增強(qiáng)nand型flash可靠性的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及閃存(Flash Memory)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種增強(qiáng)NAND型FLASH可靠性的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]可靠性是產(chǎn)品在規(guī)定條件下和規(guī)定時(shí)間內(nèi)完成規(guī)定功能的能力。對(duì)于閃存(FlashMemory)，簡(jiǎn)稱FLASH，一般而言，數(shù)據(jù)保持能力、耐久力、抗干擾能力等是評(píng)價(jià)閃存可靠性的重要參數(shù)，其中，數(shù)據(jù)保持力指的是閃存存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)一段時(shí)間之后沒(méi)有失真或丟失，仍可以有效讀出的能力。
[0003]NAND型FLASH是閃存的一種。對(duì)于NAND型FLASH在實(shí)際使用的過(guò)程中，因各種串?dāng)_和隨機(jī)效應(yīng)的影響，例如工藝波動(dòng)，浮柵的交叉耦合效應(yīng)，電荷轉(zhuǎn)移的隨機(jī)性等原因，使得NAND型FLASH存儲(chǔ)單元(cell)的閾值電壓產(chǎn)生隨機(jī)的改變。因NAND型FLASH在讀取、擦除或編程時(shí)都是以閾值電壓為基礎(chǔ)的，因此當(dāng)閾值電壓產(chǎn)生改變后，進(jìn)而會(huì)使得擦除與編程的性能越來(lái)越差，同時(shí)數(shù)據(jù)的保持特性也受到很大影響，進(jìn)而極大的降低了 NAND型FLASH的可靠性。并且，隨著NAND型FLASH工藝尺寸的進(jìn)一步縮小，尤其是2xnm及Ixnm及以下的MLC (2-bit信息/每存儲(chǔ)單元)和TLC (3-bit信息/每存儲(chǔ)單元)，影響也越來(lái)越明顯。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提出一種增強(qiáng)NAND型FLASH可靠性的方法，以增強(qiáng)NAND型FLASH的可靠性。
[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種增強(qiáng)NAND型FLASH可靠性的方法，包括:
[0006]預(yù)先獲取NAND型FLASH存儲(chǔ)陣列每次讀取、擦除或編程時(shí)各存儲(chǔ)單元的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)；
[0007]預(yù)先根據(jù)所述存儲(chǔ)陣列每次讀取、擦除或編程時(shí)各存儲(chǔ)單元的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)，建立衰退模型，并保存衰退模型至存儲(chǔ)陣列中；
[0008]在使用過(guò)程中，進(jìn)行讀取、擦除或編程時(shí)，根據(jù)預(yù)先保存的所述衰退模型調(diào)整相應(yīng)的讀取、擦除或編程方式；
[0009]根據(jù)調(diào)整后的讀取、擦除或編程方式對(duì)所述NAND型FLASH進(jìn)行讀取、擦除或編程。
[0010]進(jìn)一步的，所述的增強(qiáng)NAND型FLASH可靠性的方法，所述預(yù)先根據(jù)所述存儲(chǔ)陣列每次讀取、擦除或編程時(shí)各存儲(chǔ)單元的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)，建立衰退豐旲型，并保持裳退1吳型至存儲(chǔ)陣列中；包括:
[0011]預(yù)先根據(jù)存儲(chǔ)陣列每次讀取、擦除或編程時(shí)各存儲(chǔ)單元的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)，獲取所述存儲(chǔ)陣列每次讀取、擦除或編程時(shí)各頁(yè)的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)；
[0012]根據(jù)所述存儲(chǔ)陣列每次讀取、擦除或編程時(shí)各頁(yè)的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)，建立衰退模型，并保存衰退模型至存儲(chǔ)陣列中。
[0013]進(jìn)一步的，所述的增強(qiáng)NAND型FLASH可靠性的方法，所述獲取所述存儲(chǔ)陣列每次讀取、擦除或編程時(shí)各頁(yè)的閾值電壓，包括:
[0014]獲取每次讀取、擦除或編程時(shí)各頁(yè)中各存儲(chǔ)單元的閾值電壓；
[0015]根據(jù)各頁(yè)中各存儲(chǔ)單元的閾值電壓，獲取每次讀取、擦除或編程時(shí)各頁(yè)中各存儲(chǔ)單元的平均閾值電壓；
[0016]將所述各頁(yè)中各存儲(chǔ)單元的平均閾值電壓作為各頁(yè)的閾值電壓。
[0017]進(jìn)一步的，所述的NAND型FLASH可靠性的方法，所述根據(jù)所述存儲(chǔ)陣列每次讀取、擦除或編程時(shí)各頁(yè)的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)，建立衰退模型，并保存衰退模型至存儲(chǔ)陣列中；包括:
