專利名稱：盤(pán)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種以盤(pán)形記錄介質(zhì)如硬盤(pán)片和光學(xué)硬盤(pán)片作為記錄介質(zhì)的盤(pán)裝置。更具體地，涉及一種能緩沖從外界施加的沖擊以保護(hù)盤(pán)形記錄介質(zhì)或記錄和/或重放元件如磁頭的盤(pán)裝置，上述記錄和/或重放元件用來(lái)掃描盤(pán)形記錄介質(zhì)以記錄和/或重放信息信號(hào)。
迄今為止，在用來(lái)記錄被信息處理裝置如計(jì)算機(jī)處理的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)、或轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的視、聽(tīng)信息的記錄介質(zhì)，已廣泛采用金屬的、玻璃的或合成樹(shù)脂的盤(pán)片襯底。
這種類型的磁盤(pán)片裝在具有主軸馬達(dá)和磁頭機(jī)構(gòu)的磁盤(pán)裝置上，主軸馬達(dá)驅(qū)動(dòng)磁盤(pán)片旋轉(zhuǎn)，磁頭機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)成可掃描磁盤(pán)片的信號(hào)記錄區(qū)以記錄和/或重放信息。
用于這種磁盤(pán)裝置的磁頭機(jī)構(gòu)，具有被音圈馬達(dá)驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)的磁頭支持臂，和安裝在磁頭支撐臂的一端的磁頭元件。磁頭與磁頭支撐臂一起旋轉(zhuǎn)，掃描磁盤(pán)片里里外外的整個(gè)信號(hào)記錄區(qū)域以記錄和/或重放信息。
在磁盤(pán)裝置中，采用高信息記錄密度的磁盤(pán)片，并以高速驅(qū)動(dòng)該磁盤(pán)片旋轉(zhuǎn)。如果磁盤(pán)片以高速旋轉(zhuǎn)，并與磁頭滑動(dòng)接觸，磁盤(pán)片和/或磁頭元件將大量磨損，從而使磁盤(pán)片或磁頭元件不能獲得足夠的耐久性能。因此，這種磁盤(pán)裝置的磁頭機(jī)構(gòu)把彈性板，包括彈性可變形的薄金屬板，裝在磁頭支撐臂的一端，而上面載有磁頭元件的磁頭滑塊裝在該彈性板一端。當(dāng)磁盤(pán)片旋轉(zhuǎn)時(shí)，在信息記錄/重放期間，磁頭滑塊因信息記錄面和磁頭滑塊之間產(chǎn)生的氣流而懸浮在磁盤(pán)片的信息記錄面上，從而使磁頭元件與信息記錄面免于接觸。而且，磁頭滑塊的懸浮還與彈性板的彈性變形有關(guān)。
在兩面都有信息記錄層的磁盤(pán)片或在其上裝有多個(gè)磁盤(pán)片的磁盤(pán)裝置所采用的磁頭機(jī)構(gòu)中，提供具有與各個(gè)信息記錄面相對(duì)應(yīng)的磁頭元件、并被磁頭支撐臂支撐的磁頭滑塊。這些磁頭滑塊以把磁盤(pán)片夾在中間的方式都懸在信息記錄面之上，使磁頭滑塊都面對(duì)磁盤(pán)片的信息記錄面。
當(dāng)磁盤(pán)片靜止時(shí)，磁頭支撐臂停在磁盤(pán)片內(nèi)緣一側(cè)的等待位置。
另外，在使用3.5英寸磁盤(pán)片的磁盤(pán)裝置上，采用的磁頭機(jī)構(gòu)，磁盤(pán)片的信息記錄面和磁頭支撐臂之間的距離設(shè)為約0.5～0.7mm，設(shè)在磁頭支撐臂上的磁頭滑塊就在這個(gè)間隔內(nèi)設(shè)置。
因此，當(dāng)磁頭機(jī)構(gòu)處于等待位置時(shí)，磁盤(pán)片和磁頭支撐臂之間就保持0.5～0.7mm的間隔。
在磁盤(pán)片的沖擊試驗(yàn)中，如果使磁盤(pán)裝置從30cm的高處落在橡膠球上，會(huì)有250～300G的加速?zèng)_擊作用在磁盤(pán)裝置上。這種大小的沖擊即使是在日常使用的環(huán)境下也會(huì)出現(xiàn)的。
如果從與旋轉(zhuǎn)主軸向平行的方向?qū)Υ疟P(pán)裝置施加300G左右的加速?zèng)_擊，磁盤(pán)片直徑為3.5英寸，磁盤(pán)片襯底是合成樹(shù)脂，則在垂直于盤(pán)面方向朝著磁盤(pán)片的外緣會(huì)產(chǎn)生大小為2.0mm左右的振動(dòng)。若磁盤(pán)片直徑為3.5英寸，襯底由金屬如鋁制成，同樣地會(huì)在垂直于盤(pán)面方向朝著磁盤(pán)片外緣產(chǎn)生大小為0.6mm左右的振動(dòng)。
由于如上所述，磁頭支撐臂和磁盤(pán)片的信息記錄面之間的間距設(shè)為0.5～0.7mm，如果如上所述地向磁盤(pán)裝置施加300G左右的加速?zèng)_擊，磁盤(pán)片就會(huì)處于振動(dòng)之中，使得至少其外緣會(huì)與磁頭支撐臂接觸。如果所加沖擊更大，磁盤(pán)片處于激烈振動(dòng)之中，會(huì)使磁盤(pán)片以很大的力與磁頭支撐臂碰撞，損壞信號(hào)記錄面。
尤其是采用合成樹(shù)脂襯底的磁盤(pán)片，即使所加的加速?zèng)_擊為300G左右，產(chǎn)生的振動(dòng)為2.0mm左右，在從磁盤(pán)片中心徑向30mm的區(qū)域內(nèi)磁盤(pán)片都與磁頭支撐臂接觸，可能會(huì)嚴(yán)重?fù)p壞信號(hào)記錄區(qū)。
如果以這種方式損壞信號(hào)記錄面，不僅信息不能寫(xiě)入，恐怕磁盤(pán)片上記錄的信息也不能重放。
下面詳細(xì)探討沖擊如磁盤(pán)裝置的降落對(duì)它的影響。
在本沖擊試驗(yàn)中，使用常規(guī)的沖擊試驗(yàn)機(jī)。本試驗(yàn)使用的沖擊試驗(yàn)機(jī)是降落型的，即使被測(cè)試的物品降落，通過(guò)改變位于降落地的彈性物如橡膠物的硬度和形狀來(lái)改變所加加速?zèng)_擊的形狀。在本試驗(yàn)中，例如所施加的100～300G的沖擊具有的波形為2m/s正弦波的半個(gè)周期。為了檢查是否對(duì)磁盤(pán)片的信息記錄面造成損傷，使用了顯微鏡。
本試驗(yàn)采用的磁盤(pán)片具有易受沖擊損傷的合成樹(shù)脂制的磁盤(pán)片襯底。該磁盤(pán)片直徑3.5英寸，厚度1.27mm。在磁盤(pán)片的每一面，用例如濺射法依次形成底層、磁層和保護(hù)層。在磁盤(pán)片的表面用例如滴注法涂敷一層潤(rùn)滑劑。
如果該磁盤(pán)片裝在磁盤(pán)裝置上，在垂直方向上磁頭支撐臂和磁盤(pán)片盤(pán)面的距離在磁盤(pán)片的外緣附近和內(nèi)緣附近分別設(shè)為約0.35mm和約0.6mm。
結(jié)合附
圖1A～1B，描述裝在磁盤(pán)裝置上的磁盤(pán)片105和磁頭支撐臂106的關(guān)系。
如果向磁盤(pán)裝置施加沖擊，磁盤(pán)片105振動(dòng)變形從而開(kāi)始與磁頭支撐臂115接觸，如圖1A所示。短時(shí)間后，磁盤(pán)片105嚴(yán)重變形，與磁頭支撐臂115接觸，如圖1B所示。
表1
表1中的符號(hào)表示
○有損壞×無(wú)損壞？不易確定是否損壞表1中的半徑表示從磁盤(pán)片105中心算起的信息記錄面的位置。
在常規(guī)磁盤(pán)裝置中，如果所加沖擊小，即100G左右，磁盤(pán)片105不會(huì)產(chǎn)生損壞。但是，如果施加較大的沖擊即200G左右，則不信在外緣，而且在40mm的徑向位置處也可觀察到許多損傷。原因在于，在常規(guī)磁盤(pán)裝置中，由于施加加速?zèng)_擊，磁盤(pán)片105的外緣末端105a先與磁頭支撐臂接觸，然后接觸區(qū)逐步向內(nèi)側(cè)擴(kuò)展。這表明常規(guī)磁盤(pán)裝置不耐沖擊。如果磁盤(pán)片105的信息記錄面以這種方式被損壞，則不能進(jìn)行記錄，記錄信息也不能重放。
因此本發(fā)明的目的在于提供一種新式盤(pán)裝置，它沒(méi)有常規(guī)盤(pán)片所固有的問(wèn)題。本發(fā)明的更具體的目的在于提供一種可防止裝在盤(pán)裝置上的記錄介質(zhì)如磁盤(pán)片的信息記錄面被損壞的盤(pán)裝置，以保護(hù)盤(pán)形記錄介質(zhì)。
