專利名稱：具有磁阻元件的多通道磁頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到一種多通道磁頭，它具有一個在磁記錄載體可相對于磁頭做相對運(yùn)動的第一方向和橫截第一方向的第二方向上延伸的一個磁頭面，上述磁頭具有這樣的結(jié)構(gòu)層次，從第一方向看，它是一層壓一層的，并且基本上在第二方向和橫截第一和第二方向的第三方向上延伸，從第二方向上看，可以辨認(rèn)出該結(jié)構(gòu)中相鄰的磁阻傳感器各自包括一個磁阻測量元件，一個第一磁性元件和一個第二磁性元件，并且從第一方向上看，磁性元件的位置是彼此相對的，上述元件中至少是第一磁性元件一直延伸到磁頭面上。
在EP-A0422916中公開了一種此類的多通道磁頭。這種公知的磁頭包括若干個磁阻元件，，它們各自構(gòu)成了一個磁性軛鐵的一部分，磁性軛鐵還包括一個共用的磁通導(dǎo)管和一個磁性基片。在使用期間，用來測量磁阻變化的測量電流要通過磁阻元件。因此為每個磁阻元件提供了一個電流源和沿著磁性軛鐵延伸的電流回路導(dǎo)體。由于這些導(dǎo)體的存在，這種公知的多通道磁頭中的磁阻元件相互之間所處的距離比較大，因此只能獲得比較小的通道密度。
本發(fā)明的目的是提供一種多通道磁頭，其中的通道密度與現(xiàn)有的磁阻測量元件的電流源和電流回路導(dǎo)體無關(guān)。
本發(fā)明的多通道磁頭的特征在于每至少兩個相鄰的磁阻傳感器中的兩個磁性元件是導(dǎo)電的，測量元件在電路中被串聯(lián)在兩個磁性元件之間，用來通過測量元件大體上在第三方向上提供測量電流，兩個磁性元件都具有一個電連接面。如果用同一種元件執(zhí)行磁和電的功能，分開的傳感器就能具有緊湊的形狀。特別是從第二方向上看，傳感器的寬度完全可以由理想的通道寬度限定。因此，磁阻測量元件可以彼此間靠得非常緊，從而獲得較大的通道密度。另外的一個重要優(yōu)點(diǎn)是可以防止靜電放電問題，因為在測量元件和磁性元件之間以及磁性元件本身之間不需要絕緣的氧化層，在這種層間會累積電荷并且放電。在測量元件和磁性元件之間沒有絕緣氧化層還可以保證理想的效率。進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)在于測量元件被電連接到磁性元件，從而能夠防止從測量元件到磁性元件的可能的擊穿。
測量元件可以采用一種各向異性的磁阻(AMR)元件或是一種大磁阻(GMR)元件。AMR元件例如可以用NiFe的合金層構(gòu)成，這種合金具有或是沒有通常被稱為標(biāo)線(barberpole)條的那種等電位條。AMR元件的理想形式是US-A-4686472(可供本文參考)中所述的那種層疊的磁阻元件。理想的GMR元件例如WO-A96/07926(PHN 14.992；可供本文參考)中所述。
可以用優(yōu)選設(shè)置在磁性元件之間的DC電流輸送導(dǎo)體對AMR元件進(jìn)行偏置。自旋閥式的GMR元件所具有的優(yōu)點(diǎn)是并不一定需要偏置。
按照本發(fā)明的多通道磁頭可以采用公知的薄膜技術(shù)制成，其中的磁性元件是用NiFe,CoNbZr，或是FeNbSi-N的薄膜構(gòu)成的。也可以用一種導(dǎo)電，導(dǎo)磁的基片構(gòu)成一個磁性元件。
