專利名稱：具有磁阻元件的單通道磁頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到一種單通道磁頭，它具有一個在磁記錄載體相對于磁頭可做相對運動的第一方向和橫跨第一方向的第二方向上延伸的一個磁頭面，并且具有這樣一種結(jié)構(gòu)層次，從第一方向看，它是一層壓一層的，并且基本上在第二方向和橫跨第一和第二方向的第三方向(Ⅲ)上延伸，上述結(jié)構(gòu)中設(shè)有一個磁阻測量元件，其有效寬度在第二方向上延伸，一個第一磁性元件和一個第二磁性元件，從第一方向上看，上述磁性元件的位置彼此相對，至少是上述元件中的第一磁性元件一直延伸到磁頭面上，并且兩個磁性元件都是導(dǎo)電的，測量元件在電路上被串聯(lián)在兩個磁性元件之間，讓測量電流從第三方向上通過測量元件，每個磁性元件具有一個電連接面。
在US-A-5493467中公開了一種此類的磁頭。公知的磁頭具有一個裝在磁性軛鐵中的自旋閥磁阻傳感器。軛鐵的兩個軛鐵部件在磁頭的磁頭面上通過一個導(dǎo)電的間隙層電連接到一起，在一個軛鐵部件上設(shè)有通過傳感器實現(xiàn)電路和磁路跨接的中斷。每個軛鐵部件被設(shè)在離開磁頭面的區(qū)域內(nèi)，讓導(dǎo)電層橫跨著軛鐵部件排列，這些導(dǎo)電層終止于位于軛鐵部件旁的連接面中。傳感器有一個有效部位，在掃描期間用該部位檢測磁場的變化。盡管用公知的磁頭可以獲得比較窄的讀出通道，但是這種磁頭的穩(wěn)定性不夠好，這是由于采用的軛鐵結(jié)構(gòu)造成的。特別是在軛鐵的寬度較小的情況下，這是因為這種軛鐵部件很可能分裂成磁疇，從而造成不穩(wěn)定，并且產(chǎn)生Barkhausen噪聲。
本發(fā)明的目的是提供一種穩(wěn)定的單通道磁頭，它具有比較窄的精確限定的掃描寬度。
本發(fā)明的單通道磁頭的特征在于一直延伸到磁頭面上的磁性元件在第二方向上的寬度大于第三方向上的寬度，在第二方向上的上述寬度大于測量元件的有效寬度，而有關(guān)磁性元件的相對磁導(dǎo)率在第三方向上大于第二方向。一直延伸到磁頭面上的上述寬大元件可以作為第一磁性元件。由于采用了比較寬大的磁性元件，可以獲得理想的各向異性形狀，從而減少元件分裂成磁疇的風(fēng)險。在磁性元件內(nèi)從第二方向延伸到測量元件外部的閉合的磁疇超過或是基本上超過了測量元件的影響。因此，它們對輸出信號中的噪聲沒有影響或是很少有負面的影響。在橫跨磁頭面的方向上使用一種具有較高磁導(dǎo)率的各向異性材料可以形成精確限定的讀出通道。用這種測量方式可以獲得高度穩(wěn)定的讀出信號，很小的Barkhausen噪聲風(fēng)險，以及精確限定的讀出或是掃描寬度。
按照本發(fā)明的磁頭具有理想的信噪比，這在一定程度上是由于寬大的磁性元件所提供的很大的磁穩(wěn)定性的結(jié)果。在一個具體的實施例中，這種元件在第二方向上的寬度至少比第三方向上的寬度大兩倍。
在本發(fā)明中發(fā)現(xiàn)可以獲得這樣一種具有突出性能的讀出通道，它在第三方向上的相對磁導(dǎo)率比第二方向上的相對磁導(dǎo)率大25倍。
按照本發(fā)明的單通道磁頭優(yōu)選是一種薄膜磁頭，其中采用了設(shè)在基片上的薄膜結(jié)構(gòu)。磁性元件是用NiFe,CoNbZr，或是FeNbSi-N的薄膜構(gòu)成的。另一方案可以用基片形成一個磁性元件。
