^Ni。^合金濺鍍靶材。
[0053] 于所制得的銅硅合金濺鍍靶材中，銅占整體銅硅合金濺鍍靶材約75原子百分比； 硅占整體銅硅合金濺鍍靶材約8原子百分比；鎳占整體銅硅合金濺鍍靶材約17原子百分 比。
[0054] 實(shí)施例3 :CuQ. 17合金濺鍍靶材
[0055] 將1110. 59克的銅粉、52. 36克的硅粉、189. 75克的鈦粉均勻混合，于600°C至 800°C的溫度及500bar的壓力下，持續(xù)熱壓3小時(shí)，制得Cu^Si^Ti。^合金濺鍍靶材。
[0056] 于所制得的銅硅合金濺鍍靶材中，銅占整體銅硅合金濺鍍靶材約75原子百分比； 硅占整體銅硅合金濺鍍靶材約8原子百分比；鈦占整體銅硅合金濺鍍靶材約17原子百分 比。
[0057]實(shí)施例4 :CuQ. 75SiQ.Q8M〇Q.17合金濺鍍靶材
[0058] 將955. 77克的銅粉、181. 04克的硅粉、42. 07克的鑰粉均勻混合，于600°C至 800°C的溫度及500bar的壓力下，持續(xù)熱壓3小時(shí)，制得Cu^Si^Mo。^合金濺鍍靶材。
[0059] 于所制得的銅硅合金濺鍍靶材中，銅占整體銅硅合金濺鍍靶材約75原子百分比； 硅占整體銅硅合金濺鍍靶材約8原子百分比；鑰占整體銅硅合金濺鍍靶材約17原子百分 比。
[0060] 實(shí)施例5 :Cua75Sia2(|合金濺鍍靶材
[0061] 將960. 63克的銅粉、181. 96克的硅粉、22. 92克的鉻粉均勻混合，于600°C至 800°C的溫度及500bar的壓力下，持續(xù)熱壓3小時(shí)，制得Cu^Si^Cr^。合金濺鍍靶材。
[0062] 于所制得的銅硅合金濺鍍靶材中，銅占整體銅硅合金濺鍍靶材約75原子百分比； 硅占整體銅硅合金濺鍍靶材約5原子百分比；鉻占整體銅硅合金濺鍍靶材約20原子百分 比。
[0063] 實(shí)施例6 :CuQ. 74SiQ.24CrQ.Q2合金濺鍍靶材
[0064] 將1069. 76克的銅粉、153. 34克的硅粉、23. 66克的鉻粉均勻混合，于600°C至 800°C的溫度及500bar的壓力下，持續(xù)熱壓3小時(shí)，制得Cu^Si^Cr^合金濺鍍靶材。[0065] 于所制得的銅硅合金濺鍍靶材中，銅占整體銅硅合金濺鍍靶材約74原子百分比； 硅占整體銅硅合金濺鍍靶材約24原子百分比；鉻占整體銅硅合金濺鍍靶材約2原子百分 比。
[0066]比較例1 :Cua69SiQ.28CrQ.Q3合金濺鍍靶材
[0067] 將973. 98克的銅粉、174. 69克的硅粉、34. 65克的鉻粉均勻混合，于600°C至 800°C的溫度及500bar的壓力下，持續(xù)熱壓3小時(shí)，制得Cu^Si^Cr^合金濺鍍靶材。
[0068] 于所制得的銅硅合金濺鍍靶材中，銅占整體銅硅合金濺鍍靶材約69原子百分比； 硅占整體銅硅合金濺鍍靶材約28原子百分比；鉻占整體銅硅合金濺鍍靶材約3原子百分 比。
[0069] 請(qǐng)參閱圖2所示，其為Cu^Si^Cr^合金濺鍍靶材的掃描式電子顯微鏡影像圖； 于圖2中，比較例1的淺灰色相A'為合金濺鍍靶材的基底相，其主要由銅硅 合金組成；且比較例1的第一深灰色相B'與比較例1的第二深灰色相C'為Cu^Si^Cr^ 合金濺鍍靶材的化合物相，其主要由硅鉻合金及硅組成。
[0070] 相較于實(shí)施例1的掃描式電子顯微鏡影像圖，由于本比較例1的Cu^Si^Cr^ 合金濺鍍靶材的硅含量較高，故比較例1的淺灰色相A'（基底相）主要為銅硅合金，且比較 例1的第一深灰色相B'與比較例1的第二深灰色相C'（化合物相）則分別為硅鉻合金及 硅等成分。
