割成規(guī)定大小而得到 玻璃基板。
[0172] 接下來，對(duì)該玻璃基板進(jìn)行磨光工序，以提高尺寸精度和形狀精度。該磨光工序利 用雙面磨光裝置進(jìn)行。
[0173] (2)形狀加工工序
[0174] 接著，利用圓筒狀的磨石在玻璃基板的中央部分打通孔，并對(duì)外周端面進(jìn)行磨削 而使直徑Λ/ Omtmp，:之后對(duì)外周端面和內(nèi)周端面實(shí)施規(guī)定的倒角加工。
[0175] (3)精磨光工序
[0176] 該精磨光工序使用了雙面磨光裝置。
[0177] (4)端面研磨工序
[0178] 接下來，通過刷光研磨一邊使玻璃基板旋轉(zhuǎn)一邊對(duì)玻璃基板端面（內(nèi)周、外周）的 表面進(jìn)行研磨。并且，對(duì)完成了上述端面研磨的玻璃基板的表面進(jìn)行清洗。
[0179] (5)主表面研磨工序（第一研磨工序）
[0180] 接著，利用雙面研磨裝置進(jìn)行第一研磨工序。在雙面研磨裝置中，使通過載具保持 的玻璃基板緊貼在粘貼有研磨墊的上下研磨定盤之間，并使該載具與太陽齒輪（sun gear) 和內(nèi)齒輪（internal gear)嗤合，并通過上下定盤夾持上述玻璃基板。其后，向研磨墊與玻 璃基板的研磨面之間供給研磨液并使其旋轉(zhuǎn)，玻璃基板在定盤上一邊自轉(zhuǎn)一邊公轉(zhuǎn)，由此 對(duì)雙面同時(shí)進(jìn)行研磨加工。具體來說，利用硬質(zhì)拋光材料（硬質(zhì)發(fā)泡氨基甲酸酯）作為拋 光材料，實(shí)施第一研磨工序。作為研磨液，為將氧化鈰作為研磨劑分散而成的研磨液。將完 成了上述第一研磨工序的玻璃基板清洗、干燥。
[0181] (6)化學(xué)強(qiáng)化工序
[0182] 接著，對(duì)完成上述清洗的玻璃基板實(shí)施化學(xué)強(qiáng)化?；瘜W(xué)強(qiáng)化中，準(zhǔn)備將硝酸鉀與硝 酸鈉混合而成的化學(xué)強(qiáng)化液，將該化學(xué)強(qiáng)化溶液加熱至380°C，并將完成了上述清洗和干燥 的玻璃基板浸漬約4小時(shí)，進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化處理。
[0183] (7)主表面研磨工序（第二研磨工序）
[0184] 接下來，利用與在上述第一研磨工序中使用的研磨裝置同樣的雙面研磨裝置，將 拋光材料替換為軟質(zhì)拋光材料（絨面革）的研磨墊（發(fā)泡聚氨酯），從而實(shí)施第二研磨工 序。該第二研磨工序是鏡面研磨加工，在維持上述第一研磨工序中得到的平坦的表面的同 時(shí)，拋光成例如玻璃基板主表面的表面粗糙度Ra為0. 2nm左右以下的平滑的鏡面。作為研 磨液，為將膠態(tài)二氧化硅分散于水中而成的物質(zhì)，并調(diào)整為酸性。將完成了上述第二研磨工 序的玻璃基板清洗、干燥。
[0185] 需要說明的是，上述研磨墊使用了 7種研磨墊。這7種研磨墊均是基材側(cè)孔徑最 大（100 μπι~200 μπι)，最表層側(cè)的孔徑小，為3 μπι~20 μπι。對(duì)于各研磨墊，根據(jù)上述方 法計(jì)測(cè)壓入圓柱狀的壓頭時(shí)的下沉量，求出其算術(shù)平均值。其結(jié)果示于表5。
[0186] 利用原子力顯微鏡（AFM)對(duì)經(jīng)過上述各工序（上述第二研磨工序中分別使用上述 7種研磨墊）得到的玻璃基板（實(shí)施例12~17和比較例4)的主表面的表面粗糙度進(jìn)行了 測(cè)定，結(jié)果均得到了 Rmax = I. 43nm、Ra = 0· 13nm的具有超平滑表面的玻璃基板。
[0187] 另外，對(duì)于所得到的上述各玻璃基板，利用目視和光學(xué)式表面分析裝置測(cè)定了該 玻璃基板的表面，用SEM和AFM分析了所發(fā)現(xiàn)的缺陷，計(jì)算了傷痕等表面缺陷（長(zhǎng)度50nm 以下、深度5nm以下程度的微小刮痕）的數(shù)量。結(jié)果示于表5。
[0188] 另外，所得到的玻璃基板的外徑為65mm、內(nèi)徑為20mm、板厚為0. 635mm。
[0189] [表 5]
[0190]
[0191] 由上述表5的結(jié)果可知，通過使用壓頭壓入導(dǎo)致的下沉量的算術(shù)平均值為5 μπι以 上的研磨墊進(jìn)行鏡面研磨加工，能夠降低上述微小傷痕缺陷（每一枚基板6個(gè)~10個(gè)）。 特別是，通過使用下沉量的算術(shù)平均值為10 μ m以上的研磨墊進(jìn)行鏡面研磨加工，能夠進(jìn) 一步降低上述微小的傷痕缺陷（每一枚基板5個(gè)以下）。
