磁盤裝置、磁頭放大器以及磁盤裝置的控制方法
【專利說明】磁盤裝置、磁頭放大器以及磁盤裝置的控制方法
[0001]相關申請
[0002]本申請享受以美國臨時專利申請61/936，249號(申請日:2014年2月5日)為在先申請的優(yōu)先權。本申請通過參照該在先申請而包含其全部內容。
技術領域
[0003]本實施方式大致涉及磁盤裝置、磁頭放大器以及磁盤裝置的控制方法。
【背景技術】
[0004]在磁盤裝置中，有時進行DFH(Dynamic Flying Height:動態(tài)懸浮高度)控制。在DHl控制中，通過向搭載于磁頭的加熱器通電而使磁頭熱膨脹，從而調節(jié)磁頭相對于磁盤的磁間距。此時，就希望改善由磁頭讀出的信息的出錯率。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明改善由磁頭讀出的信息的出錯率。
[0006]根據實施方式，可提供一種具有磁盤、磁頭、加熱器和控制部的磁盤裝置。磁頭讀出記錄于磁盤的信息。加熱器調節(jié)磁頭相對于磁盤的磁間距?？刂撇颗c加熱器的通電設定相應地改變磁頭的偏置量。
【附圖說明】
[0007]圖1是表示第I實施方式所涉及的磁盤裝置結構的圖。
[0008]圖2是表示第I實施方式中的磁頭結構的圖。
[0009]圖3是表示第I實施方式中的磁頭結構的圖。
[0010]圖4是表示第I實施方式中的Di7H控制的圖。
[0011]圖5是表示第I實施方式中的偏置電流的控制的圖。
[0012]圖6是表示第I實施方式中的偏置電流的控制的圖。
[0013]圖7是表示第I實施方式中的偏置電路的結構的圖。
[0014]圖8是表示第I實施方式中的偏置電流的控制的圖。
[0015]圖9是表示急劇改變了偏置電流的情況下的控制的圖。
[0016]圖10是表示第I實施方式的變形例中的偏置電流的控制的圖。
[0017]圖11是表示第2實施方式中的磁頭放大器結構的圖。
[0018]圖12是表示第2實施方式中的偏置電路的結構的圖。
[0019]圖13是表示第2實施方式中的偏置電流的控制的圖。
[0020]圖14是表示第2實施方式中的偏置電流的控制的圖。
[0021]圖15是表示基本形態(tài)中的Di7H控制的圖。
【具體實施方式】
[0022]以下參照附圖，詳細地說明實施方式所涉及的磁盤裝置。另外，本發(fā)明并不受這些實施方式限定。
[0023](第I實施方式)
[0024]利用圖1對第I實施方式所涉及的磁盤裝置進行說明。圖1是表示磁盤裝置I結構的圖。
[0025]磁盤裝置I為例如硬盤驅動器，相對于主機40而言作為外部存儲裝置發(fā)揮作用。
[0026]具體地說，磁盤裝置I具有磁盤11、主軸電機12、磁頭22、致動臂15、音圈電機(VCM) 16、斜坡功能塊(ramp) 23和控制部33。這些各構成要素被收納于殼體(未圖示)的內部。
[0027]控制部33具有磁頭放大器24以及控制器32。磁頭放大器24具有偏置電路24a、偏置寄存器24b以及電力供給部24e?？刂破?2具有電機驅動器21、讀寫通道(RDC) 25、硬盤控制器(HDC)31、CPU26、SRAM27、R#R0M28 以及緩存 RAM29。
[0028]磁盤11是用于記錄各種信息的圓盤狀記錄介質，由主軸電機12驅動而旋轉。磁盤11具有以主軸電機12的旋轉中心附近為中心的同心圓狀的多條磁道。在各磁道，交替地設有數(shù)據區(qū)域DT與伺服區(qū)域SV(參照圖8)。
[0029]致動臂15轉動自如地安裝于樞軸17。在該致動臂15的一端安裝有磁頭22。在致動臂15的另一端連接有VCM16。該VCM16使致動臂15圍繞樞軸17旋轉，將磁頭22定位在懸浮于磁盤11的任意半徑位置上的狀態(tài)。此時，CPU26利用由磁頭22從伺服區(qū)域SV (參照圖8)讀出的伺服信號(伺服信息)來進行用于對磁頭22進行定位的伺服控制(定位控制)。
[0030]電機驅動器21根據來自CPU26的指令而驅動主軸電機12，使磁盤11以旋轉軸為中心按預定的轉速旋轉。另外，電機驅動器21根據來自CPU26的指令而驅動VCM16，使致動臂15的頂端的磁頭22在磁盤11的半徑方向上移動。
