磁盤裝置以及控制方法
【專利說明】
[0001] 相關(guān)申請
[0002] 本申請享受將日本專利申請2014-21657號（申請日：2014年2月6日）作為在 先申請的優(yōu)先權(quán)。本申請通過參照該在先申請而包含其全部內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 本發(fā)明的實施方式涉及磁盤裝置以及控制方法。
【背景技術(shù)】
[0004] 近年來，作為能夠?qū)崿F(xiàn)IT位/英寸2級別的高密度磁記錄的技術(shù)，熱輔助記錄方 式受到矚目。熱輔助記錄方式，通過近場光元件將由光源（激光二極管）產(chǎn)生的激光轉(zhuǎn)換 成近場光并照射磁盤的表面的一部分，局部提高磁盤的溫度。而且，通過磁場產(chǎn)生元件向磁 盤中的溫度上升了的部分施加磁場而以磁性方式記錄數(shù)據(jù)。此時，期望提高數(shù)據(jù)的可靠性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 1個實施方式的目的在于提供例如能夠提高數(shù)據(jù)的可靠性的磁盤裝置。
[0006] 根據(jù)1個實施方式，提供一種具有光源、光照射元件和控制器的磁盤裝置。光照射 元件接受來自光源的光并向磁盤照射光?？刂破髋c應(yīng)寫入磁盤的數(shù)據(jù)的脈沖寬度相應(yīng)地， 在第1控制與第2控制之間切換。在第1控制下，將光源的輸出維持為第1值。在第2控 制下，使光源的輸出在第1值與第2值之間周期性變動。第2值比第1值低。
【附圖說明】
[0007] 圖1是表示實施方式涉及的磁盤裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0008] 圖2是表示與實施方式中的RDC相關(guān)聯(lián)的結(jié)構(gòu)的圖。
[0009] 圖3是表示實施方式中的RDC的結(jié)構(gòu)的圖。
[0010] 圖4是表示實施方式中的前置放大器的構(gòu)成的圖。
[0011] 圖5是表示實施方式涉及的磁盤裝置的工作的波形圖。
[0012] 圖6是表示實施方式涉及的磁盤裝置的工作的流程圖。
[0013] 圖7是用于說明實施方式中的頻率特性的影響的圖。
[0014] 圖8是用于說明實施方式的效果的圖。
[0015] 圖9是用于說明實施方式的效果的圖。
[0016] 圖10是用于說明實施方式的效果的圖。
[0017] 圖11是用于說明實施方式的效果的圖。
[0018] 圖12是表示實施方式的變形例涉及的磁盤裝置的工作的波形圖。
[0019] 圖13是表示實施方式的其他變形例涉及的磁盤裝置的工作的波形圖。
【具體實施方式】
[0020] 以下參照附圖對實施方式涉及的磁盤裝置進(jìn)行詳細(xì)說明。另外，本發(fā)明并不由本 實施方式限定。
[0021] (實施方式）
[0022] 利用圖1以及圖2對實施方式涉及的磁盤裝置100的概要進(jìn)行說明。圖1是表示 實施方式涉及的磁盤裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖2是表示與實施方式涉及的磁盤裝置的數(shù)據(jù)記錄 相關(guān)聯(lián)的結(jié)構(gòu)的圖。
[0023] 磁盤50是記錄各種信息的圓盤狀記錄介質(zhì)，受主軸電機(jī)103驅(qū)動而旋轉(zhuǎn)。磁盤50 具有在相對于表面垂直方向上具有各向異性的垂直記錄層。磁盤50具有例如以主軸電機(jī) 103的旋轉(zhuǎn)中心附近為中心的同心圓狀的多條磁道。
[0024] 對磁盤50的讀寫由經(jīng)由頭滑架104設(shè)置于頭支撐機(jī)構(gòu)即臂107的一頂端的磁頭 5進(jìn)行。磁頭5包含記錄頭5w以及再現(xiàn)頭5r。