從理論上來說，按照本發(fā)明的多通道磁頭適合必須掃描任何具有狹窄密集軌跡的設(shè)備，例如可以用于數(shù)據(jù)流磁帶機(jī)，數(shù)字電視錄象機(jī)，硬盤驅(qū)動器和用于視頻/數(shù)據(jù)存儲的多媒體記錄儀。特別是用于需要大量軌跡的線性記錄儀，由于信息媒體相對于磁頭的相對速度比較低，可以獲得較高的數(shù)據(jù)速率。這種速度明顯地高于螺旋掃描記錄儀。
按照本發(fā)明的多通道磁頭的一個實施例的特征在于至少有兩個相鄰的傳感器上各自設(shè)有一個一直延伸到磁頭面上的導(dǎo)電的第三磁性元件，它和沒有一直延伸到磁頭面上的第二磁性元件一起限定了一個不導(dǎo)電的空隙，磁阻測量元件搭接在空隙上，除上述空隙外與第二和第三磁性元件形成電接觸，一個用來電連接第一磁性元件和第三磁性元件的導(dǎo)電間隙層延伸到磁頭面附近。在這種軛鐵式的實施例中，用磁性元件來導(dǎo)通測量電流，并且向被掃描的媒體提供以及回收磁通。因此，磁性元件在操作期間起到了電流輸送磁通導(dǎo)管的作用。間隙層最好是一種Ag或是Cu的金屬層。
值得注意的是，在US-A-5493467中公開了軛鐵式的單通道磁頭，在其中采用了導(dǎo)電的軛鐵部件。公知的磁頭具有一個裝在磁性軛鐵中的自旋閥磁阻元件。軛鐵的兩個軛鐵部件在磁頭的磁頭面上通過一個導(dǎo)電的間隙層電連接到一起。在一個軛鐵部件上設(shè)有通過磁阻元件實現(xiàn)電路和磁路跨接的中斷。在遠(yuǎn)離磁頭面的一個區(qū)域內(nèi)，軛鐵部件上設(shè)有導(dǎo)電層，這些導(dǎo)電層與軛鐵部件交叉排列，并且終止于軛鐵部件后面的連接面中。
本發(fā)明一個實施例的多通道磁頭的特征在于至少兩個相鄰傳感器上各自的磁阻測量元件毗鄰著磁頭面，測量元件上位于磁頭面附近的一部分被電連接到兩個磁性元件，即第一或是第二磁性元件之一，而遠(yuǎn)離磁頭面的一部分測量元件被電連接到兩個元件中的另一個磁性元件。在屏蔽式的本實施例中，磁性元件被用來電傳導(dǎo)測量電流，并且用于測量元件的磁屏蔽。因此，磁性元件在操作期間是電流輸送屏蔽的。測量元件和磁性元件之間的電連接是由相互的接觸面構(gòu)成的，或是可以提供一種導(dǎo)電的中間層，例如金或是銅的金屬層。如果能采用比較理想的AMR元件，就能在具有偏置的連接中采用導(dǎo)電的反鐵磁材料例如FeMn構(gòu)成遠(yuǎn)離磁頭面的導(dǎo)電中間層。
值得注意的是，在EP-A0457278中公開了一種具有屏蔽式磁阻元件的單通道磁頭。該磁頭具有上、下的屏蔽磁性層，磁阻元件層在層間延伸。磁阻元件在磁頭的磁頭面上和遠(yuǎn)離磁頭面的邊沿上裝有電極，磁頭面上的電極通過一個導(dǎo)電層電連接到上屏蔽層，通過一條電線將這一屏蔽層接地，而遠(yuǎn)離磁頭面的電極通過一條電線電連接到一個放大器單元的輸入。
按照本發(fā)明的磁頭的一個實施例的特征在于至少兩個相鄰傳感器中各自的第一磁性元件的連接面和第二磁性元件的連接面位于一個區(qū)域之內(nèi)，該區(qū)域在第二方向上的寬度是由有關(guān)的磁性元件在第二方向上的寬度來確定的。從技術(shù)上可以按照這種實用的措施用簡單的方式獲得具有高通道密度的多通道磁頭。進(jìn)一步的措施是讓至少兩個相鄰傳感器中各自的第一磁性元件的連接面和第二磁性元件的連接面處在有關(guān)的磁性元件上，這樣也能減少加工的步驟。為了將這種多通道磁頭連接到掃描裝置中，從第三方向上看，至少兩個相鄰傳感器上各自的第一磁性元件的連接面相對于第二磁性元件的連接面最好是偏移的。
