hào)(LPOS)E4。為了控制介質(zhì)上光束點(diǎn)的位置，DPS16還通過驅(qū)動(dòng)器58、62和66控制聚焦調(diào)節(jié)器60，透鏡調(diào)節(jié)器64及VCM68。
圖4表示了機(jī)殼的外形。主軸電機(jī)40位于外殼67中。通過從入口門69向主軸電機(jī)40的旋轉(zhuǎn)軸的輪轂插入MO盒帶70，從而把內(nèi)部MO介質(zhì)72固定到主軸電機(jī)40旋轉(zhuǎn)軸的輪轂上。在裝入的MO盒帶70的MO介質(zhì)下，提供一個(gè)滑架76，它可由VCM68沿著橫過介質(zhì)上的磁道的方向移動(dòng)。物鏡80安裝在滑架76上，并通過三棱鏡82輸入來自固定光學(xué)系統(tǒng)78的激光二極管的光束，從而在MO介質(zhì)72的介質(zhì)表面上形成光束點(diǎn)。物鏡80由為圖3A和3B中的機(jī)殼提供的聚焦調(diào)節(jié)器60沿光軸方向移動(dòng)，并可由透鏡調(diào)節(jié)器64在橫過介質(zhì)磁道的徑向方向的一定范圍內(nèi)，例如數(shù)十個(gè)磁道內(nèi)移動(dòng)。安裝在滑架76上的物鏡80的位置由透鏡位置傳感器54檢測。透鏡位置傳感器54把物鏡80的光軸垂直向上時(shí)的中性位置的透鏡位置檢測信號(hào)設(shè)定為0，并分別產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于關(guān)于向外側(cè)移動(dòng)和向內(nèi)側(cè)移動(dòng)的不同極性移動(dòng)量的透鏡位置檢測信號(hào)E4。
圖3A和3B中，盡管提供透鏡調(diào)節(jié)器64和VCM68作為光學(xué)拾象器，但是拾象器也可只包括VCM68，而不具有透鏡調(diào)節(jié)器64。
圖5是圖3A和3B中控制器10中的激光二極管22的電路方框圖。激光二極管單元30中集成有激光二極管100和監(jiān)測光電二極管102。激光二極管100接收電源電壓Vcc產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電流I并發(fā)光。從該光學(xué)單元產(chǎn)生出激光束并照射到介質(zhì)表面上，從而實(shí)現(xiàn)記錄和再現(xiàn)。監(jiān)測二極管102從激光二極管100接收部分光，并產(chǎn)生正比于激光二極管100發(fā)光功率的光敏電流i0。讀功率電流源104，擦除功率電流源106和寫功率電流源108并行地和激光二極管100相連，并分別輸出讀功率電流I0，擦除功率電流I1和寫功率電流I2。當(dāng)發(fā)射讀功率光時(shí)，流出讀功率電流I0。當(dāng)發(fā)射擦除功率光時(shí)，流出通過把擦除功率電流I1和讀功率電流I0相加得到的電流(I0+I1)。當(dāng)發(fā)射寫功率光束時(shí)，流出通過把寫功率電流I2和讀功率電流I0相加得到的電流(I0+I2)。為讀功率電流源104提供一個(gè)自動(dòng)功率控制單元(下文簡稱為“APC”)138。通過目標(biāo)DAC寄存器120和D/A轉(zhuǎn)換器(下文簡稱為“DAC”)136把指定的目標(biāo)讀功率作為目標(biāo)功率設(shè)置到APC138中。把EP電流DAC寄存器122和DAC140作為EP電流指令單元提供給擦除功率電流源106。把WP電流DAC寄存器124和DAC142作為WP電流指令單元提供給WP電流源108。于是可通過分別為相應(yīng)寄存器120、122和124設(shè)置DAC指令值來恰當(dāng)?shù)馗淖冸娏髟?04、106和108的電流。光發(fā)射電流源電路由寄存器、DAC和恒電流源構(gòu)成。執(zhí)行反饋控制作為對(duì)APC的控制，以便從光電二極管102的光敏電流i0中得到的監(jiān)測電流im，和DAC136的對(duì)應(yīng)于目標(biāo)讀功率的目標(biāo)電壓相一致。為此，為監(jiān)測二極管102提供減法電流源112和114，以便當(dāng)由超過讀功率的擦除功率和寫功率進(jìn)行光發(fā)射時(shí)，減去光敏電流，并把對(duì)應(yīng)于讀功率的監(jiān)測電流im反饋給APC。可由作為EP減法電流指令單元的EP減法DAC寄存器128和DAC146為擦除功率的減法電流源112設(shè)置任意的減法電流i1?？捎勺鳛閃P減法電流指令單元的WP減法DAC寄存器130和DAC148為寫功率的減法電流源114設(shè)置任意的減法電流i2。這兩個(gè)減法電流源i1和i2的發(fā)光模式中的監(jiān)測電流im如下如所示。
I.當(dāng)讀功率光發(fā)射時(shí)im＝i0II.當(dāng)擦除功率光發(fā)射時(shí)im＝i0-i1III.當(dāng)寫功率光發(fā)射時(shí)im＝i0-i2于是，即使在超過目標(biāo)讀功率的擦除功率和寫功率的任一的光發(fā)射時(shí)，通過從光敏電流i0中減去相應(yīng)的減法電流，監(jiān)測電流im也是以對(duì)應(yīng)于讀功率的電流的形式在檢測監(jiān)測電壓的寄存器118中流動(dòng)，并被反饋給APC138。于是，不考慮發(fā)光功率，APC138控制讀功率電流源104，以便始終保持目標(biāo)讀功率，從而實(shí)現(xiàn)指定擦除功率和寫功率的自動(dòng)功率控制。另外對(duì)于減法電流，也由寄存器、DAC和恒電流源構(gòu)成一個(gè)減法電流源電路。由監(jiān)測電壓檢測寄存器118得到的對(duì)應(yīng)于監(jiān)測電流im的監(jiān)測電壓由A/D轉(zhuǎn)換器(下文簡稱為“ADC”)152轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，并輸入監(jiān)測ADC寄存器134中。之后，讀取給MPU12側(cè)。于是，ADC152和監(jiān)測ADC寄存器134構(gòu)成監(jiān)測電流im的測量單元。
圖6是通過施加驅(qū)動(dòng)電流給圖3A和3B中的磁場施加單元44而形成再現(xiàn)磁場的驅(qū)動(dòng)器42和DSP16一側(cè)的電路方框圖。在DSP16側(cè)提供一個(gè)磁場電流DAC寄存器150和A/D轉(zhuǎn)換器152。對(duì)應(yīng)于再現(xiàn)磁場的電流指令值由來自MPU側(cè)的指令設(shè)置到磁場電流DAC寄存器150中。A/D轉(zhuǎn)換器152把磁場電流DAC寄存器150的指令值轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)，并輸出給驅(qū)動(dòng)器42。驅(qū)動(dòng)器42中設(shè)置有功率放大器154，倒相放大器156和功率放大器158。本實(shí)施例中，電磁體160用作為圖3A和3B中的磁場施加單元44。來自ADC152的具有，例如正信號(hào)極性的輸出信號(hào)由功率放大器154放大，并作為正極性的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出給電磁體160的一端。另一方面，來自ADC152的正極性輸出信號(hào)由倒相放大器156倒相，具有負(fù)極性。該信號(hào)由功率放大器158放大，負(fù)極性的驅(qū)動(dòng)信號(hào)被輸出給電磁體160的另一端。這樣，驅(qū)動(dòng)電流在電磁體160中從放大器154的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的正極流向用作功率放大器158的驅(qū)動(dòng)極的負(fù)極。電磁體160中流動(dòng)電流的值按照驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電平而變化，并可產(chǎn)生根據(jù)該電流值的再現(xiàn)磁場。