[0025] 記錄頭5w，一邊通過由磁盤50的旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的升力而維持從磁盤50的表面稍稍懸 浮的狀態(tài)，一邊沿磁道下行（down track)方向相對于磁盤50的表面相對移動，通過磁場產(chǎn) 生元件5d向磁盤50記錄信息。
[0026] 此時，在記錄頭5w，根據(jù)熱輔助記錄方式，通過波導(dǎo)5b將由光源（例如，LD:激光 二極管）5a產(chǎn)生的激光向近場光元件（光照射元件）5c引導(dǎo)，并通過近場光元件5c將激光 轉(zhuǎn)換成近場光。在記錄頭5w，將轉(zhuǎn)換后的近場光從近場光兀件5c向磁盤50表面的一部分 照射而局部提升磁盤50的溫度，用磁場產(chǎn)生元件5d向溫度上升了的部分施加磁場而磁記 錄信息。例如，磁場產(chǎn)生兀件5d -邊根據(jù)應(yīng)寫入數(shù)據(jù)的電平為1或0使磁化的磁場的方向 逆轉(zhuǎn)一邊向磁盤50寫入數(shù)據(jù)。即，記錄頭5w用于對磁盤50實施利用熱輔助記錄方式的寫 工作。
[0027] 另外，光源5a只要構(gòu)成為能夠經(jīng)由波導(dǎo)5b向近場光元件（光照射元件）5c供給 激光，也可以設(shè)置于磁頭5外部。
[0028] 再現(xiàn)頭5r，一邊通過由磁盤50的旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的升力而維持從磁盤50的表面稍稍懸 浮的狀態(tài)，一邊沿下行磁道方向相對于磁盤50的表面相對移動，用磁阻元件5e讀出記錄于 磁盤50的信息。即，再現(xiàn)頭5r用于針對磁盤50的讀工作。
[0029] 通過設(shè)置于臂107的另一端的頭驅(qū)動機(jī)構(gòu)即音圈電機(jī)102的驅(qū)動，臂107在以軸 108為中心的圓弧上轉(zhuǎn)動，記錄頭5w以及再現(xiàn)頭5r沿磁盤50的磁道橫跨（cross track) 方向查尋移動，變更要讀寫的對象的磁道。磁盤50、磁頭5、音圈電機(jī)102、主軸電機(jī)103收 納于殼體101內(nèi)。
[0030] 另外，如圖1所示，磁盤裝置100具有磁記錄控制部120。磁記錄控制部120具有 頭控制部（前置放大器）123、功率控制部121、讀寫通道（RDC，讀寫隧道）124、硬盤控制部 (HDC) 122以及存儲部125。頭控制部123具有寫電流控制部123a、再現(xiàn)信號檢測部123b 以及熱輔助控制部123c。功率控制部121具有主軸電機(jī)控制部121a以及音圈電機(jī)控制部 121b。存儲部125例如由RAM、ROM或者非易失性存儲器構(gòu)成。
[0031] 在利用熱輔助記錄方式的寫工作中，適用于與一定的激光功率相應(yīng)的近場光來 加熱磁盤50并通過對來自磁場產(chǎn)生元件5d的磁場進(jìn)行調(diào)制而在磁盤50上記錄信息的控 制（第1控制）。第1控制是如圖7的7D中單點劃線所示將光源5a的輸出維持為第1值 OPl的控制。圖7是用于說明頻率特性的影響的圖。
[0032] 假設(shè)固定地進(jìn)行第1控制，則在記錄時持續(xù)從光源5a向近場光元件5c供給一定 的光功率。由此，光源5a以及近場光兀件5c分別容易由于自身的發(fā)熱而劣化，光源5a以 及近場光元件5c各自的可靠性可能下降（參照圖10、圖11)。另外，為了在光源5a產(chǎn)生激 光就需要持續(xù)向光源5a供給一定的驅(qū)動電流，所以，光源5a的消耗功率容易增大。
[0033] 另一方面，作為利用熱輔助記錄方式的寫工作中的其他控制，適用與來自磁場產(chǎn) 生元件5d的產(chǎn)生磁場的極性逆轉(zhuǎn)同步地、一邊使來自光源5a的激光脈沖狀地（例如，間歇 地）變動一邊照射的控制（第2控制）。第2控制是如圖7的7D中實線所示使光源5a的 輸出在第1值OPl與第2值0P2之間周期地變動的控制。第2值0P2為比第1值OPl低的 值。