按照本發(fā)明一個實施例的磁頭的特征在于至少兩個相鄰的傳感器具有一個公共的導(dǎo)電磁性元件，它構(gòu)成了每個傳感器中的第一磁性元件。這種公共的磁性元件具有理想的各向異性形狀，防止在第一磁性元件中可能的磁疇壁產(chǎn)生和位移，這樣做對信噪比有利。如果具有第三磁性元件，它們也可以構(gòu)成公共元件，可以有也可以沒有上述的公共磁性元件。
按照本發(fā)明一個實施例的磁頭的特征在于至少兩個相鄰傳感器中至少是各自的第一磁性元件在第三方向上的相對磁導(dǎo)率比第二方向上大。各向異性的磁性可以保證精確限定的掃描寬度。這里采取的措施對采用相隔一定距離的獨(dú)立磁性元件構(gòu)成傳感器的磁頭具有理想的效果，并且對采用公共磁性元件的磁頭也是有效的。在后一種情況下，各向異性可以保證理想的通道分離。這種磁頭的制造工藝具有技術(shù)上的優(yōu)點(diǎn)，特別是僅僅需要很少或是比較簡單的制造步驟，從理論上來說，不需要對公共磁性元件進(jìn)行構(gòu)形。
在實踐中發(fā)現(xiàn)，讓第三方向上的磁導(dǎo)率大于第二方向上的磁導(dǎo)率是可能的，這樣就能提高通道分離的清晰度，從而獲得較大的通道密度。如果第三方向上的相對磁導(dǎo)率至少能比第二方向上的相對磁導(dǎo)率大25倍，就可以獲得滿意的值。
本發(fā)明還涉及到用于磁帶或是磁盤一類記錄載體的一種掃描裝置，該裝置中包括本發(fā)明的多通道磁頭。
根據(jù)以下參照具體實施例的說明可以有助于理解本發(fā)明的上述和其他各個方面。
在附圖中

圖1是按照本發(fā)明第一實施例的磁頭的一個示意性截面圖；圖2是第二實施例的示意性平面圖；圖3是第二實施例的示意性截面圖；圖4是第二實施例的示意性平面圖；圖5是第三實施例的示意性截面圖；圖6是第四實施例的示意性截面圖；圖7是第五實施例的示意性截面圖；圖8是第六實施例的示意性截面圖；圖9示意性地表示了按照本發(fā)明的裝置的一個實施例；以及圖10示意性地表示了適用于圖中所示裝置的一種磁帶盒的實施例。
在圖1和2中所示的本發(fā)明的多通道磁頭是屏蔽式的。圖1中所示的截面是從圖2中的線Ⅰ-Ⅰ方向上提取的。磁頭上具有與磁記錄載體3配合的一個磁頭面1，本實施例中的載體是磁帶。記錄載體3可在第一方向Ⅰ上相對于磁頭做相對運(yùn)動。記錄載體3上具有至少基本上平行于第一方向Ⅰ延伸的信息軌跡。磁頭面1在第一方向Ⅰ和與第一方向橫交的第二方向Ⅱ上延伸。磁頭包括一種薄膜結(jié)構(gòu)，在本實施例中它實現(xiàn)于一種非磁性的基片19上，例如是采用公知的淀積，構(gòu)形，和平面方法制成于一種Al2O3/TiC基片上。例如，在EP-A0617409和EP-A0617410(分別是PHN14.428和14.429，二者均可供本文參考)中就說明了這種技術(shù)。
薄膜結(jié)構(gòu)具有這樣的層次，從第一方向Ⅰ上看，它是一層壓一層的，并且基本上在第二方向Ⅱ和一個與第一及第二方向橫交的第三方向Ⅲ上延伸。從第二方向上看，至少可以辨認(rèn)出來在薄膜結(jié)構(gòu)中形成了多個鄰接或是相鄰的磁阻傳感器。出現(xiàn)的磁阻傳感器數(shù)量是由磁頭的用途來決定的，從理論上來說是無限的。在實際的應(yīng)用中，磁阻傳感器的數(shù)量例如是16個。圖2表示的磁頭中有三個磁阻傳感器，分別用S1,S2和S3表示。每個磁阻傳感器包括一個磁阻測量元件5，一個第一磁性元件7，和一個第二磁性元件9。磁阻測量元件5可以采用GMR或是AMR型。磁性元件7和9是用一種導(dǎo)電導(dǎo)磁的材料構(gòu)成的層，在本實施例中是NiFe。每個傳感器的磁性元件7和9和位于二者之間的測量元件5一直延伸到磁頭面1。