本發(fā)明提供一種以盤(pán)形記錄介質(zhì)作為記錄介質(zhì)的盤(pán)裝置，包括支撐裝置，該支撐裝置支撐用來(lái)掃描所述盤(pán)形記錄介質(zhì)以記錄和/或重放信息信號(hào)的元件；且在該支撐裝置受到?jīng)_擊時(shí)與所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的外緣相接觸的位置具有沖擊緩沖部件。
所述沖擊緩沖部件是彈性部件。至少在所述支撐裝置處于等待位置時(shí)，在與所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的外緣端相接觸的位置設(shè)置所述沖擊緩沖部件。
在垂直于所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的盤(pán)片表面的方向上，從所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的外緣到所述支撐裝置的第一距離設(shè)定為小于從盤(pán)形記錄介質(zhì)的其它部分到所述支撐裝置的第二距離。
在該支撐裝置的受到?jīng)_擊時(shí)與所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的外緣相接觸的位置具有沖擊緩沖部件。在垂直于所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的盤(pán)片表面的方向上，從所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的外緣到所述支撐裝置的第一距離設(shè)定為小于從盤(pán)形記錄介質(zhì)的其它部分到所述支撐裝置的第二距離。
沖擊緩沖部件設(shè)置成與所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的外緣互相面對(duì)。當(dāng)向所述盤(pán)形記錄介質(zhì)施加沖擊使其處于振動(dòng)之中時(shí)，所述沖擊緩沖部件與所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的外緣相接觸，從而減小了所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的振動(dòng)。
所述沖擊緩沖部件在其面對(duì)所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的外緣的部分形成有一個(gè)槽形的開(kāi)口。所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的外緣插入該槽形開(kāi)口中并保持一預(yù)定的間隔。
圖1是說(shuō)明常規(guī)磁盤(pán)片在施加沖擊時(shí)時(shí)磁頭支撐臂和磁盤(pán)片之間關(guān)系的剖面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的磁盤(pán)裝置的立體圖；圖3是構(gòu)成磁盤(pán)片的磁頭機(jī)構(gòu)的立體圖；圖4是構(gòu)成磁頭機(jī)構(gòu)的磁頭支撐臂的平面圖；圖5是說(shuō)明磁頭支撐臂和磁盤(pán)片之間關(guān)系的剖面圖；圖6是說(shuō)明磁頭支撐臂已移向起始位置的狀態(tài)的磁盤(pán)裝置平面圖；圖7是說(shuō)明磁頭支撐臂近端的剖面圖；圖8A和8B是說(shuō)明磁盤(pán)片已因施加沖擊而變形的狀態(tài)的剖面圖；圖9A和9B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方案的磁頭支撐臂和磁盤(pán)片的關(guān)系的剖面圖；圖10A和10B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方案的磁頭支撐臂和磁盤(pán)片的關(guān)系的剖面圖；圖11A和11B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方案的磁頭支撐臂和磁盤(pán)片的關(guān)系的剖面圖；圖13A和14B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施方案的磁頭支撐臂和磁盤(pán)片的關(guān)系的剖面圖；圖14A和14B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施方案的磁頭支撐臂和磁盤(pán)片的關(guān)系的剖面圖；圖12A和12B是說(shuō)明在磁頭支撐臂近端形成的凹槽的剖面圖15是根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施方案的立體圖；圖16是其平面圖；圖17是說(shuō)明磁盤(pán)裝置上設(shè)置的沖擊緩沖部件的變形的平面圖；圖18是說(shuō)明磁盤(pán)片和沖擊緩沖部件的關(guān)系的剖面圖；圖19A和19B是說(shuō)明在施加沖擊和造成磁盤(pán)片變形時(shí)磁盤(pán)片和沖擊緩沖部件的關(guān)系的剖面圖；圖22A和22B是說(shuō)明在施加沖擊和造成磁盤(pán)片變形時(shí)磁盤(pán)片和沖擊緩沖部件的關(guān)系的剖面圖；圖20A和20B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施方案的磁頭支撐臂和磁盤(pán)片的關(guān)系的剖面圖；圖21A和21B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施方案的磁頭支撐臂和磁盤(pán)片的關(guān)系的剖面圖；圖23A和23B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施方案的磁頭支撐臂和磁盤(pán)片的關(guān)系的剖面圖；圖24A和24B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第十一實(shí)施方案的磁頭支撐臂和磁盤(pán)片的關(guān)系的剖面圖；下面，結(jié)合附圖描述本發(fā)明的一些優(yōu)選實(shí)施方案。第一實(shí)施方案如圖2所示，磁盤(pán)裝置1包括構(gòu)成整個(gè)裝置主體的殼體2。在殼體2的中間部分，以相互層疊的方式設(shè)置兩個(gè)磁盤(pán)片5、5，使其信息記錄面相面對(duì)。把這些磁盤(pán)片5、5安裝成與用來(lái)驅(qū)動(dòng)它的旋轉(zhuǎn)的主軸馬達(dá)3的主軸3a一起旋轉(zhuǎn)。即，通過(guò)將主軸3a插入磁盤(pán)片的中心開(kāi)孔并由安裝在主軸3a一端的夾子4支撐，使磁盤(pán)片5、5與主軸3a一起旋轉(zhuǎn)。
磁盤(pán)片5、5的襯底用合成樹(shù)脂制成，并在磁盤(pán)片襯底的兩面上都形成信息記錄層。通過(guò)對(duì)磁介質(zhì)濺射而形成信息記錄層。用例如滴注法在信息記錄層的表面淀積潤(rùn)滑劑。每個(gè)磁盤(pán)片都是直徑3.5英寸，厚度為1.27mm。
在殼體2內(nèi)部的一角設(shè)置用來(lái)掃描由主軸馬達(dá)3帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)的盤(pán)片5的信號(hào)記錄區(qū)以記錄和/或重放信息信號(hào)的磁頭機(jī)構(gòu)10。如圖3所示，該磁頭機(jī)構(gòu)10包括用來(lái)掃描磁盤(pán)片5、5以記錄/重放信息信號(hào)的磁頭支撐臂11。該磁頭支撐臂11包括伸到磁盤(pán)片5、5上表面的第一臂12，和伸到磁盤(pán)片5、5之間的第二臂13，以及伸到磁盤(pán)片5、5下表面之下的第三臂14。第一到三臂12到14形成為其近端連結(jié)一體成為懸臂梁部分16，被支撐軸15旋轉(zhuǎn)地支撐，可轉(zhuǎn)動(dòng)地支撐磁頭支撐臂11，并從其上平行伸出且互相面對(duì)。當(dāng)如圖2所示，磁頭支撐臂11安裝在殼體2內(nèi)使其懸臂梁部分16被安裝殼體2的底座2a正上方的支撐軸15支撐時(shí)，臂12到14以面對(duì)磁盤(pán)片5、5的信號(hào)記錄面的方式伸出。
