專利名稱：存儲(chǔ)單元裝置及其作為磁性ram與聯(lián)合存儲(chǔ)器的應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)單元裝置，它的存儲(chǔ)元件具有一種磁阻效應(yīng)極大(GMR)的層狀結(jié)構(gòu)。
在專業(yè)領(lǐng)域內(nèi)，采用GMR元件概念作為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)至少帶有兩個(gè)鐵磁層，在兩個(gè)鐵磁層之間裝有一個(gè)非磁性層，而且，這種層狀結(jié)構(gòu)具有所謂的GMR(強(qiáng)磁阻)效應(yīng)，也就是說，其磁阻效應(yīng)極大。在GMR效應(yīng)下，GMR元件的電阻處決于兩鐵磁層中的磁化作用是否達(dá)到平行或不平行。
文章(作為例子，參考D.D.Tang等人，IEDM95，第997-999頁(yè)，D.D.Tang等人，IEEE關(guān)于磁學(xué)的學(xué)術(shù)報(bào)告，卷31，Nr.6，1995，第3206-3208頁(yè)，F(xiàn).W.Patten等人，國(guó)際非易失存儲(chǔ)器技術(shù)參考，1996，第1-2頁(yè))中曾建議在一種存儲(chǔ)單元裝置中采用此類GMR元件作為存儲(chǔ)元件。對(duì)此，GMR元件被用作存儲(chǔ)元件，典型地，其鐵磁層的磁化方向由附近的抗鐵磁層進(jìn)行定位。存儲(chǔ)元件通過位線進(jìn)行列連接。字線與列線垂直，它們與列線及存儲(chǔ)元件之間都是絕緣的。由于字線內(nèi)的電流作用，字線上的信號(hào)將引發(fā)一個(gè)磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)便對(duì)位于其中的存儲(chǔ)元件產(chǎn)生作用。為了寫入信息，在交叉位于所寫存儲(chǔ)單元之上的位線及字線中載入信號(hào)，這些信號(hào)在交叉點(diǎn)上產(chǎn)生一個(gè)足夠大的磁場(chǎng)，以起到反復(fù)磁化作用。為了讀出信息，在字線上加載了一個(gè)脈沖信號(hào)，相關(guān)的存儲(chǔ)單元利用該脈沖信號(hào)可以在兩種磁化狀態(tài)之間切入或切出。通過位線測(cè)量出電流值，由這些電流值便可測(cè)出相應(yīng)存儲(chǔ)元件的電阻值。
在S.Tehrani等人，IEDM96，第193 ff.頁(yè)中，建議采用一種GMR元件作為存儲(chǔ)元件，該GMR元件帶有厚度各不相同的鐵磁層。為寫入信息，磁場(chǎng)作如下測(cè)定，即磁場(chǎng)只在兩個(gè)鐵磁層中較薄的一層中產(chǎn)生作用。磁化對(duì)兩鐵磁層中較厚的一層不產(chǎn)生作用。
對(duì)于這種存儲(chǔ)單元裝置，在利用脈沖信號(hào)進(jìn)行讀出的過程中，將需要很高的電路費(fèi)用。
本發(fā)明的問題在于，提供一種帶GMR元件的存儲(chǔ)單元裝置，其讀出的電路費(fèi)用可以很低。
這個(gè)問題可根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元裝置來實(shí)現(xiàn)。發(fā)明的其它構(gòu)成方式由剩余的權(quán)利要求給出。
這種存儲(chǔ)單元裝置帶有基本相互平行的字線及基本相互平行的位線，其中，字線同位線互相垂直。它的存儲(chǔ)元件具有一種磁阻效應(yīng)極大(GMR)的層狀結(jié)構(gòu)，亦稱GMR元件，這些元件均接于字線與位線之間，且其電阻比字線與位線高得多。位線均與一種讀放大器相連，通過該讀放大器，每個(gè)位線可將電位調(diào)整到參考電位值，并可在讀放大器上量取一個(gè)輸出信號(hào)。為讀出這種存儲(chǔ)單元裝置，所有未選定的字線都處于參考電位位置。而選定字線上的信號(hào)為另一種電位值。為此，電流通徑為從選定的字線流向所有位線。根據(jù)各讀放大器的輸出信號(hào)，可由位于字線和各位線交叉點(diǎn)上的存儲(chǔ)元件電阻來確定該讀放大器的電氣參數(shù)，如反饋電阻、參考電位、位線電阻等等。在讀出這種存儲(chǔ)單元裝置時(shí)不需要脈沖信號(hào)。