[0192] 接著，對(duì)變化壓頭直徑時(shí)的算術(shù)平均值與微小傷痕缺陷數(shù)的關(guān)系進(jìn)行了調(diào)查。結(jié) 果示于表6。此時(shí)，對(duì)壓頭施加的負(fù)荷為2. 5mN。
[0193] [表 6]
[0194]
[0195] 在下沉量的測(cè)定中，在壓頭的壓入負(fù)荷為2. 5mN、壓頭的直徑為20 μ m或100 μ m的 條件下，由上述表6的結(jié)果也可知，下沉量的算術(shù)平均值與微小傷痕缺陷數(shù)之間不存在相 關(guān)關(guān)系。其理由可推測(cè)為：在壓頭的直徑為20μπι的情況下，壓頭的前端部貫通存在于墊表 面的微小孔內(nèi)部，因而無法測(cè)定精確的硬度。另外推測(cè)：在壓頭的直徑為100 μ m的情況下， 大于墊內(nèi)部的孔徑，因此無法測(cè)定孔部和壁部各自的硬度。
[0196] 接著，對(duì)壓頭的直徑為50 μ m、壓入負(fù)荷為0. 25mN或25. OmN的條件下的算術(shù)平均 值與微小傷痕缺陷數(shù)的關(guān)系進(jìn)行了調(diào)查。其結(jié)果示于表7。
[0197] [表 7]
[0198]
[0199] 由表7的結(jié)果也可知，下沉量的算術(shù)平均值與微小傷痕缺陷數(shù)之間不存在相關(guān)關(guān) 系。
[0200] 因此，根據(jù)上述理由，作為測(cè)定研磨墊的下沉量時(shí)的壓頭的壓入條件，壓頭的直徑 為50 μ m、壓入負(fù)荷為2. 5mN是最佳的。
[0201] (磁盤的制造）
[0202] 對(duì)上述實(shí)施例1中得到的各磁盤用玻璃基板分別實(shí)施以下的成膜工序，得到垂直 磁記錄用磁盤。
[0203] 即，在上述玻璃基板上依次成膜由Ti系合金薄膜構(gòu)成的附著層、由CoTaZr合金薄 膜構(gòu)成的軟磁性層、由Ru薄膜構(gòu)成的底層、由CoCrPt合金構(gòu)成的垂直磁記錄層、碳保護(hù)層、 潤(rùn)滑層。保護(hù)層用于防止磁記錄層因與磁頭接觸而劣化的情況，其由氫化碳構(gòu)成，可得到耐 磨損性。另外，潤(rùn)滑層是將醇改性全氟聚醚的液體潤(rùn)滑劑通過浸漬法形成的。
[0204] 對(duì)于所得到的磁盤，利用Dra磁頭進(jìn)行了滑動(dòng)特性試驗(yàn)，結(jié)果未發(fā)生磁頭碰撞，得 到了良好的結(jié)果。
[0205] 另外，對(duì)上述實(shí)施例12中得到的各磁盤用玻璃基板分別實(shí)施上述的成膜工序，得 到了垂直磁記錄用磁盤。
[0206] 對(duì)于所得到的磁盤，利用Dra磁頭進(jìn)行了特定的重寫特性試驗(yàn)，但沒有重寫障礙， 得到了良好的結(jié)果。
[0207] 符號(hào)的說明
[0208] 1玻璃基板
[0209] 2太陽齒輪
[0210] 3內(nèi)齒輪
[0211] 4 載具
[0212] 5上定盤
[0213] 6下定盤
[0214] 7研磨墊
[0215] 10圓柱狀壓頭
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種磁盤用玻璃基板的制造方法，該磁盤用玻璃基板的制造方法包括下述研磨處 理：向玻璃基板的主表面與具備發(fā)泡樹脂層的研磨墊之間供給包含研磨磨粒的研磨液，對(duì) 玻璃基板的主表面進(jìn)行研磨，其特征在于， 作為所述研磨墊，使用以下的研磨墊： 從所述研磨墊的作為研磨面的表面以2. 5mN的負(fù)荷壓入直徑為50 y m的圓柱狀壓頭的 圓形部分時(shí)，計(jì)測(cè)所述研磨墊的下沉量，在所述研磨墊表面以50 ixm間隔連續(xù)取得12點(diǎn)的 該下沉量，在所取得的下沉量中，由除最大值和最小值外的10點(diǎn)的下沉量的數(shù)據(jù)得到標(biāo)準(zhǔn) 偏差時(shí)，該標(biāo)準(zhǔn)偏差為0. 15 ym以下。2. 如權(quán)利要求1所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述研磨墊中的所 述10點(diǎn)的下沉量的算術(shù)平均值為5 ym以上。3. -種磁盤用玻璃基板的制造方法，該磁盤用玻璃基板的制造方法包括下述研磨處 理：向玻璃基板的主表面與具備發(fā)泡樹脂層的研磨墊之間供給包含研磨磨粒的研磨液，對(duì) 玻璃基板的主表面進(jìn)行研磨，其特征在于， 作為所述研磨墊，使用以下的研磨墊： 從所述研磨墊的作為研磨面的表面以2. 