由于第一到三臂12到14以面對(duì)磁盤(pán)片5、5的信號(hào)記錄面的方式伸出，它們就在第一臂12和第二臂13之間和第三臂14之間分別形成了盤(pán)片插入槽17、18，磁盤(pán)片5、5的外緣分別插入這些槽中，如圖3和4所示。
如圖4和5所示，第一臂12的一側(cè)與彈性板22相連接，在該彈性板22的一端載有用來(lái)對(duì)上面的磁盤(pán)片的上側(cè)的信號(hào)記錄區(qū)進(jìn)行掃描的磁頭。第二臂13的兩側(cè)分別裝有彈性板24和彈性板26，在該彈性板24一端載有磁頭滑塊23，磁頭滑塊23上有用來(lái)對(duì)兩個(gè)磁盤(pán)片5、5之一的下側(cè)的信號(hào)記錄區(qū)進(jìn)行掃描的磁頭元件，而在彈性板26的一端載有磁頭滑塊25，磁頭滑塊25上有用來(lái)對(duì)另一個(gè)磁盤(pán)片的上側(cè)信號(hào)記錄區(qū)進(jìn)行掃描的磁頭元件。彈性板24和26分別與第二臂13的上表面和下表面相連。第三臂14的一端與彈性板28相連，彈性板28在其一端載有磁頭滑塊27。磁頭滑塊27上有用來(lái)對(duì)另一個(gè)磁盤(pán)片5的下側(cè)的信號(hào)記錄區(qū)進(jìn)行掃描的磁頭元件。
彈性板22、24、26、28用柔性材料如磷青銅的薄金屬板制成。這些彈性板22、24、26、28通過(guò)用例如塞釘28將其各自的近端安裝在臂12到14的一側(cè)，而與臂12到14連接起來(lái)，如圖15所示。
在磁頭支撐臂11的近端安裝用來(lái)驅(qū)動(dòng)音圈馬達(dá)31的驅(qū)動(dòng)線圈32，該音圈馬達(dá)31用來(lái)以支撐軸15為旋轉(zhuǎn)中心，沿圖3的箭頭A和B所示的方向旋轉(zhuǎn)磁頭支撐臂11。在殼體2的底座2a上安裝有與驅(qū)動(dòng)線圈32一起構(gòu)成音圈馬達(dá)31的磁鐵33。磁鐵33安裝在下磁軛34上，下磁軛34安裝在殼體2的底座2a上。上磁軛35安裝在下磁軛34之上并在驅(qū)動(dòng)線圈32之上。當(dāng)向驅(qū)動(dòng)線圈32饋入電流時(shí)，由于向驅(qū)動(dòng)線圈32施加的驅(qū)動(dòng)電流和磁鐵33的相互作用，驅(qū)動(dòng)音圈馬達(dá)32以支撐軸15為旋轉(zhuǎn)中心，沿圖3中箭頭A、B所示的方向旋轉(zhuǎn)。
為了向磁盤(pán)片5、5記錄信息信號(hào)或從磁盤(pán)片5、5上重放信息信號(hào)，在磁盤(pán)裝置的初始狀態(tài)，磁頭支撐臂11向磁盤(pán)片5、5的最內(nèi)緣轉(zhuǎn)動(dòng)，以把磁頭滑塊21、23、25和27置于磁盤(pán)片5、5內(nèi)緣側(cè)的非記錄區(qū)，如圖6所示。
下面解釋用上述磁盤(pán)裝置1進(jìn)行信息信號(hào)的記錄或重放的機(jī)理。在初始狀態(tài)下選擇記錄或重放信息信號(hào)的記錄模式或重放模式，磁頭支撐臂11旋轉(zhuǎn)到磁盤(pán)片5、5的最內(nèi)緣側(cè)，使得磁頭滑塊21、23、25和27處于磁盤(pán)片5、5內(nèi)緣側(cè)的非記錄區(qū)，如圖6所示。此時(shí)，磁頭滑塊21、23、25、27與相關(guān)磁盤(pán)片5、5的信號(hào)記錄面相接觸。
如果選擇了記錄模式或重放模式，主軸馬達(dá)3旋轉(zhuǎn)，從而磁盤(pán)片5、5沿圖2和6中的箭頭R1所示的方向旋轉(zhuǎn)。當(dāng)磁盤(pán)片5、5旋轉(zhuǎn)時(shí)，由于磁盤(pán)片5、5的信號(hào)記錄面和磁頭滑塊21、23、25、27之間產(chǎn)生的空氣流，磁頭滑塊21、23、25、27浮在磁盤(pán)片5、5的信號(hào)記錄面上，從而使磁頭元件與磁盤(pán)片5、5的信號(hào)記錄而脫離接觸。此時(shí)，向音圈馬達(dá)31的驅(qū)動(dòng)線圈32施加驅(qū)動(dòng)電流，造成磁頭支撐臂11以支撐軸15為旋轉(zhuǎn)中心沿圖6中的箭頭A方向旋轉(zhuǎn)。當(dāng)磁頭支撐臂11沿圖6箭頭A所示方向旋轉(zhuǎn)時(shí)，設(shè)置在磁頭滑塊21、23、25、27上的磁頭元件掃描磁盤(pán)片5、5的信號(hào)記錄區(qū)以記錄和/或重放信息信號(hào)。
在根據(jù)本發(fā)明的磁盤(pán)裝置1中，如圖4所示，在構(gòu)成供盤(pán)片外緣插入的盤(pán)片插入槽17的第一臂12和第二臂13的內(nèi)表面的近端，以使盤(pán)片插入槽17的寬度減小的方式形成突出部分37、38。而且還在構(gòu)成供另一個(gè)盤(pán)片的外緣插入的盤(pán)片插入槽18的第二臂13和第三臂14的內(nèi)表面的近端，以使盤(pán)片插入槽18的寬度減小的方式形成突出部分39、40，如圖4所示。
關(guān)于突起部分37到40以使盤(pán)片插入槽17和18的寬度減小的方式形成，下面詳細(xì)解釋這種方式。
如圖7所示，設(shè)置在第一和第二臂12和13近端上的突起部分37、38，形成為與插入盤(pán)片插入槽17的磁盤(pán)片5的外緣重合有大約為2mm的W1的長(zhǎng)度。盤(pán)片5外緣的上述大約2mm的W1長(zhǎng)度的區(qū)域是盤(pán)片外緣的非記錄區(qū)。
以這種方式設(shè)置突起部分37、38，那么磁盤(pán)片5的外緣端5a處與臂12、13的內(nèi)表面在垂直方向上的第一距離D1就比磁盤(pán)片5內(nèi)側(cè)的信號(hào)記錄區(qū)與臂12、13的未設(shè)置突起部分37、38的內(nèi)表面之間的垂直方向上第二距離D2小。
臂12、13的設(shè)有突起部分37、38的部分的間距約為1.9mm，而其它部分約為2.47mm。
(沖擊試驗(yàn))對(duì)如上所述的磁盤(pán)裝置1進(jìn)行沖擊試驗(yàn)。
在與前述常規(guī)磁盤(pán)裝置的沖擊試驗(yàn)相同的條件下進(jìn)行沖擊試驗(yàn)。也就是說(shuō)，在本沖擊試驗(yàn)中，使用常規(guī)的沖擊試驗(yàn)機(jī)。本試驗(yàn)使用的沖擊試驗(yàn)機(jī)是降落型的，即使被測(cè)試的物品降落，通過(guò)改變位于降落地的彈性物如橡膠物的硬度和形狀來(lái)改變所加加速?zèng)_擊的大小。在本試驗(yàn)中，例如所施加的100～300G的沖擊具有的波形為2m/s正弦波的半個(gè)周期。為了檢查是否對(duì)磁盤(pán)片的信息記錄面造成損傷，使用了顯微鏡。
對(duì)磁盤(pán)裝置沖擊試驗(yàn)的結(jié)果示于表2。
表2
表2中的符號(hào)表示○有損壞×無(wú)損壞？不易確定是否損壞表2中的半徑表示從磁盤(pán)片105中心算起的信息記錄面的位置。
從表2的結(jié)果可以看出，由于與磁頭支撐臂的接觸造成的磁盤(pán)片5的損傷只在磁盤(pán)片5的外緣端的端部5a處觀察到。由此可以看出，對(duì)磁盤(pán)裝置的損傷大大小于常規(guī)磁盤(pán)裝置。尤其值得指出的是，在磁盤(pán)片5的信號(hào)記錄區(qū)沒(méi)有損傷。這表明，與常規(guī)磁盤(pán)裝置相比，本發(fā)明的磁盤(pán)裝置更加耐沖擊。