優(yōu)選地，讀放大器內(nèi)帶有一種帶反饋的運(yùn)算放大器。運(yùn)算放大器的非反相輸入端同參考電位，如大地相連。位線與反相輸入端相連。若參考電位為0V，在運(yùn)算放大器安全的情況下，位線的電位即為0V。運(yùn)算放大器的輸出信號(hào)為所選存儲(chǔ)元件電阻的一個(gè)測(cè)定標(biāo)度。
在兩種磁化狀態(tài)下，假使GMR元件的電阻比位線及字線的電阻都要大得多，那么大家熟悉的所有GMR元件都可用來作為存儲(chǔ)元件。電流在垂直流過疊層時(shí)所產(chǎn)生的GMR效應(yīng)要比電流平行流過各層時(shí)大。
優(yōu)選地，存儲(chǔ)元件都帶有兩個(gè)鐵磁層，在兩個(gè)鐵磁層之間裝設(shè)一個(gè)非磁性的絕緣層。兩個(gè)鐵磁層中有一層裝設(shè)在一種抗鐵磁層附近，由該抗鐵磁層來確定附近鐵磁層中磁化作用的極化方向。每個(gè)存儲(chǔ)元件均有兩種磁化狀態(tài)。采用絕緣非磁性層是比較有利的，其原因在于，在該構(gòu)造中，通過在兩個(gè)鐵磁層之間裝設(shè)一種絕緣非磁性層，便可利用自旋極化隧道電流來產(chǎn)生GMR效應(yīng)，該效應(yīng)比采用非絕緣非磁性層時(shí)要大得多。因此，可更好地區(qū)別不同的電阻值，在該存儲(chǔ)單元裝置中，電阻值設(shè)置為兩個(gè)不同的邏輯值0與1。
替換的，存儲(chǔ)元件也可都帶兩個(gè)鐵磁層，在兩個(gè)鐵磁層之間裝設(shè)一個(gè)非磁性絕緣層，兩鐵磁層中，其中一個(gè)比另一個(gè)鐵磁層厚，或者，兩鐵磁層由磁性能各不相同的不同材料組成，或者，存儲(chǔ)元件還帶有一個(gè)非磁性的非絕緣層。
其它材料也可適用于這種鐵磁層，它們至少含有下述元素之一，F(xiàn)e、Ni、Co、Cr、Mn、Gd。鐵磁層的最大厚度為20nm，優(yōu)選地，其值位于2-10nm之間。對(duì)于用作隧道絕緣體的非磁性層來說，Al2O3、NiO、HfO2或TiO2、NbO、SiO2等絕緣材料比較適合。作為非絕緣材料，Cu或Ag適合用作非磁性層。非磁性層的厚度位于1-4nm之間，優(yōu)選地為2-3nm。
為了往一個(gè)存儲(chǔ)元件中寫入信息，可在相關(guān)的字線與相關(guān)的位線上載入一個(gè)信號(hào)。由此，便有電流流經(jīng)字線和位線，它們分別感應(yīng)出一個(gè)磁場(chǎng)。在字線與位線的交叉點(diǎn)上有一個(gè)總磁場(chǎng)，它由兩個(gè)磁場(chǎng)疊加產(chǎn)生，其大小能夠使得該處的存儲(chǔ)元件產(chǎn)生反復(fù)磁化作用。交叉點(diǎn)之外的單個(gè)磁場(chǎng)對(duì)該處的存儲(chǔ)元件只產(chǎn)生極小的反復(fù)磁化作用。
在應(yīng)用中，為了進(jìn)行寫入工作，需要一個(gè)較高的磁場(chǎng)，或使磁場(chǎng)達(dá)到一個(gè)期望值，另外，還可帶有相互平行的寫入線，如，這些寫入線與位線基本保持平行，這也屬于本發(fā)明的框架范圍之內(nèi)。寫入線對(duì)著字線，且與位線保持絕緣。通過在相應(yīng)的寫入線上加載一個(gè)信號(hào)，交叉點(diǎn)上的磁場(chǎng)就可利用選定的字線進(jìn)行放大，由此便補(bǔ)充了寫入過程。
這種存儲(chǔ)單元裝置適合用作磁性RAM(MRAM)。
