終包含MTJ的產(chǎn)品哪些可以是成百上千的MTJ部分中的那6個的示例。
[0037]因此，上文已經(jīng)對各種工藝進行了闡述，任何所述工藝都可以產(chǎn)生圖1的實施例。
[0038]圖1描繪了器件的截面，該器件具有:(a)與MTJ陣列區(qū)域相對的邏輯區(qū)域中的不同ILD材料。例如，單個水平面與3個MTJ、ILD 170、以及邏輯區(qū)域105中的ILD部分相交。邏輯區(qū)域105中的ILD部分可以包括與位于區(qū)域110中的ILD 170的材料不同的ILD材料。例如，邏輯區(qū)域105中的ILD部分可以包括氧化硅ILD材料并且MTJ區(qū)域110中的ILD部分可以包括可流動的氧化物。然而，在其它實施例中，ILD材料可以是相同的。
[0039]圖1描繪了器件的截面，該器件具有:(b)在MTJ陣列區(qū)域的周界處的MTJ薄膜堆疊體的剩余部分。例如，圖1的區(qū)域126包括底部MTJ 140的水平和垂直部分、隧道勢皇135的水平和垂直部分、以及頂部MTJ 140的垂直部分。當只標注了區(qū)域126時，要注意對稱的MTJ薄膜堆疊體剩余部分還位于與穿過MTJ區(qū)域110的區(qū)域216相對的位置。在另一個實施例中，堆疊體剩余部分包括底部MTJ 140的水平和垂直部分、隧道勢皇135的水平和垂直部分、以及頂部MTJ 140的水平和垂直部分。在另一個實施例中，堆疊體剩余部分包括底部MTJ 140的垂直部分、隧道勢皇135的垂直部分、以及頂部MTJ 140的垂直部分。在另一個實施例中，堆疊體剩余部分包括底部MTJ 140的垂直部分、隧道勢皇135的垂直部分、以及頂部MTJ 140的水平和垂直部分。
[0040]圖1描繪了器件的截面，該器件具有:(C)在圖案化的硬掩模和/或頂部MTJ薄膜的邊緣上存在的側(cè)壁間隔體。例如，如圖1所示，存在3個MTJ。MTJ中的每一個的頂部MTJ層125被設(shè)置成與兩個垂直間隔體部分(側(cè)壁間隔體)相鄰。這些側(cè)壁間隔體也相鄰并且位于3個MTJ的頂部上的硬掩模部分的邊緣上。然而，在其它實施例中，間隔體可以直接與頂部MTJ和硬掩模層的僅其中之一相鄰或接觸。
[0041]圖1描繪了器件的截面，該器件具有:(d)與隧道勢皇和底部MTJ薄膜的邊緣相比的位于頂部MTJ薄膜的邊緣之間的水平間距。例如，對于每個MTJ，頂部MTJ層的總體水平寬度小于對應(yīng)的隧道勢皇的總體寬度和/或頂部MTJ層的總體水平寬度小于對應(yīng)的底部MTJ層的總體寬度。底部MTJ層與頂部MTJ層的寬度之間的差等于兩個間隔體側(cè)壁的寬度。隧道勢皇的寬度與頂部MTJ層的寬度之間的差等于兩個間隔體側(cè)壁的寬度。底部MTJ層的寬度與頂部MTJ層的寬度之間的差等于兩個間隔體側(cè)壁的寬度。在一些實施例中，底部MTJ層和隧道勢皇對于一些或全部MTJ具有相同的寬度，但是在其它實施例中，底部MTJ層和隧道勢皇對于一些或全部MTJ具有不同的寬度。
[0042]圖1描繪了器件的截面，該器件具有:(e)在隧道勢皇和底部MTJ薄膜的邊緣上的拋光停止薄膜的剩余部分。例如，如圖1所示，存在3個MTJ。MTJ中的每一個的隧道勢皇和/或底部MTJ層140被設(shè)置成與拋光停止部分相鄰并且直接接觸。拋光停止部分可以是垂直部分。這些垂直拋光停止部分還可以是垂直側(cè)壁間隔體的相鄰部分。
[0043]實施例可以具有各種組合，例如上面剛剛提到的元素(a)、(b)、(c)、(d)、和/或(e)的任何組合。
[0044]如本文中所使用的，層可以具有子層。例如，頂部MTJ層實際上可以由許多子層組成。例如并且如上所述，在一個實施例中，MTJ薄膜140由以下材料組成(從底部到頂部):3nm 組(Ta) ;20nm 鉬猛(PtMn) ;2.3nm 鐵化鈷(Co70Fe30) ；0.8nm IT (Ru) ;2.5nm 鈷鐵硼(C06ciFe2ciB2ci)。因此，5個子層包括在MTJ薄膜140中。隧道勢皇135包括1.2nm氧化鎂(MgO)，但是在替代的實施例中，層135可以包括一個或多個子層。頂部MTJ 125薄膜包括2.5nm C06ciFe2ciB2ci，但是在替代的實施例中，層可以包括一個或多個子層。硬掩模130材料包括50nm Ta，但是在替代的實施例中，層可以包括氮化鉭、鈦和氮化鈦、和/或一個或多個子層。例如，實施例可以包括具有子層(1.7nm Co60Fe20B20/5nm Ta/5nm Ru)的頂部MTJ薄膜、隧道勢皇(0.85nm MgO)、以及具有子層(5nm Ta/Inm Co60Fe20B20)的底部MTJ薄膜。