應(yīng)當(dāng)注意，在本發(fā)明的磁盤(pán)裝置中，磁盤(pán)片5的外緣端5a處與臂12、13的內(nèi)表面在垂直方向上的第一距離D1就比磁盤(pán)片5內(nèi)側(cè)的信號(hào)記錄區(qū)與臂12、13的未設(shè)置突起部分37、38的內(nèi)表面之間的垂直方向上第二距離D2小。
在具有上述構(gòu)造的情況下，如果施加沖擊如將重物落在裝置上，磁盤(pán)片5振動(dòng)并因而變形，使其開(kāi)始與磁頭支撐臂11的第一和第二臂12、13接觸，如圖8A所示。一小段時(shí)間后，磁盤(pán)片5嚴(yán)重變形。但是，由于磁盤(pán)片5的外緣端5a與突起部分37、38相接并被其支撐，其內(nèi)緣部分可以保持與第一和第二臂12、13免于接觸，從而使其與臂12、13的內(nèi)表面相隔離。也即，磁盤(pán)片5的載有信號(hào)記錄區(qū)的部分與第一和第二臂12、13保持不接觸，該部分與磁頭支撐臂11不接觸，所以可保證對(duì)信號(hào)記錄區(qū)的可靠保護(hù)。第二實(shí)施方案下面解釋本發(fā)明的第二實(shí)施方案。
由于此磁盤(pán)裝置基本結(jié)構(gòu)與上述第一實(shí)施方案相同，故在此只介紹與其不同的部分。
在此磁盤(pán)裝置1中，彈性的沖擊吸收部件50、50設(shè)置在第一臂12和第二臂13的相對(duì)內(nèi)表面的近端，該第一臂12和第二臂13構(gòu)成供盤(pán)片的外緣部分插入的盤(pán)片插入槽17中，如圖9所示。這些彈性部件50、50設(shè)置為埋入在第一端12和第二端13的近端形成的槽51、51中，使得該沖擊吸收部件50、50與第二臂12和第二臂13的相對(duì)的內(nèi)表面齊平。
該沖擊吸收部件50、50設(shè)置為與插入盤(pán)片插入槽17的磁盤(pán)片5的外緣部分在大約2mm的W1長(zhǎng)度的區(qū)域內(nèi)重合。
在構(gòu)成另一盤(pán)片插入槽18的第二臂13和第三臂14的相對(duì)的內(nèi)表面的近端，也設(shè)置了沖擊吸收部件50、50，雖然圖中未示出。
沖擊吸收部件50、50可以是粘彈性部件或PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)膜、橡膠彈性部件、POM或聚四氟乙烯(特弗隆Teflon)、或樹(shù)脂如PET、PEN(聚萘二甲酸乙二酯)或聚酰亞胺的模壓成形件，各具有雙結(jié)構(gòu)，厚125μm。象這些不會(huì)包含氣體的材料都可用作構(gòu)成沖擊吸收部件50、50的材料，氣體會(huì)摩擦磁盤(pán)片5的信號(hào)記錄層或磁頭元件。在該磁盤(pán)裝置1中，磁盤(pán)片5或磁頭機(jī)構(gòu)10收存在基本氣密性地密封的殼體2中，從而如果在殼體2中出現(xiàn)了可能影響磁盤(pán)片5或磁頭元件的氣體，該氣體將被殼體吸收。這是由于必須減少這種不期望的氣體的產(chǎn)生。(沖擊試驗(yàn))試驗(yàn)了沖擊對(duì)設(shè)置有上述沖擊吸收部件50、50的磁盤(pán)裝置1的影響。該沖擊試驗(yàn)是在與上述第一實(shí)施方案的沖擊試驗(yàn)相同的條件下進(jìn)行的，結(jié)果示于表3。
表3
在此磁盤(pán)裝置1中，如果所施加的加速?zèng)_擊不高于250G，在磁盤(pán)片5的上表面觀察不到損傷?？梢钥闯鲞@種磁盤(pán)裝置的抗損傷性優(yōu)于常規(guī)的磁盤(pán)裝置。如果在此磁盤(pán)裝置中，沖擊繼續(xù)增大至300G，在距磁盤(pán)片上表面的中心44mm以內(nèi)的區(qū)域內(nèi)幾乎觀察不到任何損傷。
對(duì)于施加到該磁盤(pán)裝置1上的沖擊，信號(hào)記錄表面損壞較小的原因如下如果向磁盤(pán)裝置1施加沖擊，磁盤(pán)片5的外緣側(cè)端部5a與第一臂12和第二臂13的內(nèi)表面接觸，如圖9A所示。但是，磁盤(pán)片5的振動(dòng)能被設(shè)置在接觸部分的沖擊吸收部件50、50吸收，轉(zhuǎn)化為沖擊吸收部件的變形能或熱能。由此減小了磁盤(pán)片5的振動(dòng)幅度，以限制接觸區(qū)向磁盤(pán)片5中心的拓寬。通過(guò)形成彈性材料的沖擊吸收部件50、50，可以減小磁盤(pán)片5的接觸部分的損傷。
由于在磁盤(pán)片5的接觸部分設(shè)置由彈性材料構(gòu)成的沖擊吸收部件50、50，磁盤(pán)片5的振動(dòng)能可以被在接觸部分設(shè)置的沖擊吸收部件50、50吸收。所吸收的振動(dòng)能轉(zhuǎn)化為沖擊吸收部件50、50的變形能或熱能。由于可減小磁盤(pán)片5振動(dòng)的幅度，以限制接觸區(qū)向磁盤(pán)片5的中央部分?jǐn)U展，如圖9B所示。而且由于沖擊吸收部件50、50由彈性材料制成，可以減小磁盤(pán)片5的與沖擊吸收部件接觸部分的損傷。
在此磁盤(pán)裝置1中，在其與磁盤(pán)片5接觸的部分設(shè)置由彈性材料制成的沖擊吸收部件50、50，由此可以吸收磁盤(pán)片5和沖擊吸收部件50、50碰撞引起的振動(dòng)能，并能迅速使磁盤(pán)片5的振動(dòng)止動(dòng)。而且，彈性材料制成的吸收部件50、50比磁盤(pán)片更容易變形，可有效地防止磁盤(pán)片5的損傷，而且，如上述第一實(shí)施方案那樣，由于可以防止磁盤(pán)片5的信號(hào)記錄區(qū)與磁頭支撐臂的直接接觸，可以可靠地保護(hù)信號(hào)記錄區(qū)。第三實(shí)施方案下面解釋本發(fā)明的第三實(shí)施方案。
由于此磁盤(pán)裝置基本結(jié)構(gòu)與上述第一實(shí)施方案相同，故在此只介紹與其不同的部分。
在此磁盤(pán)裝置1中，如圖10A和10B所示，以使盤(pán)片插入槽17、18之間的間距減小的方式，形成由沖擊吸收部件55構(gòu)成的突起部分37、38、39、40。
也就是說(shuō)，在形成用來(lái)減小盤(pán)片插入槽17、18間距的突起部分37、38、39、40的臂的那部分上，設(shè)置與突起部分37、38、39、40的高度基本相同的沖擊吸收部件。
如圖10A所示，在第一臂12和第二臂13的近端的相對(duì)的面上設(shè)置沖擊吸收部件55、55，使其與插入盤(pán)片插入槽17的盤(pán)片5在大約2mm的W1長(zhǎng)度的范圍內(nèi)彼此互相面對(duì)。
以這種方式設(shè)置沖擊吸收部件55，那么磁盤(pán)片5的外緣端5a處與臂12、13的內(nèi)表面在垂直方向上的第一距離D1就比磁盤(pán)片5內(nèi)側(cè)的信號(hào)記錄區(qū)與臂12、13的未設(shè)置突起部分37、38的內(nèi)表面之間的垂直方向上第二距離D2小。
設(shè)有沖擊吸收部件55、55的部分的間距D5約為1.97mm，而在其相反側(cè)的端部的D4約為2.47mm。(沖擊試驗(yàn))試驗(yàn)了沖擊對(duì)設(shè)置有上述沖擊吸收部件50、50的磁盤(pán)裝置1的影響。該沖擊試驗(yàn)是在與上述第一實(shí)施方案的沖擊試驗(yàn)相同的條件下進(jìn)行的，結(jié)果示于表4。
表4
在此第三實(shí)施方案的磁盤(pán)裝置1中，在磁盤(pán)片5的內(nèi)緣到外緣的整個(gè)表面上沒(méi)觀察到損傷。而且，與第一和第二實(shí)施方案的磁盤(pán)裝置不同的是，即使在磁盤(pán)片5的外緣端5a處也沒(méi)有發(fā)現(xiàn)損傷?？梢钥闯觯藘?yōu)選方案的磁盤(pán)裝置的抗損傷性大大優(yōu)于常規(guī)的磁盤(pán)裝置。而且，即使施加多達(dá)300G的加速?zèng)_擊，也未在磁盤(pán)片5上觀察到損傷。
之所以此第三實(shí)施方案的磁盤(pán)裝置1在幾乎整個(gè)表面上可以防止因沖擊而產(chǎn)生的損傷，其原因在于當(dāng)向磁盤(pán)裝置1施加沖擊如落下重物時(shí)，磁盤(pán)片5振動(dòng)并變形而與磁頭支撐臂1的第一臂12或第二臂13接觸，如圖10A所示，其振動(dòng)能被沖擊吸收部件55、55吸收，而且，如圖10B所示，磁盤(pán)片5的除未設(shè)置信號(hào)記錄區(qū)的外邊緣部分之外的其它部分不與臂12或13接觸。