[0071] 制備單次寫(xiě)入型藍(lán)光光盤(pán)的銅硅合金記錄層
[0072] 實(shí)施例7 {uQ.TOSiQjCrQ.n記錄層
[0073] 本實(shí)施例是使用實(shí)施例1所制得的CU(l.75Sia(l8Cra17合金濺鍍靶材，再經(jīng)由直流濺 鍍法，于壓力約3毫托（mtorr)的真空腔體中，在單次寫(xiě)入型藍(lán)光光盤(pán)的介電層上濺鍍形成 一厚度約50納米的CucuSia^Cr。.。記錄層。
[0074] 實(shí)施例 8 :(：11。.755;[。.。8附。.17 記錄層
[0075] 本實(shí)施例是使用實(shí)施例2所制得的Cu^Si^Ni。17合金濺鍍靶材，并大致上經(jīng)由 如同實(shí)施例7所述的方法溉鍍形成一厚度約50納米的CUd^SidiNid.u記錄層。
[0076]實(shí)施例 9iCu^Sid.dJid.n記錄層
[0077] 本實(shí)施例是使用實(shí)施例3所制得的Cu^Si^Ti。17合金濺鍍靶材，并大致上經(jīng)由 如同實(shí)施例7所述的方法溉鍍形成一厚度約50納米的CUd^Sid.dJid.u記錄層。
[0078] 實(shí)施例 10 :(^1。.755;[。.。8]/[0。.17 記錄層
[0079] 本實(shí)施例是使用實(shí)施例4所制得的Cu^Si^Mo。17合金濺鍍靶材，并大致上經(jīng)由 如同實(shí)施例7所述的方法溉鍍形成一厚度約50納米的CUd^SidiMOd.p記錄層。
[0080] 實(shí)施例 11 記錄層
[0081] 本實(shí)施例是使用實(shí)施例5所制得的CU(l.75Sia(l5Cra2(l合金濺鍍靶材，并大致上經(jīng)由 如同實(shí)施例7所述的方法溉鍍形成一厚度約50納米的CUd^Si^iCrd.%記錄層。
[0082] 實(shí)施例 12 :(：11。.745;[。.240。.。2 記錄層
[0083] 本實(shí)施例是使用實(shí)施例6所制得的Cu^Si^Cr^合金濺鍍靶材，并大致上經(jīng)由 如同實(shí)施例7所述的方法溉鍍形成一厚度約50納米的記錄層。
[0084] 比較例2 :銅/非晶質(zhì)硅雙記錄層
[0085] 本比較例是使用純銅濺鍍靶材，以直流濺鍍法，于壓力約3mt〇rr的真空腔體中， 在單次寫(xiě)入型藍(lán)光光盤(pán)的介電層上先濺鍍形成一厚度約2-50納米的銅記錄層；接著，再 使用非晶質(zhì)硅濺鍍靶材，以直流濺鍍法，于該銅記錄層上形成一厚度約50納米的非晶質(zhì)硅 層。
[0086] 據(jù)此，本比較例的記錄層為銅/非晶質(zhì)硅雙記錄層。
[0087] 比較例3fu^Si^Cr^記錄層
[0088] 本比較例是使用比較例1所制得的CU(l.69Sia28Cra(l3合金濺鍍靶材，并大致上經(jīng)由 如同實(shí)施例7所述的方法溉鍍形成一厚度約50納米的CUdfSidiCrdi記錄層。
[0089] 記錄層的特性測(cè)試
[0090] 試驗(yàn)例1 :相轉(zhuǎn)變溫度