為了獲得理想的各向異性形狀，以便阻止磁疇的產(chǎn)生，在本實施例中使用了一種公共的第一磁性元件70，上述第一磁性元件7是它的一部分。在每個傳感器S1,S2和S3中，測量元件5在電路中被串聯(lián)在磁性元件7和9之間。為此在薄膜結(jié)構(gòu)中設(shè)置有例如金或是銅制成的金屬導(dǎo)電中間層15和17，在每個傳感器中，毗鄰磁頭面1的中間層15把測量元件電連接到第一磁性元件7，遠(yuǎn)離磁頭面1的中間層17把測量元件5電連接到第二磁性元件9。由于磁性元件7和9不僅具有磁的功能還具有導(dǎo)電功能，也就是輸送電流的功能，磁性元件7和9具有電連接面。在本實施例中，第一磁性元件7具有一個公共連接面70a，而第二磁性元件9具有各自的獨(dú)立連接面9a。在對記錄載體3進(jìn)行掃描時，磁性元件7和9輸送一個電流，而測量電流i在一個與磁頭面1橫交，即平行于方向Ⅲ的方向上通過測量元件5。電連接面70a和9a是用公知的淀積和平面技術(shù)形成的，并且分別構(gòu)成了一個導(dǎo)電層11和一個導(dǎo)電層13的一部分，每個傳感器中的層11與磁性元件7形成電接觸，而導(dǎo)電層13與磁性元件9形成電接觸。層11和13例如可以是金或是銅制的層。
如果有必要，可以用一種導(dǎo)磁，導(dǎo)電的材料形成層11和13，用來分別構(gòu)成磁性元件7和11的一部分。在這種情況下，連接面直接設(shè)置在磁性元件上。為了對磁阻測量元件5進(jìn)行偏置，遠(yuǎn)離磁頭面1的中間層17可以是用導(dǎo)電的反鐵磁材料例如FeMn合金構(gòu)成的導(dǎo)電層，或是采用導(dǎo)電的硬磁性材料例如CoPt合金。
在本實施例中，磁性元件7和9在第三方向Ⅲ上的相對磁導(dǎo)率μrⅢ都比第二方向上的相對磁導(dǎo)率μrⅡ要大。其比例系數(shù)至少應(yīng)該達(dá)到25。
如圖2所示，連接面70a位于一個區(qū)域之內(nèi)，該區(qū)域在第二方向Ⅱ上的寬度是由公共磁性元件70在第二方向Ⅱ上的寬度來確定的。每個連接面9a處在這樣的區(qū)域中，該區(qū)域在第二方向Ⅱ上的寬度是由相應(yīng)的磁性元件9在第二方向Ⅱ上的寬度來確定的。從圖2中可見，在第三方向Ⅲ上看到的公共連接面70a相對于連接面9a是偏移的。
值得注意的是，在圖示的薄膜結(jié)構(gòu)中，SiO2或是Al2O3的絕緣層處在各個磁性元件和/或?qū)щ妼又g。在圖1中用總的標(biāo)號21來表示這些層。
為了避免不必要的重復(fù)，在以下的其他實施例中主要限于說明那些與上述的實施例不同的特征。在說明中采用的方向Ⅰ,Ⅱ,和Ⅲ適用于所有的實施例。
在圖3和4中所示的本發(fā)明的多通道磁頭具有一個磁頭面101和一個非磁性的基片119，在基片上面是包括各個磁阻傳感器的一種薄膜結(jié)構(gòu)。圖3中所示的截面是從圖4的Ⅲ-Ⅲ線方向上提取的。圖4表示了三個這種傳感器，分別用S1,S2和S3來表示。每個軛鐵式的傳感器的磁性軛鐵是由軟磁性的導(dǎo)電層構(gòu)成的，并且采用AMR型或是GMR型的磁阻測量元件105。用例如CoNbZr的上述層構(gòu)成第一磁性元件107，第二磁性元件109和第三磁性元件110。在磁性元件109和110之間有一個不導(dǎo)磁不導(dǎo)電的間隙112。搭接在該間隙112上的測量元件105在間隙112的兩側(cè)直接與磁性元件109和110形成電接觸。