施加比對(duì)第一到第三實(shí)施方案以及常規(guī)磁盤(pán)裝置施加的沖擊更大的沖擊，即500G的沖擊，進(jìn)行測(cè)試，結(jié)果示于表5。
表5
從表5的結(jié)果可看出，第一和第二實(shí)施方案的磁盤(pán)片5，在施加300G沖擊時(shí)，除外緣端5a以外的內(nèi)緣信號(hào)記錄區(qū)幾乎沒(méi)有任何損傷；但在施加500G的沖擊時(shí)，在距磁盤(pán)片中心徑向40mm附近的信號(hào)記錄區(qū)上有損傷。在第三實(shí)施方案的磁盤(pán)裝置中，即使在沖擊高達(dá)500G時(shí)也沒(méi)有在除磁盤(pán)片5的外緣端5a之外的信號(hào)記錄區(qū)發(fā)現(xiàn)損傷。
由此可見(jiàn)，與第一或第二實(shí)施方案的磁盤(pán)裝置相比，第三實(shí)施方案更能減少磁盤(pán)片5的損傷。第四實(shí)施方案下面解釋本發(fā)明的磁盤(pán)裝置的第四實(shí)施方案。
由于此磁盤(pán)裝置與上述第一實(shí)施方案的基本結(jié)構(gòu)相同，故在此只介紹與其不同的部分。
在此磁盤(pán)裝置1中，如圖11B所示，在構(gòu)成可供磁盤(pán)片5的外緣插入的盤(pán)片插入槽17的第一臂12和第二臂13的近端的相對(duì)的部分，形成截面為“V”型的凹槽61，以縮小臂的面對(duì)磁盤(pán)片5的外緣端5a的部分的間距；在構(gòu)成盤(pán)片插入槽18的第二臂13和第三臂14的近端的相對(duì)的部分成形“V”型凹槽61，從而使只有磁盤(pán)片5的外緣端5a與凹槽61的傾斜面61a、61b點(diǎn)接觸。
如圖12A所示，凹槽61的傾斜面61a、61b的傾角設(shè)置為與磁盤(pán)片5的水平面夾角不小于45°。通過(guò)設(shè)置傾斜面61a、61b，在磁盤(pán)片5的外緣端5a與傾斜面61a、61b接觸時(shí)可以避免傾斜面61a、61b與磁盤(pán)片5的載有信號(hào)記錄層的表面相接觸。具體而言，磁盤(pán)片的外緣端5a通常被切成45°，與傾斜面61a、61b接觸的是該切斜的部分。
如果相反地，如圖12B所示，構(gòu)成槽61的傾斜面61a、61b與磁盤(pán)片5的水平面的夾角小于45°，則可能有以下危險(xiǎn)，即磁盤(pán)片5的外側(cè)緣5a的切除部分會(huì)與傾斜面61a、61b相接觸，導(dǎo)致載有信號(hào)記錄層的磁盤(pán)片5的表面與傾斜面61a、61b相接觸。
通過(guò)在構(gòu)成磁盤(pán)片插入槽17的第一臂12和第二臂13的近端的相面對(duì)的部分形成“V”形截面的槽，在磁盤(pán)片的外緣端5a附近的區(qū)域，第一和第二臂12、13的內(nèi)表面之間的第一間距D6，比磁盤(pán)片5的載有信號(hào)記錄區(qū)的不面對(duì)槽61的內(nèi)側(cè)部分的兩內(nèi)表面的第二間距D7小。
間距D6約為1.9mm，間距D7約為2.47mm。由于磁盤(pán)片5的厚度為1.27mm，在磁盤(pán)片5的外緣端5a處，傾斜面61a或61b與磁盤(pán)片5的表面之間的間距約為0.3mm，而在磁盤(pán)片5的其它部分，該間距約為0.6mm。(沖擊試驗(yàn))試驗(yàn)了沖擊對(duì)磁盤(pán)裝置1的影響。該磁盤(pán)裝置1在構(gòu)成可供磁盤(pán)片5的外緣插入的盤(pán)片插入槽17或18的第一臂12和第二臂13，或第二臂13和第三臂14的近端的相對(duì)的部分，形成截面為“V”型的凹槽61，以縮小臂的傾斜面61a或61b與磁盤(pán)片5的外緣端5a的部分的間距。該沖擊試驗(yàn)是在與上述第一實(shí)施方案的沖擊試驗(yàn)相同的條件下進(jìn)行的，結(jié)果示于表6。
表6
從結(jié)果可以看出，在磁盤(pán)片5的內(nèi)緣到外緣的整個(gè)表面上沒(méi)觀察到損傷。
原因在于磁盤(pán)片5的外緣端5a與構(gòu)成凹槽61的傾斜面61a或61b之間的間距被縮小，從而使得在向磁盤(pán)裝置1施加沖擊以使其振動(dòng)時(shí)，外緣端5a馬上被傾斜面61a或61b支撐住，由此減小了振動(dòng)的幅度。第五實(shí)施方案下面解釋本發(fā)明的第五實(shí)施方案。
在此磁盤(pán)裝置1中，在構(gòu)成磁盤(pán)片插入槽17的第一臂12和第二臂13的近端的相面對(duì)的部分形成的“V”形截面槽61的各傾斜面61a、61b上，形成沖擊緩沖部件62，該部件62由與上述第二實(shí)施方案所用的部件相同的材料制成。這些沖擊緩沖部件62埋入在傾斜面61a、61b上形成的凸槽62a中。(沖擊試驗(yàn))
試驗(yàn)了沖擊對(duì)設(shè)置有上述沖擊吸收部件62的磁盤(pán)裝置1的影響。該沖擊試驗(yàn)是在與上述第一實(shí)施方案的沖擊試驗(yàn)相同的條件下進(jìn)行的，結(jié)果示于表7。
表7
在此磁盤(pán)裝置1中，如果所施加的加速?zèng)_擊不高于250G，在磁盤(pán)片5的上表面觀察到很少的損傷?？梢钥闯鲞@種磁盤(pán)裝置的抗損傷性優(yōu)于常規(guī)的磁盤(pán)裝置。如果在此磁盤(pán)裝置1中，沖擊繼續(xù)增大至300G，在距磁盤(pán)片上表面的中心44mm以內(nèi)的區(qū)域內(nèi)幾乎觀察不到任何損傷。
對(duì)于施加到該磁盤(pán)裝置1上的沖擊，信號(hào)記錄表面損壞很少的原因如下如果向磁盤(pán)裝置1施加沖擊，磁盤(pán)片5的外緣側(cè)端部5a與“V”形截面槽61的各傾斜面61a、61b接觸。但是，磁盤(pán)片5的振動(dòng)能被設(shè)置在接觸部分的沖擊吸收部件62吸收，轉(zhuǎn)化為沖擊吸收部件62的變形能或熱能。由此減小了磁盤(pán)片5的振動(dòng)幅度，以限制接觸區(qū)向磁盤(pán)片5中心的拓寬。通過(guò)形成彈性材料的沖擊吸收部件62，可以減小磁盤(pán)片5的接觸部分的損傷。
由于在磁盤(pán)片5的接觸部分設(shè)置由彈性材料構(gòu)成的沖擊吸收部件62，磁盤(pán)片5的振動(dòng)能可以被在接觸部分設(shè)置的沖擊吸收部件62吸收以使磁盤(pán)片5停止振動(dòng)。而且由于沖擊吸收部件62由彈性材料制成，可以減小磁盤(pán)片5的與沖擊吸收部件接觸部分的損傷。而且，如上述第四實(shí)施方案那樣，由于可以防止磁盤(pán)片5的信號(hào)記錄區(qū)與磁頭支撐臂的接觸，可以可靠地保護(hù)信號(hào)記錄區(qū)。第六實(shí)施方案下面解釋本發(fā)明的第六實(shí)施方案。
在此磁盤(pán)裝置1中，在構(gòu)成磁盤(pán)片插入槽17的第一臂12和第二臂13的近端的相面對(duì)的部分形成的“V”形截面槽61的各傾斜面61a、61b上，形成沖擊緩沖部件62，該部件62由與上述第二實(shí)施方案所用的部件相同的材料制成。這些沖擊緩沖部件62被粘結(jié)為整個(gè)覆蓋傾斜面61a、61b。
在此優(yōu)選方案中，如上所述，通過(guò)設(shè)置沖擊緩沖部件62覆蓋在構(gòu)成磁盤(pán)片插入槽17的第一臂12和第二臂13的近端的相面對(duì)的部分形成的“V”形截面槽的各傾斜面61a、61b，在磁盤(pán)片的外緣端5a附近的區(qū)域，第一和第二臂12、13的內(nèi)表面之間的第一間距D8，比磁盤(pán)片5的載有信號(hào)記錄區(qū)的不面對(duì)槽61的內(nèi)側(cè)部分處相應(yīng)的第一和第二臂12、13的內(nèi)表面之間的第二間距小。(沖擊試驗(yàn))試驗(yàn)了沖擊對(duì)設(shè)置有覆蓋傾斜面61a、61b的沖擊吸收部件62的上述磁盤(pán)裝置1的影響。該沖擊試驗(yàn)是在與上述第一實(shí)施方案的沖擊試驗(yàn)相同的條件下進(jìn)行的，結(jié)果示于表8。