此外，該存儲(chǔ)單元裝置還可用作聯(lián)合存儲(chǔ)器進(jìn)行工作。對(duì)此，每個(gè)位線都配給一種閾值元件，閾值元件同各個(gè)位線的讀放大器輸出端相接。
在一種聯(lián)合存儲(chǔ)器中，典型地，如K.Goser等人，IEEE Micro，9(1989)6，第28-44頁(yè)所公布的，所有字線上都同時(shí)加有一個(gè)輸入信號(hào)。輸入信號(hào)與字線的位數(shù)相同。各個(gè)位線上有一個(gè)總電流，并利用閾值元件形成一個(gè)輸出信號(hào)。在Goser等人，IEEE Micro，9(1989)6，第28-44頁(yè)公布的聯(lián)合存儲(chǔ)器中，存儲(chǔ)單元由一個(gè)常規(guī)的電阻或晶體管組成，并且交叉連接于字線與位線之間。在工作期間，該常規(guī)電阻及晶體管的值是不會(huì)改變的，這樣存儲(chǔ)器就不具備學(xué)習(xí)能力。同時(shí)，這種存儲(chǔ)單元可實(shí)現(xiàn)為一種EEPROM單元，以實(shí)現(xiàn)編程的目的，然而它的制造費(fèi)用較高。
如果采用本發(fā)明存儲(chǔ)單元裝置作為聯(lián)合存儲(chǔ)器，它會(huì)產(chǎn)生一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，即在工作期間，存儲(chǔ)元件內(nèi)的GMR元件可以隨意進(jìn)行頻繁的反復(fù)編程。由此，聯(lián)合存儲(chǔ)器在工作期間可以學(xué)習(xí)到信息。
在本發(fā)明的另一種實(shí)施方案中，每?jī)蓚€(gè)位線帶有一個(gè)差分放大器。差分放大器的輸入端接在相關(guān)位線的讀放大器輸出端子上。該存儲(chǔ)單元裝置同樣可優(yōu)選地用作聯(lián)合存儲(chǔ)器，其中，每個(gè)存儲(chǔ)元件都接在兩個(gè)位線之間，且接有相同的字線，各存儲(chǔ)元件相互互補(bǔ)地進(jìn)行編程。讀出時(shí)，在一個(gè)位線上形成另一個(gè)位線的互補(bǔ)信號(hào)。在差分放大器內(nèi)，由這些互補(bǔ)信號(hào)形成輸出信號(hào)。這種差分法改善了抗干擾性能，以防止過程變化太大。
下面根據(jù)附圖所述的實(shí)施例來詳細(xì)闡明本發(fā)明。
附

圖1為一種MRAM-裝置的構(gòu)造圖。
附圖2展示了一種帶有相關(guān)位線、字線及寫入線的存儲(chǔ)元件。
附圖3展示了一種聯(lián)合存儲(chǔ)器，它的每個(gè)位線都與一個(gè)閾值元件相連。
附圖4展示了一種聯(lián)合存儲(chǔ)器，其中，每?jī)蓚€(gè)相鄰的位線互補(bǔ)地進(jìn)行編程，且同一個(gè)差分放大器相連。
存儲(chǔ)單元裝置帶有相互基本平行的位線BLi，i＝1，2，...n。與之垂直的為字線WLj，j＝1，2，...m。字線WLj同樣也相互基本平行。在位線BLi與字線WLj的交叉點(diǎn)上均布有一個(gè)存儲(chǔ)元件Si，j(參考附圖1)。
各個(gè)位線BLi都連接在運(yùn)算放大器OPi，i＝1，2，...n的反相輸入端上。運(yùn)算放大器OPi的非反相輸入端接在地電位上。運(yùn)算放大器OPi帶有反饋功能，其反饋電阻為Rki。每個(gè)運(yùn)算放大器OPi還帶有一個(gè)輸出端Ai。
存儲(chǔ)元件Si，j均帶有第一個(gè)鐵磁層1、非磁性層2、第二個(gè)鐵磁層3以及抗鐵磁層4(參考附圖2)。第一個(gè)鐵磁層1、非磁性層2、第二個(gè)鐵磁層3表現(xiàn)為一種層狀結(jié)構(gòu)。典型地，第一個(gè)鐵磁層1與第二個(gè)鐵磁層3含有NiFe，其厚度為10nm。非磁性層2含有Al2O3，其厚度為2-3nm?？硅F磁層4含有FeMn，其厚度為10-20nm。在由位線BLi與字線WLj夾緊的平面內(nèi)，存儲(chǔ)元件Si，j的典型截面積為0.25μm×0.25μm。
