增強nor型flash可靠性的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及FLASH技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種增強NOR型FLASH可靠性的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]可靠性是產(chǎn)品在規(guī)定條件下和規(guī)定時間內(nèi)完成規(guī)定功能的能力。對于閃存(FlashMemory)，簡稱FLASH，一般而言，數(shù)據(jù)保持能力、耐久力、抗干擾能力等是評價閃存可靠性的重要參數(shù)，其中，數(shù)據(jù)保持力指的是閃存存儲的數(shù)據(jù)經(jīng)過一段時間之后沒有失真或丟失，仍可以有效讀出的能力。
[0003]對于FLASH，隨著時間的推移，F(xiàn)LASH中存儲單元的閾值電壓會發(fā)生變化。圖1示出的現(xiàn)有技術(shù)中NOR型FLASH中存儲單元的閾值電壓變化示意圖；參考圖1，對于FLASH中存儲單元而言，浮柵中存儲的電荷量決定了存儲單元的閾值電壓，而存儲單元的閾值電壓則決定了存儲單元是存儲數(shù)據(jù)0，還是存儲數(shù)據(jù)I。隨著時間的推移，外界條件會不斷作用于存儲陣列中存儲單元，致使浮柵中儲存的電荷通過存儲單元的溝道流失；隨著存儲單元浮柵中電荷的減少會引起存儲單元的閾值電壓減小，當(dāng)存儲單元的閾值電壓減小到一定值后，就難以判斷出存儲單元存儲的數(shù)據(jù)是O還是1，從而在讀操作中引起數(shù)據(jù)的誤讀，使得NOR型FLASH可靠性降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提出一種增強NOR型FLASH可靠性的方法，以使NOR型FLASH在使用過程中，隨著使用時間的延長，仍能保持存儲數(shù)據(jù)的可靠性。
[0005]本發(fā)明實施例提供了一種增強NOR型FALSH可靠性的方法，包括:
[0006]FLASH上電復(fù)位過程中，記錄FLASH存儲陣列中數(shù)據(jù)為O的存儲單元；
[0007]當(dāng)所述數(shù)據(jù)為O存儲單元的閾值電壓小于預(yù)定閾值時，記錄所述存儲單元的地址信息；
[0008]在FLASH上電復(fù)位過程中，對所述地址信息對應(yīng)的存儲單元進行增強操作；所述增強操作為增強存儲單元的閾值電壓。
[0009]進一步的，所述的增強NOR型FLASH可靠性的方法，所述記錄所述存儲單元的地址信息，包括:
[0010]記錄所述存儲單元所在存儲塊的地址。
[0011]進一步的，所述的NOR型FALSH可靠性的方法，所述在FLASH上電復(fù)位過程中，對所述地址信息所對應(yīng)的存儲單元進行增強操作，包括:
[0012]在FLASH上電復(fù)位過程中，依次對地址信息所對應(yīng)的存儲單元進行增強操作。
[0013]進一步的，所述的NOR型FLASH可靠性的方法，所述在FLASH上電復(fù)位過程中，對所述地址信息所對應(yīng)的存儲單元進行增強操包括:
[0014]在FLASH上電復(fù)位過程中，依次選中存儲陣列中包含地址信息所對應(yīng)存儲單元的存儲塊；以及
[0015]對選中存儲塊中地址信息對應(yīng)的存儲單元進行增強操作。
[0016]進一步的，所述的增強NOR型FLASH可靠性的方法，所述增強操作指在所述地址信息所對應(yīng)的存儲單元的柵極施加第一電壓，漏極施加第二電壓，源極連接于接地極。
[0017]進一步的，所述的增強NOR型FLASH可靠性的方法，所述第一電壓為8V至12V和所述第二電壓為2V至6V。
[0018]本發(fā)明實施例提供的增強NOR型FLASH可靠性的方法，在NOR型FLASH每次上電復(fù)位過程中，對FLASH存儲陣列中數(shù)據(jù)為O的存儲單元中小于預(yù)定閾值的存儲單元進行增強操作，提升相應(yīng)存儲單元的閾值電壓。以此，本發(fā)明實施例提供的增強NOR型FLASH可靠性的方法，在FLASH使用過程中，每次上電復(fù)位過程中，通過提升數(shù)據(jù)為O的閾值電壓小于預(yù)定閾值的存儲單元的閾值電壓，以此保證了存儲陣列中存儲數(shù)據(jù)為O的存儲單元閾值電壓的穩(wěn)定性，提高了 FLASH存儲數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性，進而提高了 FLASH中數(shù)據(jù)為O存儲單元的數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，提升了 FLASH的可靠性。
[0019]并且，本發(fā)明實施例提供的增強NOR型FLASH可靠性的方法，在上電復(fù)位過程中進行增強操作，不會增加FLASH的讀取、編程或者擦除時間。