圖7是作為例子對(duì)圖1A和1B中的FAD介質(zhì)，由圖3A和3B中的MPU12的處理功能實(shí)現(xiàn)的優(yōu)化再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的校準(zhǔn)過程的功能方框圖。校準(zhǔn)定時(shí)判別單元84，校準(zhǔn)處理單元86，再現(xiàn)最佳值存儲(chǔ)表88，再現(xiàn)磁場強(qiáng)度設(shè)置單元90及再現(xiàn)激光功率設(shè)置單元92由MPU12的處理功能提供。校準(zhǔn)定時(shí)判別單元84根據(jù)寄存器組94中存儲(chǔ)的設(shè)置內(nèi)容設(shè)置再現(xiàn)磁場和再現(xiàn)激光功率的校準(zhǔn)過程的處理定時(shí)，并激活校準(zhǔn)處理單元86。寄存器組94中存儲(chǔ)有初始化診斷指令，介質(zhì)插入檢測，裝置中的溫度，上位中斷請(qǐng)求及重試指令。這些寄存器內(nèi)容由校準(zhǔn)定時(shí)判別單元84讀取，校準(zhǔn)處理單元86被激活。例如，校準(zhǔn)定時(shí)判別單元84監(jiān)測當(dāng)打開裝置電源執(zhí)行初始化診斷時(shí)，當(dāng)通過插入FAD介質(zhì)檢測到裝載時(shí)，或者當(dāng)裝置中的溫度變化等于或大于預(yù)定值時(shí)，自先前的校準(zhǔn)過程過去的時(shí)間，從而判別當(dāng)預(yù)定的校準(zhǔn)有效時(shí)間過去時(shí)的定時(shí)，發(fā)生再現(xiàn)誤差及執(zhí)行重試過程時(shí)的定時(shí)，或者類似定時(shí)作為校準(zhǔn)定時(shí)。其它情況下，例如，當(dāng)在工廠階段完成并初始化該裝置時(shí)，在工廠中啟動(dòng)時(shí)的測試操作中，也可以通過設(shè)置傾角(dip)開關(guān)或類似物使校準(zhǔn)定時(shí)判別單元84判別校準(zhǔn)定時(shí)來激活校準(zhǔn)處理單元86。此外，當(dāng)從上位裝置接收到諸如讀命令，寫命令或類似命令的上位中斷請(qǐng)求時(shí)，校準(zhǔn)定時(shí)判別單元84判別此時(shí)校準(zhǔn)處理單元86是否正在執(zhí)行校準(zhǔn)過程。如果正在進(jìn)行校準(zhǔn)過程，則立即中斷校準(zhǔn)過程。把優(yōu)先權(quán)給予上位中斷請(qǐng)求的讀或?qū)懺L問。讀或?qū)懺L問結(jié)束后，允許校準(zhǔn)處理單元86從中斷的時(shí)間點(diǎn)重新開始校準(zhǔn)過程。校準(zhǔn)處理單元86通過從校準(zhǔn)定時(shí)判別單元84接收校準(zhǔn)過程的激活請(qǐng)求而操作。在校準(zhǔn)過程中，在用于校準(zhǔn)處理的測試模型首先被寫入光存儲(chǔ)介質(zhì)的預(yù)定測試磁道之后，在逐步改變?cè)佻F(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的同時(shí)，執(zhí)行再現(xiàn)操作。根據(jù)再現(xiàn)操作得出的再現(xiàn)信號(hào)判別可再現(xiàn)狀態(tài)。根據(jù)可再現(xiàn)狀態(tài)中的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率確定最佳值。把確定的最佳值存儲(chǔ)在再現(xiàn)最佳值存儲(chǔ)表88中。
校準(zhǔn)處理單元86中的處理模式有如下兩種。
處理模式1在固定再現(xiàn)激光功率的情況下，通過逐步增加再現(xiàn)磁場強(qiáng)度來測量可再現(xiàn)狀態(tài)。當(dāng)即使再現(xiàn)磁場強(qiáng)度增大到最大值時(shí)仍不能測得可再現(xiàn)狀態(tài)時(shí)，在逐步增大再現(xiàn)激光功率的同時(shí)，對(duì)每一個(gè)再現(xiàn)激光功率重復(fù)逐步把再現(xiàn)磁場強(qiáng)度增大到最大值的過程。
處理模式2把最小磁場強(qiáng)度和最小再現(xiàn)功率設(shè)定為初始值之后，在交替地逐步增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的同時(shí)，測量可再現(xiàn)狀態(tài)。
校準(zhǔn)處理單元86的處理模式1和2之間存在下述差別。即處理模式1中，盡管校準(zhǔn)過程需要較長的時(shí)間，但是可精確確定最佳值。相反，處理模式2中，由于交替地逐步增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率，直到得到可再現(xiàn)狀態(tài)為止，因此可在短時(shí)間內(nèi)形成再現(xiàn)狀態(tài)，并確定最佳值。校準(zhǔn)處理單元86按照下述兩種方法的任一種進(jìn)行可再現(xiàn)狀態(tài)的測量，以確定再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值。
(1)測量再現(xiàn)信號(hào)的電平(2)誤差率就再現(xiàn)信號(hào)方法來說，例如，檢測作為自圖3A和3B中的前置放大器34的RF信號(hào)得到的MO信號(hào)的峰值電平，并且當(dāng)其等于或大于預(yù)定門限值時(shí)，確定可再現(xiàn)狀態(tài)。具體地說，檢測MO信號(hào)的峰值電平，測量載波噪聲比CNR。當(dāng)CNR值等于或大于預(yù)定門限值時(shí)，確定可再現(xiàn)狀態(tài)。就誤差率方法來說，把作為測試模型記錄被記錄并且預(yù)先已知的記錄數(shù)據(jù)，和從測試模型記錄區(qū)域讀取的再現(xiàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，具體地說，以位為基本單位比較來自圖3A和3B中的讀LSI電路24的讀取數(shù)據(jù)，并測量位誤差的數(shù)目。當(dāng)位誤差的數(shù)目等于或小于預(yù)定門限值時(shí)，確定再現(xiàn)狀態(tài)。除了根據(jù)再現(xiàn)RF信號(hào)的的峰值檢測信號(hào)的電平或位誤差數(shù)目來判別再現(xiàn)狀態(tài)之外，還可用另一種方法來判別可再現(xiàn)狀態(tài)，根據(jù)該方法，利用了為圖3A和3B中的光盤控制器14提供的ECC處理單元14-2中的再現(xiàn)數(shù)據(jù)的校正誤差數(shù)目，當(dāng)校正誤差數(shù)目等于或小于預(yù)定門限值，則決定可再現(xiàn)狀態(tài)。對(duì)于由前面提及的校準(zhǔn)處理單元86進(jìn)行的決定再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的校準(zhǔn)過程來說，從校準(zhǔn)處理單元86輸出把測試模型寫入介質(zhì)的測試寫指令信號(hào)E10，改變?cè)佻F(xiàn)功率的再現(xiàn)功率指令信號(hào)E11，及改變?cè)佻F(xiàn)磁場強(qiáng)度的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度指令信號(hào)E12。另外，輸入判別再現(xiàn)狀態(tài)的再現(xiàn)信號(hào)E13。校準(zhǔn)處理單元86確定的一組再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率最佳值存儲(chǔ)在再現(xiàn)最佳值存儲(chǔ)表88中。
圖8表示了再現(xiàn)最佳值存儲(chǔ)表88的一個(gè)具體例子。光存儲(chǔ)介質(zhì)被分成區(qū)段號(hào)以i表示的z1到zn的n個(gè)區(qū)段。給出校準(zhǔn)過程確定的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度指示值Hr1到Hrn和再現(xiàn)功率指示值Pr1到Prn存儲(chǔ)在表88的每個(gè)區(qū)段中?，F(xiàn)在最好把用于校準(zhǔn)過程獲取如圖8所示的再現(xiàn)最佳值存儲(chǔ)表88的測試磁道設(shè)定為每個(gè)區(qū)段邊界的頭磁道或尾磁道。在區(qū)段的如上所述頭磁道或尾磁道中執(zhí)行再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的校準(zhǔn)過程的原因是，當(dāng)在圖7的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度設(shè)置單元90和再現(xiàn)激光功率設(shè)置單元92中用線性插值法計(jì)算圖7中的任意磁道時(shí)，能夠簡化算術(shù)運(yùn)算過程。
圖9表示了圖7的校準(zhǔn)處理單元86在再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的設(shè)置值處理中得到的測量結(jié)果，表示了再現(xiàn)信號(hào)的載波噪聲比CNR的測量結(jié)果的一個(gè)例子。這種情況下校準(zhǔn)過程的處理模式涉及在處理模式1中固定再現(xiàn)激光功率，逐步增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的過程。
