第二編碼字的各位的位值的每個的所述候補即所述電壓范圍預先求出該電壓范圍是所述存儲器單元的寫入時的電壓范圍的概率， 所述控制器基于所述再讀取所形成的讀取結果和所述概率來決定所述第一編碼字的各位值。6.根據(jù)權利要求3所述的存儲裝置，其特征在于， 所述控制器在糾錯后的所述第二編碼字的各位的位值的每個預先求出保存有所述第二編碼字的所述存儲器單元的閾值電壓所屬的所述電壓范圍的候補，在所述電壓范圍的每個，對于所述存儲器單元的閾值電壓被觀測為屬于該電壓范圍的情況下的、糾錯后的所述第二編碼字的各位的位值的每個的所述候補即所述電壓范圍預先求出該電壓范圍是所述存儲器單元的寫入時的電壓范圍的概率， 所述控制器基于所述再讀取所形成的讀取結果和所述概率來求出所述第一編碼字的每個位的似然度， 所述控制器使用所述似然度來進行糾錯處理并決定所述第一編碼字的各位值。7.一種存儲器控制器，其特征在于， 控制具有一個以上字線和一個以上存儲器單元且存儲作為編碼字的第一編碼字及第二編碼字的半導體存儲器，并進行以下控制:所述存儲器單元能分別存儲多個位，與一個字線連接的多個所述存儲器單元能存儲多個頁， 其中，所述存儲器控制器從所述半導體存儲器的所述多個頁中的一個頁讀取所述第一編碼字及向所述多個頁中的與所述第一編碼字對應的所述頁以外的頁寫入的所述第二編碼字， 所述存儲器控制器使用從所述半導體存儲器讀取的所述第一編碼字及第二編碼字來進行糾錯處理， 所述存儲器控制器在由所述糾錯處理不能糾正所述第一編碼字且能糾正所述第二編碼字的情況下再讀取所述第一編碼字， 所述存儲器控制器使用所述再讀取所形成的讀取結果和糾錯后的所述第二編碼字的各位的位值來決定所述第一編碼字的各位值。8.根據(jù)權利要求7所述的存儲器控制器，其特征在于， 使用糾錯后的所述第二編碼字的各位的位值來決定用于再讀取所述第一編碼字的讀取電壓，并使用決定的所述讀取電壓來實施所述再讀取。9.根據(jù)權利要求7所述的存儲器控制器，其特征在于， 在η為2以上的整數(shù)，所述存儲器單元能存儲η位，所述存儲器單元的閾值電壓被分類為2η個電壓范圍，所述2η個電壓范圍分別與2η個數(shù)據(jù)值對應，為了識別所述存儲器單元的閾值電壓屬于所述2η個電壓范圍中的哪個所述電壓范圍而使用2η -1個讀取電壓的情況下， 使用所述2η -1個讀取電壓來再讀取所述第一編碼字。10.根據(jù)權利要求9所述的存儲器控制器，其特征在于， 在糾錯后的所述第二編碼字的各位的位值的每個求出保存有所述第二編碼字的所述存儲器單元的閾值電壓所屬的所述電壓范圍的候補，并基于所述再讀取所形成的讀取結果而在所述存儲器單元的每個求出該存儲器單元的閾值電壓所屬的電壓范圍來作為觀測電壓范圍，選擇所述候補中的靠近所述觀測電壓范圍的范圍來作為所述存儲器單元的閾值電壓所屬的電壓范圍，基于選擇的電壓范圍來決定所述第一編碼字的位值。11.根據(jù)權利要求9所述的存儲器控制器，其特征在于， 在糾錯后的所述第二編碼字的各位的位值的每個預先求出保存有所述第二編碼字的所述存儲器單元的閾值電壓所屬的所述電壓范圍的候補，在所述電壓范圍的每個，對于所述存儲器單元的閾值電壓被觀測為屬于該電壓范圍的情況下的、糾錯后的所述第二編碼字的各位的位值的每個的所述候補即所述電壓范圍預先求出該電壓范圍是所述存儲器單元的寫入時的電壓范圍的概率， 基于所述再讀取所形成的讀取結果和所述概率來決定所述第一編碼字的各位值。12.根據(jù)權利要求9所述的存儲器控制器，其特征在于， 在糾錯后的所述第二編碼字的各位的位值的每個預先求出保存有所述第二編碼字的所述存儲器單元的閾值電壓所屬的所述電壓范圍的候補，在所述電壓范圍的每個，對于所述存儲器單元的閾值電壓被觀測為屬于該電壓范圍的情況下的、糾錯后的所述第二編碼字的各位的位值的每個的所述候補即所述電壓范圍預先求出該電壓范圍是所述存儲器單元的寫入時的電壓范圍的概率， 基于所述再讀取所形成的讀取結果和所述概率來求出所述第一編碼字的每個位的似然度， 使用所述似然度來進行糾錯處理并決定所述第一編碼字的各位值。13.