位線BLi及字線WLi均由Al、Cu組成，在確定其厚度時(shí)，Al中的電流密度不超過106A/cm2。
第一個(gè)鐵磁層1鄰接在字線WLj上?？硅F磁層4鄰接在位線BLi上。位線BLi位于字線WLj的上方。當(dāng)然，位線BLi也可位于字線WLj的下方。
字線WLj的下方為絕緣層5，典型地，它由SiO2組成，且厚度為10nm。該絕緣層將字線WLj和與其垂直的寫入線SLi隔離開來。寫入線SLi，i＝1...n相互間基本平行。寫入線SLi位于位線BLi的下方。
在這種存儲(chǔ)單元裝置中，存儲(chǔ)元件Si，j均為邏輯值0與1配置了一個(gè)電阻值。
為了讀出存儲(chǔ)單元裝置內(nèi)所存儲(chǔ)的信息，需要對(duì)字線WLj進(jìn)行控制，以讀出存于存儲(chǔ)元件Si，j內(nèi)的信息。對(duì)此，字線WLj被設(shè)為一種電位，如+1V。而其它所有的字線WLl，l≠j被設(shè)為0V。同樣，所有位線BLi，i＝1...n的電位也為0V，其原因在于，它們是連接在帶反饋的運(yùn)算放大器的反相輸入端上，而該輸入端總是調(diào)整在0V狀態(tài)。運(yùn)算放大器OPi的輸出端Ai上可量取一個(gè)電壓Uout＝1V*R/(Rx+Rl)在此，R為反饋電阻Rki的電阻值，Rx為存儲(chǔ)元件Si，j的電阻值，而Rl為字線WLj與位線BLi的導(dǎo)電元件電阻值，在該導(dǎo)電元件中流經(jīng)有電流。由于其它值都已經(jīng)知道，所以根據(jù)上述電壓值可計(jì)算出存儲(chǔ)元件Si，j的電阻值Rx。
位線BLi及字線WLj由金屬組成，因此它們的電阻都很小。反饋電阻RKi典型地為100KΩ。如果第一個(gè)鐵磁層1與第二個(gè)鐵磁層3的磁化方向平行，則存儲(chǔ)元件Si，j的電阻Rx約為100 KΩ，如果第一個(gè)鐵磁層1與第二個(gè)鐵磁層3的磁化方向不平行，則存儲(chǔ)元件Si，j的電阻Rx為110 KΩ。位線BLi有100根，字線WLj有10000根。由此，根據(jù)上述存儲(chǔ)元件Si，j的電阻值，輸出信號(hào)的變化為100mV。若電阻比值R/(Rx+R1)為10，運(yùn)算放大器OPi輸出端Ai的電壓值可放大到1V。
由于所有位線BLi的電壓為0V，所以位線BLi之間不會(huì)產(chǎn)生寄生電流。電路路徑只是在選定的字線WLj與所有位線之間流動(dòng)。因而它有以下優(yōu)點(diǎn)，即采用的字線WLj數(shù)目要多于位線BLi的數(shù)目。優(yōu)選地，對(duì)于1Mbit的存儲(chǔ)單元裝置，它可由n＝100個(gè)位線BLi與m＝10000個(gè)字線構(gòu)成。為此，只需要100個(gè)讀放大器。100個(gè)存儲(chǔ)元件Si，j都帶有一個(gè)約為1 KΩ的電阻，這些存儲(chǔ)元件組成的并聯(lián)電路將產(chǎn)生一種電流流入選定的字線WLj。由于此處的位線BLi不需要再充電，所以它們的長(zhǎng)度并不重要。
為了往存儲(chǔ)單元Si，j中寫入信息，寫入線SLi及字線WLj均要加入一定毫安級(jí)的電流。該電流在寫入線SLi及字線WLj的周圍分別感應(yīng)出一個(gè)磁場(chǎng)，此磁場(chǎng)則在寫入線SLi與字線WLj的交叉點(diǎn)上對(duì)第一個(gè)鐵磁層1產(chǎn)生磁化作用。第二個(gè)鐵磁層3的磁化作用由其附近的抗鐵磁層4來確定。
當(dāng)然，寫入線SLi也可同字線WLj保持平行。在這種情形下，通過控制位線BLi與寫入線來寫入信息。