[0091] 于本試驗(yàn)例中，使用實(shí)時(shí)反射率量測(cè)設(shè)備儀，分別以每分鐘提高l〇〇°C的升溫速 率，獲得實(shí)施例7至12的銅硅合金記錄層、比較例2的銅/非晶質(zhì)硅雙記錄層及比較例3 的銅硅合金記錄層的實(shí)時(shí)反射率強(qiáng)度對(duì)熱處理溫度的曲線(xiàn)圖（如圖3所示）；再經(jīng)由分析 各樣品的曲線(xiàn)圖，以其最大斜率（利用數(shù)學(xué)積分計(jì)算）為相轉(zhuǎn)變溫度，各樣品的量測(cè)結(jié)果如 下表1所示。
[0092] 表1 :實(shí)施例7至12與比較例2及3的記錄層的相轉(zhuǎn)變溫度量測(cè)結(jié)果。
[0093]
[0094]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種銅娃合金姍鍛祀材，其由化。SibM。合金組成，其中，M為媒、鉛、鋼或鐵，a為0. 55 至0. 93, b為0. 05至0. 25, C為0. 02至0. 20,且a、b及C的總和為1。
2. 如權(quán)利要求1所述的銅娃合金姍鍛祀材，其中，b為0. 05至0. 12。
3. 如權(quán)利要求2所述的銅娃合金姍鍛祀材，其中，C為0. 15至0. 20。
4. 如權(quán)利要求3所述的銅娃合金姍鍛祀材，其中，a為0. 70至0. 80。
5. -種銅娃合金記錄層，其由化。SibM。合金組成，其中，M為媒、鉛、鋼或鐵，a為0. 55至 0. 93, b 為 0.05 至 0.25, C 為 0.02 至 0.20,且 a、b 及 C 的總和為 1。
6. 如權(quán)利要求5所述的銅娃合金記錄層，其中，所述銅娃合金記錄層的相轉(zhuǎn)變溫度為 150°C至 320°C。
7. 如權(quán)利要求5所述的銅娃合金記錄層，其中，b為0. 05至0. 12。
8. 如權(quán)利要求7所述的銅娃合金記錄層，其中，C為0. 15至0. 20。
9. 如權(quán)利要求8所述的銅娃合金記錄層，其中，a為0. 70至0. 80。
10. 如權(quán)利要求9所述的銅娃合金記錄層，其中，所述銅娃合金記錄層的相轉(zhuǎn)變溫度為 200°C至 250°C。
11. 如權(quán)利要求5至10中任一項(xiàng)所述的銅娃合金記錄層，其中，所述銅娃合金記錄層的 厚度為2納米至50納米。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種銅硅合金濺鍍靶材及一種銅硅合金記錄層。該銅硅合金濺鍍靶材及該銅硅合金記錄層均由CuaSibMc合金組成，其中，M為鎳、鉻、鉬或鈦，a為0.55至0.93，b為0.05至0.25，c為0.02至0.20，且a、b及c的總和為1。由于該銅硅合金記錄層具備適當(dāng)含量的銅、硅以及鎳、鉻、鉬或鈦，故其相轉(zhuǎn)變溫度高于150℃且低于500℃，使其應(yīng)用于光記錄媒體中能獲得良好的記錄質(zhì)量、穩(wěn)定性及較快的燒錄速度。
【IPC分類(lèi)】G11B7-2433, G11B7-26
【公開(kāi)號(hào)】CN104575532
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310498740
【發(fā)明人】麥宏全, 羅尚賢, 廖浩嘉, 黃品富, 林守賢
【申請(qǐng)人】光洋應(yīng)用材料科技股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2013年10月22日