存儲器布置的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 發(fā)明涉及一種存儲器布置。
【背景技術(shù)】
[0002]存儲器布置被配置為以數(shù)據(jù)位的形式存儲內(nèi)容。一般地，存儲器布置包括多個分別被配置為存儲數(shù)據(jù)位的存儲單元。有時當需要讀取存儲的數(shù)據(jù)位時，對存儲單元實施讀操作。有時當需要寫數(shù)據(jù)位到存儲單元時，實施寫操作。一般通過對存儲單元施加特定的電壓來控制讀操作和寫操作。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]提供該部分以用簡化的形式介紹各種概念，在下文中將對這些概念做進一步詳細的描述。本部分不是對所要求保護主題的綜述，、也沒有確定所要求保護主題的關(guān)鍵因素或者基本特征，也不意指用來限制所要求保護主題的范圍。
[0004]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種存儲器布置，包括:第一存儲單元，被配置為存儲內(nèi)容；以及第一字線驅(qū)動器，可操作地連接至第一解碼器和第二解碼器，第一字線驅(qū)動器被配置為根據(jù)經(jīng)由第一解碼器施加至第一字線驅(qū)動器的第一電壓信號和經(jīng)由第二解碼器施加至第一字線驅(qū)動器的第二電壓信號來激活第一存儲單元。
[0005]優(yōu)選地，第一存儲單元位于存儲器布置的第一物理層上，而第一字線驅(qū)動器位于存儲器布置的第二物理層上。
[0006]優(yōu)選地，第一字線驅(qū)動器包括邏輯門。
[0007]優(yōu)選地，第一字線驅(qū)動器包括與門。
[0008]優(yōu)選地，第一字線驅(qū)動器包括或非門。
[0009]優(yōu)選地，第一存儲單元位于包括一個或多個其它存儲單元的第一物理層上，第一字線驅(qū)動器被配置為不激活位于第一物理層上的一個或者多個其它存儲單元。
[0010]優(yōu)選地，第一字線驅(qū)動器被配置為激活位于存儲器布置的第三物理層上的第三存儲單元。
[0011]優(yōu)選地，第一字線驅(qū)動器位于存儲器布置的第二物理層上。
[0012]優(yōu)選地，第一字線驅(qū)動器與第一解碼器和第二解碼器位于存儲器布置的同一物理層上。
[0013]優(yōu)選地，第一字線驅(qū)動器的第一元件位于存儲器布置的第二物理層上，而第一字線驅(qū)動器的第二元件位于存儲器布置的第四物理層上。
[0014]優(yōu)選地，第一存儲單元位于存儲器布置的第一物理層上。
[0015]優(yōu)選地，第一存儲單元包括靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)單元。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種存儲器布置，包括:第一存儲單元，被配置成存儲內(nèi)容并且位于存儲器布置的第一物理層上；以及第一字線驅(qū)動器，可操作地連接至第一解碼器和第二解碼器，并且至少位于存儲器布置的第二物理層上，第一字線驅(qū)動器被配置為根據(jù)經(jīng)由第一解碼器施加至第一字線驅(qū)動器的第一電壓信號和經(jīng)由第二解碼器施加至第一字線驅(qū)動器的第二電壓信號來激活第一存儲器單元。
[0017]優(yōu)選地，該存儲器布置包括:第三存儲單元，位于存儲器布置的第三物理層上，第一字線驅(qū)動器被配置為根據(jù)第一電壓信號和第二電壓信號來激活第三存儲單元。
[0018]優(yōu)選地，第一字線驅(qū)動器被配置為僅激活存儲器布置中的第一存儲單元。
[0019]優(yōu)選地，第一字線驅(qū)動器包括邏輯門。
[0020]優(yōu)選地，第一字線驅(qū)動器包括位于存儲器布置的第二物理層上的第一元件和位于存儲器布置的第四物理層上的第二元件。
[0021]優(yōu)選地，第一存儲單元為第一存儲器陣列的組成部分，第一存儲器陣列包括位于存儲器布置的第一物理層上的一個或者多個其它存儲單元，而第一字線驅(qū)動器被配置為不激活第一存儲器陣列的一個或者多個其它存儲單元。
[0022]優(yōu)選地，第一存儲單元包括靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)單元。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種用于激活第一存儲單元來為讀操作和寫操作中的至少一個做準備的方法，包括:在第一字線驅(qū)動器的第一輸入端感測第一電壓信號；在第一字線驅(qū)動器的第二輸入端感測第二電壓信號；當?shù)谝浑妷盒盘柡偷诙妷盒盘枬M足規(guī)定標準時，通過第一字線驅(qū)動器，經(jīng)由將第一字線驅(qū)動器可操作地連接至第一存儲單元的第一字線，將門電壓信號施加至第一存儲單元以激活第一存儲單元，從而為讀操作和寫操作中的至少一個做準備。