通過例如金制的導(dǎo)電中間層116在磁頭面101附近將毗鄰磁頭面101的磁性元件107和110連接到一起。通過這種導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)將每個傳感器S1,S2和S3中的磁阻元件105與磁性元件107,109和110串聯(lián)地電連接。在本實施例中，第一磁性元件107是由公共元件170構(gòu)成的。中間層116是用一個公共的中間層160構(gòu)成的。通過一個連接面170a將元件170電連接到一個導(dǎo)電層111。通過一個電連接面109a將每個元件109電連接到一個導(dǎo)電層113。在本實施例中，至少是構(gòu)成公共磁性元件170一部分的磁性元件107在第三方向Ⅲ上的相對磁導(dǎo)率比第二方向Ⅱ上的相對磁導(dǎo)率大，最好是至少大25倍。
圖5到8表示圖3和4所示實施例的各種變形。由于和上述實施例具有緊密的關(guān)系，沒有表示出這些變形的平面圖。其中采用的各種磁性元件的特性都對應(yīng)著上述實施例中的磁性元件。
從第二方向Ⅱ上看，圖5到8所示的本發(fā)明的每個多通道磁頭具有毗鄰的磁阻傳感器結(jié)構(gòu)。
圖5所示的按照本發(fā)明的多通道磁頭具有一個磁頭面301和一個非磁性基片319，基片上帶有包括各個磁阻傳感器的層次結(jié)構(gòu)。每個傳感器包括一個磁性軛鐵，它具有第一磁性元件307，第二磁性元件309,第三磁性元件310和一個磁阻測量元件305。磁性元件307,309和310是用一種導(dǎo)電材料的軟磁性層構(gòu)成的，例如FeNbSi-N。在本實施例中，測量元件305是一個AMR元件。為了形成電接觸，測量元件305與磁性元件309和310嚙合，在兩個元件309和310之間搭接成一個非磁性的不導(dǎo)電空隙312。在電路中連接磁性元件307和310的一個非磁性的導(dǎo)電間隙層316位于磁頭面301上。磁性元件307和309分別具有一個連接面307a,309a，它們處在電連接到磁性元件307和309的導(dǎo)電的非磁性層311和313上，從而在每個傳感器的連接面307a和309a之間形成由測量元件305和磁性元件307,309以及310構(gòu)成的電路。測量元件305在電路中與元件307和309串聯(lián)。為了使測量元件305偏置，在每個測量元件305上面有一個例如NiOx等反鐵磁材料的層312。
圖6所示的按照本發(fā)明的多通道磁頭是軛鐵型的，在每個磁阻傳感器中包括一個類似于圖5中所示的磁阻測量元件405，它和第一磁性元件407以及第二磁性元件409串聯(lián)連接。在每個傳感器中，在磁頭面401上有一個導(dǎo)電的間隙層416，用來電連接一直延伸到磁頭面401上的磁性元件407和第三磁性元件410。磁性元件407和409各自具有電連接面407a,409a。在每個傳感器中用一個導(dǎo)電的偏置線圈414來偏置測量元件405。
圖7所示的按照本發(fā)明的多通道磁頭具有一個磁頭面501和一個非磁性基片519，在基片上設(shè)有包括各個磁阻傳感器的薄膜結(jié)構(gòu)。每個傳感器包括用NiFe,CoNBZr或是FeTa-N構(gòu)成的一個導(dǎo)磁層514，一個磁阻測量元件505，第一磁性元件507，和兩個分開的磁性元件，在本文中被稱為第二磁性元件509和第三磁性元件510。磁性元件507和509各自具有一個連接面507a,509a，它們分別處在導(dǎo)電層511和513上。每個傳感器中的一個導(dǎo)電的非磁性間隙層516用來電連接磁性元件507和510，并且用測量元件505連接磁性元件510和磁性元件509，從而在操作期間有一個電流在與磁頭面501橫交的方向i上流經(jīng)測量元件505。在本實施例中，所有磁性元件507,509和510在操作期間都是輸送電流的磁通導(dǎo)管，而導(dǎo)磁層514構(gòu)成了防止長磁性波的屏蔽層。