[0031]磁頭22，相對于磁盤11讀入數(shù)據并且/或者讀出記錄于磁盤11的信息(數(shù)據以及伺服信息)。磁頭22具有例如圖2以及圖3所示的結構。圖2表示從磁盤11的記錄面?zhèn)扔^察到的磁頭22的結構，圖3表示從磁盤11的周緣部側觀察到的磁頭22的結構。
[0032]磁頭22為在滑塊205上設有記錄頭201、再現(xiàn)頭(MR頭)202與加熱器204的結構。
[0033]記錄頭201利用從其磁極產生的磁場對磁盤11的數(shù)據區(qū)域寫入數(shù)據。再現(xiàn)頭202作為數(shù)據讀取磁盤11上的磁場的變化，由此讀出記錄于磁盤11的信息(數(shù)據以及伺服信息)。另外，在磁盤11的旋轉停止等時，磁頭22退讓到斜坡功能塊23(參照圖1)上。
[0034]加熱器204從電力供給部24e經由偏置電路24a接受電力供給而對磁頭22的滑塊205進行加熱。滑塊205由于該加熱而熱變形，所以磁頭22距磁盤11的磁間距SP變化。
[0035]在讀出處理時，磁頭放大器24對再現(xiàn)頭202從磁盤11所讀取的信號(讀信號)進行放大并向RDC25輸出。此時，CPU26進行控制使得從電力供給部24e經由偏置電路24a在再現(xiàn)頭202中流通偏置電流。RDC25對來自磁頭放大器24的信號進一步進行放大。RDC25具有AGC電路25a，使用AGC電路25a進行AGC (Auto Gain Control:自動增益控制)控制，對信號進行放大使得信號電平變?yōu)轭A定的目標值。
[0036]另外，磁頭放大器24在寫入處理時對從RDC25供給的寫入信號(寫信號)進行放大并向記錄頭201輸出。
[0037]在磁盤裝置I中，在讀出處理時以及寫入處理時，有時進行DHKDynamic FlyingHeight)控制。在DHl控制中，CPU26進行控制使得從電力供給部24e經由偏置電路24a對加熱器204進行電力供給。即，CPU26從電力供給部24e經由偏置電路24a向搭載于磁頭22的加熱器204通入DHl功率，使磁頭22熱膨脹。由此，能夠調節(jié)來頭22距磁盤11的磁間距SP。
[0038]例如，磁盤裝置I進行圖4所示那樣的控制。圖4是用于說明DHl控制的示意圖。在磁頭22上，在記錄頭201與再現(xiàn)頭202之間安裝有加熱器204。而且，CPU26向電力供給部24e發(fā)出電力供給指令，接受了該指令的電力供給部24e經由偏置電路24a向加熱器204進行電力供給，對加熱器204進行加熱。通過該加熱,如圖4的4A到4B所示那樣，磁頭22的滑塊205熱變形，能夠使記錄頭201以及再現(xiàn)頭202距磁盤11的磁間距SP從SPl變?yōu)镾P2( < SPl)。
[0039]在寫入處理時，如果減小記錄頭201距磁盤11的磁間距SP’則來自記錄頭201的磁通以相應的量更強地作用于磁盤11，所以能夠提高寫入特性，能夠改善被寫入數(shù)據的出錯率，能夠實現(xiàn)針對磁盤11的高面密度。
[0040]另外，在讀出處理時，如果減小再現(xiàn)頭202距磁盤11的磁間距SP，則磁盤11的磁力以相應的量更強地作用于再現(xiàn)頭202，所以能夠改善讀出特性，能夠改善讀出處理時的數(shù)據以及伺服信息的出錯率，能夠達成針對磁盤11的高面密度。由該Dra控制所控制的磁間距SP有時被稱為回退(back off)。
[0041]在這里，考慮假設如圖15的MD所示，將磁頭22中的再現(xiàn)頭202的偏置電流穩(wěn)定地維持為恒定值1的情況。圖15是表示基本形態(tài)中的Dra控制的圖。
[0042]在變更記錄磁道時，通過使電流在VCM16中流動，利用搭載有磁頭22的致動臂15進行查找工作。在查找中，有時磁頭22距磁盤11的磁間距SP會因由致動臂15受到的橫向風所引起的風干擾等而變動。在查找中，為了避免磁頭22與磁盤11碰撞，如圖15的15A所示的期間TPl那樣，停止利用DHl功率向加熱器204通電(停止DHl控制)。或者，如圖15的15A中單點劃線所示，向加熱器204通入比回退狀態(tài)(期間TP2、TP3)弱的DHl功率(DFH控制的微弱接通)。
[0043]也就是，如圖15的15A所示，在查找時(定時tl之前的期間TPl)，DHl功率比置于磁道或寫或讀時(定時t2以后的期間TP3)小。由此，查找時(期間TPl)的磁間距SPl比寫入/讀出時(期間TP3