的長久保存。
【附圖說明】
[0022] 通過參考附圖對實施例的詳細描述，本發(fā)明的上述特點和優(yōu)點將更加明顯，其 中： 表1為有機成分含量表。
[0023] 圖I(a)是本發(fā)明AuNRs的TEM照片。
[0024] 圖I(b)是本發(fā)明AuNRs的可見光-近紅外吸收光譜圖。
[0025] 圖2是旋本發(fā)明涂法制備雜化材料薄膜原理圖；（a)為混合液滴加，（b)為旋轉凝 膠，（c)為蒸發(fā)形成膜。
[0026] 圖3 (a)是本發(fā)明雜化材料支撐的存儲光盤示意圖； 圖3 (b)是本發(fā)明玻璃基底光盤組裝示意圖。
[0027] 圖4是本發(fā)明高密度長壽命數據存儲光盤讀寫結果圖。
【具體實施方式】
[0028] 首先有必要在此指出的是本實施例只用于對本發(fā)明進行進一步詳細說明，不能理 解為對本發(fā)明保護范圍的限制。
[0029] -種高密度長壽命數據存儲光盤的制備方法，它包括如下步驟： 1) AuNRs(金納米棒）水溶液的制備 取7. 5ml濃度為0.lmol/L的CTAB溶液(十六烷基三甲基溴化胺溶液)，加入0. 25ml濃 度為0? 01mol/L的HAuCl4溶液（四氯金酸溶液)，混合均勻后加入0? 6ml濃度為0? 01mol/ L的NaBH4溶液，劇烈攪拌均勻后靜置2小時，得到種子溶液； 取 4. 75ml濃度為 0.lmol/L的CTAB溶液，加入 0. 03ml濃度為 0.Olmol/L的AgNCV^ 液，混合均勻后加入0. 2ml濃度為0.Olmol/L的HAuCl4溶液，混合均勻后再加入0. 032ml濃 度為0.lmol/L的抗壞血酸溶液，混合均勻后，得到生長溶液； 取IOul的種子溶液加入到所配置的生長溶液中，混合均勻后靜置2小時，離心分離并 將沉淀物分散到去離子水中，即得到AuNRs(金納米棒）水溶液【即金納米棒溶膠，濃度為 3*KT4-4*l(T4mol/L】;AuNRs(金納米棒）水溶液中金納米棒的長度為15-100納米，納米棒 直徑、長徑比均連續(xù)可調； TEM照片及可見光-近紅外吸收光譜如附圖I(a)、圖I(b)所示，附圖I(a)和圖1 (b)從側面證明了所使用的納米材料是金納米棒，以及金納米棒的形貌； 2) 含AuNRs雜化材料的混合液的制備 取正硅酸甲酯（TMOS) 1.0ml，加入0.5ml去離子水（H2O),聚乙二醇（PEG4tltl，分子量為 400)、聚環(huán)氧乙烷-聚環(huán)氧丙烷-聚環(huán)氧乙烷（P123),其中PEG4TO、P123的量可調，見附表1【聚 乙二醇（PEG4tltl)O. 04g-0. 48g，聚環(huán)氧乙烷-聚環(huán)氧丙烷-聚環(huán)氧乙烷0. 01g-0. 12g】，形成雜 化材料溶液；以上雜化材料溶液攪拌至透明澄清后，加入稀鹽酸（HC1，質量分數為3%的水 溶液)0. 05g，敞口攪拌30min，然后封口，用針扎孔透氣，混合液靜置20h;再敞口攪拌60min 后，取混合液150ul，向混合液中加入0.D.(光學密度）180的AuNRs水溶液llOul，攪拌至 混合均勻，得到含AuNRs雜化材料的混合液； 3) 存儲光盤的組裝(混合液用兩種方法組裝成光盤)。
[0030] 第一種是直接澆鑄法：取平底圓柱狀容器，將含AuNRs雜化材料的混合液加入其 中，壓鑄成片狀，片狀的厚度為1.5微米； 第二種旋涂鍍膜法，如圖2所示，在平臺上固定玻璃基片，滴加含AuNRs雜化材料的混 合液后，在500rpm(轉/分鐘）下旋轉10s，再以1000 rpm旋轉60s，形成薄膜，薄膜的厚度 為1. 5微米。
[0031] 以上兩種方法得到的樣品均需在封閉留小孔透氣的容器內，40°C條件下熱處理， 其中薄膜樣熱處理1周，片狀樣品熱處理1個月。
[0032] 圖3 (a)是本發(fā)明雜化材料支撐的存儲光盤示意圖；圖3 (b)是玻璃基底光盤組 裝示意圖。圖4是本發(fā)明高密度長壽命數據存儲光盤讀寫結果圖，圖4說明了該光盤記錄 數據的可行性。
[0033] 表1、有機成分含量表
【主權項】
1. 一種高密度長壽命數據存儲光盤，其特征在于：玻璃基片表面覆蓋一層雜化材料薄 膜；或者平底容器內表面覆蓋一層雜化材料片樣；雜化材料中分散著高密度的金納米棒。