圖9中，再現(xiàn)激光功率從設(shè)置初始值，例如最小磁場強(qiáng)度Hmin＝100 Oe逐步增大到最大磁場強(qiáng)度Hmax＝500 Oe，步長ΔH＝50 Oe。測量特性曲線162中，在以寫功率Tw＝7.0mW把測試模型寫入介質(zhì)的測試磁道中之后，在再現(xiàn)激光功率設(shè)為Pr＝3.5mW的情況下，以步長ΔH＝50 Oe改變?cè)佻F(xiàn)磁場強(qiáng)度，并標(biāo)出這種情況下的測量值。從測量特性曲線162可明顯看出，當(dāng)再現(xiàn)磁場強(qiáng)度等于最小值Hmin＝100 Oe時(shí)，CNR值很小，得到不可再現(xiàn)狀態(tài)。但是當(dāng)再現(xiàn)磁場強(qiáng)度增大到200 Oe時(shí)，CNR迅速增大，并且達(dá)到設(shè)為判別可再現(xiàn)狀態(tài)的門限值TH(例如TH＝45dB)。當(dāng)再現(xiàn)磁場強(qiáng)度為200 Oe或更大時(shí)，CNR值保持超過TH＝45dB。但是當(dāng)再現(xiàn)磁場強(qiáng)度大于450 Oe時(shí)，CNR值小于門限值TH＝45dB。測量特性曲線164是在再現(xiàn)激光功率Pr不合適的情況下得到的。這種情況下，即使逐步增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度，CNR也不會(huì)超過判別可再現(xiàn)狀態(tài)的門限值TH。于是，如果得到類似測量特性曲線164的測量結(jié)果，則在增大再現(xiàn)激光功率之后，逐步增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度。重復(fù)這一過程，直到測量結(jié)果象測量特性曲線162超過門限值TH時(shí)為止。如測量特性曲線164所示，就得不到超過門限值TH的CNR值的不可測量狀態(tài)下的再現(xiàn)激光功率Pr的增加步長ΔPr來說，最好以至少0.5mW或更小的分度逐步增大它。同樣就再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的變化步長ΔHr來說，最好從圖9中的特性曲線以ΔH＝50 Oe或更小的分度逐步增大它。就再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的最小值Hmin來說，當(dāng)逐步增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度時(shí)，由于通常從200 Oe值開始產(chǎn)生超過門限值TH的CNR，因此把Hmin設(shè)定在約50到100 Oe的范圍內(nèi)是足夠的。就再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的最大值Hmax來說，當(dāng)再現(xiàn)磁場強(qiáng)度超過400 Oe時(shí)，CNR值開始顯著降低，并且校準(zhǔn)時(shí)如果再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的最大值太大，它會(huì)對(duì)介質(zhì)產(chǎn)生不利影響。于是再現(xiàn)磁場強(qiáng)度被限定在約400到500 Oe的范圍內(nèi)，以便不超過500Oe。
圖10是根據(jù)圖9的測量特性曲線162計(jì)算再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的最佳值Hbest的計(jì)算過程的說明圖。這種情況下，再現(xiàn)磁場強(qiáng)度從最小值Hmin＝100 Oe逐步增大，步長ΔH＝50 Oe。之后分別得到CNR值首次超過門限值TH的測量點(diǎn)166的可測量狀態(tài)的起始磁場強(qiáng)度Hs，以及剛好在CNR值小于門限值TH之前的測量點(diǎn)168的可再現(xiàn)狀態(tài)的結(jié)束磁場強(qiáng)度He。當(dāng)?shù)玫匠^門限值TH的可測量狀態(tài)的起始磁場強(qiáng)度Hs和結(jié)束磁場強(qiáng)度He時(shí)，把它們之間的中值設(shè)定為最佳值Hbest。即用下面的等式計(jì)算Hbest。
Hbest＝Hs+(He-Hs)/2圖11表示了根據(jù)圖9的測量特性曲線162計(jì)算再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的最佳值Hbest的另一計(jì)算過程。這種情況下，當(dāng)逐步增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度時(shí)，在得到CNR值等于或大于門限值TH的可再現(xiàn)狀態(tài)的起始磁場強(qiáng)度Hs時(shí)，把預(yù)定值Hc和起始磁場強(qiáng)度Hs相加得到的值被設(shè)定為最佳值Hbest。即Hbest＝Hs+Hc于是，可在得到CNR值等于或大于門限值TH的可再現(xiàn)狀態(tài)的測量點(diǎn)166處的起始磁場強(qiáng)度Hs時(shí)，確定最佳值Hbest。當(dāng)不需要進(jìn)一步增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度時(shí)執(zhí)行測量過程?？梢栽诙虝r(shí)間內(nèi)完成確定再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值的校準(zhǔn)過程。圖11的情況下，由于當(dāng)在CNR值超過門限值TH的點(diǎn)判別可再現(xiàn)狀態(tài)時(shí)，可再現(xiàn)狀態(tài)可能會(huì)不穩(wěn)定，因此當(dāng)超過門限值TH的CNR的測量值相對(duì)于兩點(diǎn)繼續(xù)時(shí)，通過加上預(yù)定值Hc計(jì)算最佳值Hbest是足夠的。
圖12表示了由圖7的校準(zhǔn)處理單元86確定再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值的其它測量值。測量位誤差的數(shù)目作為再現(xiàn)信號(hào)的誤差率。這種情況下，橫坐標(biāo)代表再現(xiàn)磁場強(qiáng)度Hr。例如，以基本單位ΔHr＝50 Oe把再現(xiàn)磁場強(qiáng)度從最小磁場強(qiáng)度Hmin＝100 Oe增大到最大磁場強(qiáng)度Hmax＝500 Oe。以類似于圖10的方式，通過把寫功率PW＝7mW的測試模型固定為再現(xiàn)激光功率Pr＝3.5mW讀取再現(xiàn)激光功率Pr?？v軸表示代表位誤差數(shù)目的不一致次數(shù)的數(shù)目N。在再現(xiàn)激光功率Pr合適的情況下得到測量特性曲線170。這種情況下，當(dāng)以基本單位ΔHr＝50 Oe從最小值Hmin＝100 Oe逐步逐大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度時(shí)，測量特性曲線170的不一致次數(shù)的數(shù)目等于或小于再現(xiàn)磁場強(qiáng)度為200 Oe之前一個(gè)值時(shí)的門限值Nth。之后，盡管再現(xiàn)磁場強(qiáng)度等于或小于門限值Nth的可再現(xiàn)狀態(tài)保持到400Oe，但是對(duì)于再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的增加，不一致次數(shù)的數(shù)目N是逐漸增大的。當(dāng)再現(xiàn)磁場強(qiáng)度超過400 Oe時(shí)，不一致次數(shù)的數(shù)目N超過門限值Nth。當(dāng)再現(xiàn)磁場強(qiáng)度超過500 Oe時(shí)，出現(xiàn)不一致次數(shù)的數(shù)目N顯著增大的不可再現(xiàn)狀態(tài)。測量特性曲線是在再現(xiàn)激光功率不合適的情況下得到的。這種情況下即使增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度，不一致次數(shù)的數(shù)目N了不會(huì)降低到等于或小于門限值Nth的值。這種情況下，重復(fù)在以基本單位，例如ΔPr＝0.5mW增大再現(xiàn)激光功率的同時(shí)，逐步增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的過程。得到類似于測量特性曲線170的門限值Nth或更小的不一致次數(shù)數(shù)目N的測量特性曲線。