圖8所示的變形具有一個磁頭面601和一個多層結(jié)構(gòu)的非磁性基片619，以及多個磁阻傳感器。每個傳感器的磁阻測量元件605包括由兩個導(dǎo)電的導(dǎo)磁層607A和607B構(gòu)成的一個第一磁性元件，由導(dǎo)電的導(dǎo)磁層609構(gòu)成的一個第二磁性元件，以及由導(dǎo)電的導(dǎo)磁層610構(gòu)成的一個第三磁性元件，測量元件605在第二磁性元件609和第三磁性元件610之間用電路和機(jī)械方式搭接成一個不導(dǎo)電，不導(dǎo)磁的間隙612。利用兩個導(dǎo)電層616A和616B將第三磁性元件610在靠近磁頭面601處電連接到層607A和607B上。第二磁性元件609以及層607A和607B各自具有電連接面609a,607Aa和607Bb。在圖8所示的磁頭所使用的電路中，在掃描期間有一個電流流經(jīng)每個測量元件605，該電流的值等于流經(jīng)第一磁性元件的層607A和607B的電流總和，而測量元件605中的電流方向與磁頭面601是橫交的。各層607A和607B具有防止長磁性波的屏蔽效果；因此，與圖3,5和6所示的實施例相比，這種磁頭象圖1和7的磁頭一樣具有明顯的空間微分效果。
在本發(fā)明的范圍內(nèi)還可以實現(xiàn)不同于上述各實施例的其他實施例。例如，按照本發(fā)明的磁頭可以是一種組合的讀/寫磁頭裝置中的一部分。此外，在具體實施例中的磁頭通常都具有一個用來保護(hù)多層結(jié)構(gòu)的對立塊。
圖9所示的本發(fā)明的裝置適用于寫入和/或讀出一種磁帶803，在本實施例中，磁帶被裝在圖10所示的磁帶盒801里。該裝置具有一個帶有框架703的外殼701。外殼701的內(nèi)部可以例如容納用來驅(qū)動一個驅(qū)動輪707的驅(qū)動電機(jī)705和按照本發(fā)明的一個多通道磁頭711，在本實施例中，磁頭被固定在一個副框架709上，通過一個驅(qū)動電機(jī)713可以使副框架沿著一個導(dǎo)向軸715移動。該裝置還有一個豎直的導(dǎo)向件717，用于使磁帶盒801滑入或是滑出外殼701。磁帶盒801可以用來存儲數(shù)字形式的信息。磁帶盒具有兩個卷軸805和807，有一部分磁帶803繞在卷軸上。出現(xiàn)在兩個卷軸之間的那部分磁帶803被沿著兩個在本實施例中是靜止的磁帶導(dǎo)向件809和811引導(dǎo)，并且沿著一個主導(dǎo)輪813移動。磁帶盒801包括一個沿著主導(dǎo)輪813轉(zhuǎn)動的循環(huán)驅(qū)動皮帶815，卷軸805和807，以及兩個皮帶導(dǎo)向件817和819。在操作狀態(tài)下，磁帶盒801與本發(fā)明的裝置701相互配合，磁頭711伸入磁帶盒中的一個槽821，從中接觸到磁帶803。同時，驅(qū)動輪707接觸到主導(dǎo)輪813，使磁帶803在長度方向上從一個卷軸移動到另一個卷軸。
圖示的裝置是一種數(shù)據(jù)存儲裝置，例如可以是一個音頻和/或視頻設(shè)備。該裝置還適用于用磁盤或者磁卡代替磁帶的記錄載體。
權(quán)利要求