[0034] 假設(shè)固定地進(jìn)行第2控制，則不需要持續(xù)向光源5a施加一定的電流。由此，與固 定地進(jìn)行第1控制的情況相比，能夠抑制接受光源5a的光的近場光元件5c因發(fā)熱所引起 的劣化，所以，能夠使近場光元件5c長壽命化，能夠抑制近場光元件5c的可靠性下降。另 外，能夠降低按時間平均后的對光源5a供給的電流量，所以能夠降低光源5a的消耗功率。
[0035] 但是，在固定地進(jìn)行第2控制的情況下，被寫入磁盤50的數(shù)據(jù)的可靠性可能會下 降。
[0036] 在第2控制下，用于控制光源5a的驅(qū)動電流的控制信號（脈沖數(shù)據(jù)）從RDC124 向前置放大器123供給。此時，圖7的7A所示的從RDC124輸出的矩形狀的波形受到進(jìn)行 激光驅(qū)動控制的傳送路的頻率特性（f特性A)的影響，而在向前置放大器123輸入時減弱 成如圖7的7B所示那樣。另外，受到前置放大器123內(nèi)的頻率特性（f特性B)的影響，從 前置放大器123向光源5a供給的驅(qū)動電流的波形減弱成如圖7的7C所示那樣。進(jìn)而，受 到光源5a內(nèi)的頻率特性（f特性C)的影響，從光源5a出射的激光的輸出的波形進(jìn)而減弱 成如圖7的7D所示那樣。
[0037] 因此，如果固定地進(jìn)行第2控制，則在激光控制用傳送路的頻率只能確定在磁場 控制用信號傳送路的頻率以下的情況下，激光控制電流值與控制頻率相應(yīng)地變化，因此，難 以在記錄于磁盤裝置100的數(shù)據(jù)的全部帶域內(nèi)得到均勻的信號品質(zhì)。例如，在激光的輸出 波形中，與理想的波形相比，在應(yīng)寫入磁盤50的數(shù)據(jù)WDATA的脈沖寬度變短了的情況下該 數(shù)據(jù)的振幅容易衰減。由此，數(shù)據(jù)WDATA的脈沖寬度變得越短，實際寫入磁盤50的數(shù)據(jù)相 當(dāng)于應(yīng)寫入數(shù)據(jù)WDATA的可靠性可能越低（參照圖8)。
[0038] 因此，在本實施方式中，在磁盤裝置100中，通過與應(yīng)寫入磁盤50的數(shù)據(jù)的脈沖寬 度相應(yīng)地在第1控制與第2控制之間切換，可一邊謀求光源5a、近場光元件5c的長壽命化 以及光源5a的低消耗功率化，一邊提高寫入磁盤50的數(shù)據(jù)的可靠性。
[0039] 如圖2所示，在磁盤裝置100，RDC(控制器）124與從HDC122接受的指令以及/或 者數(shù)據(jù)51相應(yīng)地進(jìn)行第1控制與第2控制的切換。
[0040] 具體地說，HDC122與經(jīng)由主機(jī)I/F122a從主機(jī)HS接受的指令以及/或者數(shù)據(jù)1相 應(yīng)地生成預(yù)定的指令以及/或者數(shù)據(jù)51并向RDC124輸出。RDC124進(jìn)行與預(yù)定的指令以及 /或者數(shù)據(jù)51相應(yīng)的控制。例如，RDC124在接受到了寫入指令的情況下，生成應(yīng)寫入磁盤 50的數(shù)據(jù)φ54并向前置放大器123輸出。
[0041] 另外，RDC124生成熱輔助控制信號φ200并向前置放大器123輸出。熱輔助控制 信號φ200是用于控制應(yīng)在前置放大器123產(chǎn)生的光源5a的驅(qū)動電流的信號。
[0042] 此時，RDC124 -邊與應(yīng)寫入數(shù)據(jù)φ54的脈沖寬度相應(yīng)地切換第1控制與第2控 制，一邊生成熱輔助控制信號φ200。第1控制為將光源5a的輸出維持為第1值OPl的控 制。第2控制為使光源5a的輸出在第1值OPl與第2值0P2之間周期性變動的控制。第 2值0P2為比第1值OP