[0018]根據(jù)存儲(chǔ)陣列每次讀取、擦除或編程時(shí)各頁(yè)的閾值電壓，獲取每次讀取、擦除或編程時(shí)的所述各頁(yè)的閾值電壓與理想狀態(tài)下相應(yīng)頁(yè)的閾值電壓的差值；
[0019]建立每次讀取、擦除或編程時(shí)的所述各頁(yè)的閾值電壓與理想狀態(tài)下相應(yīng)頁(yè)的閾值電壓的差值和每次讀取、擦除或編程次數(shù)的第一映射關(guān)系；
[0020]將所述第一映射關(guān)系存入衰退模型，建立衰退模型，并保存衰退模型至存儲(chǔ)陣列中。
[0021]進(jìn)一步的，所述的NAND型FLASH可靠性的方法，所述根據(jù)所述存儲(chǔ)陣列每次讀取、擦除或編程時(shí)各頁(yè)的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)建立衰退模型，并保存衰退模型至存儲(chǔ)陣列中；包括:
[0022]建立每次讀取、擦除或編程時(shí)各頁(yè)的閾值電壓與每次讀取、擦除或編程次數(shù)的第_■映射關(guān)系；
[0023]將所述第二映射關(guān)系存入衰退模型，建立衰退模型，并保存衰退模型至存儲(chǔ)陣列中。
[0024]進(jìn)一步的，所述的NAND型FLASH可靠性的方法，所述根據(jù)所述存儲(chǔ)陣列每次讀取、擦除或編程時(shí)各存儲(chǔ)單元的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)，建立衰退模型，并保存衰退模型至存儲(chǔ)陣列中，包括:
[0025]將存儲(chǔ)陣列的讀取、擦除或編程次數(shù)劃分成至少一個(gè)范圍；
[0026]獲取各范圍內(nèi)次數(shù)的平均閾值電壓；
[0027]將所述各范圍內(nèi)次數(shù)的平均閾值電壓作為各范圍中各次數(shù)所對(duì)應(yīng)的閾值電壓；
[0028]根據(jù)各范圍中的次數(shù)及所述各范圍中次數(shù)所對(duì)應(yīng)的閾值電壓，建立衰退模型，并保存衰退模型至存儲(chǔ)陣列中。
[0029]進(jìn)一步的，所述一種增強(qiáng)NAND型FLASH可靠性的方法，所述在使用過(guò)程中，進(jìn)行讀取、擦除或編程時(shí)，根據(jù)預(yù)先保存的衰退模型調(diào)整相應(yīng)的讀取、擦除或編程方式；包括:
[0030]在使用過(guò)程中，進(jìn)行讀取、擦除或編程時(shí)，根據(jù)預(yù)先保存的衰退模型調(diào)整存儲(chǔ)陣列所施加的參考電壓。
[0031 ] 進(jìn)一步的，所述一種增強(qiáng)NAND型FLASH可靠性的方法，所述在使用過(guò)程中，進(jìn)行讀取、擦除或編程時(shí)，根據(jù)預(yù)先保存的衰退模型調(diào)整相應(yīng)的讀取、擦除或編程方式；包括:
[0032]在使用過(guò)程中，進(jìn)行讀取、擦除或編程時(shí)，根據(jù)預(yù)先保存的衰退模型調(diào)整數(shù)據(jù)的采樣時(shí)間。
[0033]進(jìn)一步的，所述的增強(qiáng)NAND型FLASH可靠性的方法，所述預(yù)先獲取NAND型FLASH存儲(chǔ)陣列每次讀取、擦除或編程時(shí)各存儲(chǔ)單元的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)；包括:
[0034]預(yù)先在第一次讀取、擦除或編程時(shí)起，獲取NAND型FLASH存儲(chǔ)陣列每次讀取、擦除或編程時(shí)各存儲(chǔ)單元的閾值電壓及相應(yīng)的讀取、擦除或編程次數(shù)。
[0035]本發(fā)明實(shí)施例提供的增強(qiáng)NAND型FLASH可靠性的方法，根據(jù)NAND型FLASH每次讀取、擦除或編程時(shí)各存儲(chǔ)單元的閾值電壓建立相應(yīng)的衰退模型，在讀取、擦除或編程時(shí)根據(jù)衰退模型調(diào)整讀取、擦除或編程的方式。以此，本發(fā)明技術(shù)方案根據(jù)衰退模型調(diào)整讀取方式、編程方式或擦除方式，以補(bǔ)償因干擾因素，例如工藝波動(dòng)、浮置柵極的交叉耦合效應(yīng)等因素對(duì)NAND型FLASH可靠性的影響；進(jìn)而在使用過(guò)程中因利用衰退模型對(duì)NAND型FLASH的補(bǔ)償效應(yīng)增強(qiáng)NAND型FLASH在使用過(guò)程中的可靠性，保證了 NAND型FLASH數(shù)據(jù)保持的完整性、耐久力及抗干擾性。
【附圖說(shuō)明】
[0036]此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限定。在附圖中:
[0037]圖1示出的是隨擦除和編程次數(shù)的增加擦除存儲(chǔ)單元閾值電壓、編程存儲(chǔ)單元閾值電壓變化及參考電壓示意圖；
[0038]圖2示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中增強(qiáng)NAND型FLASH可靠性的方法流程示意圖；
[0039]圖3示出的是根據(jù)衰退模型調(diào)整后隨擦除和編程次數(shù)的增加擦除存儲(chǔ)單元的閾值電壓、編程存儲(chǔ)單元的閾值電壓變化及參考電壓示意圖；
[0040]圖4示出的是本發(fā)明實(shí)施例二中增強(qiáng)NAND型FLASH可靠性的方法流程示意圖；
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