測試半導(dǎo)體存儲器的方法
【專利說明】測試半導(dǎo)體存儲器的方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2014年4月2日提交的韓國專利申請N0.10-2014-0039435的優(yōu)先權(quán)，該申請的公開內(nèi)容以引用的方式合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]與示例性實(shí)施例一致的方法和設(shè)備涉及測試半導(dǎo)體存儲器，具有而言，涉及半導(dǎo)體存儲器測試方法，通過該測試方法提取出針對處于晶片狀態(tài)下的半導(dǎo)體存儲器的最優(yōu)操作條件。
【背景技術(shù)】
[0004]根據(jù)中斷對器件供電時(shí)是否丟失已存儲的數(shù)據(jù)，將半導(dǎo)體存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器。非易失性存儲器的操作模式分為寫模式或編程模式、讀模式和擦除模式，在寫模式或編程模式中將數(shù)據(jù)存儲在存儲單元中，在讀模式中從存儲單元讀取數(shù)據(jù)，在擦除模式中從存儲單元擦除已存儲的數(shù)據(jù)。在開發(fā)用于有效存儲數(shù)據(jù)的非易失性存儲器時(shí)，需要考慮這些操作特性和諸如制造工藝特性和結(jié)構(gòu)特性之類的其他各種特性。
[0005]在制造非易失性存儲器的過程中，在晶片階段期間執(zhí)行測試以便了解最優(yōu)操作條件。在考慮到各種操作條件時(shí)，通常依賴于工程師的知識來執(zhí)行測試，這是因?yàn)闇y試的數(shù)量是受限的。結(jié)果是，存在有這樣的缺點(diǎn)，其中很有可能將與實(shí)際上最優(yōu)的操作條件不同的操作條件選擇為最優(yōu)條件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]根據(jù)示例性實(shí)施例的一個(gè)方面，提供一種測試半導(dǎo)體存儲器的方法，該方法包括步驟:根據(jù)與第一代對應(yīng)的多個(gè)用例對半導(dǎo)體存儲器執(zhí)行測試并且針對所述多個(gè)用例中的每一個(gè)用例產(chǎn)生模型化測試結(jié)果；基于模型化測試結(jié)果從所述多個(gè)用例當(dāng)中確定最優(yōu)用例；以及基于所述最優(yōu)用例產(chǎn)生與第二代對應(yīng)的多個(gè)用例。
[0007]根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的一個(gè)方面，提供一種測試半導(dǎo)體存儲器的方法，該方法包括步驟:基于模型化測試結(jié)果確定最優(yōu)用例，所述模型化測試結(jié)果對應(yīng)于基于與第一代對應(yīng)的多個(gè)用例來對半導(dǎo)體存儲器執(zhí)行測試的結(jié)果；以及基于最優(yōu)用例產(chǎn)生與第二代對應(yīng)的多個(gè)用例，其中，與第一代對應(yīng)的多個(gè)用例包括在第一代之前的前一代的各最優(yōu)用例以及分別與前一代的各最優(yōu)用例對應(yīng)的各測試用例，并且所述確定最優(yōu)用例的步驟包括:將前一代的各最優(yōu)用例所對應(yīng)的模型化測試結(jié)果和分別與前一代的各最優(yōu)用例對應(yīng)的各測試用例所對應(yīng)的模型化測試結(jié)果進(jìn)行比較；以及根據(jù)比較的結(jié)果確定針對第一代的最優(yōu)用例。
[0008]根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的一個(gè)方面，提供一種計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)，其上記錄有測試程序，該測試程序包括:測試操作器，其配置為根據(jù)與第一代對應(yīng)的多個(gè)用例執(zhí)行測試并針對所述多個(gè)用例產(chǎn)生模型化測試結(jié)果；優(yōu)化器，其配置為基于模型化測試結(jié)果從所述多個(gè)用例當(dāng)中確定最優(yōu)用例；以及用例發(fā)生器，其配置為基于最優(yōu)用例產(chǎn)生與第二代對應(yīng)的多個(gè)用例。
[0009]根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的一個(gè)方面，提供一種測試裝置，其包括:測試操作器，其配置為根據(jù)與第一代對應(yīng)的多個(gè)用例執(zhí)行測試并針對所述多個(gè)用例產(chǎn)生模型化測試結(jié)果；優(yōu)化器，其配置為基于模型化測試結(jié)果從所述多個(gè)用例當(dāng)中確定最優(yōu)用例；以及用例發(fā)生器，其配置為基于最優(yōu)用例產(chǎn)生與第二代對應(yīng)的多個(gè)用例。
[0010]根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的一個(gè)方面，提供一種用于測試半導(dǎo)體存儲器的測試裝置，該測試裝置包括:處理器，其配置為基于輸入數(shù)據(jù)運(yùn)行測試程序；以及存儲器，其配置為存儲通過測試程序的運(yùn)行所產(chǎn)生的輸出數(shù)據(jù)，其中輸入數(shù)據(jù)包括關(guān)于下列的信息中的至少之一:半導(dǎo)體存儲器的操作條件、各操作條件中的每一個(gè)操作條件的變化范圍、目標(biāo)函數(shù)(object1n funct1n)和最優(yōu)用例確定次數(shù)。
[0011]根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的一個(gè)方面，提供一種測試半導(dǎo)體存儲器的方法，該法包括步驟:在給定的值的范圍內(nèi)隨機(jī)產(chǎn)生多個(gè)測試用例；以及將下列步驟執(zhí)行多次迭代:根據(jù)多個(gè)測試用例對半導(dǎo)體存儲器執(zhí)行測試并且針對各個(gè)測試用例產(chǎn)生模型化測試結(jié)果；基于模型化測試結(jié)果從多個(gè)測試用例當(dāng)中確定多個(gè)最優(yōu)測試用例；以及基于確定的最優(yōu)測試用例產(chǎn)生多個(gè)新的測試用例。