圖13表示了根據(jù)圖12的不一致次數(shù)數(shù)目的特性曲線170，計(jì)算再現(xiàn)磁場強(qiáng)度Hr的最佳值Hbest的計(jì)算過程的一個(gè)例子。這種情況下，當(dāng)逐步增大磁場強(qiáng)度時(shí)，得到在不一致次數(shù)的數(shù)目N等于或小于門限值Nth的第一個(gè)測量點(diǎn)174的可再現(xiàn)狀態(tài)的起始磁場強(qiáng)度Hs。隨后逐步增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度，從而得到在不一致次數(shù)數(shù)目N剛好超過門限值Nth之前的測量點(diǎn)176的可再現(xiàn)狀態(tài)的結(jié)束磁場強(qiáng)度He。得到最佳值Hbest＝Hs+(He-Hs)/2圖14表示了根據(jù)圖12的不一致次數(shù)的數(shù)目N的測量特性曲線170計(jì)算再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的最佳值的計(jì)算過程。這種情況下，得到不一致次數(shù)數(shù)目首次小于門限值Nth的測量點(diǎn)174的可再現(xiàn)狀態(tài)的起始磁場強(qiáng)度Hs。得到最佳值Hbest＝Hs+Hc再次參考圖7，再現(xiàn)磁場強(qiáng)度設(shè)置單元90和再現(xiàn)激光功率設(shè)置單元92根據(jù)如圖8所示對(duì)應(yīng)于區(qū)段號(hào)的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度指示值和再現(xiàn)功率指示值的最佳值的集合執(zhí)行光存儲(chǔ)介質(zhì)的再現(xiàn)操作，這些最佳值由校準(zhǔn)處理單元86的校準(zhǔn)過程確定，并存儲(chǔ)在再現(xiàn)最佳值存儲(chǔ)表88中。在該再現(xiàn)過程中，根據(jù)存儲(chǔ)在寄存器組94中的介質(zhì)類型，裝置中的溫度T，磁道號(hào)TK，扇區(qū)號(hào)SS及區(qū)段號(hào)Zi執(zhí)行再現(xiàn)介質(zhì)訪問。這種情況下，再現(xiàn)磁場強(qiáng)度設(shè)置單元90和再現(xiàn)激光功率設(shè)置單元92利用寄存器組94的區(qū)段號(hào)Zi，參考再現(xiàn)最佳值存儲(chǔ)表88得到相應(yīng)的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度指示值Hri和再現(xiàn)功率指示值Pri，并分別作為再現(xiàn)磁場強(qiáng)度指令信號(hào)E14和再現(xiàn)功率指令信號(hào)E15輸出。從再現(xiàn)磁場強(qiáng)度設(shè)置單元90輸出的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度指令信號(hào)E14被送到圖6所示的DSP16的磁場電流DAC寄存器150中，并由ADC152轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)。之后，由驅(qū)動(dòng)器42向電磁體160提供正負(fù)驅(qū)動(dòng)信號(hào)，向電磁體160的線圈供給電流，從而產(chǎn)生設(shè)置為最佳值的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度Hr。來自再現(xiàn)激光功率設(shè)置單元92的再現(xiàn)功率指令信號(hào)E15作為目標(biāo)讀功率被送到圖5的激光二極管控制電路的目標(biāo)DAC寄存器120中。包括D/A轉(zhuǎn)換器136和APC138的恒電流源向激光二極管100提供電流Io，從而向光存儲(chǔ)介質(zhì)上照射再現(xiàn)激光功率為最佳值Pri的激光束，實(shí)現(xiàn)再現(xiàn)操作。就再現(xiàn)時(shí)再現(xiàn)磁場強(qiáng)度設(shè)置單元90和再現(xiàn)激光功率設(shè)置單元92進(jìn)行的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的設(shè)置來說，由于如圖8所示，已以區(qū)段為基本單位形成了再現(xiàn)最佳值存儲(chǔ)表88，因此通過線性插值法得到相應(yīng)于實(shí)際訪問磁道的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值。
圖15表示了圖7的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度設(shè)置單元90中，對(duì)應(yīng)于訪問磁道的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的線性插值計(jì)算過程?，F(xiàn)在假定訪問目標(biāo)磁道為TKj，屬于區(qū)段Zi。這樣，圖7中在再現(xiàn)最佳值存儲(chǔ)表88中已存儲(chǔ)了區(qū)段Zi的頭磁道號(hào)Tki的最佳磁場強(qiáng)度Hi和下一區(qū)段Zi+1的頭磁道號(hào)TKi+1的最佳磁場強(qiáng)度Hi+1。
可利用下面的線性插值等式計(jì)算區(qū)段Zi的磁道TKj的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的最佳值Hj。
Hj＝Hi+{(Hi+1-Hi)/n}·{(TKj-TKi)/n}同樣也可對(duì)存儲(chǔ)在圖8中的再現(xiàn)最佳值存儲(chǔ)表88中的再現(xiàn)功率Pr進(jìn)行類似的處理?？衫孟旅娴木€性插值等式計(jì)算區(qū)段Zi的磁道TKj的再現(xiàn)激光功率的最佳值Pj。
Pj＝Pi+{(Pi+1-Hi)/n}·{(TKj-TKi)/n}圖15中，各個(gè)區(qū)段的頭磁道被設(shè)定為測量磁道，計(jì)算并存儲(chǔ)再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值。但是，也可使用各個(gè)區(qū)段的尾磁道或中央磁道作為測量磁道。此外，在圖7的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度設(shè)置單元90和再現(xiàn)激光功率設(shè)置單元92中，根據(jù)裝置中的溫度T執(zhí)行校正過程，以防止再現(xiàn)時(shí)，最佳值由于寄存器組94存儲(chǔ)的裝置中的溫度T而產(chǎn)生波動(dòng)。
圖16表示了依據(jù)裝置中的溫度T校正再現(xiàn)磁場強(qiáng)度最佳值的溫度校正系數(shù)的特性曲線。溫度校正系數(shù)Kt由下式給出Kt＝AT+B并且溫度校正系數(shù)通常為負(fù)。當(dāng)裝置中的溫度T＝25℃時(shí)，把溫度校正系數(shù)Kt設(shè)定為Kt＝1.0。利用圖16的特性曲線給出的溫度校正系數(shù)Kt，可由下式計(jì)算再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的最佳值Hr的校正值Hr＝Hr{1-Kt×(T-25℃)}類似地，對(duì)于再現(xiàn)激光功率的最佳值，通過利用獨(dú)特的溫度校正系數(shù)Kt，由下式計(jì)算再現(xiàn)激光功率的最佳值Pr的校正值Pr＝Pr{1-Kt×(T-25℃)}下面來說明本發(fā)明的具有圖7的校準(zhǔn)處理功能的光存儲(chǔ)裝置的處理過程。圖17A和17B是本發(fā)明的光存儲(chǔ)裝置的整個(gè)過程的流程圖。當(dāng)打開裝置電源時(shí)，在步驟S1執(zhí)行初始化和自檢過程。在步驟S2，裝置等待插入介質(zhì)。這種情況下當(dāng)插入介質(zhì)時(shí)，在步驟S3啟動(dòng)磁盤。步驟S3中的磁盤啟動(dòng)過程如圖18中的流程圖所示。圖18中，首先在步驟S1載入介質(zhì)，并把介質(zhì)定到如圖4所示的主軸電機(jī)，并以恒速旋轉(zhuǎn)介質(zhì)。在步驟S2，設(shè)定校準(zhǔn)請(qǐng)求標(biāo)志FL。在步驟S3，初始化當(dāng)前時(shí)間。在步驟S4，檢測裝置中的當(dāng)前溫度。完成確定啟動(dòng)時(shí)激光二極管的發(fā)光功率和磁場施加單元的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度所必需的過程。
