能快速讀數(shù)據(jù)的讀電路及存儲器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲器領(lǐng)域，特別是涉及一種能快速讀數(shù)據(jù)的讀電路及存儲器。
【背景技術(shù)】
[0002]存儲器(Memory)是現(xiàn)代各種電子設(shè)備中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。電子設(shè)備中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。存儲器根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，電子設(shè)備才有記憶功能，才能保證正常工作。
[0003]存儲器的分類方式有多種，例如，
[0004]1、按存儲介質(zhì)可將存儲器分為半導(dǎo)體存儲器和磁表面存儲器，其中，半導(dǎo)體存儲器是采用半導(dǎo)體器件構(gòu)成的存儲器，磁表面存儲器是采用磁性材料構(gòu)成的存儲器。
[0005]2、按存儲方式可將存儲器分為隨機(jī)存儲器和順序存儲器，在隨機(jī)存儲器中，任何存儲單元的內(nèi)容都能被隨機(jī)存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關(guān)，而在順序存儲器中，只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關(guān)。
[0006]3、按讀寫功能可將存儲器分為只讀存儲器(ROM)和隨機(jī)讀寫存儲器(RAM)，其中，只讀存儲器(ROM)中存儲的內(nèi)容是固定不變的，只能讀出而不能寫入；而隨機(jī)讀寫存儲器(RAM)是既能進(jìn)行數(shù)據(jù)讀出又能進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入。
[0007]4、按信息保存性可將存儲器分為非永久記憶的存儲器和永久記憶性存儲器，其中，非永久記憶的存儲器所存儲的信息在斷電后信息即消失，而永久記憶性存儲器所存儲的信息在斷電后仍能保存。
[0008]5、按用途可將存儲器分為主存儲器、輔助存儲器、高速緩沖存儲器、控制存儲器坐寸ο
[0009]雖然存儲器的種類繁多，但現(xiàn)有存儲器，尤其是EEPR0M，其在讀數(shù)據(jù)時，通常都是先基于待讀存儲單元的地址信息來對該個待讀存儲單元的上電端進(jìn)行充電，隨后讀取其所存儲的數(shù)據(jù)；接著再基于下一待讀存儲單元的地址信息來對該下一個待讀存儲單元的上電端進(jìn)行充電，……如此依序進(jìn)行，直至數(shù)據(jù)讀取操作的結(jié)束。然而，該種讀取數(shù)據(jù)的方式較為費(fèi)時，因此，極有必要進(jìn)行改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種能快速讀數(shù)據(jù)的讀電路。
[0011]本發(fā)明的另一目的在于提供一種能快速讀出數(shù)據(jù)的存儲器。
[0012]為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種能快速讀數(shù)據(jù)的讀電路，在讀電路本體中包括:
[0013]上電單元，其基于各存儲單元中同一行一個待讀存儲單元的地址信息將該個待讀存儲單元所在位線上的至少部分存儲單元的上電端全部予以上電。
[0014]優(yōu)選地，該待讀存儲單元為該行中第一個進(jìn)行讀操作的待讀存儲單元。
[0015]更為優(yōu)選地,所述上電單元將該待讀存儲單元所在位線上的全部存儲單元的上電端全部予以上電。
[0016]優(yōu)選地,所述上電單元包括基于各存儲單元中同一行的一個待讀存儲單元的地址信息來輸出上電信號的上電信號產(chǎn)生電路、及基于所述上電信號向待讀存儲單元所在位線上的所有存儲單元的上電端提供上電電源的電源提供電路。
[0017]更為優(yōu)選地，所述上電信號產(chǎn)生電路包括或非門、連接所述或非門的反相器。
[0018]更為優(yōu)選地，所述或非門一輸入端接入待讀存儲單元的行地址信號、另一輸入端接入待讀存儲單元的列地址信號；所述電源提供電路包括連接所述反相器輸出端的擦寫單
J Li ο
[0019]優(yōu)選地，所述讀電路本體屬于EEPROM中的讀電路。
[0020]本發(fā)明還提供一種存儲器，其包括前述的能快速讀數(shù)據(jù)的讀電路。
[0021]如上所述，本發(fā)明的能快速讀數(shù)據(jù)的讀電路及存儲器，具有以下有益效果:直接基于行地址信號來對該行所有存儲單元的上電端端進(jìn)行上電，由此能實現(xiàn)數(shù)據(jù)的快速讀取。
【附圖說明】
[0022]圖1顯示為本發(fā)明的能快速讀數(shù)據(jù)的讀電路示意圖。
[0023]圖2顯示為基于本發(fā)明能快速讀數(shù)據(jù)的讀電路所構(gòu)建的存儲器讀數(shù)據(jù)時的信號示意圖。
[0024]元件標(biāo)號說明
[0025]I上電單元
[0026]11上電信號產(chǎn)生電路
[0027]12電源提供電路
【具體實施方式】
[0028]以下由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0029]請參閱圖1至圖2。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實施的限定條件，故不具技術(shù)上的實質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本發(fā)明可實施的范疇。
[0030]如圖1所示，本發(fā)明提供一種能快速讀數(shù)據(jù)的讀電路。所述讀電路本體中包括:上電單元I。
[0031]所述上電單元I基于各存儲單元中同一行一個待讀存儲單元的地址信息將該個待讀存儲單元所在位線上的至少部分存儲單元的上電端全部予以上電。
[0032]其中，各存儲單元可以是任何一種存儲器中的存儲單元，優(yōu)選地，各存儲單元屬于電可擦除可編程器(Electrically Erasable Programmable ROM, EEPR0M)內(nèi)的存儲單兀。
[0033]優(yōu)選地，所述上電單元I基于各存儲單元中同一行一個待讀存儲單元的地址信息將該個待讀存儲單元所在位線上的全部存儲單元的上電端全部予以上電。
[0034]更為優(yōu)選地，所述上電單元I基于各存儲單元中同一行第一個待讀存儲單元的地址信息將該個待讀存儲單元所在位線上的全部存儲單元的上電端全部予以上電。
[0035]例如，當(dāng)需要讀取存儲器Al中第5行第6列的存儲單