壓VS = VsumY。也就是說，Vgs ( = Vg-Vs) < 0，在該情形下pMOS晶體管以耗盡模式的操作進行操作。
[0109]具體地，Vg= V sumY_VTH，其中Vth是pMOS 1212的閾值電壓。為了實現(xiàn)這樣，我們選擇C1使得Vci= VTH。在實踐中，Ve可以比Vs低附加增量(Λ)以確保pMOS 1212保持導電。因而，Va= V ΤΗ+ Λ。這允許我們避免Vsuppw增加，否則如果使用需要V es> O的nMOS晶體管，將需要Vsupra增加以保持晶體管處于導電狀態(tài)。
[0110]為了示出和描述的目的，已經(jīng)呈現(xiàn)了上述本發(fā)明的詳細描述。其并不意在詳盡的或?qū)⒈景l(fā)明限制于所公開的精確形式。根據(jù)以上教示，許多改進和變型是可能的。為了最好地解釋本發(fā)明的原理及其實際應(yīng)用，選擇了所描述的實施例，從而使本領(lǐng)域的其它技術(shù)人員能夠以適于特定使用預期的各種實施例和各種改進最好地利用本發(fā)明。其旨在通過在此所附的權(quán)利要求來限定本發(fā)明的范圍。
[0111]本發(fā)明可以被配置為:
[0112]1.一種用于檢測存儲器件中可逆電阻轉(zhuǎn)換元件的設(shè)置過程的裝置，包括:
[0113]位線(915，1117)，其耦接到所述可逆電阻轉(zhuǎn)換元件(924，926，928 ;1120，1122，1124)；
[0114]斜坡變化裝置(906，1104)，用于使所述位線的電壓斜坡上升直到所述位線的所述電壓足夠?qū)⑺隹赡骐娮柁D(zhuǎn)換元件的電阻轉(zhuǎn)換到更低級別；以及
[0115]檢測裝置(900，1112)，其耦接到所述位線，用于當所述可逆電阻轉(zhuǎn)換元件的所述電阻轉(zhuǎn)換時進行檢測。
[0116]2.根據(jù)I所述的裝置，其中:
[0117]所述斜坡變化裝置包括電流源(906)，其中所述位線連接為所述電流源的電流鏡(902，904)ο
[0118]3.根據(jù)I或2所述的裝置，還包括:
[0119]預充電電路(916，918，920，922)，其在所述位線的所述電壓斜坡上升之前對所述位線預充電。
[0120]4.根據(jù)3所述的裝置，其中:
[0121]所述檢測裝置包括峰值檢測器(900)，所述峰值檢測器包括運算放大器(910)，所述運算放大器的第一輸入端子(935)耦接到所述位線，并且當所述可逆電阻轉(zhuǎn)換元件的所述電阻被轉(zhuǎn)換時所述運算放大器的輸出信號被反轉(zhuǎn)(908);以及
[0122]所述預充電電路對所述運算放大器的第二輸入端子(936)預充電，同時對所述位線預充電。
[0123]5.根據(jù)I至4中任意一項所述的裝置，其中所述檢測裝置包括峰值檢測器(900)，所述裝置還包括:
[0124]放電晶體管(934)，其響應(yīng)于所述峰值檢測器，當所述峰值檢測器的輸出信號被反轉(zhuǎn)時所述放電電路對所述位線放電。
[0125]6.根據(jù)I至5中任意一項所述的裝置，其中:
[0126]所述斜坡變化裝置包括:運算放大器(1104)，斜坡上升的電壓被輸入到所述運算放大器的第一輸入端子(1129)，以及具有耦接到所述運算放大器的柵極的第一晶體管(1114)，所述運算放大器在所述柵極處提供電壓(Vsfg)，所述第一晶體管的源極(1117)處的電壓跟隨在所述柵極處的電壓；以及
[0127]所述檢測裝置包括比較器(1112)，所述比較器(1112)具有耦接到所述第一晶體管的漏極(1111)的第一輸入端子(1113)和接收固定參考電壓(Vref)的第二輸入端子(1135)。
[0128]7.根據(jù)6所述的裝置，其中:
[0129]當所述斜坡上升的電壓輸入到所述運算放大器(1104)的所述第一輸入端子(1129)時，所述位線處的所述電壓(Vbl)斜坡上升直到其達到足夠?qū)⑺鲭娮柁D(zhuǎn)換元件的電阻轉(zhuǎn)換到更低級別的電平，在該段時間內(nèi)在所述第一晶體管的所述漏極(1111)處的電壓(Vsense)下降到固定參考電壓的電平以下，從而使所述比較器的輸出信號反轉(zhuǎn)。
[0130]8.一種用于檢測在存儲器件中的可逆電阻轉(zhuǎn)換元件的重置過程的裝置，包括:
