粒徑以及間距的解析，結(jié)果可知，粒徑為7nm，間距為12nm且粒徑分散以及間距分散都小于等于9%，形成了與使用SOG的實(shí)施例1同樣的孔圖案。通過(guò)自組裝所形成的圖案尺寸，通過(guò)適宜調(diào)整成為模板的PS-PEO以及雙(2-甲氧乙氧基)鋁氫化鈉的分子量和/或混合比例，能夠控制為任意的尺寸。
[0102]制作出AlO圖案層后，再次返回到制膜腔室內(nèi)，通過(guò)在氣壓0.6Pa的Ar氣氛中進(jìn)行逆濺射對(duì)薄膜側(cè)進(jìn)行了蝕刻。該工序具有除去被認(rèn)為是由于暫時(shí)曝露于大氣中而形成并附著于薄膜表面的分子和/或原子等的效果。
[0103]通過(guò)在所得到的AlO圖案層上制造1.2nm的Al并在約400°C下加熱20秒鐘的時(shí)間，從而進(jìn)行Al向AlO圖案層的凹部的埋入以及Al的再結(jié)晶化。在部分取出了制作出的介質(zhì)并通過(guò)AFM測(cè)定了表面的形狀時(shí)，能夠確認(rèn)在作為AlO圖案層的凹部的區(qū)域埋入有Al，該區(qū)域相對(duì)于AlO圖案層表面具有凸構(gòu)造。可知該凸部的高度約為2nm。另外，在通過(guò)截面TEM觀察該基板時(shí)，能夠確認(rèn)底部的深度為4nm，(111)面取向于垂直方向。在利用截面TEM測(cè)定出凸部周緣部表面的切線與AlO圖案層表面所成的角時(shí)，可知該角約為55°。
[0104]在通過(guò)在真空中加熱而將Al埋入孔圖案而成的基板上，在壓力0.4Pa的Ar氣氛下制膜制造1nm的中間層的Ru，在該中間層Ru層上，在制膜腔室內(nèi)連續(xù)地在氣壓0.6Pa的Ar氣氛下使用(Co-16at% Pt-1Oat% Cr)-8mol% S12混合標(biāo)祀進(jìn)行RFi賤射,形成厚度15nm的CoPtCr-S12的垂直磁記錄層后,形成厚度5nm的C保護(hù)膜,得到了垂直磁記錄介質(zhì)。
[0105]在通過(guò)截面TEM觀察所得到的磁記錄介質(zhì)時(shí)，可知與實(shí)施例1同樣地，概略性的截面具有圖3的構(gòu)造。確認(rèn)了垂直磁記錄層中由未確認(rèn)結(jié)晶性的晶粒邊界截?cái)嚅_(kāi)的晶粒從Ru層連續(xù)地外延生長(zhǎng)的樣子。
[0106]在對(duì)該垂直磁記錄層進(jìn)行平面TEM觀察并計(jì)算了在膜面內(nèi)的粒徑分布以及粒間間距分布時(shí)，微粒尺寸的平均值為7.6nm，其標(biāo)準(zhǔn)偏差為0.8nm。另外，粒間的間距的平均值為12.8nm,其標(biāo)準(zhǔn)偏差為1.8nm。
[0107]在這樣制作出的垂直磁記錄介質(zhì)中，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行S/Nm評(píng)價(jià)的結(jié)果是在磁盤(pán)前面完全沒(méi)有觀察到尖峰雜音，S/Nm得到19.0dB這一良好的值。進(jìn)而，對(duì)該記錄介質(zhì)記錄線記錄密度約10kFCI時(shí)的信號(hào)，進(jìn)行由熱波動(dòng)所致的輸出劣化的評(píng)價(jià)。在從記錄查找結(jié)束后起的100,000秒鐘的時(shí)間內(nèi)，定期測(cè)定再生輸出，再生輸出的劣化在測(cè)定誤差的范圍內(nèi)，作為信號(hào)衰減率大致為-OdB/decade。與實(shí)施例1的結(jié)果相比，特性稍劣化的原因是，通過(guò)回流形成的Al微粒與AlO的接觸角為55°、較小，所以凹凸高度降低到2nm。
[0108]實(shí)施例3
[0109]在實(shí)施例3中，對(duì)作為形成非磁性顆粒基底層的金屬材料用了高融點(diǎn)的Pt的例子進(jìn)行說(shuō)明。