一種存儲器控制方法，其特征在于， 控制半導體存儲器，該半導體存儲器具有一個以上字線和一個以上存儲器單元，所述存儲器單元能分別存儲多個位，與一個字線連接的多個所述存儲器單元能存儲多個頁， 該存儲器控制方法包括以下步驟: 將作為編碼字的第一編碼字向作為所述半導體存儲器的所述多個頁中之一的第一頁寫入，以及將作為所述編碼字的第二編碼字向所述半導體存儲器的所述多個頁中的所述第一頁以外的第二頁寫入； 從所述半導體存儲器的所述第一頁讀取所述第一編碼字，以及從所述半導體存儲器的所述第二頁讀取所述第二編碼字； 使用從所述半導體存儲器讀取的所述第一編碼字及第二編碼字來進行糾錯處理；在由所述糾錯處理不能糾正所述第一編碼字且能糾正所述第二編碼字的情況下再讀取所述第一編碼字；和 使用所述再讀取所形成的讀取結果和糾錯后的所述第二編碼字的各位的位值來決定所述第一編碼字的各位值。14.根據(jù)權利要求13所述的存儲器控制方法，其特征在于， 使用糾錯后的所述第二編碼字的各位的位值來決定用于再讀取所述第一編碼字的讀取電壓，并使用決定的所述讀取電壓來實施所述再讀取。15.根據(jù)權利要求13所述的存儲器控制方法，其特征在于， 在η為2以上的整數(shù)，所述存儲器單元能存儲η位，所述存儲器單元的閾值電壓被分類為2η個電壓范圍，所述2η個電壓范圍分別與2η個數(shù)據(jù)值對應，為了識別所述存儲器單元的閾值電壓屬于所述2η個電壓范圍中的哪個所述電壓范圍而使用2η -1個讀取電壓的情況下， 使用所述2η -1個讀取電壓來再讀取所述第一編碼字。16.根據(jù)權利要求15所述的存儲器控制方法，其特征在于， 在糾錯后的所述第二編碼字的各位的位值的每個求出保存有所述第二編碼字的所述存儲器單元的閾值電壓所屬的所述電壓范圍的候補，并基于所述再讀取所形成的讀取結果而在所述存儲器單元的每個求出該存儲器單元的閾值電壓所屬的電壓范圍來作為觀測電壓范圍，選擇所述候補中的靠近所述觀測電壓范圍的范圍來作為所述存儲器單元的閾值電壓所屬的電壓范圍，基于選擇的電壓范圍來決定所述第一編碼字的位值。17.根據(jù)權利要求15所述的存儲器控制方法，其特征在于， 在糾錯后的所述第二編碼字的各位的位值的每個預先求出保存有所述第二編碼字的所述存儲器單元的閾值電壓所屬的所述電壓范圍的候補，在所述電壓范圍的每個，對于所述存儲器單元的閾值電壓被觀測為屬于該電壓范圍的情況下的、糾錯后的所述第二編碼字的各位的位值的每個的所述候補即所述電壓范圍預先求出該電壓范圍是所述存儲器單元的寫入時的電壓范圍的概率， 基于所述再讀取所形成的讀取結果和所述概率來決定所述第一編碼字的各位值。18.根據(jù)權利要求15所述的存儲器控制方法，其特征在于， 在糾錯后的所述第二編碼字的各位的位值的每個預先求出保存有所述第二編碼字的所述存儲器單元的閾值電壓所屬的所述電壓范圍的候補，在所述電壓范圍的每個，對于所述存儲器單元的閾值電壓被觀測為屬于該電壓范圍的情況下的、糾錯后的所述第二編碼字的各位的位值的每個的所述候補即所述電壓范圍預先求出該電壓范圍是所述存儲器單元的寫入時的電壓范圍的概率， 基于所述再讀取所形成的讀取結果和所述概率來求出所述第一編碼字的每個位的似然度， 使用所述似然度來進行糾錯處理并決定所述第一編碼字的各位值。
【專利摘要】根據(jù)本實施方式，存儲裝置包括：半導體存儲器，存儲作為編碼字的第一編碼字及第二編碼字，并具有多層單元，與一個字線連接的多個存儲器單元能存儲多個頁；和控制器，其從半導體存儲器的多個頁中的一個頁讀取第一編碼字及向多個頁中的與第一編碼字對應的頁以外的頁寫入的第二編碼字。控制器使用從半導體存儲器讀取的第一編碼字及第二編碼字來進行糾錯處理，控制器在由糾錯處理不能糾正第一編碼字且能糾正第二編碼字的情況下再讀取第一編碼字，控制器使用再讀取所形成的讀取結果和糾錯后的第二編碼字的各位的位值來決定第一編碼字的各位值。
【IPC分類】G11C16/26, G11C16/34
【公開號】CN104916330
【申請?zhí)枴緾N201410232680
【發(fā)明人】山崎進, 吉田賢治
【申請人】株式會社 東芝
【公開日】2015年9月16日
【申請日】2014年5月29日
【公告號】US20150256203