【附圖說明】
[0020]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限定。在附圖中:
[0021]圖1示出的是現(xiàn)有技術(shù)中NOR型FLASH存儲單元閾值電壓變化示意圖；
[0022]圖2示出的是本發(fā)明實施例一中增強NOR型FLASH可靠性方法流程示意圖；
[0023]圖2a示出的是本發(fā)明實施例一中存儲單元增強電荷結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖3示出的是本發(fā)明實施例二中增強NOR型FLASH可靠性方法流程示意圖。
【具體實施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖及具體實施例對本發(fā)明進行更加詳細與完整的說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部內(nèi)容。
[0026]NOR型FLASH由存儲單元(cell)組成。通常情況下，一個存儲單元包括源極(source, S),漏極(drain, D),控制柵極(controlling gate, CG),以及浮動?xùn)艠O(floatinggate, FG)，控制柵極可用于接參考電壓VG。若漏極接參考電壓VD，控制柵極CG施加電壓VG以及源極S連接于接地極后，存儲單元實現(xiàn)溝道熱電子注入方式的編程操作。擦除則可以在襯底施加一正電壓，控制柵極CG施加負電壓，進而利用浮動?xùn)艠OFG與溝道之間的隧穿效應(yīng)，把注入浮動?xùn)艠OFG的電子吸引到溝道。存儲單元cell數(shù)據(jù)是O或I取決與浮動?xùn)艠OFG中是否有電子。如浮動?xùn)艠OFG有電子，需要高的控制柵極電壓才能使界面處感應(yīng)出導(dǎo)電溝道，使MOS管導(dǎo)通，表示存入O。若浮動?xùn)艠OFG中無電子，則較低的控制柵極電壓就能使界面處感應(yīng)出導(dǎo)電溝道，使MOS管導(dǎo)通，即表示存入I。
[0027]圖2示出的是本發(fā)明實施例一中增強NOR型FLASH可靠性方法流程示意圖 '參考圖2，本實施例中增強NOR型FLASH可靠性的方法，包括:
[0028]步驟201、FLASH上電復(fù)位過程中，記錄FLASH存儲陣列中數(shù)據(jù)為O的存儲單元。
[0029]為了減少對FLASH擦除、編程或讀取過程中的影響，本實施例中采用在FLASH上電復(fù)位過程中，記錄FALSH存儲陣列中數(shù)據(jù)為O的存儲單元。
[0030]本實施例中，在NOR型FLASH存儲陣列的位線施加電壓，電壓產(chǎn)生存儲單元的讀取電流，通過將讀取電流和參考存儲單元的讀取電流進行比較，當(dāng)存儲單元的讀取電流小于或等于參考存儲單元的讀取電流時，則確定此存儲單元為數(shù)據(jù)O的存儲單元。通過上述確定存儲陣列中數(shù)據(jù)為O的存儲單元，并記錄數(shù)據(jù)為O的存儲單元。
[0031]步驟202、當(dāng)數(shù)據(jù)為O存儲單元的閾值電壓小于預(yù)定閾值時，記錄存儲單元的地址信息。
[0032]對于存儲單元，浮柵中的電荷量反映存儲單元閾值電壓的大小。
[0033]選定一參考存儲單元，并預(yù)先設(shè)定預(yù)定閾值；其中，預(yù)定閾值的設(shè)定指當(dāng)數(shù)據(jù)為O的存儲單元的閾值高于預(yù)定閾值時，則此數(shù)據(jù)為O的存儲單元隨著浮柵中電荷的流失等原因還不會影響對其的正確讀?。划?dāng)數(shù)據(jù)為O的存儲單元的閾值低于預(yù)定閾值時，則此數(shù)據(jù)為O的存儲單元隨著浮柵中電荷的流失等原因很快就會影響對其的正確讀取，或者已經(jīng)影響對數(shù)據(jù)為O存儲單元的正確讀取。
[0034]具體的，本實施例中，對數(shù)據(jù)為O的存儲單元進行讀取，并同時對參考存儲單元進行數(shù)據(jù)讀取。當(dāng)對數(shù)據(jù)為O的存儲單元讀取電流大于或等于參考存儲單元的電流時，則數(shù)據(jù)為O的存儲單元的閾值電壓小于或等于參考存儲單元預(yù)定閾值電壓。進而確定，閾值電壓小于或等于參考存儲單元預(yù)定閾值的存儲單元為需要進行數(shù)據(jù)恢復(fù)的存儲單元。
[0035]本實施例中，在本步驟中，通過比較確定數(shù)據(jù)為O的存儲單元中閾值電壓小于預(yù)定閾值的存儲單元，并記錄這些存儲單元的地址信息。
[0036]具體的，本實施例中，記錄存儲單元所在存儲塊的地址；將存儲塊的地址作為存儲單元的地址信息。
[0037]步驟203、在FLASH上電復(fù)位過程中，對地址信息對應(yīng)的存儲單元進行增強操作。
[0038]增強操作為增強存儲單元的閾值電壓，也即是通過一定的方式提高存儲單元的閾值電壓，例如可以通過溝道熱電子注入