2. 如權利要求1所述一種高密度長壽命數據存儲光盤的制備方法，其特征在于它包括 如下步驟： 1) 制備AuNRs水溶液； 2) 含AuNRs雜化材料的混合液的制備：將正硅酸甲酯、聚乙二醇、聚環(huán)氧乙烷-聚環(huán)氧 丙烷-聚環(huán)氧乙烷以及去離子水混合，形成雜化材料溶液，待溶液澄清后加入稀鹽酸繼續(xù) 攪拌，得到混合液；再將制備好的AuNRs水溶液均勻分散在上述混合液中，得到含AuNRs雜 化材料的混合液； 3) 將含AuNRs雜化材料的混合液通過旋涂法在玻璃表面制成薄膜試樣，或者采用壓鑄 法將含AuNRs雜化材料的混合液制成片狀樣，得到高密度長壽命數據存儲光盤。
3. 根據權利要求2所述一種高密度長壽命數據存儲光盤的制備方法，其特征在于，正 硅酸甲酯、聚乙二醇、聚環(huán)氧乙烷-聚環(huán)氧丙烷-聚環(huán)氧乙烷、去離子水、稀鹽酸的配比為： I.Oml: 0. 04g-〇. 48g: 0.Olg-O. 12g: 0. 5ml: 0. 05g〇
4. 根據權利要求2所述一種高密度長壽命數據存儲光盤的制備方法，其特征在于，含 AuNRs雜化材料的混合液、AuNRs水溶液的配比為：150ul:IIOul。
5. 根據權利要求2所述一種高密度長壽命數據存儲光盤的制備方法，其特征在于， AuNRs水溶液中金納米棒的長度為15納米-100納米。
6. 根據權利要求2所述一種高密度長壽命數據存儲光盤的制備方法，其特征在于，在 玻璃表面制成薄膜試樣，薄膜的厚度為1. 5微米。
7. 根據權利要求2所述一種高密度長壽命數據存儲光盤的制備方法，其特征在于，采 用壓鑄法將含AuNRs雜化材料的混合液制成片狀樣，片狀的厚度為1. 5微米納米。
8. 根據權利要求2所述一種高密度長壽命數據存儲光盤的制備方法，其特征在于具體 步驟如下： DAuNRs水溶液的制備 取7. 5ml濃度為0? lmol/L的CTAB溶液，加入0? 25ml濃度為0? 01 mol/L的祖11(：14溶液，混合均勻后加入〇.6ml濃度為0. 01 mol/L的NaBH4溶液，劇烈攪拌均勻后靜置2小時， 得到種子溶液； 取4. 75ml濃度為0. lmol/L的CTAB溶液，加入0. 03ml濃度為0.0 lmol/L的AgNCV^液，混合均勻后加入0. 2ml濃度為0.0 lmol/L的HAuCl4溶液，混合均勻后再加入0. 032ml濃 度為0.lmol/L的抗壞血酸溶液，混合均勻后，得到生長溶液； 取IOul的種子溶液加入到所配置的生長溶液中，混合均勻后靜置2小時，離心分離并 將沉淀物分散到去離子水中，即得到AuNRs水溶液； 2)含AuNRs雜化材料的混合液的制備 取正硅酸甲酯I. 〇ml，加入0. 5ml去離子水，聚乙二醇、聚環(huán)氧乙烷-聚環(huán)氧丙烷-聚環(huán) 氧乙烷，聚乙二醇0. 04g-0. 48g，聚環(huán)氧乙烷-聚環(huán)氧丙烷-聚環(huán)氧乙烷0.Olg-0. 12g，形成 雜化材料溶液；以上雜化材料溶液攪拌至透明澄清后，加入稀鹽酸〇. 〇5g，敞口攪拌30min， 然后封口，用針扎孔透氣，混合液靜置20h;再敞口攪拌60min后，取混合液150ul，向混合液 中加入AuNRs水溶液IlOul，攪拌至混合均勻，得到含AuNRs雜化材料的混合液； 3)存儲光盤的組裝： 第一種是直接澆鑄法：取平底容器，將含AuNRs雜化材料的混合液加入其中，壓鑄成片 狀；在封閉留小孔透氣的容器內，40°C條件下熱處理1個月，得至高密度長壽命數據存儲光 盤； 第二種旋涂鍍膜法：在平臺上固定玻璃基片，滴加含AuNRs雜化材料的混合液后，在 500rpm下旋轉10s，再以1000 rpm旋轉60s;在封閉留小孔透氣的容器內，40°C條件下熱處 理1周，得至高密度長壽命數據存儲光盤。
【專利摘要】本發(fā)明屬于光信息存儲技術領域。一種高密度長壽命數據存儲光盤，其特征在于：玻璃基片表面覆蓋一層雜化材料薄膜，或者平底容器內表面覆蓋一層雜化材料片樣；雜化材料中分散著高密度的金納米棒。該方法制備的數據存儲光盤熱力學性能穩(wěn)定，可實現記錄數據的長久保存。
【IPC分類】G11B7-26, G11B7-251
【公開號】CN104700852
【申請?zhí)枴緾N201510124539
【發(fā)明人】夏志林, 陳誠, 張茜
【申請人】武漢理工大學
【公開日】2015年6月10日
【申請日】2015年3月20日