1．一種多通道磁頭，它具有在磁記錄載體可相對于上述磁頭做相對運(yùn)動的第一方向和橫截第一方向的第二方向上延伸的一個磁頭面，上述磁頭具有這樣的結(jié)構(gòu)層次，從第一方向看，它是一層壓一層的，并且基本上在第二方向和橫截第一和第二方向的第三方向上延伸，從第二方向上可以識別出相鄰的磁阻傳感器，每個傳感器包括一個磁阻測量元件，一個第一磁性元件和一個第二磁性元件，同樣，從第一方向上看，上述磁性元件的位置彼此相對，至少是上述元件中的第一磁性元件一直延伸到磁頭面上，其特征在于每至少兩個相鄰的磁阻傳感器中的兩個磁性元件是導(dǎo)電的，測量元件在電路中被串聯(lián)在兩個磁性元件之間，用來通過測量元件大體上在第三方向上提供測量電流，兩個磁阻元件都具有一個電連接面。
2．按照權(quán)利要求1的磁頭，其特征是至少有兩個相鄰的傳感器上各自設(shè)有一個一直延伸到磁頭面上的導(dǎo)電的第三磁性元件，它和沒有一直延伸到磁頭面上的第二磁性元件一起限定了一個不導(dǎo)電的空隙，磁阻測量元件搭接在空隙上，除上述空隙外與第二和第三磁性元件形成電接觸，一個用來電連接第一磁性元件和第三磁性元件的導(dǎo)電間隙層延伸到磁頭面附近。
3．按照權(quán)利要求1的磁頭，其特征是至少兩個相鄰傳感器上各自的磁阻測量元件毗鄰著磁頭面，測量元件上位于磁頭面附近的一部分被連接到兩個磁性元件之一，而遠(yuǎn)離磁頭面的測量元件部分被電連接到另一個磁性元件。
4．按照權(quán)利要求1或2或3的磁頭，其特征在于至少兩個相鄰傳感器中各自的第一磁性元件的連接面和第二磁性元件的連接面位于一個區(qū)域之內(nèi)，該區(qū)域在第二方向上的寬度是由有關(guān)的磁性元件在第二方向上的寬度來確定的。
5．按照權(quán)利要求1,2,3和4之一的磁頭，其特征在于至少兩個相鄰傳感器中各自的第一磁性元件的連接面和第二磁性元件的連接面處在有關(guān)的磁性元件上。
6．按照權(quán)利要求4或5的磁頭，其特征是，從第三方向上看，至少兩個相鄰傳感器上各自的第一磁性元件的連接面相對于第二磁性元件的連接面是偏移的。
7．按照權(quán)利要求1,2,3,4,5和6之一的磁頭，其特征在于至少兩個相鄰的傳感器具有一個公共的導(dǎo)電磁性元件，它構(gòu)成了每個傳感器中的第一磁性元件。
8．按照前述任何一項權(quán)利要求的磁頭，其特征是至少兩個相鄰傳感器中至少是各自的第一磁性元件在第三方向上的相對磁導(dǎo)率比第二方向上大。
9．按照權(quán)利要求8的磁頭，其特征是在第三方向上的相對磁導(dǎo)率至少比第二方向上的相對磁導(dǎo)率大25倍。
10．用于掃描一種記錄載體的一種裝置，其特征是包括前述任何一項權(quán)利要求的多通道磁頭。
全文摘要
具有高通道密度的一種多通道磁頭具有一個在記錄載體相對于上述磁頭做相對運(yùn)動的第一方向(Ⅰ)和橫截第一方向的第二方向(Ⅱ)上延伸的一個磁頭面(1)。該磁頭具有這樣的結(jié)構(gòu)層次,從第一方向看,它是一層壓一層的,并且基本上在第二方向和橫截第一和第二方向的第三方向(Ⅲ)上延伸。從第二方向上看,可以辨認(rèn)出該結(jié)構(gòu)中相鄰的磁阻傳感器(S
文檔編號G11B5/40GK1222999SQ98800481
公開日1999年7月14日 申請日期1998年1月22日 優(yōu)先權(quán)日1997年2月20日
發(fā)明者J·J·M·瑞格羅克, G·H·J·索梅爾斯 申請人:皇家菲利浦電子有限公司