測量元件可以采用一種各向異性的磁阻(AMR)元件或是一種大磁阻(GMR)元件。AMR元件例如可以用NiFe的合金層構(gòu)成，這種合金具有或是沒有導(dǎo)電條的那種公知的標線結(jié)構(gòu)。AMR元件的理想形式是US-A-4686472(可供本文參考)中所述的那種層疊的磁阻元件。理想的GMR元件例如WO-A96/07926(PHN 14.992；可供本文參考)中所述?？梢杂脙?yōu)選設(shè)置在磁性元件之間的DC電流輸送導(dǎo)體對AMR元件進行偏置。GMR元件，例如自旋閥式的GMR元件所具有的優(yōu)點是并不一定需要偏置。
按照本發(fā)明的單通道磁頭適合掃描具有窄軌跡的磁性介質(zhì)，這種軌跡的間隔不一定是密集的，并且主要用于數(shù)據(jù)流磁帶機，數(shù)字視頻系統(tǒng)，硬盤驅(qū)動器和多媒體系統(tǒng)。
按照本發(fā)明的單通道磁頭的一個實施例的特征在于設(shè)有一個一直延伸到磁頭面上的導(dǎo)電的第三磁性元件，它和沒有一直延伸到磁頭面上的第二磁性元件一起限定了一個非磁性的空隙，磁阻測量元件搭接在空隙上，它除上述空隙外與第二和第三磁性元件形成電接觸，一個用來電連接第一磁性元件和第三磁性元件的導(dǎo)電間隙層延伸到磁頭面附近。在這種軛鐵式的磁頭中，用磁性元件向測量元件提供以及回收磁通。因此，磁性元件在操作期間起到了電流輸送磁通導(dǎo)管的作用。
和第一和/或第二磁性元件在一起或是不在一起的一直延伸到磁頭面上的第三磁性元件的寬度在第二方向上大于第三方向，而第二方向上的上述寬度大于磁阻測量元件的有效寬度。這種方式也可以產(chǎn)生改善穩(wěn)定性和降低Barkhausen噪聲的效果。此外，第三磁性元件在第三方向上的相對磁導(dǎo)率優(yōu)選大于第二方向上的相對磁導(dǎo)率。對于精確限定的讀出寬度來說這是一種理想的情況。由金屬層構(gòu)成的間隙層最好是采用金或是銅。
按照本發(fā)明一個實施例的單通道磁頭的具體特征在于磁阻測量元件和第二磁性元件一直延伸到磁頭面上，并且位于磁頭面附近的所述測量元件的一部分與第一磁性元件或是第二磁性元件形成電接觸，而遠離磁頭面的測量元件部分與另一個上述的磁性元件形成電接觸。在這種屏蔽式的磁頭中，磁性元件被用來傳導(dǎo)測量電流，并且用于測量元件的磁路屏蔽。因此，第一和第二磁性元件在操作期間是電流輸送屏蔽的。
和第一磁性元件一起或是沒有和它一起一直延伸到磁頭面上的第二磁性元件在第二方向上的寬度大于第三方向上的寬度，并且在第二方向上的寬度大于磁阻測量元件的有效寬度。這種方式的優(yōu)點也是可以產(chǎn)生改善穩(wěn)定性和降低Barkhausen噪聲的效果。此外，第二磁性元件在第三方向上的相對磁導(dǎo)率優(yōu)選大于第二方向上的相對磁導(dǎo)率。對于精確限定的讀出寬度來說這是一種理想的情況。測量元件可以直接接觸到磁性元件，或是通過一個例如金屬層的導(dǎo)電的中間層接觸到磁性元件。
在EP-A0457278中公開了一種屏蔽式的磁頭。這種公知的磁頭是一個具有屏蔽的MR元件的薄膜磁頭。磁頭上具有上、下的屏蔽磁性層，MR元件層在屏蔽層之間延伸。與磁頭的磁頭面相鄰的那部分MR元件和遠離磁頭面的那部分上面裝有電極。磁頭面上的電極通過一個導(dǎo)電層電連接到上屏蔽層，通過一條電線將這一屏蔽層接地，而遠離磁頭面的電極通過一條電線電連接到一個放大器單元的輸入端。