[0024]根據(jù)一些實施例，提供了一種包括第一存儲單元和第一字線驅(qū)動器的存儲器布置。第一字線驅(qū)動器被配置為控制第一存儲單元的激活以為讀操作和寫操作中的至少一個做準備，并且可操作地連接至第一解碼器和第二解碼器。例如，第一字線驅(qū)動器包括邏輯門，諸如，包括至少兩個輸入端的AND門或者NOR門。第一解碼器被配置為施加第一電壓信號至第一輸入端，而第二解碼器被配置為施加第二電壓信號至第二輸入端。當邏輯門感測到第一電壓信號為高同時感測到第二電壓信號為高時，邏輯門生成激活第一存儲單元以幫助實施讀操作和寫操作中的至少一個的高門電壓信號。通過這種方式，例如，第一字線驅(qū)動器根據(jù)至少兩個獨立受控的電壓信號來控制第一存儲單元的激活。此外，在一些實施例中，根據(jù)至少兩個獨立受控的電壓信號來控制第一存儲單元的激活具有抑制讀干擾的優(yōu)點，這種讀干擾是當與執(zhí)行讀操作或?qū)懖僮鞯拇鎯卧B接至同一字線的一個或者多個未選的存儲單元被無意激活時而引起的。
[0025]在一些實施例中，存儲器布置包括多個物理層，并且第一存儲單元與第一字線驅(qū)動器位于不同的物理層。例如，包括第一存儲單元的多個存儲單元位于存儲器布置的第一物理層上，而包括第一字線驅(qū)動器的多個字線驅(qū)動器位于第二物理層上。在一些實施例中，相應的字線驅(qū)動器被配置為僅控制位于第一物理層上的一個存儲單元的激活。因此，在這種實施例中，字線驅(qū)動器和存儲單元之間具有1:1的比率。
[0026]在一些實施例中，存儲器布置包括存儲單元位于其上的多個物理層。例如，第一物理層包括存儲單元(包括第一存儲單元)的第一存儲器陣列，第一存儲器陣列可操作地連接至第一輸入/輸出電路，而第三物理層包括存儲單元的第二存儲器陣列，第二存儲器陣列可操作地連接至第二輸入/輸出電路。在一些實施例中，第一字線驅(qū)動器被配置為僅控制位于相應的物理層上的一個存儲單元的激活。因此，例如，第一字線驅(qū)動器控制位于第一物理層的存儲單元的激活和位于第三物理層的其它存儲單元的激活。
[0027]以下說明和附圖提出某些說明性的觀點和實現(xiàn)。這些是對實現(xiàn)一個或者多個方面的不同方式的說明。當結(jié)合附圖考慮時，本發(fā)明的其它方面、優(yōu)點和新型特征將根據(jù)以下詳細描述而變得顯而易見。
【附圖說明】
[0028]根據(jù)具體描述結(jié)合參考附圖可以更好地理解本發(fā)明。應理解，附圖的部件和裝置未按比例繪出。因此，為了清楚的討論，可以任意地增大或減小各個部件的尺寸。
[0029]圖1示出了根據(jù)一些實施例的存儲器布置。
[0030]圖2示出了根據(jù)一些實施例的部分存儲器布置的電路圖。
[0031]圖3示出了根據(jù)一些實施例的存儲器布置。
[0032]圖4示出了根據(jù)一些實施例的存儲器布置。
[0033]圖5示出了根據(jù)一些實施例的部分存儲器布置的電路圖。
[0034]圖6示出了根據(jù)一些實施例的激活第一存儲單元以為讀操作和寫操作中的至少一個做準備的方法的流程圖。
[0035]圖7是示出了根據(jù)一些實施例的示例性的包括被配置為體現(xiàn)本發(fā)明提出的一個或者多個原理的處理器可執(zhí)行指令的計算機可讀介質(zhì)的示圖。
【具體實施方式】
[0036]以下用具體的語言公開了附圖中示出的實施例或者實例。然而，應該理解，實施例或者實例不用于限制本發(fā)明。對所公開的實施例或?qū)嵗娜魏巫兓托薷囊约皩Ρ疚募泄_的原理的進一步應用都被認為是相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以想到的。
[0037]參見圖1，提供了根據(jù)一些實施例的示例性的存儲器布置100的組件框圖。存儲器布置100包括存儲器陣列102、驅(qū)動器陣列104、第一解碼器106、第二解碼器108和輸入/輸出(I/O)電路110。
[0038]在一些實施例中，存儲器陣列102與驅(qū)動器陣列104位于存儲器布置100的不同的物理層上。例如，存儲器陣列102位于存儲器布置100的第一物理層上而驅(qū)動器陣列104位于第二物理層上。在其它的實施例中，存儲器陣列102與驅(qū)動器陣列104位于存儲器布置100中的同一物理層上。
[0039]在一些實施例中，第一解碼器106和第二解碼器108中的至少一個與驅(qū)動器陣列104位于同一物理層上。在其它的實施例中，第一解碼器106和第二解碼器108位于不同的物理層上或者與驅(qū)動器陣列104位于不同的物理層上。
[0040]在一些實施例中，I/O電路110與存儲器陣列102位于同一物理層上。在其它的實施例中，I/o電路110與存儲器陣列102位于不同的物理層上。
[0041]存儲器陣列102包括多個存儲單元