[0131]運算放大器(1004，1220)，斜坡上升的電壓被輸入到所述運算放大器的第一輸入端子(1021,1253)；
[0132]位線(1025，1227)，其耦接到所述可逆電阻轉(zhuǎn)換元件(1020，1022，1024 ; 1254，1256，1258)，所述運算放大器在所述位線中生成電壓(Vbl)，該電壓(Vbl)對應(yīng)于所述斜坡上升的電壓而增加直到所述位線中的所述電壓達到足夠?qū)⑺鲭娮柁D(zhuǎn)換元件的電阻轉(zhuǎn)換到更高級別的電平；
[0133]感測線(1011，1213);
[0134]峰值檢測器(1014，1241)，耦接到所述感測線，當所述可逆電阻轉(zhuǎn)換元件的所述電阻轉(zhuǎn)換到更高級別時，所述峰值檢測器進行檢測。
[0135]9.根據(jù)8所述的裝置，其中:
[0136]所述運算放大器在所述感測線中生成電流(Icell)，所述電流(Icell)對應(yīng)于所述斜坡上升的電壓而增加直到所述電阻轉(zhuǎn)換元件的所述電阻轉(zhuǎn)換到更高級別。
[0137]10.根據(jù)8或9所述的裝置，其中:
[0138]所述峰值檢測器包括在達到峰值級別之后從所述感測線引出在峰值級別的電流的電路(1016，1018，1031 ;1242，1244，1246A，1257)。
[0139]11.根據(jù)8至10中任意一項所述的裝置，其中:
[0140]所述峰值檢測器包括包含晶體管(1016，1244)的電路和部件(1018，1242)，其中晶體管(1016，1244)耦接在感測線(1011，1213)與地之間，所述部件(1018，1242)耦接到所述感測線并在所述晶體管的柵極處保持電荷以在所述電阻轉(zhuǎn)換元件轉(zhuǎn)換之前和之后從所述感測線引出電流。
[0141]12.根據(jù)8至11中任意一項所述的裝置，還包括:
[0142]所述感測線中的開關(guān)(1010)，在所述斜坡上升的電壓被首先輸入到所述運算放大器的所述第一輸入端子時的時間之后的預定延遲之后所述開關(guān)導電。
[0143]13.根據(jù)8至12中任意一項所述的裝置，還包括:
[0144]第一晶體管(1226)，其具有耦接到所述運算放大器的柵極，所述運算放大器在所述柵極處提供電壓(Vsfg)，所述第一晶體管的源極(1227)處的電壓跟隨在所述柵極處的所述電壓，并且所述感測線(1213)連接成所述位線(1227)的鏡像。
[0145]14.根據(jù)13所述的裝置，其中:
[0146]所述感測線經(jīng)由一對鏡像pMOS晶體管(1208，1212)連接成所述位線的所述鏡像，所述鏡像PMOS晶體管的柵極經(jīng)由電荷存儲部件(1216)耦接到所述第一晶體管(1226)的漏極(1215)。
[0147]15.根據(jù)8至14中任意一項所述的裝置，其中:
[0148]所述運算放大器生成所述斜坡上升的輸出電壓，所述位線中的電壓(Vbl)對應(yīng)所述斜坡上升的輸出電壓而斜坡上升直到所述位線中的所述電壓達到足夠?qū)⑺鲭娮柁D(zhuǎn)換元件的所述電阻轉(zhuǎn)換到更高級別的電平，所述感測線中的電壓(Vsense，Vsense2)對應(yīng)于所述斜坡上升的輸出電壓而斜坡上升，之后所述感測線中的所述電壓下降。
【主權(quán)項】
1.一種用于檢測在存儲器件中的可逆電阻轉(zhuǎn)換元件的重置過程的裝置，包括: 運算放大器(1004，1220)，斜坡上升的電壓被輸入到所述運算放大器的第一輸入端子(1021，1253)； 位線(1025，1227)，其耦接到所述可逆電阻轉(zhuǎn)換元件(1020，1022，1024 ;1254，1256，1258)，所述運算放大器在所述位線中生成電壓(Vbl)，該電壓(Vbl)對應(yīng)于所述斜坡上升的電壓而增加直到所述位線中的所述電壓達到足夠?qū)⑺鲭娮柁D(zhuǎn)換元件的電阻轉(zhuǎn)換到更高級別的電平； 感測線(1011，1213);以及 峰值檢測器(1014，1241)，耦接到所述感測線，當所述可逆電阻轉(zhuǎn)換元件的所述電阻轉(zhuǎn)換到更高級別時，所述峰值檢測器進行檢測。