再參考圖17A和17B，當(dāng)完成步驟S3中的磁盤啟動(dòng)過程時(shí)，在步驟S4判別是否存在來自上位裝置的訪問請(qǐng)求。在本實(shí)施例中，即使通過載入介質(zhì)完成磁盤啟動(dòng)過程，此時(shí)也未執(zhí)行發(fā)光功率和再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的校準(zhǔn)過程。通過接收接收了磁盤啟動(dòng)過程通知的上位裝置首次發(fā)布的校準(zhǔn)指令命令，執(zhí)行發(fā)光功率和再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的第一校準(zhǔn)過程。于是，在步驟S4第一次從上位裝置接收的訪問請(qǐng)求是校準(zhǔn)指令命令。在步驟S7，檢查是否已發(fā)出校準(zhǔn)指令。在步驟S8，執(zhí)行諸如寫功率，擦除功率，讀功率之類的發(fā)光功率的校準(zhǔn)過程。之后，在步驟S9，由圖7中的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度校準(zhǔn)單元執(zhí)行再現(xiàn)磁場強(qiáng)度校準(zhǔn)過程。另一方面，當(dāng)未從上位裝置產(chǎn)生校準(zhǔn)指令時(shí)，在步驟S5判別校準(zhǔn)必要性。根據(jù)判別結(jié)果，當(dāng)在步驟S6確定有必要進(jìn)行校準(zhǔn)時(shí)，在步驟S8執(zhí)行發(fā)光功率校準(zhǔn)過程，在步驟S9執(zhí)行再現(xiàn)磁場強(qiáng)度校準(zhǔn)過程。當(dāng)從上位裝置接收讀訪問請(qǐng)求時(shí)，在步驟S10判別讀請(qǐng)求。當(dāng)確定存在讀請(qǐng)求時(shí)，在步驟S11及隨后的步驟中執(zhí)行讀取過程。在讀取過程中，首先在步驟S11檢查是否正在執(zhí)行校準(zhǔn)過程。如果正在執(zhí)行校準(zhǔn)過程，則在步驟S12立即中斷校準(zhǔn)過程。在步驟S13執(zhí)行讀取過程。當(dāng)完成讀取過程時(shí)，在步驟S14判別是否存在讀錯(cuò)誤。如果存在讀誤差，則在步驟S15執(zhí)行再現(xiàn)磁場強(qiáng)度校準(zhǔn)過程。之后，在步驟S16執(zhí)行重試過程。如果不存在讀誤差，則在步驟S17檢查校準(zhǔn)過程是否已被中斷。如果校準(zhǔn)過程已被中斷，則在步驟S18從中斷時(shí)間點(diǎn)重新開始校準(zhǔn)過程。當(dāng)如上所述完成一系列讀取過程之后，在步驟S19檢查介質(zhì)是否已被彈出。如果介質(zhì)未被彈出，則在步驟S20判別是否存在停止裝置指令。之后，處理程序返回步驟S2。裝置等待載入下一介質(zhì)，并重復(fù)類似過程。當(dāng)存在來自上位裝置的寫訪問請(qǐng)求時(shí)，則在步驟S21判別是否存在寫請(qǐng)求。隨后在步驟S22執(zhí)行寫過程。
圖19A和19是圖17A和17B的步驟S5中的校準(zhǔn)必要性判別過程的流程圖。在校準(zhǔn)必要性判別過程中，首先在步驟S1讀取當(dāng)前時(shí)間。在步驟S2計(jì)算從啟動(dòng)光盤驅(qū)動(dòng)器到前一校準(zhǔn)過程之間的時(shí)間。在步驟S3，通過把啟動(dòng)以來的時(shí)間A除以預(yù)定時(shí)間(例如20秒)，把時(shí)間A轉(zhuǎn)換為單位時(shí)間數(shù)目B。在步驟S4，檢查單位時(shí)間數(shù)B是否小于8，即檢查從啟動(dòng)到第一測試寫的時(shí)間是否小于160秒。如果小于160秒，則在步驟S5檢查單位時(shí)間數(shù)B是否小于4，即檢查時(shí)間A是否小于80秒。當(dāng)時(shí)間A位于80秒到160秒之間時(shí)，在步驟S6把單位時(shí)間數(shù)B設(shè)定為3，即時(shí)間A被剪短到30秒。隨后執(zhí)行步驟S7。如果在步驟S5，時(shí)間小于80秒，則處理程序進(jìn)到步驟S7。在步驟S7，計(jì)算保證應(yīng)用前一校準(zhǔn)過程中確定的最佳值(發(fā)光功率和再現(xiàn)磁場強(qiáng)度)的有效時(shí)間C。這種情況下，有效值被設(shè)定為20秒×2B(單位時(shí)間的數(shù)目)。但是，有效時(shí)間的最大值限定為160秒。這樣，只要從啟動(dòng)到第一校準(zhǔn)過程的時(shí)間A小于160秒，保證由校準(zhǔn)過程確定的最佳值的有效時(shí)間C就被設(shè)定為對(duì)應(yīng)于2B的時(shí)間。當(dāng)時(shí)間A超過160秒時(shí)，時(shí)間A被固定為預(yù)定的有效時(shí)間C＝160秒。有效時(shí)間C的計(jì)算應(yīng)根據(jù)直到載入光盤驅(qū)動(dòng)機(jī)中的介質(zhì)的介質(zhì)溫度穩(wěn)定到裝置中的溫度時(shí)所需的時(shí)間而變化。即，在裝入介質(zhì)之后的初始階段，由于介質(zhì)溫度和裝置中的溫度之間存在溫差，這時(shí)不能有效地執(zhí)行基于裝置中的溫度的校準(zhǔn)。于是在啟動(dòng)時(shí)不執(zhí)行校準(zhǔn)過程。約1到2分鐘之后，裝入介質(zhì)的溫度和裝置中的溫度相等。于是，在啟動(dòng)光盤驅(qū)動(dòng)機(jī)之后，當(dāng)上位裝置第一次發(fā)出寫命令時(shí)，同時(shí)執(zhí)行第一校準(zhǔn)過程及定時(shí)。由于存在啟動(dòng)光盤驅(qū)動(dòng)機(jī)后從上位裝置發(fā)出寫命令的各種定時(shí)，因此在圖19A到19B的步驟S1到S7中，得到從啟動(dòng)開始到第一次光發(fā)射調(diào)節(jié)時(shí)的時(shí)間A。根據(jù)時(shí)間A確定在一下時(shí)間及隨后各個(gè)時(shí)間之后判別校準(zhǔn)定時(shí)C的有效時(shí)間C。當(dāng)在步驟S7可計(jì)算有效時(shí)間C時(shí)，在步驟S8，通過把計(jì)算得到的有效值C和先前的測試寫時(shí)間相加得到有效判別時(shí)間D。在步驟S9，檢查當(dāng)前時(shí)間是否已超過有效判別時(shí)間D。如果當(dāng)前時(shí)間超過有效判別時(shí)間D，則在步驟S14打開校準(zhǔn)處理標(biāo)志。處理程序返回圖17A和17B中的步驟S6。在步驟S9，如果當(dāng)前時(shí)間未到達(dá)有效判別時(shí)間D，則在步驟S17關(guān)閉校準(zhǔn)處理標(biāo)志。在步驟S4中，當(dāng)單位時(shí)間數(shù)B等于或大于8，即當(dāng)時(shí)間T等于或大于160秒時(shí)，執(zhí)行步驟S10。檢查當(dāng)前時(shí)間減去先前的校準(zhǔn)處理時(shí)間得到的時(shí)間是否小于1小時(shí)。如果小于1小時(shí)，則在步驟S11讀取當(dāng)前溫度。在步驟S12中，檢查當(dāng)前溫度是否在先前溫度的±3℃范圍內(nèi)。如果當(dāng)前溫度位于先前溫度的±3℃范圍內(nèi)，則在步驟S13關(guān)閉校準(zhǔn)處理標(biāo)志，不執(zhí)行校準(zhǔn)過程。當(dāng)溫度波動(dòng)在先前溫度的±3℃范圍之外，則在步驟S14打開校準(zhǔn)處理標(biāo)志，執(zhí)行校準(zhǔn)過程。在步驟S10，如果當(dāng)前時(shí)間和先前校準(zhǔn)處理時(shí)間之間的差等于或大于1小時(shí)，則在步驟S14強(qiáng)制打開校準(zhǔn)處理標(biāo)志，執(zhí)行校準(zhǔn)過程?？筛鶕?jù)需要恰當(dāng)?shù)卮_定在校準(zhǔn)過程的必要性判別過程中設(shè)置的各個(gè)門限時(shí)間。
圖20是在圖17A和17B的步驟S9和S10中執(zhí)行的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的校準(zhǔn)過程的流程圖。首先在步驟S1中，在預(yù)置區(qū)段號(hào)Z＝0和磁道號(hào)TK＝0之后，在步驟S2把光頭定位于測量磁道。在步驟S3，設(shè)定各個(gè)擦除功率和寫功率，并把預(yù)定的測試模型寫入測量磁道。在步驟S4，把再現(xiàn)磁場強(qiáng)度Hr和再現(xiàn)激光功率Pr設(shè)置為初始值，例如最小值。在步驟S5，再現(xiàn)測試模型，并測量再現(xiàn)信號(hào)。再現(xiàn)信號(hào)的測量是，例如基于如圖9所示的再現(xiàn)RF信號(hào)的峰值檢測的CNR值測量。在步驟S6，檢查信號(hào)電平是否等于或大于預(yù)定的門限值TH。如果等于或大于門限值，則在步驟S7中，根據(jù)，例如圖11所示的計(jì)算方法計(jì)算再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的最佳值Hbest。在步驟S8中，把此時(shí)計(jì)算得到的一組再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率Pr的最佳值Hbest作為最佳值存儲(chǔ)在再現(xiàn)最佳值存儲(chǔ)表88中。在步驟S9中，檢查目標(biāo)區(qū)段是否是最終區(qū)段。如果不是最終區(qū)段，則在步驟S10更新區(qū)段號(hào)Z和磁道號(hào)TK。處理程序返回步驟S2，并執(zhí)行下一區(qū)段的校準(zhǔn)過程。另一方面，在步驟S6中，如果步驟S5中再現(xiàn)信號(hào)的測量結(jié)果的信號(hào)電平小于門限值，則在步驟S11中使再現(xiàn)磁場強(qiáng)度增大預(yù)定值ΔHr。在步驟S12，如果再現(xiàn)磁場強(qiáng)度小于最大磁場強(qiáng)度Hmax，處理程序返回步驟S5。再現(xiàn)測試模型并測量再現(xiàn)信號(hào)。在步驟S12中反復(fù)使再現(xiàn)磁場強(qiáng)度增加ΔHr，直到再現(xiàn)磁場強(qiáng)度等于或大于最大磁場強(qiáng)度Hmax為止。