嵌入式非易失性存儲器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及嵌入式非易失性存儲器。
【背景技術(shù)】
[0002] 可W通過將非易失性存儲器嵌入先進的邏輯電路來進一步提高用于移動應(yīng)用的 先進的邏輯電路的功能和性能。然而，仍需要解決一些問題W將非易失性存儲器的工藝與 先進的邏輯電路集成。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明提供了一種非易失性存儲器，包括：至少兩個 柵極堆疊件，位于襯底上，其中，每個所述柵極堆疊件均從底部到頂部依次包括隧道氧化物 層、浮置柵極、中間介電層、控制柵極和掩模層；第一間隔件，位于所述兩個柵極堆疊件的側(cè) 壁上；柵極介電層，位于暴露的所述襯底上；擦除柵極，位于兩個所述柵極堆疊件之間并且 具有不高于所述控制柵極的頂面的非平坦頂面；兩條字線，位于兩個所述柵極堆疊件的外 側(cè)上并且具有不高于所述控制柵極的頂面的非平坦頂面；W及覆蓋層，分別位于所述擦除 柵極和所述字線上。
[0004] 在上述非易失性存儲器中，其中，所述字線的頂面是U形。
[0005] 在上述非易失性存儲器中，其中，所述擦除柵極和所述字線由多晶娃制成。
[0006] 在上述非易失性存儲器中，其中，所述第一間隔件和所述覆蓋層均包括內(nèi)部氧化 娃層和外部氮化娃層。
[0007] 在上述非易失性存儲器中，還包括位于所述字線的外側(cè)壁上的第二間隔件。
[000引在上述非易失性存儲器中，還包括位于所述字線的外側(cè)壁上的第二間隔件；其中， 每個所述第二間隔件均包括內(nèi)部氧化娃層和外部氮化娃層。
[0009] 根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種形成非易失性存儲器的方法，所述方法包 括：在襯底上形成兩個柵極堆疊件，其中，每個所述柵極堆疊件均從底部到頂部依次包括隧 道氧化物層、浮置柵極、中間介電層、控制柵極和掩模層；在所述兩個柵極堆疊件的側(cè)壁上 形成第一間隔件；在暴露的所述襯底上形成柵極介電層；形成位于所述兩個柵極堆疊件之 間的擦除柵極和位于所述兩個柵極堆疊件的外側(cè)上的兩條字線，其中，所述擦除柵極和兩 條所述字線的頂面不高于所述控制柵極的頂面；在所述擦除柵極和所述字線的頂面上分別 形成復(fù)合覆蓋層。
[0010] 在上述方法中，其中，所述擦除柵極和所述字線的形成包括；形成具有厚度大于所 述柵極堆疊件的厚度的多晶娃層；各向異性地蝕刻所述多晶娃層直到暴露出所述襯底W形 成所述擦除柵極和所述字線。
[0011] 在上述方法中，其中，所述復(fù)合覆蓋層的形成包括：在所述襯底之上形成第一介電 層；各向異性地蝕刻所述第一介電層直到暴露出所述襯底W在所述字線和所述擦除柵極上 形成第一覆蓋層；在所述襯底之上形成第二介電層；W及各向異性地蝕刻所述第二介電層 直到暴露出所述襯底w在所述字線的側(cè)壁上形成第二間隔件w及在所述擦除柵極上形成 第二覆蓋層，其中，復(fù)合覆蓋層包括所述第一覆蓋層和所述第二覆蓋層。
[0012] 在上述方法中，其中，所述復(fù)合覆蓋層的形成包括：在所述襯底之上形成第一介電 層；各向異性地蝕刻所述第一介電層直到暴露出所述襯底W在所述字線和所述擦除柵極上 形成第一覆蓋層；在所述襯底之上形成第二介電層；W及各向異性地蝕刻所述第二介電層 直到暴露出所述襯底W在所述字線的側(cè)壁上形成第二間隔件W及在所述擦除柵極上形成 第二覆蓋層，其中，復(fù)合覆蓋層包括所述第一覆蓋層和所述第二覆蓋層；其中，每個所述第 一介電層和所述第二介電層均包括底部氧化娃層和頂部氮化娃層。
[0013] 在上述方法中，其中，每個所述第一間隔件均包括內(nèi)部氧化娃層和外部氮化娃層。
[0014] 根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供了一種形成非易失性存儲器的方法，所述方法包 括：在襯底上形成兩個柵極堆疊件，其中，每個所述柵極堆疊件均從底部到頂部依次包括隧 道氧化物層、浮置柵極、中間介電層、控制柵極和掩模層；在所述兩個柵極堆疊件的側(cè)壁上 形成第一間隔件；在暴露的所述襯底上形成柵極介電層；在所述襯底之上依次形成多晶娃 層和有機層，其中，所述多晶娃層的厚度小于所述隧道氧化物層、所述浮置柵極、所述中間 介電層和所述控制柵極的總厚度，W及所述有機層的頂面高于所述柵極堆疊件的頂面；蝕 刻所述有機層和所述多晶娃層直到所述多晶娃層的頂面不高于所述控制柵極的頂面；去除 所述有機層的殘留物；在所述襯底之上形成第一介電層；W及各向異性地蝕刻所述第一介 電層和所述第一介電層下方的所述多晶娃層直到暴露出所述襯底，其中，蝕刻所述多晶娃 層W在兩個所述柵極堆疊件之間形成擦除柵極W及形成位于所述兩個柵極堆疊件的外側(cè) 上的字線，W及蝕刻所述第一介電層W在所述字線和所述擦除柵極上形成第一覆蓋層。