【附圖說明】
[0012]通過參考附圖來詳細(xì)說明示例性實(shí)施例，上述及其他方面將變得明顯，在附圖中:
[0013]圖1是根據(jù)示例性實(shí)施例的測試裝置的框圖；
[0014]圖2是根據(jù)示例性實(shí)施例的操作圖1所示的測試裝置的方法的流程圖；
[0015]圖3是根據(jù)示例性實(shí)施例的圖2所示的方法中產(chǎn)生測試結(jié)果的操作的詳細(xì)流程圖；
[0016]圖4是根據(jù)示例性實(shí)施例的圖2所示的方法中確定最優(yōu)用例的操作的詳細(xì)流程圖；
[0017]圖5是根據(jù)示例性實(shí)施例的圖2所示的方法中產(chǎn)生與第二代對應(yīng)的多個(gè)用例的操作的詳細(xì)流程圖；
[0018]圖6是根據(jù)示例性實(shí)施例的用于解釋圖1所示的用例發(fā)生器的操作的示圖；
[0019]圖7是根據(jù)示例性實(shí)施例的示出了存儲單元的特性隨測試次數(shù)變化的示圖；
[0020]圖8是根據(jù)示例性實(shí)施例的用于解釋測試程序發(fā)生器的操作的示圖，該測試程序發(fā)生器使用了圖7所示的存儲單元的特性變化；
[0021]圖9是根據(jù)示例性實(shí)施例的示出了單元分布的示圖，以解釋圖1所示的結(jié)果分析器的操作；
[0022]圖10是根據(jù)示例性實(shí)施例的示出了每字線失效位的數(shù)量的示圖，以解釋圖1所示的結(jié)果分析器的操作；
[0023]圖11是根據(jù)示例性實(shí)施例的示出了多個(gè)芯片當(dāng)中的平均特性的偏差的示圖，以解釋圖1所示的結(jié)果分析器的操作；以及
[0024]圖12是用于解釋圖1所示的測試裝置的效果的比較示圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面將參考示出了各種示例性實(shí)施例的附圖更加充分地說明示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以按照多種不同的形式來實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)當(dāng)被看作僅限于這里所闡述的示例性實(shí)施例。相反，提供這些示例性實(shí)施例是為了使得本公開將是透徹且完整的，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明構(gòu)思。在附圖中，會出于清楚的目的而夸大各層和各區(qū)域的尺寸和相對尺寸。相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。
[0026]應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)一個(gè)元件被稱作“連接”或“耦接”至另一個(gè)元件時(shí)，所述一個(gè)元件可以直接連接或親接至另一個(gè)元件，或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)一個(gè)元件被稱作“直接連接”或“直接耦接”至另一個(gè)元件時(shí)，則不存在中間元件。如本文所使用的那樣，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)的所列項(xiàng)中的一個(gè)或多個(gè)的任意和全部組合，并且可以簡寫為“/”。
[0027]應(yīng)當(dāng)理解，盡管會在本文中使用術(shù)語“第一”、“第二”等以說明各種元件，但是這些元件不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語所限定。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)元件與另一個(gè)元件區(qū)分開。例如，“第一”信號可以被稱作“第二”信號，并且類似地，“第二”信號也可以被稱作“第一”信號，而沒有背離本公開的指教。
[0028]本文所使用的術(shù)語僅僅是出于說明特定示例性實(shí)施例的目的，而不是旨在進(jìn)行限定。如本文所使用的那樣，單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”和“該”也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文明確地指出不是這樣。還應(yīng)當(dāng)理解，術(shù)語“包括”和/或“包括……的”或者“包含”和/或“包含……的”在用于本說明書時(shí)，表明存在所述的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個(gè)或多個(gè)其他特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
[0029]除非另外進(jìn)行了定義，否則本文所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員的通常理解相同的含義。還應(yīng)當(dāng)理解，那些諸如在常用字典中定義的術(shù)語，應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與其在相關(guān)領(lǐng)域和/或本申請的上下文中的含義相一致的含義，并且不應(yīng)當(dāng)理想化或過于形式化地進(jìn)行解釋，除非本文這樣明確地進(jìn)行了限定。
[0030]圖1是根據(jù)示例性實(shí)施例的測試裝置的框圖。測試裝置100用于對晶片狀態(tài)下的半導(dǎo)體存儲器進(jìn)行測試。晶片10包括多個(gè)芯片50，其可以是半導(dǎo)體存儲器50。盡管在圖1中示出了 5X5的芯片陣列，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，沒有特別地限定芯片的幾何形狀和數(shù)量。
[0031]測試操作用于針對每一個(gè)半導(dǎo)體存儲器50來確定當(dāng)各個(gè)半導(dǎo)體存儲器50中的每一個(gè)從晶片10分離并安裝到模塊后進(jìn)行操作時(shí)的最優(yōu)操作