按照本發(fā)明的單通道磁頭的一個實施例的特征在于第一和第二磁性元件的連接面位于一個區(qū)域之內(nèi)，該區(qū)域在第二方向上的寬度是由一直延伸到磁頭面上的磁性元件在第二方向上的寬度來確定的。在本實施例中，晶片的表面面積足以滿足制造的要求。
按照本發(fā)明的單通道磁頭的一個實施例的特征在于第一和第二磁性元件的連接面處在相關(guān)的元件上。在本實施例中，僅僅需要少量的工藝步驟就能獲得在第三方向上彼此偏離的連接面。
本發(fā)明還涉及到用于比如磁帶或是磁盤一類的記錄載體的一種掃描裝置，該裝置中具有本發(fā)明的磁頭。
根據(jù)以下參照具體實施例的說明可以有助于理解本發(fā)明的上述和其他各個方面。
在附圖中

圖1是按照本發(fā)明第一實施例的磁頭的一個示意性截面圖；圖2是第一實施例的示意性平面圖；圖3是第二實施例的示意性截面圖；圖4是第二實施例的示意性平面圖；圖5是第三實施例的示意性截面圖；圖6是第三實施例的示意性平面圖；圖7是第四實施例的示意性截面圖；圖8是第五實施例的示意性截面圖；圖9是第六實施例的示意性截面圖；圖10是第七實施例的示意性截面圖；圖11示意性地表示了按照本發(fā)明的裝置的一個實施例；以及圖12示意性地表示了適用于圖中所示裝置的一種磁帶盒的實施例。
在圖1和2中所示的本發(fā)明的單通道磁頭是屏蔽式的。圖1中所示的截面是從圖2中的線Ⅰ-Ⅰ方向上提取的。磁頭上具有與磁記錄載體3配合的一個磁頭面1，本實施例中的載體是磁帶。磁頭面1在記錄載體3移動的第一方向Ⅰ和與第一方向垂直的第二方向Ⅱ上延伸。磁頭包括一種薄膜結(jié)構(gòu)，從第一方向Ⅰ上看是一層壓一層的。這些層基本上在第二方向Ⅱ和一個與第一及第二方向垂直的第三方向Ⅲ上延伸。這種薄膜結(jié)構(gòu)中具有一個磁阻測量元件5，它的有效寬度w在第二方向上延伸。測量元件5可以是GMR元件或AMR元件。該結(jié)構(gòu)中還具有兩個導(dǎo)電并且導(dǎo)磁的層，例如NiFe，在此稱為第一磁性元件7和第二磁性元件9。磁性元件7和9以及位于這些元件之間的測量元件5一直延伸到磁頭面1。在本實施例中同時起到磁屏蔽作用的磁性元件7和9各自具有一個電連接面7a,9a，分別用于電連接到一個電流源。連接面7a和9a分別被設(shè)在一個導(dǎo)電層11,13上，例如是一個金層。這些層11和13是利用公知的淀積和平面化方法形成的，并且用電連接的方式分別連接到第一磁性元件7和第二磁性元件9?？梢圆捎霉募夹g(shù)獲得這種薄膜結(jié)構(gòu)，例如，從Al2O3/TiC的非磁性基片19開始。比如是SiO2或是Al2O3的隔離層被設(shè)在各個磁性和/或?qū)щ妼又g。在圖1中統(tǒng)一用標號23表示這些層。
例如，在EP-AO617409和EP-A0617410(分別是PHN14.428和14.429，二者均可供本文參考)提出了公知的淀積，構(gòu)形，和平面方法。利用兩個比如是金或是銅的金屬層構(gòu)成的導(dǎo)電的中間層15和17將測量元件5在電路中串聯(lián)在兩個磁性元件7和9之間，導(dǎo)電層15位于磁頭面1上，并且將測量元件5電連接到第一磁性元件7，而導(dǎo)電層17遠離磁頭面1，并且將測量元件5電連接到第二磁性元件9。利用這種結(jié)構(gòu)，測量電流i可以在操作期間從第三方向Ⅲ上通過測量元件5。當(dāng)然，圖2中所示的電流方向也可以反轉(zhuǎn)180°。