表8
從表8的結(jié)果可以看出，在該磁盤(pán)裝置1中，在磁盤(pán)片5的內(nèi)緣到外緣的整個(gè)表面上沒(méi)觀察到損傷。而且，即使在磁盤(pán)片5的外緣端5a處也沒(méi)有發(fā)現(xiàn)損傷?？梢钥闯?，此優(yōu)選方案的磁盤(pán)裝置的抗損傷性大大優(yōu)于常規(guī)的磁盤(pán)裝置。而且，即使施加多達(dá)300G的加速?zèng)_擊，也未在磁盤(pán)片5上觀察到損傷。
施加比對(duì)第四到第六實(shí)施方案以及常規(guī)磁盤(pán)裝置施加的沖擊更大的沖擊，即500G的沖擊，進(jìn)行測(cè)試，結(jié)果示于表9。
表9
從表9的結(jié)果可看出，第四和第五實(shí)施方案的磁盤(pán)片5，在施加300G沖擊時(shí)，除外緣端5a以外的內(nèi)緣信號(hào)記錄區(qū)幾乎沒(méi)有任何損傷；但在施加500G的沖擊時(shí)，在距磁盤(pán)片中心徑向40mm附近的信號(hào)記錄區(qū)上有損傷。在第三實(shí)施方案的磁盤(pán)裝置中，即使在沖擊高達(dá)500G時(shí)也沒(méi)有在除磁盤(pán)片5的外緣端5a之外的信號(hào)記錄區(qū)發(fā)現(xiàn)損傷。
由此可見(jiàn)，與第四或第五實(shí)施方案的磁盤(pán)裝置相比，第六實(shí)施方案更能減少磁盤(pán)片5的損傷。第七實(shí)施方案下面解釋本發(fā)明的第七實(shí)施方案。
由于此磁盤(pán)裝置基本結(jié)構(gòu)與上述第一實(shí)施方案相同，故在此只介紹與其不同的部分。
在此磁盤(pán)裝置1中，如圖15所示，在殼體2的底座2a上設(shè)置沖擊緩沖部件71，該部件71以環(huán)繞磁盤(pán)片5、5的外緣端5a、5a的形式形成，該磁盤(pán)片5、5安裝為與主軸馬達(dá)3的主軸3a一起旋轉(zhuǎn)。如圖16所示，該沖擊緩沖部件71環(huán)繞磁盤(pán)片5、5的外緣端5a、5a而設(shè)置，但是使掃描磁盤(pán)片5、5的信號(hào)記錄區(qū)的磁頭機(jī)構(gòu)的磁頭支撐臂11旋轉(zhuǎn)的那部分區(qū)域除外。
雖然在圖15和16所示的實(shí)施方案中，沖擊緩沖部件71具有整體的不間斷的結(jié)構(gòu)，但也可以是分段的、沿磁盤(pán)片5的外緣端分布的結(jié)構(gòu)。但磁頭支撐臂11旋轉(zhuǎn)的區(qū)域除外。在這種情況下，在三個(gè)位置設(shè)置沖擊緩沖部件，具體指，磁盤(pán)片5的直徑的兩端的位置，以及關(guān)于盤(pán)片圓心與支撐軸5相對(duì)的位置，該支撐軸5旋轉(zhuǎn)地支撐磁頭支撐臂11。
沖擊緩沖部件71由比磁盤(pán)片5的盤(pán)片襯底更柔軟的材料制成。例如，沖擊緩沖部件71由合成樹(shù)脂，如聚縮醛樹(shù)脂或特弗隆(商品名)制成。
在沖擊緩沖部件71上設(shè)置有一對(duì)“U”形截面的槽72、72，與主軸3a一體旋轉(zhuǎn)的磁盤(pán)片5、5的外緣端5a、5a插入該槽72、72中。這些槽在沖擊緩沖部件71的與磁盤(pán)片5、5相對(duì)的表面上形成。磁盤(pán)片5、5與插入槽72、72的外緣端5a、5a一體地旋轉(zhuǎn)。
如圖19A所示，在沖擊緩沖部件71上設(shè)置的每個(gè)槽72，都設(shè)計(jì)成使面對(duì)磁盤(pán)片5、5的外緣端的上、下表面72a、72b的間距D9，比相互面對(duì)的中間夾有磁盤(pán)片5、5的第一和第二臂12、13的間距或第二和第三臂13、14的間距D10小。
第一間距D1約為1.9mm，而第二間距D2約為2.47mm。
如圖18所示，沖擊緩沖部件71與磁盤(pán)片5的外緣重合有大約為2mm的W1的長(zhǎng)度。盤(pán)片5外緣的上述大約2mm的W1長(zhǎng)度的區(qū)域是盤(pán)片外緣的非記錄區(qū)。重合的目的在于，即使磁盤(pán)片5振動(dòng)使得其外緣與沖擊緩沖部件71接觸，也可以防止內(nèi)緣的信號(hào)記錄區(qū)與沖擊緩沖部件71相接觸。
在垂直方向上磁頭支撐臂12、13和14和磁盤(pán)片5的各個(gè)盤(pán)面5a、5b的距離約為約0.6mm，而沖擊緩沖部件71的上、下表面72a、72b和磁盤(pán)片5的各個(gè)盤(pán)面5a、5b的距離約為0.35mm。(沖擊試驗(yàn))
試驗(yàn)了沖擊對(duì)在磁盤(pán)片5的外緣設(shè)置有沖擊緩沖部件71的上述磁盤(pán)裝置1的影響。該沖擊試驗(yàn)是在與上述第一實(shí)施方案的沖擊試驗(yàn)相同的條件下進(jìn)行的，結(jié)果示于表10。
表10
從表2的結(jié)果可以看出，在該磁盤(pán)裝置1中，即使所施加的加速?zèng)_擊高于150G，損傷也只在磁盤(pán)片5的外緣端的端部5a處觀察到，而在磁盤(pán)片5內(nèi)緣的信號(hào)記錄區(qū)沒(méi)有損傷。因此，即使施加沖擊，安裝在磁盤(pán)裝置1上的磁盤(pán)片5內(nèi)緣的信號(hào)記錄區(qū)也不會(huì)受到損傷。
對(duì)于施加到該磁盤(pán)裝置1上的沖擊，信號(hào)記錄表面損壞很少的原因如下如果向磁盤(pán)裝置1施加沖擊，如圖19A所示，磁盤(pán)片5的外緣與沖擊緩沖部件71的上、下表面72a、72b接觸，但是，磁盤(pán)片5的振動(dòng)能被設(shè)置在接觸部分的沖擊吸收部件71吸收，轉(zhuǎn)化為沖擊吸收部件71的變形能或熱能。由此減小了磁盤(pán)片5的振動(dòng)幅度，以限制接觸區(qū)向磁盤(pán)片5中心的拓寬，如圖19B所示。而且由于沖擊吸收部件71由彈性材料制成，可以減小磁盤(pán)片5的與沖擊吸收部件71接觸部分的損傷。第八實(shí)施方案下面解釋本發(fā)明的第八實(shí)施方案。
此磁盤(pán)裝置1與上述第七實(shí)施方案的差別在于，如圖20A和20B所示，在面對(duì)磁盤(pán)片5的表面5b、5c的槽72的上、下表面72a、72b上，設(shè)置有彈性部件73、73。
彈性部件73可以是粘彈性部件或PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)膜、橡膠彈性部件、POM或聚四氟乙烯(特弗隆Teflon)、或樹(shù)脂如PET、PEN(聚萘二甲酸乙二酯)或聚酰亞胺的模壓成形件，各具有雙結(jié)構(gòu)，厚125μm。象這些不會(huì)包含氣體的材料都可用作構(gòu)成彈性部件73的材料。
如果如上所述地設(shè)置彈性部件73、73。各彈性部件73之間的間距D9比相互面對(duì)的中間夾有磁盤(pán)片5、5的第一和第二臂12、13的間距或第二和第三臂13、14的間距D10小。換言之，在臂12到14的面對(duì)盤(pán)片外緣端5a的區(qū)域的第一間距D9，比臂12到14的面對(duì)盤(pán)片5的信號(hào)記錄表面的區(qū)域的第二間距D10小。
間距D9約為1.9mm，間距D10約為2.47mm。(沖擊試驗(yàn))試驗(yàn)了沖擊對(duì)在沖擊緩沖部件71上的槽72的上、下表面72a、72b上，設(shè)置有彈性部件73的上述磁盤(pán)裝置1的影響。該沖擊試驗(yàn)是在與上述第一實(shí)施方案的沖擊試驗(yàn)相同的條件下進(jìn)行的，結(jié)果示于表10。
表10
從表11的結(jié)果可以看出，在該磁盤(pán)裝置1中，在磁盤(pán)片5的內(nèi)緣到外緣的整個(gè)表面上沒(méi)觀察到損傷。而且，即使在磁盤(pán)片5的外緣端5a處也沒(méi)有發(fā)現(xiàn)損傷。可以看出，此優(yōu)選方案的磁盤(pán)裝置的抗損傷性大大優(yōu)于常規(guī)的磁盤(pán)裝置。而且，即使施加多達(dá)300G的加速?zèng)_擊，也未在磁盤(pán)片5上觀察到損傷。