在一種可作為聯(lián)合存儲(chǔ)器裝配的存儲(chǔ)單元裝置中，帶有相互平行的字線WL’j，j＝1...m，以及與之垂直的基本相互平行的位線BL’i，i＝1...n(參考附圖3)。在位線BL’i與字線WL’j的交叉點(diǎn)上均裝有一個(gè)存儲(chǔ)元件S’i，j。存儲(chǔ)元件S’i，j的構(gòu)造類似于附圖2所述的存儲(chǔ)元件Si，j。位線BL’i均連接在運(yùn)算放大器OP’i的反相輸入端上，而放大器的非反相輸入端與地電位相連，且?guī)в蟹答?。運(yùn)算放大器OP’i帶有一個(gè)反饋電阻RK’i。運(yùn)算放大器OP’i的輸出端同閾值元件SWi的輸入端相接。典型地，閾值元件SWi為一種高放大倍數(shù)的運(yùn)算放大器，如放大倍數(shù)＞100，或者為施密特觸發(fā)器。運(yùn)算放大器OP’i的測(cè)定方法與附圖1及2所述的實(shí)施范例一樣。
存儲(chǔ)元件S’i，j可進(jìn)行自由編程。此時(shí)有電流流經(jīng)位線BL’I及字線WL’j。由此在位線BL’i與字線WL’j的周圍感應(yīng)出一個(gè)磁場(chǎng)。上述電流作如下選擇，即該電流在位線BL’i與字線WL’j的交叉點(diǎn)處，也即在存儲(chǔ)元件S’i，j處產(chǎn)生的磁場(chǎng)應(yīng)當(dāng)能夠?qū)Υ鎯?chǔ)元件S’i，j的第一個(gè)鐵磁層產(chǎn)生磁化作用，并由此引起存儲(chǔ)元件S’i，j的電阻變化。而在位線BL’i與字線WL’j的其它所有存儲(chǔ)元件處的磁場(chǎng)都不足夠產(chǎn)生磁化和引起電阻變化。根據(jù)電流方向，這種較大或較小的電阻值被編入存儲(chǔ)元件S’i，j之中。
為了讀出存儲(chǔ)單元裝置，在字線WL’j，j＝1...m上加入一個(gè)信號(hào)，其形式為一種帶m個(gè)分量的輸入向量X。在此，X的分量設(shè)定為0V或Vdd。例如，Vdd采取1V。經(jīng)過存儲(chǔ)元件S’i，j，j＝1...m有一個(gè)電流流入位線BL’i。這種總電流將流經(jīng)反饋電阻RK’i，原因是，運(yùn)算放大器OP’i的輸入電阻極高，譬如大于100兆歐，而且調(diào)整電壓Ui使得位線BL’i的電壓為0V。根據(jù)運(yùn)算放大器OP’i的電壓Ui，閾值元件SWi形成一個(gè)輸出值Yi，其大小可設(shè)為0V或Vdd。
另外還有一種存儲(chǔ)單元裝置，它同樣適合用作聯(lián)合存儲(chǔ)器，它帶有相互基本平行的字線WL”j，j＝1...m，以及與之垂直的基本相互平行的位線BL”i，i＝1...n(參考附圖4)。在位線BL”i與字線WL”j的交叉點(diǎn)上均裝有一個(gè)存儲(chǔ)元件S”i，j，其構(gòu)成形式類似于上文實(shí)施例。位線BL”i均連接在運(yùn)算放大器OP”i的反相輸入端上，而放大器的非反相輸入端與地電位相連，且?guī)в蟹答?。運(yùn)算放大器OP”i帶有一個(gè)反饋電阻RK”i。相鄰位線BL”i，BL”i+1的運(yùn)算放大器OP”i，OP”i+1其輸出端接在差分放大器DVi，i＝1，3，5，...n-1的輸入端子上(參考附圖4)。
往這種存儲(chǔ)單元裝置內(nèi)寫入信息其過程類似于附圖3所述的例子。在此，相鄰位線BL”I、BL”i+1的存儲(chǔ)元件S”i，j、S”i+1，j接在同一個(gè)差分放大器DVi上，且它們互補(bǔ)地進(jìn)行編程。