為了偏置磁阻測量元件5，遠離磁頭面1的導(dǎo)電中間層17可以用導(dǎo)電的反鐵磁性材料的導(dǎo)電層構(gòu)成，例如FeMn合金，或是采用導(dǎo)電的硬磁性材料，例如CoPt合金。
在圖示的實施例中，磁性元件7和9在第二方向上的尺寸都比第三方向上的尺寸大，第二磁性元件9的兩個尺寸之比大于一個系數(shù)2。在第二方向上的上述尺寸同樣大于測量元件5的有效寬度w，從而讓元件7和9在測量元件5的兩側(cè)延伸。在本實施例中，磁性元件7和9在第三方向上的相對磁導(dǎo)率都比第二方向上要大。第三方向上的相對磁導(dǎo)率μrⅢ是第二方向上相對磁導(dǎo)率μrⅡ的25倍以上。
如圖2所示，連接面7a和9a位于一個區(qū)域之內(nèi)，該區(qū)域在第二方向上的寬度是由磁性元件7和9各自在第二方向上的寬度來確定的。
為了避免不必要的重復(fù)，在以下的其他實施例中主要限于說明那些與上述的實施例不同的特征。在說明中采用的方向Ⅰ,Ⅱ,和Ⅲ適用于所有的實施例。
在圖3和4中所示的本發(fā)明的單通道磁頭具有一個非磁性的基片119，它是一種薄膜的結(jié)構(gòu)。圖3中所示的截面是從圖4的Ⅲ-Ⅲ線方向上提取的。這種薄膜結(jié)構(gòu)具有兩個導(dǎo)電和導(dǎo)磁的層，例如CoNbZr，其中的一層構(gòu)成了第一磁性元件107，另一層分別構(gòu)成了第二和第三磁性元件109和110。在第二和第三磁性元件之間有一個不導(dǎo)磁的間隙112。該結(jié)構(gòu)中還具有搭接在間隙112上的一個例如GMR型的磁阻測量元件105。圖示的磁頭具有一個與磁性元件107和110毗鄰的磁頭面101。一個例如金或是銅的導(dǎo)電材料的間隙層116位于磁頭面101的附近，并且構(gòu)成了薄膜結(jié)構(gòu)的一部分，將第一磁極元件107電連接到測量元件105，由測量元件105本身構(gòu)成與第二磁極元件109的共同電接觸，將測量元件105在電路中串聯(lián)在磁性元件107和109之間。用于連接測量源的電連接面107a,109a分別位于上述的兩個元件107和109上。在操作期間，第一磁性元件107和第三磁性元件109就可以輸送電流，通過測量元件105的電流的方向i與磁頭面101垂直。在本實施例中，第三磁性元件110在第二方向上的寬度大于測量元件105的有效寬度w，并且至少比第三磁性元件110在第三方向上的寬度大兩倍。第一磁性元件107在第二方向Ⅱ上的寬度應(yīng)該足夠大，讓元件107中可能出現(xiàn)的磁疇壁距離測量元件105比較遠，從而讓可能的磁疇壁位移不會影響或是僅僅輕微影響到輸出信號。
圖5和6所示的按照本發(fā)明的單通道磁頭包括一種裝在非磁性基片209上的薄膜結(jié)構(gòu)，在基片上裝有磁阻測量元件205，第一磁性元件207，第二磁性元件209，以及第三磁性元件210。圖5所示的截面是從圖6的Ⅴ-Ⅴ線方向上提取的。軛鐵型的磁頭具有一個磁頭面201，磁性元件207和210中止于該磁頭面上。測量元件205在第二磁性元件209和第三磁性元件210之間搭接一個非磁性的間隙212。所有三個上述磁性元件207,209和210都是用導(dǎo)電導(dǎo)磁的材料例如FeNbSi-N構(gòu)成的，并且在第三方向上具有最大的磁導(dǎo)率。位于磁頭面201附近的一個導(dǎo)電的非磁性間隙層216在第一磁性元件207和第三磁性元件210之間起到一個電接觸層的作用。