之所以此第八實(shí)施方案的磁盤(pán)裝置1在幾乎整個(gè)表面上可以防止因沖擊而產(chǎn)生的損傷，其原因在于當(dāng)向磁盤(pán)裝置1施加沖擊如落下重物時(shí)，磁盤(pán)片5振動(dòng)并變形而與槽72的的上、下表面72a、72b接觸，如圖20A所示，不僅其振動(dòng)能被彈性部件73吸收，而且，如圖20B所示，也可防止磁盤(pán)片5的除未設(shè)置信號(hào)記錄區(qū)的外邊緣部分之外的其它部分與臂12或13接觸。
施加比對(duì)第七到第八實(shí)施方案或常規(guī)磁盤(pán)裝置施加的沖擊更大的沖擊，即500G的沖擊，進(jìn)行測(cè)試，結(jié)果示于表12。
表12
從表12的結(jié)果可看出，第七到第八實(shí)施方案的磁盤(pán)片5，在施加500G的沖擊時(shí)，在距磁盤(pán)片中心徑向40mm附近的信號(hào)記錄區(qū)上有損傷。在第三實(shí)施方案的磁盤(pán)裝置中，即使在沖擊高達(dá)500G時(shí)也沒(méi)有在除磁盤(pán)片5的外緣端5a之外的信號(hào)記錄區(qū)發(fā)現(xiàn)損傷。由此可見(jiàn)，第八實(shí)施方案更能減少磁盤(pán)片5的損傷。第九實(shí)施方案下面解釋本發(fā)明的磁盤(pán)裝置的第九實(shí)施方案。
在此磁盤(pán)裝置1的優(yōu)選實(shí)施方案中，在上述沖擊緩沖部件上設(shè)置了具有“V”形截面的槽，如圖21A所示。
如圖21B所示，槽82的傾斜面82a、82b的傾角設(shè)置為與磁盤(pán)片5的水平面夾角不小于45°。通過(guò)設(shè)置傾斜面82a、82b，在磁盤(pán)片5的外緣端5a與傾斜面82a、82b接觸時(shí)可以避免傾斜面82a、82b與磁盤(pán)片5的載有信號(hào)記錄層的表面相接觸。具體而言，如圖21B所示，磁盤(pán)片的外緣端5a通常被切成45°，與傾斜面82a、82b接觸的是該切斜的部分。
如果相反地，如圖21C所示，構(gòu)成槽82的傾斜面82a、82b與磁盤(pán)片5的水平面的夾角小于45°，則可能有以下危險(xiǎn)，即磁盤(pán)片5的外側(cè)緣5a的切除部分會(huì)與傾斜面82a、82b相接觸，導(dǎo)致載有信號(hào)記錄層的磁盤(pán)片5的表面與傾斜面82a、82b相接觸。
通過(guò)在構(gòu)成磁盤(pán)片插入槽82的第一臂12和第二臂13的近端的相面對(duì)的部分形成“V”形截面的槽，在磁盤(pán)片的外緣端5a附近的區(qū)域，第一和第二臂12、13的內(nèi)表面之間的第一間距D11，比磁盤(pán)片5的載有信號(hào)記錄區(qū)的不面對(duì)槽82的內(nèi)側(cè)部分的兩內(nèi)表面的第二間距D12小。
在磁盤(pán)片的外緣端5a附近的區(qū)域，第一和第二臂12、13的內(nèi)表面之間的第一間距D11約為1.9mm，磁盤(pán)片5的載有信號(hào)記錄區(qū)的不面對(duì)槽82的內(nèi)側(cè)部分的第一和第二臂12、13的內(nèi)表面之間的第二間距D12約為2.47mm。由于磁盤(pán)片5的厚度為1.27mm，在磁盤(pán)片5的外緣端5a處，傾斜面82a或82b與磁盤(pán)片5的表面之間的間距約為0.3mm(沖擊試驗(yàn))試驗(yàn)了沖擊對(duì)磁盤(pán)裝置1的影響。該磁盤(pán)裝置1在可供磁盤(pán)片5的外緣插入的槽上的沖擊緩沖部件上設(shè)置了具有“V”形截面的槽82，該沖擊試驗(yàn)是在與上述第一實(shí)施方案的沖擊試驗(yàn)相同的條件下進(jìn)行的，結(jié)果示于表13。
表13
從結(jié)果可以看出，在磁盤(pán)片5的內(nèi)緣到外緣的整個(gè)表面上沒(méi)觀察到損傷。
原因在于磁盤(pán)片5的外緣端5a與槽82的傾斜面82a或82b之間的間距被縮小，從而使得在向磁盤(pán)裝置1施加沖擊以使其振動(dòng)時(shí)，如圖22B所示，外緣端5a馬上被傾斜面82a或82b支撐住，由此減小了振動(dòng)的幅度，以防止磁盤(pán)片5的信號(hào)記錄區(qū)與臂12到14相接觸。第十實(shí)施方案下面解釋本發(fā)明的第十實(shí)施方案。
在此磁盤(pán)裝置，如圖23A和23B所示，在構(gòu)成供在磁盤(pán)片5的外緣端5a插入的磁盤(pán)片插入槽82傾斜面82a、82b上，設(shè)置有彈性部件83、83。
彈性部件83可以是粘彈性部件或PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)膜、橡膠彈性部件、POM或聚四氟乙烯(特弗隆Teflon)、或樹(shù)脂如PET、PEN(聚萘二甲酸乙二酯)或聚酰亞胺的模壓成形件，各具有雙結(jié)構(gòu)，厚125μm。象這些不會(huì)包含氣體的材料都可用作構(gòu)成彈性部件83的材料。
面對(duì)的磁盤(pán)片5的外緣端5a的各彈性部件83之間的間距D13設(shè)置為，與相互面對(duì)的中間夾有磁盤(pán)片5、5的第一和第二臂12、13的間距或第二和第三臂13、14的間距D14相等。具體地說(shuō)，彈性部件到盤(pán)片外緣端5a的間距、第一和第二臂12、13的間距或第二和第三臂13、14的間距約為0.6mm。(沖擊試驗(yàn))試驗(yàn)了沖擊對(duì)在槽82的傾斜面82a、82b上，設(shè)置有彈性部件83的上述磁盤(pán)裝置1的影響。該沖擊試驗(yàn)是在與上述第一實(shí)施方案的沖擊試驗(yàn)相同的條件下進(jìn)行的，結(jié)果示于表14。
表14
在該磁盤(pán)裝置1中，所施加的加速?zèng)_擊小于250G時(shí)，沒(méi)有在磁盤(pán)片5的上表面發(fā)現(xiàn)損傷。由此可見(jiàn)，第十實(shí)施方案與常規(guī)磁盤(pán)相比，磁盤(pán)片5的損傷很小。即使在施加高達(dá)250G的沖擊時(shí)，在距磁盤(pán)片中心徑向40mm附近的信號(hào)記錄區(qū)上也沒(méi)有損傷。
對(duì)于施加到該磁盤(pán)裝置1上的沖擊，信號(hào)記錄表面損壞很少的原因如下如果向磁盤(pán)裝置1施加沖擊，如圖19所示，磁盤(pán)片5的外緣與槽82的傾斜面82a、82b接觸。但是，磁盤(pán)片5的振動(dòng)能被設(shè)置在接觸部分的彈性部件83吸收，轉(zhuǎn)化為彈性部件83的變形能或熱能。由此減小了磁盤(pán)片5的振動(dòng)幅度，以限制接觸區(qū)向磁盤(pán)片5中心的拓寬，如圖19B所示。而且由于彈性部件83由彈性材料制成，可以減小磁盤(pán)片5的與彈性部件83接觸部分的損傷。第十一實(shí)施方案下面解釋本發(fā)明的磁盤(pán)裝置的第十一實(shí)施方案。
此實(shí)施方案與上述第十實(shí)施方案的不同之處僅僅在于，如圖24所示，彈性部件83、83的面對(duì)磁盤(pán)片5的外緣端5a的部分的第一間距D15，比在其間夾有磁盤(pán)片5的第一和第二臂12、13或第二與第三臂13、14之間的第二間距D16小。更具體而言，如在上述第九實(shí)施方案中那樣，彈性部件83、83的面對(duì)磁盤(pán)片5的外緣端5a的部分的第一間距D15約為1.9mm，其間夾有磁盤(pán)片5的第一和第二臂12、13或第二與第三臂13、14之間的第二間距D16約為2.47mm。由于磁盤(pán)片5的厚度為1.27mm，在磁盤(pán)片5的外緣端5a處，傾斜面82a或82b與磁盤(pán)片5的表面之間的間距約為0.3mm。(沖擊試驗(yàn))試驗(yàn)了沖擊對(duì)上述磁盤(pán)裝置1的影響，該磁盤(pán)裝置1在槽82的傾斜面82a、82b上設(shè)置有彈性部件83，且第一間距D15設(shè)置為比第二間距D16小。該沖擊試驗(yàn)是在與上述第一實(shí)施方案的沖擊試驗(yàn)相同的條件下進(jìn)行的，結(jié)果示于表15。