另一個實施例可以包括具有子層(L0-L7nm Co60Fe20B20/5nm Ta/5nm Ru)的頂部MTJ薄膜、隧道勢皇(0.85-0.9nm MgO)、以及具有子層(5nm Ta/1Onm Ru/5nm Ta/1.0-1.3nm Co60Fe20B20)的底部MTJ薄膜。另一個實施例可以包括具有子層(CoFeB)的頂部MTJ薄膜、隧道勢皇(MgO)、以及具有子層(PtMn/CoFe/Ru/CoFeB)的底部MTJ薄膜。另一個實施例可以包括具有子層(CoFeB (3nm) /Ru (7nm) /Cu (I 1nm) /Ru (2nm) /Ta (1nm)或 CoFeB (3nm) /Ta (8nm) /Ru (7nm))的頂部MTJ薄膜、具有子層(Mg(0.4nm)+Mg0(0.6nm))的隧道勢皇、以及具有子層(Ta(5nm)/CuN(20nm)/Ta (1nm)/PtMn(15nm)/CoFe(2.5nm)/Ru(0.8nm)/CoFeB(3nm))的底部 MTJ 薄膜。許多其它示例是可能的并且可以被本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員理解，并且出于簡潔的目的而不對這些示例進行描述。
[0045]實施例可以用于許多不同類型的系統(tǒng)中。例如，在一個實施例中，通信設(shè)備(例如，移動電話、智能手機、上網(wǎng)本、筆記本、個人計算機、手表、照相機)可以被布置為包括本文中所述的各種實施例。現(xiàn)在參考圖25，示出的是根據(jù)本發(fā)明的實施例的系統(tǒng)的方框圖。多處理器系統(tǒng)700是點對點互連系統(tǒng)，并且包括第一處理器770和經(jīng)由點對點互連750而耦合的第二處理器780。處理器770和780中的每一個都可以是多核處理器。第一處理器770可以包括存儲器控制器中心(MCH)和點對點(P-P)接口。類似地，第二處理器780可以包括MCH和P-P接口。MCH可以將處理器耦合至相應(yīng)的存儲器，即，存儲器732和存儲器734，它們可以是本地連接到相應(yīng)處理器的主存儲器(例如，動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM))的部分。然而，處理器可以位于與本文中所述的存儲器相同的芯片上。第一處理器770和第二處理器780可以分別經(jīng)由P-P互連而耦合至芯片組790。芯片組790可以包括P-P接口。此外，芯片組790可以經(jīng)由接口而耦合至第一總線716。各種輸入/輸出(I/O)設(shè)備714可以耦合至第一總線716、以及總線橋718，所述總線橋718將第一總線716耦合至第二總線720。在一個實施例中，各種設(shè)備可以耦合至第二總線720，所述設(shè)備包括例如鍵盤/鼠標722、通信設(shè)備726、以及可以包括代碼730的諸如硬盤驅(qū)動器或其它大容量存儲設(shè)備等的數(shù)據(jù)存儲裝置728。代碼可以包括在一個或多個存儲器中，所述存儲器包括存儲器728、732、734、經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)耦合至系統(tǒng)700的存儲器等。此外，音頻I/O 724可以耦合至第二總線720。
[0046]要注意，本文中多次使用的“頂部MTJ”和“底部MTJ”層是用于解釋的目的，然而，在不脫離本文中所描述的實施例的創(chuàng)新概念的情況下，MTJ可以被“顛倒”以使頂層變?yōu)榈讓?即，改變視角)。
[0047]作為另一示例，至少一個機器可讀介質(zhì)包括多個指令，所述指令響應(yīng)于在計算設(shè)備上被執(zhí)行而使計算設(shè)備實施本文中所述的方法中的任一種。用于處理指令的裝置可以被配置為執(zhí)行本文中所述的方法中的任何方法。并且裝置還可以包括用于執(zhí)行本文中所述的方法中的任一種的單元。
[0048]實施例可以以代碼的形式來實施并且可以被存儲在機器可讀存儲介質(zhì)上，該機器可讀存儲介質(zhì)將指令存儲于其上，所述指令可以用于對系統(tǒng)進行編程以執(zhí)行指令。存儲介質(zhì)可以包括但不限于:任何類型的硬盤，包括軟盤、光盤、固態(tài)驅(qū)動器(SSD)、光盤只讀存儲器(CD-ROM)、可重寫光盤(CD-RW)、以及磁光盤；半導(dǎo)體器件，例如只讀存儲器(R0M)、諸如動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)等的隨機存取存儲器(RAM)、可擦除可編程只讀存儲器(EPROM)、閃存存儲器、電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)