由于測量元件205同時與第二磁性元件209和第三磁性元件210形成電接觸，測量元件205在電路中處在第一磁性元件207和第二磁性元件209之間。上述的元件207和209分別具有電連接面207a和209a。從第三方向Ⅲ上看，連接面207a和209a被設(shè)在薄膜結(jié)構(gòu)中和元件207和209對準延伸的導(dǎo)電層211和213上。在第二方向Ⅱ上，第一磁性元件207的尺寸至少比第三方向Ⅲ上大兩倍，該尺寸同樣大于測量元件205在第二方向上的尺寸。
圖7到10表示上述實施例的各種變形，其中所示的各種磁性元件的特性和尺寸都相當(dāng)于上述的那些磁性元件。由于和上述實施例具有緊密的關(guān)系，沒有表示出這些變形的平面圖。
圖7所示的按照本發(fā)明的單通道磁頭具有一個磁頭面301和一個非磁性基片319，基片上帶有磁性軛鐵的層次結(jié)構(gòu)中包括第一磁性元件307，第二磁性元件309，第三磁性元件310和一個磁阻測量元件305。磁性元件307,309和310是用一種導(dǎo)電材料的軟磁性層構(gòu)成的.測量元件305是一個AMR元件。測量元件305與磁性元件309和310嚙合，從而形成一種電接觸，并且在元件309和310之間搭接成一個非磁性的不導(dǎo)電的空隙或是間隙312。在電路中連接磁性元件307和310的一個非磁性的導(dǎo)電間隙層316位于磁頭面301上。磁性元件307和309分別具有一個連接面307a,309a，它們處在電連接到磁性元件307和309的導(dǎo)電的非磁性層311和313上，從而在連接面307a和309a之間形成由測量元件305和磁性元件307，309以及310構(gòu)成的電路。為了使測量元件305偏置，在測量元件305上面有一個例如NiOx等反鐵磁材料的層312。
圖8所示的按照本發(fā)明的單通道磁頭是軛鐵型的，并且包括一個類似于圖7中所示的磁阻測量元件405，它和第一磁性元件407，第二磁性元件409和第三磁性元件410接在一個電路中。導(dǎo)電的間隙層416處在磁頭面401上。磁性元件407和409各自具有連接面407a,409a。用一個導(dǎo)電的偏置線圈414來偏置測量元件405。
圖9所示的按照本發(fā)明的單通道磁頭具有一個磁頭面501和一個非磁性基片519，設(shè)在基片上的薄膜結(jié)構(gòu)包括用NiFe,CoNBZr或是FeTa-N構(gòu)成的一個導(dǎo)磁層514，一個磁阻測量元件505，兩個隔開的導(dǎo)磁層，這是本文中采用的稱呼，第二磁性元件509和第三磁性元件510，并且包括另一個被稱為第一磁性元件507的導(dǎo)磁層。磁性元件507和509各自具有一個連接面507a,509a，它們分別處在導(dǎo)電層511和513上。一個導(dǎo)電的非磁性間隙層516用來電連接磁性元件507和510，并且用測量元件505連接磁性元件510和磁性元件509，從而在操作期間有一個電流在與磁頭面501垂直的方向i上流經(jīng)測量元件505。在本實施例中，所有磁性元件507,509和510在操作期間都是輸送電流的磁通導(dǎo)管，而導(dǎo)磁層514構(gòu)成了防止長磁性波的屏蔽。