在讀出時(shí)，其過程類似于附圖3所述的實(shí)施范例，在位線BL”i上將產(chǎn)生另一個(gè)位線BL”i+1的互補(bǔ)信號(hào)。運(yùn)算放大器OP”I、OP”i+1的輸出電壓Ui，Ui+1給到差分放大器DVi上，以產(chǎn)生輸出信號(hào)Yi。由此，一些干擾影響，如返回到過程變化的影響等可得到消除。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)單元裝置，—它帶有許多相互基本平行的字線和許多相互基本平行的位線，且字線與位線垂直，—其存儲(chǔ)元件具有一種磁阻效應(yīng)(GMR)極大的層狀結(jié)構(gòu)，且連接在一個(gè)字線與一個(gè)位線之間，它的電阻要比字線和位線高，—它的位線均連接在一個(gè)讀放大器上，利用讀放大器每個(gè)位線上的電位可調(diào)整為一個(gè)參考電位，并且在讀放大器上可量取一個(gè)輸出信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)單元裝置，其中，讀放大器含有一個(gè)帶反饋的運(yùn)算放大器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的存儲(chǔ)單元裝置，—存儲(chǔ)元件均帶有兩個(gè)鐵磁層，且在兩個(gè)鐵磁層之間裝有一個(gè)非磁性層，—帶有一個(gè)抗鐵磁層，該抗鐵磁層位于一個(gè)鐵磁層的附近，并由它來確定附近鐵磁層中磁化作用的極化方向，—存儲(chǔ)元件均具有兩種磁化狀態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的存儲(chǔ)單元裝置，—它的每個(gè)鐵磁層至少含有下述元素之一，即Fe、Ni、Co、Cr、Mn、Gd，—其鐵磁層的厚度均小于或等于20nm，—它的非磁性層至少含有下述材料之一，即Al2O3、NiO、HfO2、TiO2、NbO、SiO2，其厚度位于1-4nm之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4之一的存儲(chǔ)單元裝置，其中，存儲(chǔ)元件在字線與位線所夾緊的平面內(nèi)的尺寸范圍為0.1μm×0.1μm-2μm×20μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5之一的存儲(chǔ)單元裝置，其中，字線的數(shù)目要多于位線的數(shù)目。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6之一的存儲(chǔ)單元裝置，其中，帶有基本平行的寫入線，該寫入線同字線及位線保持絕緣。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6之一的存儲(chǔ)單元裝置，其中，對(duì)于位線提供有閾值元件，而這些閾值元件分別連接在讀放大器的輸出端上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7之一的存儲(chǔ)單元裝置，其中，對(duì)于每?jī)蓚€(gè)位線都提供有一個(gè)差分放大器，而差分放大器的輸入端分別連接在相關(guān)位線的讀放大器輸出端子上。
10.存儲(chǔ)單元裝置按照權(quán)利要求1-7之一作為磁性RAM的應(yīng)用。
11.存儲(chǔ)單元裝置按照權(quán)利要求8或9作為聯(lián)合存儲(chǔ)器的應(yīng)用。
全文摘要
一種存儲(chǔ)單元裝置,帶有字線(WLj)及與之垂直的位線(BLi)。在每個(gè)字線與位線之間接有一個(gè)磁阻效應(yīng)(GMR)極大的存儲(chǔ)元件(Si,j)。位線(BLi)均接在一個(gè)讀放大器(OPi)上,利用該讀放大器,各位線(BLi)的電位可調(diào)整為一個(gè)參考電位,且在讀放大器上可量取一個(gè)輸出信號(hào)。這種存儲(chǔ)單元裝置既可裝配成MRAM,也裝配成聯(lián)合存儲(chǔ)器。
文檔編號(hào)G11C15/00GK1270696SQ98809230
公開日2000年10月18日 申請(qǐng)日期1998年9月2日 優(yōu)先權(quán)日1997年9月17日
發(fā)明者T·拉姆克, W·勒斯納, L·里施 申請(qǐng)人:因芬尼昂技術(shù)股份公司