[0015] 在上述方法中，其中，每個所述第一間隔件均包括內(nèi)部氧化娃層和外部氮化娃層。
[0016] 在上述方法中，還包括；在所述襯底之上形成第二介電層；W及各向異性地蝕刻 所述第二介電層直到暴露出所述襯底W在所述字線的外側(cè)壁上形成第二間隔件。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供了一種形成非易失性存儲器的方法，所述方法包 括：在襯底上形成兩個柵極堆疊件，其中，每個所述柵極堆疊件均從底部到頂部依次包括隧 道氧化物層、浮置柵極、中間介電層、控制柵極和掩模層；在所述兩個柵極堆疊件的側(cè)壁上 形成第一間隔件；在暴露的所述襯底上形成柵極介電層；在所述襯底之上依次形成多晶娃 層和第一介電層，其中，所述多晶娃層的厚度小于所述隧道氧化物層、所述浮置柵極、所述 中間介電層和所述控制柵極的總厚度；各向異性地蝕刻所述第一介電層和所述第一介電層 下方的所述多晶娃層直到暴露出所述襯底，其中，蝕刻所述多晶娃層W在兩個所述柵極堆 疊件之間形成擦除柵極W及形成位于兩個所述柵極堆疊件的外側(cè)上的字線，W及蝕刻所述 第一介電層W在所述字線和所述擦除柵極上形成第一覆蓋層；在暴露的所述襯底上形成有 機層；蝕刻暴露的所述字線和暴露的所述擦除柵極直到所述擦除柵極和所述字線的頂面低 于所述控制柵極的頂面；去除所述有機層；在所述襯底之上形成第二介電層；W及各向異 性地蝕刻所述第二介電層W在所述字線的外側(cè)壁上形成第二間隔件并且在所述字線和所 述擦除柵極上形成第二覆蓋層。
[0018] 在上述方法中，其中，每個所述第一間隔件均包括內(nèi)部氧化娃層和外部氮化娃層。
[0019] 在上述方法中，所述第一介電層和所述第二介電層均包括底部氧化娃層和頂部氮 化娃層。
[0020] 在上述方法中，其中，通過干蝕刻實施對暴露的所述字線和暴露的所述擦除柵極 的蝕刻。
[0021] 在上述方法中，其中，通過干蝕刻實施對暴露的所述字線和暴露的所述擦除柵極 的蝕刻；其中，通過將SFe用作等離子體源在多晶娃蝕刻機中實施所述干蝕刻。
[0022] 在上述方法中，其中，通過干蝕刻實施對暴露的所述字線和暴露的所述擦除柵極 的蝕刻；其中，通過將和氧用作等離子體源在遠程等離子體蝕刻機中實施所述干蝕 亥IJ，并且CxHyFz是CH2尸2、CHFs、CF4、CsFe、CsFs、CaFs或CsFs。
【附圖說明】
[0023] 當結(jié)合附圖進行閱讀時，從W下詳細描述可最佳地理解本發(fā)明的各個方面。應(yīng)該 注意，根據(jù)工業(yè)中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各種部件 的尺寸可W被任意增大或減小。
[0024] 圖1A至圖1H是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的示出了嵌入式非易失性存儲器的工藝 的截面圖。
[0025] 圖2A至圖2D是根據(jù)本發(fā)明的一些其他實施例的示出了嵌入式非易失性存儲器的 工藝的截面圖。
[0026] 圖3A至圖3D是根據(jù)本發(fā)明的一些其他實施例的示出了嵌入式非易失性存儲器的 工藝的截面圖。
[0027] 圖、圖表和圖解是說明性的且不旨在限制，而是本發(fā)明的實施例的實例，僅用于解 釋的目的，并且未按比例繪制。
【具體實施方式】
[002引 W下公開內(nèi)容提供了許多用于實現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實施例或?qū)嵗?下面描述了組件和布置的具體實例W簡化本發(fā)明。當然，該些僅僅是實例，而不旨在限制本 發(fā)明。例如，在W下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可W包括第一部件和第二 部件W直接接觸的方式形成的實施例，并且也可W包括在第一部件和第二部件之間可W形 成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可W不直接接觸的實施例。此外，本發(fā)明可在 各個實例中重復(fù)參考標號和/或字符。該重復(fù)是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指 示所討論的各個實施例和/或配置之間的關(guān)系。
[0029] 而且，為了便于描述，在此可W使用諸如"在…下方"、"在…下面"、"下"、"在…之 上"、"上"等空間相對術(shù)語W描述如圖所示的一個元件或部件與另一個（或另一些）元件或 部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對術(shù)語旨在包括器件在使用或操作中的不同 方位。裝置可其他方式定向（旋轉(zhuǎn)90度或在