圖10所示的變形具有一個磁頭面601和一個多層結(jié)構(gòu)的非磁性基片619，一個磁阻測量元件605，由兩個導(dǎo)電的導(dǎo)磁層607A和607B構(gòu)成的一個第一磁性元件，由導(dǎo)電的導(dǎo)磁層609構(gòu)成的一個第二磁性元件，以及由導(dǎo)電的導(dǎo)磁層610構(gòu)成的一個第三磁性元件。測量元件605在第二磁性元件609和第三磁性元件610之間用電路和機械方式搭接成一個不導(dǎo)電，不導(dǎo)磁的間隙612。利用兩個導(dǎo)電層616a和616b分別將第三磁性元件610在靠近磁頭面601處電連接到層607A和607B上。第二磁性元件609以及層607A和607B各自具有電連接面609a,607Aa和607Bb。
等于流經(jīng)第一磁性元件的各層607A和607B的電流總和的一個電流流過圖10所示的磁頭中使用的電路中的測量元件605，測量元件605中的電流方向與磁頭面601是交叉的。各層607A和607B具有防止長磁性波的屏蔽效果；因此，與圖3,5,7和8所示的實施例相比，這種磁頭象圖1和9中的磁頭一樣具有明顯的空間微分(spatiallydifferentiating)效果。
在本發(fā)明的范圍內(nèi)還可以實現(xiàn)不同于上述各實施例的其他實施例。例如，按照本發(fā)明的磁頭可以是一種組合的讀/寫磁頭裝置中的一部分。另外，在上述的實施例中，測量元件的有效寬度，也就是測量元件在第二方向上實際起到傳感器作用的寬度等于測量元件的幾何寬度，與此相反，測量元件的實際寬度也可以大于其有效寬度。例如是在這樣的情況下，從第二方向上看，在測量元件的端部有一種硬磁性或是反鐵磁性材料的偏置層。此外，在具體實施例中的磁頭通常都具有一個用來保護多層結(jié)構(gòu)的對立塊。
圖11所示的本發(fā)明的裝置適用于寫入和/或讀出一種磁帶803，在本實施例中，磁帶被裝在圖12所示的磁帶盒801里。該裝置具有一個帶有框架703的外殼701。外殼701的內(nèi)部可以容納用來驅(qū)動一個驅(qū)動輪707的驅(qū)動電機705和按照本發(fā)明的一個單通道磁頭711，在本實施例中，磁頭被固定在一個副框架709上，通過一個驅(qū)動電機713可以使副框架沿著一個導(dǎo)向軸715移動。該裝置還有一個豎直的導(dǎo)向件717，用于使磁帶盒801滑入或是滑出外殼701。磁帶盒801可以用來存儲數(shù)字形式的信息。磁帶盒具有兩個卷軸805和807，有一部分磁帶803繞在卷軸上。出現(xiàn)在兩個卷軸之間的那部分磁帶803被沿著兩個靜止的磁帶導(dǎo)向件809和811引導(dǎo)，并且沿著一個主導(dǎo)輪813移動。磁帶盒801包括一個沿著主導(dǎo)輪813轉(zhuǎn)動的循環(huán)驅(qū)動皮帶815，卷軸805和807，以及兩個皮帶導(dǎo)向件817和819。在操作狀態(tài)下，磁帶盒801與本發(fā)明的裝置701相互配合，磁頭711伸入磁帶盒中的一個槽821，從中接觸到磁帶803。同時，驅(qū)動輪707接觸到主導(dǎo)輪813，使磁帶803在長度方向上從一個卷軸移動到另一個卷軸。
圖示的裝置是一種數(shù)據(jù)存儲裝置，例如可以是一個音頻和/或視頻設(shè)備。該裝置還適用于用磁盤或者磁卡代替磁帶的記錄載體。
權(quán)利要求