如果即使再現(xiàn)磁場強(qiáng)度增大到最大磁場強(qiáng)度Hmax，再現(xiàn)信號(hào)的測量結(jié)果仍小于門限值，則執(zhí)行步驟S13，使再現(xiàn)激光功率Pr增加預(yù)定值ΔPr。在步驟S14，如果再現(xiàn)激光功率小于最大功率Pmax，則處理程序返回步驟S5。再次把再現(xiàn)磁場強(qiáng)度Hr的初始值設(shè)定為最小值。之后，在步驟S5通過再現(xiàn)測試模型測量再現(xiàn)信號(hào)。反復(fù)進(jìn)行這種增大再現(xiàn)激光功率的同時(shí)，在再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的最小值和最大值之間的范圍內(nèi)逐步增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的過程。在步驟S14，即使再現(xiàn)激光功率Pr等于或大于最大功率，如果再現(xiàn)信號(hào)的測量值仍然小于門限值，則意味著再現(xiàn)是不可能的。于是，在步驟S15，通知諸如介質(zhì)異?；蝾愃频腻e(cuò)誤。結(jié)束處理程序。在步驟S20，類似于步驟S7，通過把預(yù)定值Hc和當(dāng)逐步增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度時(shí)，再現(xiàn)信號(hào)第一次等于或大于門限值時(shí)的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度Hr相加，得到最佳值Hbest。但是如圖10所示，顯然根據(jù)再現(xiàn)信號(hào)的測量特性曲線162的前緣測量點(diǎn)166和后緣測量168的磁場強(qiáng)度Hs和He，可以它們之間的中值的形式得到再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的最佳值Hbest。
圖21表示了圖7的校準(zhǔn)過程的另一個(gè)實(shí)施例。圖中執(zhí)行了圖13中的計(jì)算過程，根據(jù)測試模型的再現(xiàn)信號(hào)測量誤差率，如步驟S5所示，當(dāng)誤差率等于或小于門限值時(shí)，在步驟S6確定再現(xiàn)狀態(tài)，并在步驟S7中，把預(yù)定值Hc和此時(shí)的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度Hr相加得到的值設(shè)定為最佳值Hbest。其它過程和圖20中根據(jù)再現(xiàn)信號(hào)的測量結(jié)果判別再現(xiàn)狀態(tài)中的步驟相同。至于圖21中步驟S7中再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的最佳值Hbest的計(jì)算，顯然也可把如圖13所示的當(dāng)用作為誤差率的位不一致次數(shù)N等于或小于門限值Nth時(shí)的后緣測量點(diǎn)174，及隨后的前緣測量點(diǎn)176的磁場強(qiáng)度Hs和He的中值計(jì)算為再現(xiàn)磁場強(qiáng)度最佳值。
圖22是在交替地逐步增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的同時(shí)，根據(jù)以類似于圖20的方式，從測試模型的再現(xiàn)信號(hào)的測量值中計(jì)算再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值的校準(zhǔn)過程確定最佳值的處理模式2的流程圖。即使在處理模式2的流程圖中，步驟S1到S10基本和圖20中的相應(yīng)步驟相同。但是，在步驟S6，當(dāng)再現(xiàn)信號(hào)的電平小于門限值時(shí)，執(zhí)行步驟S11。在交替地增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率，直到它們?cè)诓襟ES12中均達(dá)到最大值為止的同時(shí)，在步驟S5和S6反復(fù)把再現(xiàn)信號(hào)的檢測電平和門限值進(jìn)行比較。在再現(xiàn)信號(hào)小于如上提及的門限值的情況下交替地增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的同時(shí)，通過重復(fù)再現(xiàn)信號(hào)的測量，可快速地實(shí)現(xiàn)用于最佳值的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的增大，并且和如圖20所示的，在固定再現(xiàn)激光功率Pr的情況下逐步增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度Hr的同時(shí)，判別再現(xiàn)信號(hào)的測量值等于或大于門限值的情況相比，可以在短時(shí)間內(nèi)完成取得最佳值的校準(zhǔn)過程。在圖22中，在步驟S5檢測再現(xiàn)信號(hào)的電平，并在步驟S6判別再現(xiàn)信號(hào)的電平是否等于或大于門限值。但是，對(duì)于測量誤差率，并且誤差率等于或小于門限值的情況，是按照?qǐng)D21中的步驟S5和S6計(jì)算再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的最佳值的，通過用圖22中的步驟S11到S13替換圖21中的步驟S11到S14，本發(fā)明也可類似應(yīng)用于這樣的情況。
按照如上所述的發(fā)明，對(duì)于需要光存儲(chǔ)介質(zhì)的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的再現(xiàn)，是在改變?cè)佻F(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的同時(shí)，執(zhí)行再現(xiàn)過程，得到最佳再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的，該光存儲(chǔ)介質(zhì)具有在板上記錄數(shù)據(jù)的記錄層和在記錄層中再現(xiàn)所記錄的數(shù)據(jù)的再現(xiàn)層。于是，必定能夠防止由于再現(xiàn)磁場強(qiáng)度或再現(xiàn)激光功率太強(qiáng)，掩模部分加寬，從而不能讀出數(shù)據(jù)或記錄數(shù)據(jù)被擦除的情況。另外也可把提供給諸如電磁體或類似物的施加單元的電流，抑制到施加最佳再現(xiàn)磁場強(qiáng)度所必需的最小電流，從而可降低裝置的電能消耗。此外，也必然可防止由于再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率太弱，掩模部分變窄，而導(dǎo)致的由于和鄰近凹坑的串音產(chǎn)生的誤差。
作為一個(gè)例子，已經(jīng)對(duì)于圖1A和1B中的FAD介質(zhì)的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度Hr和再現(xiàn)激光功率Pr實(shí)現(xiàn)了上述實(shí)施例的校準(zhǔn)過程。但是，在圖2A和2B的RAD介質(zhì)中，通過用圖1A和1B中的磁場施加單元44代替預(yù)置磁體，可照原樣應(yīng)用本發(fā)明的優(yōu)化預(yù)置磁場強(qiáng)度Hi和再現(xiàn)激光功率Pr的校準(zhǔn)過程。
被施加磁感應(yīng)超分辨力(MSR)的介質(zhì)是具有記錄層和再現(xiàn)層的介質(zhì)。但是也存在具有適當(dāng)附加層的其它各種介質(zhì)。在任一種這些介質(zhì)中，由于再現(xiàn)時(shí)，必需一個(gè)來自外部的再現(xiàn)磁場，因此可通過本發(fā)明的校準(zhǔn)過程分別優(yōu)化再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率。
在不失去本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)的范圍內(nèi)，本發(fā)明包括許多改型。此外，本發(fā)明不受實(shí)施例中表示的數(shù)值的限制。
權(quán)利要求