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中: 所述運算放大器在所述感測線中生成電流(Icell)，所述電流(Icell)對應(yīng)于所述斜坡上升的電壓而增加直到所述電阻轉(zhuǎn)換元件的所述電阻轉(zhuǎn)換到更高級別。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其中: 所述峰值檢測器包括在達到峰值級別之后從所述感測線引出在峰值級別的電流的電路(1016，1018，1031 ;1242，1244，1246A，1257)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其中: 所述峰值檢測器包括包含晶體管(1016，1244)的電路和部件(1018，1242)，其中晶體管(1016，1244)耦接在感測線(1011，1213)與地之間，所述部件(1018，1242)耦接到所述感測線并在所述晶體管的柵極處保持電荷以在所述電阻轉(zhuǎn)換元件轉(zhuǎn)換之前和之后從所述感測線引出電流。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，還包括: 所述感測線中的開關(guān)(1010)，在所述斜坡上升的電壓被首先輸入到所述運算放大器的所述第一輸入端子時的時間之后的預定延遲之后所述開關(guān)導電。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，還包括: 第一晶體管(1226)，其具有耦接到所述運算放大器的柵極，所述運算放大器在所述柵極處提供電壓(Vsfg)，所述第一晶體管的源極(1227)處的電壓跟隨在所述柵極處的所述電壓，并且所述感測線(1213)連接成所述位線(1227)的鏡像。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中: 所述感測線經(jīng)由一對鏡像PMOS晶體管(1208，1212)連接成所述位線的所述鏡像，所述鏡像PMOS晶體管的柵極經(jīng)由電荷存儲部件(1216)耦接到所述第一晶體管(1226)的漏極(1215)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其中: 所述運算放大器生成所述斜坡上升的輸出電壓，所述位線中的電壓(Vbl)對應(yīng)所述斜坡上升的輸出電壓而斜坡上升直到所述位線中的所述電壓達到足夠?qū)⑺鲭娮柁D(zhuǎn)換元件的所述電阻轉(zhuǎn)換到更高級別的電平，所述感測線中的電壓(Vsense，Vsense2)對應(yīng)于所述斜坡上升的輸出電壓而斜坡上升，之后所述感測線中的所述電壓下降。
【專利摘要】一種用于檢測在存儲器件中的可逆電阻轉(zhuǎn)換元件的重置過程的裝置，包括：運算放大器1004，1220，斜坡上升的電壓被輸入到運算放大器的第一輸入端子1021，1253；位線1025，1227，其耦接到可逆電阻轉(zhuǎn)換元件1020，1022，1024；1254，1256，1258，運算放大器在位線中生成電壓Vbl，該電壓Vbl對應(yīng)于斜坡上升的電壓而增加直到位線中的電壓達到足夠?qū)㈦娮柁D(zhuǎn)換元件的電阻轉(zhuǎn)換到更高級別的電平；感測線1011，1213；以及峰值檢測器1014，1241，耦接到感測線，當可逆電阻轉(zhuǎn)換元件的電阻轉(zhuǎn)換到更高級別時，峰值檢測器進行檢測。
【IPC分類】G11C16-02, G11C11-56, G11C16-34
【公開號】CN104681083
【申請?zhí)枴緾N201410535382
【發(fā)明人】陳映彰, 馬可·卡扎尼加
【申請人】桑迪士克3D有限責任公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2009年9月23日
【公告號】CN102203872A, CN102203872B, CN104409096A, EP2342717A1, EP2342717B1, EP2887353A1, US7920407, US20100085794, WO2010042316A1