5mN的負(fù)荷壓入直徑為50 y m的圓柱狀壓頭的 圓形部分時(shí)，計(jì)測(cè)所述研磨墊的下沉量，在所述研磨墊表面以50 ixm間隔連續(xù)取得12點(diǎn)的 該下沉量，在所取得的下沉量中，由除最大值和最小值外的10點(diǎn)的下沉量的數(shù)據(jù)得到算術(shù) 平均值時(shí)，該算術(shù)平均值為5 y m以上。4. 如權(quán)利要求3所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述研磨墊中的所 述10點(diǎn)的下沉量的算術(shù)平均值為10 ym以上。5. 如權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，進(jìn)行所 述研磨處理前的玻璃基板的表面粗糙度Ra為3nm以下。6. 如權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，利用定 盤上貼附有所述研磨墊的行星齒輪方式的研磨裝置同時(shí)研磨所述玻璃基板的兩主表面時(shí)， 按照所述研磨墊對(duì)于所述玻璃基板的擠壓力在75gf/cm 2~150gf/cm2的范圍的方式進(jìn)行所 述研磨處理。7. 如權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述研 磨磨粒包含膠態(tài)二氧化硅。8. 如權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述磁 盤用玻璃基板是在搭載于具備DHl型磁頭的硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁盤中所用的玻璃基板。9. 一種磁盤的制造方法，其特征在于，在利用權(quán)利要求1~8中任一項(xiàng)所述的制造方法 所得到的磁盤用玻璃基板上至少形成磁性層。10. -種研磨墊，其為在對(duì)磁盤用玻璃基板的主表面進(jìn)行研磨的研磨處理中所用的研 磨墊，其特征在于， 從所述研磨墊的作為研磨面的表面以2. 5mN的負(fù)荷壓入直徑為50 y m的圓柱狀壓頭的 圓形部分時(shí)，計(jì)測(cè)所述研磨墊的下沉量，在所述研磨墊表面以50 ixm間隔連續(xù)取得12點(diǎn)的 該下沉量，在所取得的下沉量中，由除最大值和最小值外的10點(diǎn)的下沉量的數(shù)據(jù)得到標(biāo)準(zhǔn) 偏差時(shí)，該標(biāo)準(zhǔn)偏差為0. 15 ym以下。11. 一種研磨墊，其為在對(duì)磁盤用玻璃基板的主表面進(jìn)行研磨的研磨處理中所用的研 磨墊，其特征在于， 從所述研磨墊的作為研磨面的表面以2. 5mN的負(fù)荷壓入直徑為50 y m的圓柱狀壓頭的 圓形部分時(shí)，計(jì)測(cè)所述研磨墊的下沉量，在所述研磨墊表面以50 ixm間隔連續(xù)取得12點(diǎn)的 該下沉量，在所取得的下沉量中，由除最大值和最小值外的10點(diǎn)的下沉量的數(shù)據(jù)得到算術(shù) 平均值時(shí)，該算術(shù)平均值為5 y m以上。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠降低形狀波長(zhǎng)為50μm～150μm的范圍的微小波紋的磁盤用玻璃基板的制造方法。本發(fā)明中將下述研磨墊用于研磨處理，對(duì)于該研磨墊而言，從研磨墊的表面以2.5mN的負(fù)荷壓入直徑為50μm的圓柱狀壓頭的圓形部分時(shí)，在研磨墊表面以50μm間隔連續(xù)計(jì)測(cè)12點(diǎn)的研磨墊的下沉量，由所取得的下沉量中除最大值和最小值外的10點(diǎn)的下沉量的數(shù)據(jù)得到標(biāo)準(zhǔn)偏差，該標(biāo)準(zhǔn)偏差為0.15μm以下。
【IPC分類】G11B5/84, B24B37/005, C03C19/00, B24B37/11
【公開號(hào)】CN105051816
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480017827
【發(fā)明人】俵義浩
【申請(qǐng)人】Hoya株式會(huì)社
【公開日】2015年11月11日
【申請(qǐng)日】2014年3月30日
【公告號(hào)】WO2014163026A1, WO2014163026A8