表
從表15的結(jié)果可以看出，在該磁盤(pán)裝置1中，在磁盤(pán)片5的內(nèi)緣到外緣的整個(gè)表面上沒(méi)觀察到損傷。
其原因在于面對(duì)磁盤(pán)片5的外緣端5a的彈性部件83、83的傾斜面82a或82b的間距，設(shè)置為比在其間夾有磁盤(pán)片5的第一和第二臂12、13或第二與第三臂13、14之間的第二間距D16小。當(dāng)向磁盤(pán)裝置1施加沖擊時(shí)，磁盤(pán)片5振動(dòng)，磁盤(pán)片5的外緣端5a迅速被彈性部件83支撐住，如圖24B所示，可防止磁盤(pán)片5與臂12或13接觸。
施加比對(duì)第九到第十一實(shí)施方案或常規(guī)磁盤(pán)裝置施加的沖擊更大的沖擊，即500G的沖擊，進(jìn)行測(cè)試，結(jié)果示于表16。
表16
從表16的結(jié)果可看出，第九到第十實(shí)施方案的磁盤(pán)片5，在施加300G的沖擊時(shí)，沒(méi)有在除磁盤(pán)片5的外緣端5a之外的區(qū)域發(fā)現(xiàn)損傷。但在施加500G的沖擊時(shí)，在距磁盤(pán)片中心徑向40mm附近的信號(hào)記錄區(qū)上有損傷。在第十一實(shí)施方案的磁盤(pán)裝置中，即使在沖擊高達(dá)500G時(shí)也沒(méi)有在除磁盤(pán)片5的外緣端5a之外的信號(hào)記錄區(qū)發(fā)現(xiàn)損傷。
由此可見(jiàn)，第十一實(shí)施方案比第九到第十實(shí)施方案更能減少磁盤(pán)片5的損傷。
權(quán)利要求
1.一種以盤(pán)形記錄介質(zhì)作為記錄介質(zhì)的盤(pán)裝置，包括支撐裝置，該支撐裝置支撐用來(lái)掃描所述盤(pán)形記錄介質(zhì)以記錄和/或重放信息信號(hào)的元件；且在該支撐裝置的受到?jīng)_擊時(shí)與所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的外緣相接觸的位置具有沖擊緩沖部件。
2.如權(quán)利要求1所述的盤(pán)裝置，其中所述沖擊緩沖部件是彈性部件。
3.如權(quán)利要求1所述的盤(pán)裝置，其中至少在所述支撐裝置處于等待位置時(shí)，在與所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的外緣端相接觸的位置設(shè)置所述沖擊緩沖部件。
4.一種以盤(pán)形記錄介質(zhì)作為記錄介質(zhì)的盤(pán)裝置，包括支撐裝置，該支撐裝置支撐用來(lái)掃描所述盤(pán)形記錄介質(zhì)以記錄和/或重放信息信號(hào)的元件；其中，在垂直于所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的盤(pán)片表面的方向上，從所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的外緣到所述支撐裝置的第一距離設(shè)定為小于從盤(pán)形記錄介質(zhì)的其它部分到所述支撐裝置的第二距離。
5.如權(quán)利要求4所述的盤(pán)裝置，其中當(dāng)所述支撐裝置處于等待位置時(shí)，從所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的外緣到所述支撐裝置的第一距離設(shè)定為小于從盤(pán)形記錄介質(zhì)的其它部分到所述支撐裝置的第二距離。
6.一種以盤(pán)形記錄介質(zhì)作為記錄介質(zhì)的盤(pán)裝置，，包括支撐裝置，該支撐裝置支撐用來(lái)掃描所述盤(pán)形記錄介質(zhì)以記錄和/或重放信息信號(hào)的元件；在該支撐裝置的受到?jīng)_擊時(shí)與所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的外緣相接觸的位置具有沖擊緩沖部件；且在垂直于所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的盤(pán)片表面的方向上，從所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的外緣到所述支撐裝置的第一距離設(shè)定為小于從盤(pán)形記錄介質(zhì)的其它部分到所述支撐裝置的第二距離。
7.如權(quán)利要求6所述的盤(pán)裝置，其中至少在所述支撐裝置處于等待位置時(shí)，在與所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的外緣端相接觸的位置設(shè)置所述沖擊緩沖部件。
8.一種以盤(pán)形記錄介質(zhì)作為記錄介質(zhì)的盤(pán)裝置，包括沖擊緩沖部件，該部件設(shè)置成與所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的外緣互相面對(duì)；當(dāng)向所述盤(pán)形記錄介質(zhì)施加沖擊使其處于振動(dòng)之中時(shí)，所述沖擊緩沖部件與所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的外緣相接觸，從而減小了所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的振動(dòng)。
9.如權(quán)利要求8所述的盤(pán)裝置，其中所述沖擊緩沖部件在其面對(duì)所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的外緣的部分形成有一個(gè)槽形的開(kāi)口；且所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的外緣插入該槽形開(kāi)口中并保持一預(yù)定的間隔。
10.如權(quán)利要求8所述的盤(pán)裝置，其中所述沖擊緩沖部件是彈性部件。
11.如權(quán)利要求9所述的盤(pán)裝置，其中在所述沖擊緩沖部件的槽形開(kāi)口內(nèi)緣的與所述盤(pán)形記錄介質(zhì)接觸的部分設(shè)置有彈性部件。
12.如權(quán)利要求8所述的盤(pán)裝置，還包括支撐裝置，該支撐裝置支撐用來(lái)掃描所述盤(pán)形記錄介質(zhì)以記錄和/或重放信息信號(hào)的元件；其中，在垂直于所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的盤(pán)片表面的方向上，從所述盤(pán)形記錄介質(zhì)的外緣到所述支撐裝置的第一距離設(shè)定為小于從盤(pán)形記錄介質(zhì)的其它部分到所述支撐裝置的第二距離。
全文摘要
一種用磁頭機(jī)構(gòu)掃描盤(pán)片信號(hào)記錄區(qū)記錄和/或重放信息的盤(pán)裝置,該盤(pán)片安裝在主軸馬達(dá)上并被驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)。在垂直于所述盤(pán)片表面的方向上,從所述盤(pán)片的外緣到所述支撐裝置的距離,小于從盤(pán)片的其它部分到所述支撐裝置的距離,從而在施加沖擊使盤(pán)片嚴(yán)重變形而與支撐機(jī)構(gòu)相接觸時(shí),緩沖所加沖擊從而保護(hù)盤(pán)片。為了進(jìn)一步緩沖沖擊,可在支撐機(jī)構(gòu)的與盤(pán)片外緣相接觸的部分上,設(shè)置沖擊緩沖部件。
文檔編號(hào)G11B21/16GK1253359SQ99123250
公開(kāi)日2000年5月17日 申請(qǐng)日期1999年10月29日 優(yōu)先權(quán)日1998年10月30日
發(fā)明者森田修身, 瀧野浩 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社