[0110]除了作為非磁性顆?；讓蛹椿资褂肞t以外，與實(shí)施例1相同。
[0111]與實(shí)施例1同樣地，在玻璃基板上制造了厚度40nm的軟磁層(CoZrNb)后，為了防止擴(kuò)散制造了 3nm的Pd層。將基板暫時(shí)曝露于大氣，通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布對(duì)含自組裝材料PS-PEO以及SOG的溶液進(jìn)行自組裝膜的涂布。使用的PS-PEO以及SOG與實(shí)施例1同樣。
[0112]在基板上涂布自組裝膜后，通過(guò)在三氯甲烷與辛烷的氣氛下將樣本留置5小時(shí)，由此使自組裝材料相分離。然后，通過(guò)將基板在氮?dú)鈿夥障录訜岬?00°C，由此作為有機(jī)材料的PS、PE0分解，在基板上形成與實(shí)施例1同樣的含SOG的孔圖案。
[0113]然后，再次返回到制膜腔室內(nèi)，在氣壓0.6Pa的Ar氣氛中與實(shí)施例1同樣地通過(guò)逆濺射對(duì)薄膜側(cè)進(jìn)行蝕刻后，在SOG的孔圖案上制膜制造約1.2nm的Pt，通過(guò)在約800°C下加熱4小時(shí)從而進(jìn)行了 Pt向孔圖案的埋入以及Pt的再結(jié)晶化。在部分取出了制作的介質(zhì)并通過(guò)AFM測(cè)定了表面的形狀時(shí)，能夠確認(rèn)在作為SOG的孔圖案的區(qū)域中埋入有Pt，該區(qū)域具有凸構(gòu)造?？芍撏共康母叨葹榧s3nm。另外，在通過(guò)截面TEM觀察該基板時(shí)，可知其底部14的深度為4nm，在測(cè)定由Pt形成的凸部周緣部與SOG表面所成的角時(shí)，可知該角為約80。。
[0114]在通過(guò)在真空中加熱而將Pt埋入孔圖案中而成的基板上，在壓力0.4Pa的Ar氣氛下制膜制造1nm的中間層的Ru。在通過(guò)制膜形成的中間層Ru層上,在制膜腔室內(nèi)連續(xù)地在氣壓0.6Pa的Ar氣氛下，使用(Co_16at% Pt-1Oat% Cr) -8mol% S12混合標(biāo)靶進(jìn)行RF濺射，形成厚度15nm的CoPtCr-S12的垂直磁記錄層后，形成厚度5nm的C保護(hù)膜，得到垂直磁記錄介質(zhì)。
[0115]在通過(guò)截面TEM觀察所得到的磁記錄介質(zhì)時(shí)，能夠得到與實(shí)施例1同樣的截面?？芍怕孕缘慕孛婢哂信c圖2E同樣的構(gòu)造。
[0116]如圖所示，可知，在顆粒層的截面上，中間層的Ru以由作為粒間物質(zhì)的非晶質(zhì)的SOG截?cái)嚅_(kāi)的Pt微粒為核而生長(zhǎng)。另外，確認(rèn)了在垂直磁記錄層中由未確認(rèn)結(jié)晶性的晶粒邊界截?cái)嚅_(kāi)的晶粒從Ru層連續(xù)地外延生長(zhǎng)的樣子。
[0117]在對(duì)該垂直磁記錄層進(jìn)行平面TEM觀察并計(jì)算了在膜面內(nèi)的粒徑分布以及粒間間距分布時(shí)，微粒尺寸的平均值為7.5nm，其標(biāo)準(zhǔn)偏差為0.9nm。另外，粒間的間距的平均值為12.5nm,其標(biāo)準(zhǔn)偏差為2.0nm。作為標(biāo)準(zhǔn)偏差稍惡化的原因,可認(rèn)為是Pt的融點(diǎn)高所以其向孔案形的埋入未充分進(jìn)行。
[0118]在這樣制作出的垂直磁記錄介質(zhì)中，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行S/Nm評(píng)價(jià)，其結(jié)果是在磁盤(pán)前面完全沒(méi)有觀察到尖峰雜音，S/Nm得到17.4dB這一良好的值。對(duì)該記錄介質(zhì)記錄線記錄密度約10kFCI時(shí)的信號(hào)，進(jìn)行由熱波動(dòng)所導(dǎo)致的輸出劣化的評(píng)價(jià)。在從記錄查找結(jié)束后起的100,000秒鐘的時(shí)間內(nèi)，定期測(cè)定再生輸出，再生輸出的劣化在測(cè)定誤差的范圍內(nèi)，作為信號(hào)衰減率大致為-OdB/decade。