1.一種光存儲(chǔ)裝置，它包括具有至少一個(gè)記錄數(shù)據(jù)的記錄層，及一個(gè)在板上再現(xiàn)所述記錄層中記錄的數(shù)據(jù)的再現(xiàn)層的光存儲(chǔ)介質(zhì)；以小于激光束的光束直徑的記錄密度把數(shù)據(jù)記錄在所述光存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄層中的記錄單元；通過把再現(xiàn)所需的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的結(jié)合設(shè)置成最佳值，從而再現(xiàn)以小于所述光束直徑的記錄密度記錄在所述光存儲(chǔ)介質(zhì)記錄層中的數(shù)據(jù)的再現(xiàn)單元；及在改變所述再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和所述再現(xiàn)激光功率的同時(shí)，由所述再現(xiàn)單元執(zhí)行所述光存儲(chǔ)介質(zhì)的再現(xiàn)操作來測量可再現(xiàn)狀態(tài)，從而根據(jù)所述測量確定所述再現(xiàn)單元中使用的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的一組最佳值的校準(zhǔn)處理單元。
2.按照權(quán)利要求1所述的裝置，其中在再現(xiàn)激光功率被設(shè)為預(yù)定的初始值的情況下，所述校準(zhǔn)處理單元通過把預(yù)定的最小再現(xiàn)磁場強(qiáng)度設(shè)為初始值，在增加再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的同時(shí)，測量可再現(xiàn)狀態(tài)，并且當(dāng)?shù)玫娇稍佻F(xiàn)狀態(tài)時(shí)，根據(jù)再現(xiàn)磁場強(qiáng)度確定最佳值。
3.按照權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述校準(zhǔn)處理單元把可再現(xiàn)狀態(tài)下的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度范圍的中值設(shè)為最佳值。
4.按照權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述校準(zhǔn)處理單元把預(yù)定值和首次得到可再現(xiàn)狀態(tài)時(shí)的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度相加得到的值設(shè)為最佳值。
5.按照權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述校準(zhǔn)處理單元把首次得到可再現(xiàn)狀態(tài)時(shí)的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度乘以大于“1”的預(yù)定系數(shù)得到的值設(shè)為最佳值。
6.按照權(quán)利要求2所述的裝置，其中當(dāng)即使增大所述再現(xiàn)磁場強(qiáng)度也不能得到所述可再現(xiàn)狀態(tài)時(shí)，所述校準(zhǔn)處理單元在逐步增大所述再現(xiàn)激光功率的同時(shí)，重復(fù)所述可再現(xiàn)狀態(tài)的測量。
7.按照權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述校準(zhǔn)處理單元把預(yù)定最小再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和最小再現(xiàn)功率設(shè)定為初始值，在交替增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的同時(shí)，測量可再現(xiàn)狀態(tài)，并且當(dāng)?shù)玫娇稍佻F(xiàn)狀態(tài)時(shí)，根據(jù)再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率確定最佳值。
8.按照權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述校準(zhǔn)處理單元把預(yù)定值分別和首次得到可再現(xiàn)狀態(tài)時(shí)的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率相加得到的值，設(shè)定為再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值。
9.按照權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述校準(zhǔn)處理單元把首次得到可再現(xiàn)狀態(tài)時(shí)的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率分別乘以大于“1”的預(yù)定系數(shù)得到的值，設(shè)為再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值。
10.按照權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述校準(zhǔn)處理單元通過以預(yù)定值為基本單位逐步增大所述再現(xiàn)磁場強(qiáng)度來測量可再現(xiàn)狀態(tài)。
11.按照權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述校準(zhǔn)處理單元以至少50奧斯特或更小的分度逐步增大所述再現(xiàn)磁場強(qiáng)度，并測量可再現(xiàn)狀態(tài)。
12.按照權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述校準(zhǔn)處理單元把所述再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的最小值設(shè)定為50～100奧斯特。
13.按照權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述校準(zhǔn)處理單元把所述再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的最大值限定為400～500奧斯特。
14.按照權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述校準(zhǔn)處理單元以至少0.5mW或更小的分度逐步增大所述再現(xiàn)激光功率，并測量可再現(xiàn)狀態(tài)。
15.按照權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述校準(zhǔn)處理單元把所述再現(xiàn)激光功率的最小值設(shè)定為3.0～5.0mW。
16.按照權(quán)利要求12所述的裝置，其中所述校準(zhǔn)處理單元把所述再現(xiàn)激光功率限定在不超過激光二極管的最大發(fā)光功率的范圍中。
17.按照權(quán)利要求1所述的裝置，其中當(dāng)來自所述再現(xiàn)單元再現(xiàn)信號(hào)等于或大于預(yù)定門限值時(shí)，所述校準(zhǔn)處理單元確定可再現(xiàn)狀態(tài)，并確定所述再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和所述再現(xiàn)激光功率的最佳值。
18.按照權(quán)利要求17所述的裝置，其中在由所述再現(xiàn)單元根據(jù)介質(zhì)回光再生的RF信號(hào)的峰值檢測信號(hào)等于或大于預(yù)定門限值的情況下，所述校準(zhǔn)處理單元確定可再現(xiàn)狀態(tài)，并確定所述再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和所述再現(xiàn)激光功率的最佳值。
19.按照權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述校準(zhǔn)處理單元測量來自所述再現(xiàn)單元的再現(xiàn)信號(hào)的誤差率，當(dāng)所述誤差率等于或大于預(yù)定門限值時(shí)，所述校準(zhǔn)處理單元確定可再現(xiàn)狀態(tài)，并確定所述再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和所述再現(xiàn)激光功率的最佳值。
20.按照權(quán)利要求19所述的裝置，其中所述校準(zhǔn)處理單元通過以位為基本單位，在預(yù)先已知的再現(xiàn)位置把所述再現(xiàn)單元的再現(xiàn)數(shù)據(jù)和記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，測量位誤差的數(shù)目作為所述誤差率，并且當(dāng)所述位誤差數(shù)目等于或小于預(yù)定門限值時(shí)，所述校準(zhǔn)處理單元確定可再現(xiàn)狀態(tài)。