1．一種單通道磁頭，它具有在磁記錄載體可相對于磁頭做相對運動的第一方向和橫截第一方向的第二方向上延伸的一個磁頭面，并且具有這樣的結(jié)構(gòu)層次，從第一方向看，它是一層壓一層的，并且基本上在第二方向和橫截第一和第二方向的第三方向上延伸，上述結(jié)構(gòu)中設(shè)有一個磁阻測量元件，其有效寬度在第二方向上延伸，一個第一磁性元件和一個第二磁性元件，同樣，從第一方向上看，上述磁性元件的位置彼此相對，至少是上述元件中的第一磁性元件一直延伸到磁頭面上，并且兩個磁性元件都是導(dǎo)電的，測量元件在電路上被串聯(lián)在兩個磁性元件之間，讓測量電流基本上沿第三方向通過測量元件，每個磁性元件具有一個電連接面，其特征在于一直延伸到磁頭面上的磁性元件在第二方向上的寬度大于第三方向上的寬度，在第二方向上的上述寬度大于測量元件的有效寬度，而有關(guān)磁性元件的相對磁導(dǎo)率在第三方向上大于第二方向。
2．按照權(quán)利要求1的磁頭，其特征是一直延伸到磁頭面上的磁性元件在第二方向上的寬度至少比第三方向上的寬度大兩倍。
3．按照權(quán)利要求1或2的磁頭，其特征是在第三方向上的相對磁導(dǎo)率至少比第二方向上的相對磁導(dǎo)率大25倍。
4．按照權(quán)利要求1或2或3的磁頭，其特征在于一直延伸到磁頭面上的導(dǎo)電的第三磁性元件和沒有一直延伸到磁頭面上的第二磁性元件一起限定了一個非磁性的空隙，磁阻測量元件搭接在空隙上，除上述空隙外與第二和第三磁性元件形成電接觸，一個用來電連接第一磁性元件和第三磁性元件的導(dǎo)電間隙層延伸到磁頭面附近。
5．按照權(quán)利要求1或2或3的磁頭，其特征在于磁阻測量元件和第二磁性元件一直延伸到磁頭面上，并且位于磁頭面附近的一部分測量元件與第一磁性元件或是第二磁性元件形成電接觸，而遠離磁頭面的一部分測量元件與另一個上述的磁性元件形成電接觸。
6．按照權(quán)利要求1,2,3,4或5的磁頭，其特征在于第一和第二磁性元件的連接面位于一個區(qū)域之內(nèi)，該區(qū)域在第二方向上的寬度是由一直延伸到磁頭面上的磁性元件在第二方向上的寬度來確定的。
7．按照前述任何一項權(quán)利要求的磁頭，其特征在于第一和第二磁性元件的連接面處在相關(guān)的元件上。
8．用于掃描磁性記錄載體的一種裝置，其特征是包括前述任何一項權(quán)利要求的單通道磁頭。
全文摘要
單通道磁頭具有一個在磁記錄載體(3)相對于磁頭做相對運動的第一方向(Ⅰ)和橫截第一方向的第二方向(Ⅱ)上延伸的一個磁頭面(1)。該磁頭具有這樣一種結(jié)構(gòu)層次,從第一方向看,它是一層壓一層的,并且基本上在第二方向和橫截第一和第二方向的第三方向(Ⅲ)上延伸。上述結(jié)構(gòu)中具有一個磁阻測量元件(5),一個第一磁性元件(7)和一個第二磁性元件(9)。兩個磁性元件都是導(dǎo)電的,而測量元件在電路上被串聯(lián)在兩個磁性元件之間,讓測量電流(i)從第三方向上通過測量元件。每個磁性元件具有一個電接觸面(7a,9a)。為了獲得一個具有狹窄的精密限定的掃描寬度的穩(wěn)定的單通道磁頭,一直延伸到磁頭面上的至少一個磁性元件在第二方向上的寬度大于第三方向上的寬度。第二方向上的這種寬度同樣大于測量元件的有效寬度(w)。有關(guān)的磁性元件在第三方向上的相對磁導(dǎo)率(μrⅢ)比第二方向上要大。
文檔編號G11B5/008GK1222998SQ98800474
公開日1999年7月14日 申請日期1998年1月22日 優(yōu)先權(quán)日1997年2月20日
發(fā)明者J·J·M·瑞格羅克 申請人:皇家菲利浦電子有限公司