[0119]實(shí)施例4
[0120]在本實(shí)施例中，對(duì)在非磁性顆?；讓拥幕撞迦肓司w取向控制層(NiW)的情況進(jìn)行說(shuō)明。
[0121]在玻璃基板上制膜制造厚度40nm的軟磁層(CoZrNb)后，為了防止擴(kuò)散而制造3nm的Pd層，作為晶體取向控制層制造5nm的NiW。將基板暫時(shí)曝露于大氣，通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布對(duì)含自組裝材料PS-PEO以及SOG的溶液進(jìn)行自組裝膜的涂布。使用的PS-PEO與實(shí)施例1同樣地，但使用倍半硅氧烷以代替S0G，相對(duì)于PS-PEO將倍半硅氧烷設(shè)為30%，將溶液調(diào)整為PS成為柱狀的圓柱構(gòu)造。即便在代替倍半硅氧烷而與實(shí)施例1同樣地使用SOG的情況下，也能夠通過(guò)變更SOG的比例得到同樣的結(jié)果。在基板上以膜厚1nm的方式涂布自組裝膜后，通過(guò)在三氯甲烷與辛烷的氣氛下將樣本留置5小時(shí)，由此使自組裝材料相分離。然后，通過(guò)在氮?dú)鈿夥障聦⒒寮訜岬?00°C，作為有機(jī)材料的PS、PEO分解，在基板上形成含倍半硅氧烷進(jìn)行了交聯(lián)反應(yīng)后的氧化物的孔圖案。
[0122]在該孔圖案中觀察平面TEM時(shí)，可知形成了粒徑為7nm、間距為12nm且粒徑分散以及間距分散都小于等于8%的孔圖案。另外，從截面TEM觀察可知，所形成的孔圖案貫通氧化物層并到達(dá)了基底的NiW層。由自組裝形成的圖案尺寸，通過(guò)適宜調(diào)整成為模板的PS-PEO以及倍半硅氧烷的分子量，能夠控制為任意的尺寸。
[0123]然后，再次返回到制膜腔室內(nèi)，在氣壓0.6Pa的Ar氣氛中進(jìn)行逆濺射(對(duì)薄膜側(cè)濺射)。該工序具有除去被認(rèn)為是由于暫時(shí)曝露于大氣中而形成并附著于薄膜表面的膜和/或原子等的效果。另外，能夠除去在通過(guò)加熱而形成的氧化物孔圖案的底部剩余的殘?jiān)玫絅iW清潔的表面。在進(jìn)行了逆濺射后，在SOG的孔圖案上制膜制造約2nm的Ag，通過(guò)在約500°C下加熱20秒鐘的時(shí)間從而進(jìn)行Ag向孔圖案的埋入以及Ag的再結(jié)晶化。在部分取出制作了的介質(zhì)并通過(guò)AFM測(cè)定了表面的形狀時(shí)，確認(rèn)到了孔圖案，判明其未充分地被填埋。從上表面SEM的觀察可知，僅填埋了孔形狀的一半左右。
[0124]為了完全填埋孔圖案，在SOG圖案上制膜制造約2nm的Ag，在約500°C下加熱20秒鐘的時(shí)間后，再次制膜制造約2nm的Ag并在約500°C下進(jìn)行加熱。在將再度制作的基板的一部分取出并通過(guò)AFM測(cè)定了表面的形狀時(shí)，通過(guò)SOG使作為孔圖案的部分成為凸部形狀，判明了孔圖案被填埋。判明凸形狀的高度為約2nm。在通過(guò)截面TEM觀察該基板時(shí)，底部的深度與膜厚同為lOnm。另外,能夠確認(rèn)面(111)取向于垂直方向。
[0125]在通過(guò)在真空中加熱而將Ag埋入孔圖案中而成的基板上，在壓力0.4Pa的Ar氣氛下制膜制造1nm的中間層的Ru。在將所制膜后的基板的一部分取出并通過(guò)截面TEM進(jìn)行評(píng)價(jià)時(shí)，從高倍率的網(wǎng)格像可知，在NiW基底層與Ag粒形成有取向整齊的結(jié)晶面，在NiW與Ag間可確認(rèn)外延關(guān)系。另外，在使用XRD進(jìn)行Θ-2Θ掃描時(shí)，在2Θ =38.1°附近觀察到衍射峰值，如果將來(lái)自基