21.按照權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述校準(zhǔn)處理單元確定所述光存儲(chǔ)介質(zhì)的每個(gè)預(yù)定區(qū)段的所述再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和所述再現(xiàn)激光功率的最佳值，并在存儲(chǔ)器中保存所述最佳值。
22.按照權(quán)利要求21所述的裝置，其中所述再現(xiàn)單元從所述存儲(chǔ)器讀取對(duì)應(yīng)于所述光存儲(chǔ)介質(zhì)的再現(xiàn)位置的區(qū)段的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值，并利用所述最佳值。
23.按照權(quán)利要求21所述的裝置，其中所述再現(xiàn)單元通過從所述存儲(chǔ)器讀取的區(qū)段的線性近似，獲得對(duì)應(yīng)于所述光存儲(chǔ)介質(zhì)的再現(xiàn)位置的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值，并可利用所述最佳值。
24.按照權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述再現(xiàn)單元根據(jù)再現(xiàn)時(shí)裝置中的溫度，校正由所述校準(zhǔn)處理單元確定的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值，并利用校正后的最佳值。
25.按照權(quán)利要求1所述的裝置，其中當(dāng)再現(xiàn)門信號(hào)為ON時(shí)，所述再現(xiàn)單元只在再現(xiàn)時(shí)期中，在所述光存儲(chǔ)介質(zhì)的扇區(qū)中產(chǎn)生由所述校準(zhǔn)處理單元確定的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的最佳值。
26.按照權(quán)利要求1所述的裝置，其中在與裝置的電源打開相聯(lián)系的初始化診斷過程時(shí)，所述校準(zhǔn)處理單元校準(zhǔn)所述再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和所述再現(xiàn)激光功率。
27.按照權(quán)利要求1所述的裝置，其中當(dāng)把所述光存儲(chǔ)介質(zhì)裝入裝置中時(shí)，所述校準(zhǔn)處理單元校準(zhǔn)所述再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和所述再現(xiàn)激光功率。
28.按照權(quán)利要求1所述的裝置，其中裝置中的溫度被監(jiān)測，當(dāng)所述溫度的變化等于或大于預(yù)定值時(shí)，所述校準(zhǔn)處理單元校準(zhǔn)所述再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和所述再現(xiàn)激光功率。
29.按照權(quán)利要求1所述的裝置，其中在裝置的操作過程中，所述校準(zhǔn)處理單元監(jiān)測自先前校準(zhǔn)過程開始過去的時(shí)間，并且當(dāng)預(yù)定的校準(zhǔn)有效時(shí)間過去時(shí)，校準(zhǔn)所述再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和所述再現(xiàn)激光功率。
30.按照權(quán)利要求1所述的裝置，其中當(dāng)在所述再現(xiàn)單元中產(chǎn)生誤差，并且執(zhí)行重試過程時(shí)，所述校準(zhǔn)處理單元校準(zhǔn)所述再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和所述再現(xiàn)激光功率。
31.按照權(quán)利要求1所述的裝置，其中當(dāng)在工廠中啟動(dòng)裝置時(shí)，所述校準(zhǔn)處理單元校準(zhǔn)所述再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和所述再現(xiàn)激光功率。
32.按照權(quán)利要求1所述的裝置，其中在所述再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和所述再現(xiàn)激光功率的校準(zhǔn)過程中，當(dāng)從上位裝置產(chǎn)生一個(gè)中斷請(qǐng)求時(shí)，所述校準(zhǔn)處理單元暫時(shí)中斷校準(zhǔn)過程，并在完成中斷過程后從中斷位置重新開始校準(zhǔn)過程。
33.一種光存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄和再現(xiàn)方法，它包括利用所述具有至少一個(gè)記錄數(shù)據(jù)的記錄層，及一個(gè)在板上再現(xiàn)所述記錄層中記錄的數(shù)據(jù)的再現(xiàn)層的光存儲(chǔ)介質(zhì)，以小于激光束的光束直徑的記錄密度把數(shù)據(jù)記錄到所述光存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄層中的記錄步驟；通過把再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的組合設(shè)為最佳值，再現(xiàn)以小于所述光束直徑的記錄密度在所述光存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄層中記錄的數(shù)據(jù)的再現(xiàn)步驟；在改變所述再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和所述再現(xiàn)激光功率的同時(shí)，通過執(zhí)行所述光存儲(chǔ)介質(zhì)的再現(xiàn)操作，測量可再現(xiàn)狀態(tài)，從而根據(jù)所述測量的結(jié)果確定所述再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和所述再現(xiàn)激光功率的一組最佳值的校準(zhǔn)步驟。
34.按照權(quán)利要求33所述的方法，其中在所述校準(zhǔn)步驟中，在把再現(xiàn)激光功率設(shè)為預(yù)定初始值的情況下，通過把預(yù)定的最小再現(xiàn)磁場強(qiáng)度設(shè)為初始值，在增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的同時(shí)，測量可再現(xiàn)狀態(tài)，并且當(dāng)?shù)玫剿隹稍佻F(xiàn)狀態(tài)時(shí)，根據(jù)再現(xiàn)磁場強(qiáng)度確定最佳值。
35.按照權(quán)利要求33所述的方法，其中在所述校準(zhǔn)步驟中，把預(yù)定的最小再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和最小再現(xiàn)激光功率設(shè)為初始值，在交替地增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的同時(shí)，測量可再現(xiàn)狀態(tài)，并當(dāng)?shù)玫剿隹稍佻F(xiàn)狀態(tài)時(shí)，根據(jù)再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率確定最佳值。
全文摘要
提供了一個(gè)校準(zhǔn)處理單元,在改變?cè)佻F(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的同時(shí),由再現(xiàn)單元執(zhí)行光存儲(chǔ)介質(zhì)的再現(xiàn)操作,測量可再現(xiàn)狀態(tài),并根據(jù)測量結(jié)果確定再現(xiàn)單元中使用的再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率的一組最佳值。校準(zhǔn)處理單元在固定再現(xiàn)激光功率的情況下,增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度。當(dāng)?shù)貌坏娇稍佻F(xiàn)狀態(tài)時(shí),在逐步增加再現(xiàn)激光功率的同時(shí),重復(fù)歸因于再現(xiàn)磁場強(qiáng)度的增大的可再現(xiàn)狀態(tài)的測量。另外也可當(dāng)交替增大再現(xiàn)磁場強(qiáng)度和再現(xiàn)激光功率時(shí),測量可再現(xiàn)狀態(tài)。
文檔編號(hào)G11B11/105GK1229230SQ9811708
公開日1999年9月22日 申請(qǐng)日期1998年12月11日 優(yōu)先權(quán)日1998年3月16日
發(fā)明者南彰, 難波義幸 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社